JP2006049600A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ドリフト層となる第1導電型基板にトレンチを形成し(ステップS1,S2)、そのトレンチに第2導電型エピタキシャル層を形成した後(ステップS3)、ベース領域、ゲート酸化膜、ゲート電極、エミッタ領域、エミッタ電極等の表面構造を形成する。トレンチに形成した第2導電型エピタキシャル層は表面構造形成時の熱処理でアニールされ、それにより分離層が形成される(ステップS4)。その後は分離層に達するまで基板裏面を研削し(ステップS5)、第2導電型不純物のイオン注入とアニールによりコレクタ層を形成する(ステップS6)。これにより、短時間の高温熱処理で分離層が形成されるため酸素取り込み量が低減され、分離層の横方向の広がりも抑えられる。
【選択図】 図1
Description
また、従来のように表面からボロンを必要な深さまで熱拡散しようとした場合には、ボロンは縦方向と共に横方向へも拡散するため、分離層の横方向の広がりも大きくなる。例えば、耐圧600Vの逆阻止IGBT形成のために深さ100μm強のボロン拡散を行う場合、ボロンは横方向にも100μm程度拡散する。このような横方向拡散によってドリフト層が侵食されるため、同じ活性面積を得るためには1素子当たりより大きな形成面積が必要になり、素子の小型化の妨げになっていた。
まず、第1の実施の形態について説明する。
この第1の実施の形態では、まず、ドリフト層とすべき第1導電型の基板を準備し(ステップS1)、この基板の分離層を形成する領域に選択的にトレンチを形成する(ステップS2)。そして、そのトレンチに第2導電型のエピタキシャル層を形成し(ステップS3)、ベース領域、ゲート酸化膜、ゲート電極、エミッタ領域、エミッタ電極等の表面構造を形成する。この表面構造形成時には、そのとき行われる熱処理によって第2導電型エピタキシャル層がアニールされ、その第2導電型不純物が拡散して分離層が形成される(ステップS4)。分離層形成後は、分離層に達するまで基板の裏面を研削し(ステップS5)、その後、第2導電型の不純物のイオン注入とアニールを行ってコレクタ層を形成する(ステップS6)。これらの分離層とコレクタ層により、逆阻止IGBTのコレクタ領域が構成される。
図2から図9は逆阻止IGBTの形成方法を説明する図であって、図2は第1の実施の形態の絶縁膜形成工程の断面図、図3は第1の実施の形態のトレンチ形成工程の断面図、図4は第1の実施の形態のエピタキシャル成長工程の断面図、図5は第1の実施の形態の絶縁膜除去工程の断面図、図6は第1の実施の形態の活性化部形成工程の断面図、図7は第1の実施の形態の基板研削工程の断面図、図8は第1の実施の形態のイオン注入工程の断面図、図9は第1の実施の形態のアニール工程の断面図である。
そして、図8に示すように、低濃度n型シリコン基板1の裏面に高濃度のp型不純物をイオン注入したp型不純物注入層5の形成後、図9に示すように、活性部4に損傷を与えないように500℃以下のアニールを行って裏面高濃度p層であるコレクタ層5aを形成する。
図12は第1の実施の形態の逆阻止IGBTの構成例を示す図であって、(A)はダイシングラインが交差する部分の要部平面図、(B)はダイシングライン位置での要部断面図である。
図14は第2の実施の形態の逆阻止IGBT形成フローの概略説明図である。
この第2の実施の形態では、まず、第2導電型の基板上に、ドリフト層となる第1導電型の不純物層をエピタキシャル成長させたものを準備し(ステップS10)、この上に、例えば分離層を形成する領域に、第2導電型基板に達するトレンチを選択的に形成する(ステップS11)。そして、そのトレンチに第2導電型のエピタキシャル層を形成し(ステップS12)、ベース領域等の表面構造を形成する。この表面構造形成時には、そのとき行われる熱処理によって第2導電型エピタキシャル層がアニールされ、第2導電型不純物が拡散して分離層が形成される(ステップS13)。なお、第2導電型基板はコレクタ層として機能し、形成された分離層と共に逆阻止IGBTのコレクタ領域を構成する。
図15から図20は逆阻止IGBTの形成方法の説明図であって、図15は第2の実施の形態の基板準備工程の断面図、図16は第2の実施の形態の絶縁膜形成工程の断面図、図17は第2の実施の形態のトレンチ形成工程の断面図、図18は第2の実施の形態のエピタキシャル成長工程の断面図、図19は第2の実施の形態の絶縁膜除去工程の断面図、図20は第2の実施の形態の活性化部形成工程の断面図である。
図21は第3の実施の形態の逆阻止IGBT形成フローの概略説明図である。
この第3の実施の形態では、まず、第2導電型の基板上に、ドリフト層となる第1導電型の不純物層をエピタキシャル成長させ(ステップS20)、この第1導電型エピタキシャル層表面の分離層を形成する領域に第2導電型不純物をイオン注入する(ステップS21)。そして、このエピタキシャル成長とイオン注入を所定回数繰り返し(ステップS22)、エピタキシャル層を必要な高さまで成長させる。その後、成長したエピタキシャル層にベース領域等の表面構造を形成し、そのとき行われる熱処理によって、イオン注入した各層の第2導電型不純物を熱拡散させて表面から第2導電型基板まで接続させた分離層を形成する(ステップS23)。なお、第2導電型基板はコレクタ層として機能し、形成された分離層と共に逆阻止IGBTのコレクタ領域を構成する。
図22から図26は逆阻止IGBTの形成方法の説明図であって、図22は第3の実施の形態の基板準備工程の断面図、図23は第3の実施の形態の絶縁膜形成工程の断面図、図24は第3の実施の形態の不純物イオン注入工程の断面図、図25は第3の実施の形態の積み増し工程の断面図、図26は第3の実施の形態の活性化部形成工程の断面図である。
図28は第4の実施の形態の逆阻止IGBTの構成例であって、(A)はダイシングラインが交差する部分の要部平面図、(B)はダイシングライン位置での要部断面図である。ただし、図28では、図12に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
以上説明したように、逆阻止IGBTの形成における高温熱処理時間を短縮することにより、ドリフト層にドナー化をもたらし得る酸素の取り込み量を低減することができるとともに、分離層の横方向の広がりを抑えて1素子当たりのエッジ領域を低減することができるようになる。それにより、小型で高品質の逆阻止IGBTを形成することが可能になる。
1a,21a トレンチ
2,22,32 絶縁膜
2a,22a,32a 窓開け部
3,23 高濃度p型エピタキシャル層
3a,23a,33a 分離層
4,24,34 活性部
5 p型不純物注入層
5a コレクタ層
6,35 耐圧構造
7,36 ダイシングライン
8,37 チップ端
20,30 高濃度p型シリコン基板
21,31 低濃度n層
33 p型不純物
41a,41b 低濃度n型ドリフト層
42a,42b p型ベース領域
