CN101252352B - 半导体集成电路器件及高频功率放大器模块 - Google Patents

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Abstract

通过防止插入损耗的减少，减少了天线开关的谐波失真，同时确保了足够的升压电压。在向控制端子施加导通状态的电压时，导通了设置在天线端子和发射端子之间的天线开关，PCS/DCS系统的发射信号从发射端子通过天线端子传送。这时，由于二极管的整流，供给一部分发射信号的升压器电路在输出端子处生成比从控制器输出的控制电压高的升压电压，并将该升压电压施加到天线开关的晶体管电路的栅极。由于在升压器电路中电阻器耦合到输出端子，RF信号路径中的输入发射功率所经过的电阻器只有一个电阻器，由此减少了发射信号的衰减并提供了优良的插入损耗特性。

Description

半导体集成电路器件及高频功率放大器模块
相关申请的交叉引用
这里通过参考引入2007年2月20日提交的日本专利申请No.2007-39317的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。
技术领域
本发明涉及一种用于实现安装在移动通信设备等中的天线开关的更高性能的技术，且更具体而言，涉及一种技术，其可以有效地减少在多频带中使用的天线开关的失真。
背景技术
除了第二代移动电话中的语音通信和无线因特网之外，第三代移动电话的出现支持通过无线因特网的TV电话以及声音(音乐)和视频分发，且因而便携式电话系统继续发展以实现更高的功能，并且实现多频带和多模式是对便携式终端的基本要求。
随着移动电话向多频带和多模式发展，天线开关具有了越来越高的性能，例如从SPDT(单刀双掷)到SP4T、SP6T等。
在移动电话中，天线开关中的关键技术问题在于，诸如EDGE(增强型数据速率GSM演进)模式的数字调制系统的引入要求高线性且因而低失真技术变得很重要。
关于这种类型移动电话中的天线开关的失真减少，存在这样的技术：其中构成SPDT开关的FET(场效应晶体管)被配置成多级连接(例如，多栅极配置或单个的三级配置)(见日本专利申请No.2006-178928)。在这种情况中，如日本专利申请No.2006-178928中的图7B所示，多级连接允许逐级分散所施加的RF(射频)电压，因而消除了伪导通状态。此外，多级连接允许分散施加到FET的RF电压，由此逐级减少RF电压。由于施加到引起产生谐波失真的栅源电容(Cgs)、栅漏电容(Cgd)和导通电阻的RF电压被减少，所以可以减少谐波失真。
然而，在进一步减少谐波失真方面多级连接自身具有局限性，且因而需要新的电路设计技术。
关于进一步减少谐波失真的技术，存在这样的技术：其中在天线开关中设置升压器电路且将由该升压器电路所生成的升压电压施加到开关块的FET的栅电极，由此提高了截止FET的栅源电压Vgs(见美国专利公开No.2004-0229577)。
在美国专利公开No.2004-0229577的图10中所示的升压器电路中，发射功率的一部分被输入到升压器电路，且通过两个二极管411、412的整流在电容402中生成电压，然后从升压器电路的输出端子输出比作为FET控制电压的控制电压Vc1更高的电压。
发明内容
然而，本发明人发现上述的用于减少天线开关中的谐波失真的技术具有以下问题。
即，上述美国专利公开No.2004-0229577(图10)的升压器电路的问题在于：由于通过两个电阻器所以出现了损耗，且在发射信号端子和天线输出端子之间出现了插入损耗的减少，而这是开关特性中的重要内容。
本发明的目的在于提供一种技术，其通过防止插入损耗的减少来减少天线开关的谐波失真，同时确保足够的升压电压。
通过本说明书的描述和附图，本发明的上述和其它目的以及新颖特征将变得清楚。
对本申请中公开的发明中的代表性发明的概要简述如下。
