JP2006053472A - 光導波モジュール及び光情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1の半導体層5、絶縁層6及び第2の半導体層7とがこの順に積層され、第1の半導体層5に光導波層3が形成されている光導波装置8と、この光導波装置8の光導波層3に光を入射させる光入射手段(例えば、レーザー等の発光素子)9とを有する光導波モジュール2において、第2の半導体層7から少なくとも光導波層3に達する凹部10が形成され、この凹部10に面した光導波層3の光入射端面11に位置合わせされた状態で光入射手段9が凹部10内に配置されていることを特徴とする、光導波モジュール2。本発明の光導波モジュール2と、光導波層3からの出射光を受光する受光手段4とを有する、光情報処理装置1。
【選択図】 図1
Description
前記第2の半導体層から少なくとも前記光導波層に達する凹部が形成され、この凹部 に面した前記光導波層の光入射端面に位置合わせされた状態で前記光入射手段が前記凹 部内に配置されている
ことを特徴とする、光導波モジュールに係るものである。
図1は、本発明に基づく光情報処理装置の概略図である。本実施の形態による光情報処理装置1は、本発明に基づく光導波モジュール2と、光導波層3からの出射光を受け入れる受光手段(例えば、フォトダイオード等の受光素子、又は光ファイバー)4とを有する。
図2に示すような、一般的な単面発光型の半導体レーザーダイオード9は高さが80μm程度であるが、活性層14の位置は片面側に偏っており、n電極17の面から5〜10μmの位置にあることが多い。従って、第1の実施の形態のようにn電極17を凹部10の底面、即ち配線18’と接合する場合、発光素子9の表面高さが、第2の半導体層7の表面高さより数十μm突出することになる。
前記光入射手段としての前記発光素子は、図7(a)に示すように、電極16、17が第2の半導体層7の表面側の面にのみ形成されていてもよく、また、両電極16、17面の高さが段差によって互いに異なるように形成されていることが好ましい。この場合、発光素子9の電極16、17が第2の半導体層7の表面側の面にのみ形成されているので、図7(b)に示すように、配線18、18’は第2の半導体層7上のみに設ければよく、配線18、18’の形成プロセスをより簡素化することができる。
5…第1の半導体層、6…絶縁層、7…第2の半導体層、7’…第2のシリコン基体、
8…光導波装置、9…光入射手段、10…凹部、11…光入射端面、
12…n型クラッド層、13…p型クラッド層、14…活性層、15…絶縁膜、
16…p電極、17…n電極、18、18’…配線、19、19’…集積回路、
20…光信号、21…光出射端面、22…ワイヤー、23…第2の絶縁層
Claims (15)
- 第1の半導体層、絶縁層及び第2の半導体層とがこの順に積層され、前記第1の半導体層に光導波層が形成されている光導波装置と、この光導波装置の前記光導波層に光を入射させる光入射手段とを有する光導波モジュールにおいて、
前記第2の半導体層から少なくとも前記光導波層に達する凹部が形成され、この凹部 に面した前記光導波層の光入射端面に位置合わせされた状態で前記光入射手段が前記凹 部内に配置されている
ことを特徴とする、光導波モジュール。 - 前記凹部が前記光導波層から更に前記第1の半導体層まで達している、請求項1に記載した光導波モジュール。
- 前記凹部の深さが、前記光入射手段と前記第2の半導体層とが同等の表面高さとなるように形成されている、請求項1に記載した光導波モジュール。
- 前記第2の半導体層上に配線が設けられており、前記光入射手段の電極と前記配線とが接続されている、請求項1に記載した光導波モジュール。
- 前記光入射手段の電極が前記第2の半導体層の表面側の面にのみ形成されている、請求項4に記載した光導波モジュール。
- 前記光入射手段の両電極面の高さが段差によって互いに異なるように形成されている、請求項5に記載した光導波モジュール。
- 前記第2の半導体層に集積回路が形成されている、請求項1に記載した光導波モジュール。
- 前記集積回路が、少なくとも前記光入射手段の駆動回路を有する、請求項7に記載した光導波モジュール。
- 前記光入射手段も含めて前記第2の半導体層上に更に第2の絶縁層が設けられている、請求項7に記載した光導波モジュール。
- 前記光導波層の屈折率が、前記第1の半導体層及び前記絶縁層の屈折率より高い、請求項1に記載した光導波モジュール。
- 前記第1の半導体層としてのシリコン基体に不純物元素のドープによって前記光導波層が形成されている、請求項10に記載した光導波モジュール。
- 前記不純物元素がゲルマニウムからなる、請求項11に記載した光導波モジュール。
- 前記シリコン基体に前記光導波層としてのゲルマニウムドープのシリコン層が形成され、更にこのゲルマニウムドープのシリコン層上に、前記絶縁層としての酸化シリコン層及び前記第2の半導体層としてのシリコン層が設けられている、請求項11に記載した光導波モジュール。
- 請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載した光導波モジュールと、前記光導波層からの出射光を受光する受光手段とを有する、光情報処理装置。
- 前記受光手段が前記光導波層の光出射端面に位置合わせして配置されている、請求項14に記載した光情報処理装置。
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