43a,43b n+型エミッタ領域
44a,44b 絶縁膜
45a,45b ゲート電極
46a,46b エミッタ電極
100 マスク
101 開口部端
L0 チッピング最大値
Xj 縦方向拡散距離
Yj 横方向拡散距離
Claims (7)
- 第1導電型のドリフト層の表面に選択的に形成される第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面に選択的に形成される第1導電型のエミッタ領域と、前記ドリフト層と前記エミッタ領域に挟まれた前記ベース領域上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ドリフト層の裏面から側部に亘って前記ベース領域の周囲を取り囲むようにして形成される第2導電型のコレクタ領域と、を有する半導体装置の製造方法において、
前記ベース領域が形成される領域を側部側から囲むように前記ドリフト層となる層にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチに第2導電型のエピタキシャル層を形成して前記コレクタ領域の一部となる層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチに第2導電型の前記エピタキシャル層を形成して前記コレクタ領域の一部となる層を形成する工程の後に、
前記ベース領域と前記エミッタ領域と前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とを有する活性部を形成する工程を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記活性部を形成する際に前記エピタキシャル層に含まれる第2導電型の不純物を拡散させて前記コレクタ領域の一部となる層を形成することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドリフト層となる層は、第1導電型の半導体基板で構成され、前記半導体基板の裏面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程を有し、
形成された前記コレクタ層が前記コレクタ領域の一部となる層に接続されて前記コレクタ領域が形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ドリフト層となる層は、第2導電型の半導体基板の上に形成された第1導電型の層であって、前記半導体基板が前記コレクタ領域の一部となる層に接続されて前記コレクタ領域が形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 第2導電型の半導体基板の上に形成された第1導電型のドリフト層と、前記ドリフト層の表面に選択的に形成される第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面に選択的に形成される第1導電型のエミッタ領域と、前記ドリフト層と前記エミッタ領域に挟まれた前記ベース領域上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ドリフト層の裏面から側部に亘って前記ベース領域の周囲を取り囲むようにして形成される第2導電型のコレクタ領域と、を有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板に第1導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層に第2導電型の不純物を拡散中心部へイオン注入する工程と、を繰り返し前記エピタキシャル層を積み増し形成して前記ドリフト層を形成する工程と、
熱処理を行って前記不純物を前記拡散中心部から熱拡散して各拡散領域を接続するとともに前記拡散領域と前記半導体基板とを接続して前記コレクタ領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ベース領域と前記エミッタ領域と前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とを有する活性部を形成する熱処理によって、前記不純物を前記拡散中心部から熱拡散し各前記拡散領域を接続するとともに前記拡散領域と前記半導体基板とを接続して前記コレクタ領域を形成することを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53124087A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS59181529A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH07263371A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Nissan Motor Co Ltd | 不純物導入法 |
JPH07307469A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-11-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001119022A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001185727A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53124087A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS59181529A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH07307469A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-11-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH07263371A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Nissan Motor Co Ltd | 不純物導入法 |
JP2001185727A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001119022A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113272462A (zh) * | 2019-01-17 | 2021-08-17 | 住友电工运泰克株式会社 | 导体软化处理装置以及导体软化处理方法 |
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