根据本发明的半导体集成电路器件，包括：耦合到天线的第一端子；耦合到发射电路的多个第二端子；切换晶体管电路，分别设置在第一端子和第二端子之间，对第一端子和第二端子之间的连接进行切换；以及升压器电路，生成并输出比切换晶体管电路的控制信号更高的升压电压，其中升压器电路包括：控制端子，向其输入切换晶体管电路的控制信号；升压端子，输出升压电压；升压部件，其当控制信号输入到控制端子时获得经由切换晶体管电路输出的发射信号，并生成比输入控制信号的电压电平高的升压电压并经由升压端子将生成的升压电压施加到切换晶体管电路的控制端子；以及损耗改善电阻器，耦合在第二端子和升压端子之间，减少发射信号的电压衰减。
此外，在根据本发明的半导体集成电路器件中，升压部件包括：第一电容性元件，其一个连接部分耦合到第二端子；第一电阻器，其一个连接部分耦合到第一电容性元件的另一连接部分；第一二极管，其阴极耦合到第一电阻器的另一连接部分；第二电容性元件，其一个连接部分耦合到第一二极管的阳极；第二电阻器，其一个连接部分耦合到第一电容性元件的另一连接部分；第二二极管，其阳极耦合到第二电阻器的另一连接部分，且其阴极耦合到第二电容性元件的另一连接部分；以及第三电阻器，其一个连接部分耦合到控制端子和第一二极管的阳极，且其另一连接部分耦合到升压端子；其中损耗改善电阻器耦合在第一电容性元件的另一连接部分和升压端子之间。
此外，在根据本发明的半导体集成电路器件中，将在GSM(移动通信全球系统)、PCS(个人通信服务)和DCS(数字蜂窝系统)通信系统中的至少一个中使用的频带的发射信号输入到与发射电路耦合的第二端子。
此外，将简要地给出本申请的其它发明的概述。
根据本发明的高频功率放大器模块，包括：天线连接切换电路；高频功率放大器，从发射电路接收发射信号并将放大的发射信号供给到天线连接切换电路；以及控制器，输出控制信号到天线连接切换电路以控制天线连接切换电路，其中，天线连接切换电路包括：耦合到天线的第一端子；耦合到发射电路的多个第二端子；切换晶体管电路，分别设置在第一端子和第二端子之间，对第一端子和第二端子之间的连接进行切换；以及升压器电路，生成并输出比切换晶体管电路的控制信号更高的升压电压，其中升压器电路包括：控制端子，向其输入切换晶体管电路的控制信号；升压端子，输出升压电压；升压部件，其当控制信号输入到控制端子时获得经由切换晶体管电路输出的发射信号，并生成比输入的控制信号的电压电平高的升压电压并经由升压端子将生成的升压电压施加到切换晶体管电路的控制端子；以及损耗改善电阻器，耦合在第二端子和升压端子之间，减少发射信号的电压衰减。
此外，在本发明的高频功率放大器模块中，升压部件包括：第一电容性元件，其一个连接部分耦合到第二端子；第一电阻器，其一个连接部分耦合到第一电容性元件的另一连接部分；第一二极管，其阴极耦合到第一电阻器的另一连接部分；第二电容性元件，其一个连接部分耦合到第一二极管的阳极；第二电阻器，其一个连接部分耦合到第一电容性元件的另一连接部分；第二二极管，其阳极耦合到第二电阻器的另一连接部分，且其阴极耦合到第二电容性元件的另一连接部分；以及第三电阻器，其一个连接部分耦合到控制端子和第一二极管的阳极，且其另一连接部分耦合到升压端子；其中损耗改善电阻器耦合在第一电容性元件的另一连接部分和升压端子之间。
此外，在本发明的高频功率放大器模块中，将在GSM、PCS和DCS通信系统中的至少一个中使用的频带的发射信号输入到与发射电路耦合的第二端子。
以下将简要描述通过本申请公开的发明中的代表性发明所获得的效果。
(1)可以显著改善升压器电路中的插入损耗。
(2)因为(1)，所以可以减少天线开关的谐波失真。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的高频功率放大器模块的配置的框图；
图2是示出在图1的高频功率放大器模块中设置的天线开关的配置的框图；
图3是示出在图2的天线开关中设置的升压器电路和天线开关的配置的说明性视图；
图4是示出图3所示的升压器电路的配置的电路图；
图5是示出在图4的升压器电路中使用的二极管的例子的布局图案；
图6是示出在图4的升压器电路中使用的电阻器的制作工艺的例子的横截面图；
