JP2006050583A - 高周波スイッチ回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ショットキー接合よりなるダイオードD1〜D6を用い、制御信号入力端子CTL1〜CTL3の電圧の高い方を選択することのできるダイオードロジック回路OR1をスイッチ用およびアイソレーション確保用のMESFET段FET1〜FET6を形成した化合物半導体基板に一体的に形成する。そして、複数の制御電圧入力端子CTL1〜CTL3の電圧でスイッチ用のMESFET段FET1〜FET3を制御し、ダイオードロジック回路から出力されるOR電圧によりアイソレーション確保用のMESFET段FET4〜FET6を制御する。さらに、このダイオードロジック回路OR1をFETの中間接続点に接続することで、電源端子を追加せずに、FETの中間接続点の電位を固定する。
【選択図】 図6
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波スイッチ回路装置の一例を示す回路図であり、具体的には高周波用SP3Tスイッチの回路構成を示す。
図4は、本発明の実施の形態2に係る高周波スイッチ回路装置の一例を示す図である。具体的には、高周波用SP3Tスイッチの回路構成を示す。
図6は、本発明の実施の形態3に係る高周波スイッチ回路装置の一例を示す図である。具体的には、高周波用SP3Tスイッチの回路構成を示す。
図7は、本発明の実施の形態4に係る高周波スイッチ回路装置の一例を示す図である。具体的には、高周波用SP3Tスイッチの回路構成を示す。
なお、本発明を上記の実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の実施の形態に限定されないのはもちろんである。以下のような場合も本発明に含まれる。
GND GND端子
CTL1〜CTL10 制御信号入力用端子
ANT アンテナ側端子
TX 送信部
RX 受信部
TX1 送信回路側端子
RX1、RX2 受信回路側端子
FET1〜FET17 電界効果トランジスタ段
FET21〜FET25 電界効果トランジスタ段
R1〜R17 抵抗
R21〜R25 抵抗
R101〜R108 抵抗
R201〜R206 抵抗
C1〜C8 コンデンサ
OR1〜OR3 ダイオードロジック回路
D1〜D21 ダイオード
IN1、IN2 入力信号
OUT1 出力信号
S1 GaAs基板
A1 活性層
SD1 ソースおよびドレイン用オーミック電極
GT1 ゲート電極
Claims (13)
- 複数の高周波信号経路の何れか少なくとも一つを導通させ残りを遮断させる高周波スイッチ回路装置であって、
化合物半導体基板と、
前記化合物半導体基板上に形成された金属−半導体電界効果トランジスタからなり、前記複数の高周波信号経路のそれぞれを断続する複数のスイッチ要素と、
前記複数のスイッチ要素に対して複数の制御電圧を個別に与える複数の制御電圧入力端子と、
前記化合物半導体基板上に金属−半導体ショットキー接合として形成された複数のダイオードからなり、前記複数の制御電圧入力端子から入力される前記制御電圧の論理合成を行うダイオードロジック回路とを備え、
前記ダイオードロジック回路から出力される論理合成電圧が、前記複数のスイッチ要素に他の制御電圧として供給される高周波スイッチ回路装置。 - 前記複数のスイッチ要素の各々は、前記複数の高周波信号経路の各々に挿入されたシリーズスイッチ要素と前記複数の高周波信号経路の各々とグラウンドとの間に接続されたシャントスイッチ要素とからなり、
前記ダイオードロジック回路は、前記複数のスイッチ要素毎に組み合わせの異なる少なくとも2つの制御電圧の論理和を個別の論理合成電圧としてそれぞれ出力し、
前記複数の制御電圧が前記複数のスイッチ要素の各シリーズスイッチ要素のゲート電極に個別に与えられ、前記ダイオードロジック回路から出力される前記個別の論理合成電圧が前記複数のスイッチ要素の各シャントスイッチ要素のゲート電極にそれぞれ前記他の制御電圧として与えられる請求項1記載の高周波スイッチ回路装置。 - 前記複数のスイッチ要素のうちの一つのスイッチ要素のシャントスイッチ要素のゲート電極に与えられる前記個別の論理合成電圧は、前記複数のスイッチ要素のうちの残りのスイッチ要素に与えられる全ての制御電圧の論理和である請求項2記載の高周波スイッチ回路装置。
- 前記シリーズスイッチ要素およびシャントスイッチ要素はそれぞれ複数の金属−半導体電界効果トランジスタの直列回路で構成され、
前記ダイオードロジック回路は、前記複数の制御電圧入力端子から入力される全ての制御電圧の論理和を共通の論理合成電圧として出力し、
前記複数のスイッチ要素のそれぞれのシリーズスイッチ要素およびシャントスイッチ要素について、前記ダイオードロジック回路から出力される前記共通の論理和電圧が前記複数の金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点に前記他の制御電圧として与えられる請求項2記載の高周波スイッチ回路装置。 - 前記複数のスイッチ要素のうちの一つのスイッチ要素のシャントスイッチ要素のゲート電極に与えられる前記個別の論理合成電圧は、前記複数のスイッチ要素のうちの残りのスイッチ要素に与えられる全ての制御電圧の論理和である請求項4記載の高周波スイッチ回路装置。