图7是示出在图4的升压器电路中使用的二极管的制作工艺的例子的横截面图；
图8是示出在图7的制作工艺之后的制作工艺的例子的横截面图。
具体实施方式
此后，将结合附图来详细描述本发明的实施例。另外，在用于说明实施例的全部附图中，原则上对相同的元件使用相同的参考标记和符号，并省略对其的重复描述。
图1是示出根据本发明实施例的高频功率放大器模块的配置的框图，图2是示出在图1的高频功率放大器模块中设置的天线开关的配置的框图，图3是示出在图2的天线开关中设置的升压器电路和天线开关的配置的说明性视图，图4是示出图3的升压器电路的配置的电路图，图5是示出在图4的升压器电路中使用的二极管的例子的布局图案，图6是示出在图4的升压器电路中使用的电阻器的制作工艺的例子的横截面图，图7是示出在图4的升压器电路中使用的二极管的制作工艺的例子的横截面图，图8是示出在图7的制作工艺之后的制作工艺的例子的横截面图。
在此实施例中，高频功率放大器模块1例如是作为通信系统的移动电话中的发射功率放大器模块。如图1所示，高频功率放大器模块1包括功率放大器2、信号处理器3、SAW(表面声波)滤波器4-6、用于WCDMA(宽带码分多址)的功率放大器7、8以及双工器9、10。
功率放大器2包括：用作高频功率放大器的功率放大器11、12；低通滤波器13、14；控制器15；以及天线开关16。信号处理器3包括低噪声放大器17-21。
用作天线连接切换电路的天线开关16具有所谓的SP7T配置，其中七个信号端子(发射端子Tx1、Tx2，接收端子Rx2至Rx4，发射和接收端子TRx1、TRx5)中的任意一个耦合到天线At所耦合的天线端子ANT。
基于来自耦合到高频功率放大器模块1下一级的基带电路的控制信号，控制器15从这些端子中选出一个端子来耦合。
使用1.71GHz至1.91GHz频带的PCS(个人通信服务)系统或DCS(数字蜂窝系统)系统的发射信号由功率放大器11放大，并经由低通滤波器13输入到用作第二端子的发射端子Tx1。
使用900MHz频带的GSM系统的发射信号由功率放大器12放大，并经由低通滤波器14输入到用作第二端子的发射端子Tx2。然后，这些发射信号由控制器15进行选择并经由天线At输出。
另外，在这种情况下，控制器15还基于来自基带电路的控制信号来控制功率放大器11或功率放大器12的放大系数等。
此外，在通过SAW滤波器4选择特定频率(PCS：1.9GHz频带)的信号并将接收的信号通过低噪声放大器17进行放大之后，根据控制器15的选择从天线At输入到接收端子Rx4的接收信号被输出到下一级的解调电路等。
类似地，在通过SAW滤波器5选择特定频率(DCS：1.8GHz频带)后，输入到接收端子Rx3的接收信号被低噪声放大器18放大。
在通过SAW滤波器6选择特定频率(GSM：900Mhz频带)后，输入到接收端子Rx2的接收信号被低噪声放大器21放大。然后，这些放大的信号被输出到解调电路等。
使用2.1GHz频带的WCDMA系统的发射信号由功率放大器7放大，然后经过双工器9对发射和接收信号进行分离并输入到发射和接收端子TRx1，且之后通过控制器15的选择经由天线输出。
另一方面，从天线At输入到发射和接收端子TRx1的接收信号经过双工器9进行分离并通过低噪声放大器19进行放大，且然后输出到解调电路等。类似地，使用900MHz频带的WCDMA系统的发射信号由功率放大器8放大，然后经过双工器10对发射和接收信号进行分离并输入到发射和接收端子TRx5，且之后通过控制器15的选择经由天线At输出。
此外，从天线At输入到发射和接收端子TRx5的接收信号经过双工器10进行分离并通过低噪声放大器20进行放大，且然后输出到解调电路等。
图2是示出天线开关16的配置的框图。
如图所示，天线开关16包括天线开关22至29和升压器电路30、31。这些天线开关22至29基于控制器15的控制对发射和接收的信号进行切换。
天线开关22设置在用作第一端子的天线端子ANT和发射端子Tx1之间，且天线开关23设置在天线端子ANT和发射端子Tx2之间。
接收端子Rx2至Rx4分别耦合到天线开关24至26的一个连接部分，且天线开关24至26的另一连接部分共同耦合到天线开关27的一个连接部分。天线端子ANT耦合到天线开关27的另一连接部分。
升压器电路30从发射端子Tx1获得发射信号，并生成升压电压，且将该升压电压施加到天线开关22的切换晶体管电路Q1(图3)的栅极。
类似地，升压器电路31从发射端子Tx2获得发射信号，并生成升压电压，且将该升压电压施加到天线开关23的开关晶体管的控制端子。
图3是示出天线开关22的配置和与升压器电路30耦合的配置的说明性视图。
天线开关22包括：晶体管电路Q1、Q2；电阻器Rd1至Rd6；电阻器Rdd1至Rdd4、Rg1至Rg6以及Rgg1至Rgg4；以及电容性元件C1至C5。
用作切换晶体管电路的晶体管电路Q1包括两级连接的三栅晶体管Q11、Q12，且晶体管电路Q2包括两级连接的双栅晶体管Q21、Q22。
晶体管电路Q1耦合在发射端子Tx1和天线端子ANT之间，且晶体管电路Q2耦合在发射端子Tx1和接地(参考电势)端子GND之间。
电阻器Rd1至Rd3分别串联耦合在晶体管Q11的一个连接部分和其另一连接部分之间(源漏之间)，且电阻器Rd4至Rd6分别串联耦合在晶体管Q12的另一连接部分和其一个连接部分之间(源漏之间)。
此外，偏置电压分别从电阻器Rd1和电阻器Rd2之间的连接节点以及从电阻器Rd2和电阻器Rd3之间的连接节点供给到晶体管Q11的栅极之间的两个中间点。
类似地，偏置电压分别从电阻器Rd4和电阻器Rd5之间的连接节点以及从电阻器Rd5和电阻器Rd6之间的连接节点供给到晶体管Q12的栅极之间的两个中间点。
电阻性元件Rg1至Rg3的一个连接部分分别耦合到晶体管Q11的三个栅极，且用作升压器电路30的输出部件的输出端子DCgate(图4)分别耦合到这些电阻性元件Rg1至Rg3的另一连接部分。
此外，电容性元件C3耦合在Q11的源/漏的一端(在天线端子ANT侧)和最接近的栅极之间。
电阻器Rg4至Rg6的一个连接部分分别耦合到晶体管Q12的三个栅极，且控制端子Tx1cL耦合到这些电阻器Rg4至Rg6的另一连接部分。电容性元件C4耦合在晶体管Q12的源/漏的一端(在发射端子Tx1侧)和最接近的栅极之间。
从控制器15(图1)输入到控制端子Tx1c的控制电压经由二极管Di施加到控制端子Tx1cL(其中Tx1c侧是阳极，Tx1cL侧是阴极)。二极管Di具有防止来自晶体管电路Q1的栅极的反向电流的功能。
此外，由于较大的电功率输入到发射端子Tx1，升压器电路30耦合在晶体管电路Q1的栅极和发射端子之间。该升压器电路30可以在晶体管电路Q1导通时对栅极电压进行升压。
在晶体管电路Q2中，发射端子Tx1经由电容性元件C1耦合到晶体管Q21的一个连接部分，且晶体管Q22的另一连接部分经由电容性元件C3耦合到接地端(参考电势)。
此外，晶体管Q21的另一连接部分和晶体管Q22的一个连接部分连接在一起。晶体管Q21、Q22的相应栅极分别经由电阻器Rgg1、Rgg2和电阻器Rgg3、Rgg4耦合到接地端。
电容性元件C2耦合在晶体管Q21的源/漏的一端(发射端子Tx1侧)和最接近的栅极之间，且电容性元件C5耦合在晶体管Q22的源/漏的一端(GND侧)和最接近的栅极之间。
在晶体管Q21、Q22的源极和漏极之间，分别串联耦合了电阻器Rdd1、Rdd2和电阻器Rdd3、Rdd4，且分别从该连接节点向栅极之间的中间点供给偏置电压。
当向控制端子Tx1cL施加高电平电压且晶体管电路Q1导通时，晶体管电路Q2截止，并且当向控制端子Tx1cL施加低电平电压且晶体管电路Q1截止时，晶体管电路Q2导通。
图4是示出升压器电路30的连接配置的说明性视图。
如图所示，升压器电路30包括二极管32、33、电阻器34至37、以及电容性元件38、39。因此，二极管32、33、电阻器34、35、37、以及电容性元件38、39构成了升压部件。
发射端子Tx1耦合到用作第一电容性元件的电容性元件38的一个连接部分，且电阻器34至36的一个连接部分分别耦合到电容性元件38的另一个连接部分。