- 前記シリーズスイッチ要素およびシャントスイッチ要素はそれぞれ複数の金属−半導体電界効果トランジスタの直列回路で構成され、
前記複数のスイッチ要素のそれぞれのシリーズスイッチ要素について、前記ダイオードロジック回路から出力される前記個別の論理合成電圧が前記複数の金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点に前記他の制御電圧として与えられ、
前記複数のスイッチ要素のそれぞれのシャントスイッチ要素について、前記複数の制御電圧が前記複数の金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点にそれぞれ与えられる請求項2記載の高周波スイッチ回路装置。 - 前記複数のスイッチ要素のうちの一つのスイッチ要素のシャントスイッチ要素のゲート電極とシリーズスイッチ要素を構成する金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点とに与えられる前記個別の論理合成電圧は、前記複数のスイッチ要素のうちの残りのスイッチ要素に与えられる全ての制御電圧の論理和である請求項6記載の高周波スイッチ回路装置。
- 前記複数のスイッチ要素の各々は、前記複数の高周波信号経路の各々に挿入されたシリーズスイッチ要素からなり、
前記シリーズスイッチ要素は複数の金属−半導体電界効果トランジスタの直列回路で構成され、
前記ダイオードロジック回路は、前記複数の制御電圧入力端子から入力される全ての制御電圧の論理和を共通の論理合成電圧として出力し、
前記複数の制御電圧が前記複数のスイッチ要素の各シリーズスイッチ要素のゲート電極に与えられ、前記複数のスイッチ要素のそれぞれのシリーズスイッチ要素について、前記ダイオードロジック回路から出力される前記共通の論理合成電圧が前記複数の金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点に前記他の制御電圧として与えられる請求項1記載の高周波スイッチ回路装置。 - 前記複数のスイッチ要素の各々は、前記複数の高周波信号経路の各々に挿入されたシリーズスイッチ要素からなり、
前記シリーズスイッチ要素は複数の金属−半導体電界効果トランジスタの直列回路で構成され、
前記ダイオードロジック回路は、前記複数のスイッチ要素毎に異なる制御電圧の組み合わせの論理和を個別の論理合成電圧としてそれぞれ出力し、
前記複数の制御電圧が前記複数のスイッチ要素の各シリーズスイッチ要素のゲート電極に与えられ、前記複数のスイッチ要素のそれぞれのシリーズスイッチ要素について、前記ダイオードロジック回路から出力される前記個別の論理合成電圧が前記複数の金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点に前記他の制御電圧として与えられる請求項1記載の高周波スイッチ回路。 - 前記複数のスイッチ要素のうちの一つのスイッチ要素のシリーズスイッチ要素を構成する金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点に与えられる前記個別の論理合成電圧は、前記複数のスイッチ要素のうちの残りのスイッチ要素に与えられる全ての制御電圧の論理和である請求項6記載の高周波スイッチ回路装置。
- 前記複数のスイッチ要素の各々は、前記複数の高周波信号経路の各々に挿入されたシリーズスイッチ要素からなり、
前記シリーズスイッチ要素は複数の金属−半導体電界効果トランジスタの直列回路で構成され、
前記複数のスイッチ要素のうちの一部のスイッチ要素は前記シリーズスイッチ要素同士が前記金属−半導体電界効果トランジスタを部分的に共用しており、
前記ダイオードロジック回路は、前記複数のスイッチ要素のうちの一部のスイッチ要素に対応した制御電圧の論理和を論理和合成電圧として出力し、
前記複数のスイッチ要素のうちの一部のスイッチ要素について、非共用部分の金属−半導体電界効果トランジスタのゲート電極には、前記複数のスイッチ要素のうちの一部のスイッチ要素に対応した制御電圧がそれぞれ個別に与えられ、共用部分の金属−半導体電界効果トランジスタのゲート電極には前記ダイオードロジック回路から出力される前記論理和合成電圧が与えられ、
前記複数のスイッチ要素のうちの残りのスイッチ要素について、金属−半導体電界効果トランジスタのゲート電極には、前記複数のスイッチ要素のうちの残りのスイッチ要素に対応した制御電圧がそれぞれ個別に与えられる請求項1記載の高周波スイッチ回路装置。 - 前記ダイオードロジック回路は、前記複数の制御電圧入力端子から入力される全ての制御電圧の論理和を共通の論理合成電圧として出力し、
前記複数のスイッチ要素のそれぞれのシリーズスイッチ要素について、前記ダイオードロジック回路から出力される前記共通の論理合成電圧が前記複数の金属−半導体電界効果トランジスタの相互接続点に前記他の制御電圧として与えられる請求項11記載の高周波スイッチ回路装置。 - 前記複数の高周波信号経路は受信高周波信号経路と送信高周波信号経路からなり、前記受信高周波信号経路には前記金属−半導体電界効果トランジスタを部分的に共用したシリーズスイッチ要素を含むスイッチ要素が配置される請求項11記載の高周波スイッチ回路装置。
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