用作第一二极管的二极管32的阴极耦合到作为第一电阻器的电阻器34的另一连接部分，且用作第二二极管的二极管33的阳极耦合到作为第二电阻器的电阻器35的另一连接部分。用作第二电容性元件的电容性元件39的一个连接部分耦合到二极管32的阳极，且电容性元件39的另一连接部分耦合到二极管33的阴极。
此外，作为第三电阻器的电阻器37的一个连接部分和控制端子Tx1cL分别耦合到电容性元件39的另一连接部分。输出升压电压的输出端子DCgate耦合到电阻器37、36的另一连接部分，并用作升压器电路30的输出端子。
另外，尽管在图3和图4中只描述了天线开关22和升压器电路30的配置，但天线开关23和升压器电路31的配置与图3和图4所示配置相同。
接着，将描述此实施例中的升压器电路30(31)的效果。
在向控制端子Tx1cL施加导通状态电压时，天线开关22导通，RF信号(发射信号)从发射端子Tx1经过天线端子ANT。
这时，发射信号的一部分供给到升压器电路30(31)。升压器电路30(31)获得发射功率，并由于二极管32、33的整流，在输出端子DCgate生成比从控制器15输出的控制电压高的升压电压，且升压器电路30(31)将升压电压施加到晶体管电路Q1的栅极。
这样向截止状态的晶体管电路而不是晶体管电路Q1中的晶体管的栅源电容Cgs导致了更高的天线电压，由此允许提供更深的截止状态。
在这种情况下，此配置将RF信号路径中输入发射功率经过的电阻器通路设定成只通过一个电阻器36的通路，在该配置中用作损耗改善电阻器的电阻器36耦合到输出端子DCgate，所以可以减少发射信号的衰减并防止插入损耗特性的恶化。
图5是示出升压器电路30(31)中的二极管32(33)的布局例子的说明性视图。
图5右侧所示的二极管32(33)具有这样的配置：其中例如，MOS(金属氧化物半导体)晶体管T的漏电极D和源电极S连接在一起，即，所谓的二极管连接，如图5左侧所示。
然后，漏电极D和源电极S的公共连接部分作为二极管32(33)的阴极，且MOS晶体管T的栅电极G作为二极管32(33)的阳极。
接着，将描述在升压器电路30(31)中使用的电阻器34(至37)和二极管32(33)的制作工艺。
图6示出了电阻器34(至37)的横截面视图。
首先，如图6所示，在由半绝缘砷化镓(GaAs)制成的半导体衬底SUB上方形成GaAs外延层EP，并在外延层EP的上表面上方形成缓冲层LY1。
随后，在缓冲层LY1的上表面上方形成铝镓砷(AlGaAs)层LY2，并在其上表面上方形成n型砷化镓(GaAs)层LY3。
然后，在对图6右侧的n型砷化镓层LY3和铝镓砷层LY2进行刻蚀后，形成例如由PSG(磷硅酸盐玻璃)/SiO制成的绝缘层IS。
在绝缘层IS的上方，例如，将由WSiN制成的电阻性元件34(至37)形成在铝镓砷层LY2和n型砷化镓层LY3被刻蚀的位置处。
此外，图7和图8是构成二极管32(33)的MOS晶体管T的横截面视图。
在形成图6所示的电阻器34(至37)后，如图7所示，对待设置源极/漏极线SD1、SD2的位置处的绝缘层IS进行刻蚀，且利用金属线等形成这些源极/漏极线SD1、SD2。
然后，如图8所示，在由源极/漏极线SD1、SD2围绕的区域中，对待设置栅极线G1的位置处的绝缘层IS和n型砷化镓层LY3进行刻蚀，且然后利用金属线等形成栅极线G1，由此形成用作二极管32(33)的晶体管。
因而，根据此实施例，可以显著地减少天线开关16中的谐波失真，同时通过升压器电路30、31生成稳定的升压电压。
如上所述，尽管基于实施例具体描述了由本发明人完成的本发明，但显然本发明不限于上述实施例，且可以在不脱离本发明的精神的情况下进行各种修改。
例如，在上述实施例中描述了用于支持多频带的便携式电话系统等的天线开关的例子，但本发明不限于此，且本发明可以类似地应用于例如包括用于支持多个频带(例如，2.4GHz频带、5GHz频带)的无线LAN等的天线开关的各种类型的无线通信系统。
本发明适用于半导体集成电路器件以及高频模块中的天线开关，并适用于包括该天线开关的移动电话的高频模块，还适用于无线LAN的天线开关等。

Claims (4)

1.一种半导体集成电路器件，包括：
第一端子，耦合到天线；
多个第二端子，耦合到发射电路；
切换晶体管电路，分别设置在所述第一端子和所述第二端子之间，对所述第一端子和所述第二端子之间的连接进行切换；以及
升压器电路，生成并输出比所述切换晶体管电路的控制信号更高的升压电压；
其中所述升压器电路包括：
控制端子，向其输入所述切换晶体管电路的控制信号；
升压端子，输出升压电压；
升压部件，当所述控制信号输入到所述控制端子时获得经由所述切换晶体管电路输出的发射信号，并生成比所输入的控制信号的电压电平高的升压电压且经由所述升压端子将所生成的升压电压施加到所述切换晶体管电路的控制端子；以及
损耗改善电阻器，耦合在所述第二端子和所述升压端子之间，减少所述发射信号的电压衰减，
其中所述升压部件包括：
第一电容性元件，其一个连接部分耦合到所述第二端子；
第一电阻器，其一个连接部分耦合到所述第一电容性元件的另一连接部分；
第一二极管，其阴极耦合到所述第一电阻器的另一连接部分；
第二电容性元件，其一个连接部分耦合到所述第一二极管的阳极；
第二电阻器，其一个连接部分耦合到所述第一电容性元件的另一连接部分；
第二二极管，其阳极耦合到所述第二电阻器的另一连接部分，且其阴极耦合到所述第二电容性元件的另一连接部分；以及
第三电阻器，其一个连接部分耦合到所述控制端子和所述第一二极管的阳极，且其另一连接部分耦合到所述升压端子；以及
其中所述损耗改善电阻器耦合在所述第一电容性元件的另一连接部分和所述升压端子之间。
2.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中将在GSM、PCS和DCS通信系统中的至少一个中使用的频带的发射信号输入到与所述发射电路耦合的所述第二端子。
3.一种高频功率放大器模块，包括：
天线连接切换电路；
高频功率放大器，从发射电路接收发射信号并将放大的发射信号供给到所述天线连接切换电路；以及
控制器，输出控制信号到所述天线连接切换电路以控制所述天线连接切换电路；
其中所述天线连接切换电路包括：
第一端子，耦合到天线；
多个第二端子，耦合到所述发射电路；
切换晶体管电路，分别设置在所述第一端子和所述第二端子之间，对所述第一端子和所述第二端子之间的连接进行切换；以及
升压器电路，生成并输出比切换晶体管电路的控制信号更高的升压电压；
其中所述升压器电路包括：控制端子，向其输入所述切换晶体管电路的控制信号；升压端子，输出升压电压；升压部件，当所述控制信号输入到所述控制端子时获得经由所述切换晶体管电路输出的发射信号，并生成比所输入的控制信号的电压电平高的升压电压且经由所述升压端子将所生成的升压电压施加到所述切换晶体管电路的控制端子；以及损耗改善电阻器，耦合在所述第二端子和所述升压端子之间，减少所述发射信号的电压衰减，
其中所述升压部件包括：
第一电容性元件，其一个连接部分耦合到所述第二端子；
第一电阻器，其一个连接部分耦合到所述第一电容性元件的另一连接部分；
第一二极管，其阴极耦合到所述第一电阻器的另一连接部分；
第二电容性元件，其一个连接部分耦合到所述第一二极管的阳极；
第二电阻器，其一个连接部分耦合到所述第一电容性元件的另一连接部分；
第二二极管，其阳极耦合到所述第二电阻器的另一连接部分，且其阴极耦合到所述第二电容性元件的另一连接部分；以及
第三电阻器，其一个连接部分耦合到所述控制端子和所述第一二极管的阳极，且其另一连接部分耦合到所述升压端子；以及
其中所述损耗改善电阻器耦合在所述第一电容性元件的另一连接部分和所述升压端子之间。
4.根据权利要求3的高频功率放大器模块，其中将在GSM、PCS和DCS通信系统中的至少一个中使用的频带的发射信号输入到与所述发射电路耦合的所述第二端子。
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