JP2006048261A - 非接触ｉｃタグの製造方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
金属製部品、あるいはプリント回路基板等の電子部品で構成された製品の直上や周辺に非接触ＩＣタグを配置しても、記憶した情報が読み取れる非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置を提案し、利便性の高い非接触ＩＣタグを安価に提供する。
【解決手段】
物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグを製造する際に、高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層を、前記非接触ＩＣタグ本体の物品との貼付面側に熱転写して製造する。
【選択図】 図３

Description

この発明は、例えば非接触で通信する非接触ＩＣタグを製造するような非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置に関する。

物流の自動化等を進めるためには、個々の物品に貼付される伝票等の内容を機械にて読み取り可能とすることが重要である。機械にて内容を読み取る方法としては、個々の伝票にその内容に対応したバーコードラベルを貼付することが従来から行われている。

しかしながら，いわゆるバーコードリ−ダを用いてバーコードラベルを読みとるためには、両者間に一定の距離的並びに方向的な関係付けを高精度に行わなければならず、物流の円滑化の障害になる問題があった。

さらに、バーコードに入力できる情報量が少ないため、物流の管理範囲も狭い区域に限られる問題もあった。

近年では、誘導電磁界を用いて非接触で読み取りが可能な伝票内装型の非接触ＩＣタグが使用されてきている。

この伝票内装型の非接触ＩＣタグは、読みとりに際しての距離的並びに方向的な制約がバーコードに比較して少ないため、利便性が高いものである。具体的には、読みとりの方向性に制約を受けることなく、１ｍの距離からでもその内容を確実に読みとるといったことができる。

また、この非接触ＩＣタグ内のＩＣには、管理対象となる物品の個体情報を大容量で記憶することができるため、個体を特定するためのセキュリティ情報として上記個体情報を用いることも可能である。

一方、このように誘導電磁界を用いる方法では、非接触ＩＣタグを金属製部品、あるいはプリント回路基板等の電子部品の直上、あるいは周辺に配置すると読み取りができなくなるという問題があった。

この問題は、金属によって非接触ＩＣタグの特性、例えば共振周波数、Ｑ値等が変化してしまうことや、誘導電磁界が金属によって遮蔽されてしまうことにより、非接触ＩＣタグのアンテナコイル内を磁束が通らなくなることによって発生する。

この問題を解決する方法として、非接触ＩＣタグが装着される位置の金属部に穴等を加工して、非接触ＩＣタグの直下に金属部が配置されないようにして誘導電磁界の遮蔽を防ぐ方法が提案されている（特許文献１参照）。

しかし、この方法では製品に加工を施さなければならないために汎用的に用いることができないという問題がある。

他の方法としては、図１４の正面断面図に示すように、非接触ＩＣタグ本体１６０を金属から樹脂性の板材１３５等で５〜１０ｍｍ程度浮かした状態で金属上に配置する方法が考えられる。

他にも、高透磁率のアモルファスシート、あるいは、Ｎｉ、Ｆｅ等の高透磁率の磁性粉末を樹脂バインダで固めた板材（例えば０．５〜１ｍｍ程度の厚みの板材）１３５を、非接触ＩＣタグ本体１６０と金属等の間に配置して磁束Ｇ’の通り道を形成し、非接触ＩＣタグ本体１６０のコイル内に磁束Ｇ’が通るようにして読取りを可能にするという方法が考えられる。

しかし、こういった方法では、物品１８０の表面から非接触ＩＣタグ本体１６０が突出し、物品１８０の美観、あるいは非接触ＩＣタグ本体１６０の耐久性を損なうという問題がある。
また、アモルファスシート、あるいはＮｉ、Ｆｅ等を分散させた板材１３５は高価であるという問題がある。

さらに、いずれの方法であっても非接触ＩＣタグ本体１６０に板材１３５を積層するための加工コストが付加されるため、非接触ＩＣタグ１５０のコストが高くなってしまうという問題がある。

特開平９−３３１２７９号公報

この発明は、上述の問題点に鑑み、金属製部品、あるいはプリント回路基板等の電子部品で構成された製品の直上や周辺に非接触ＩＣタグを配置しても、記憶した情報が読み取れる非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置を提案し、利便性の高い非接触ＩＣタグを安価に提供することを目的とする。

この発明は、物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法であって、高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層を、前記非接触ＩＣタグ本体の物品との貼付面側に熱転写する非接触ＩＣタグ製造方法、又は、物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造装置であって、高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層を、非接触ＩＣタグ本体の物品への貼付面側に熱転写する熱転写手段を備えた非接触ＩＣタグ製造装置であることを特徴とする。

前記高透磁率層は、鉄―ニオブ系合金粒子を熱可塑性樹脂の樹脂バインダに分散させて形成することを含む。また、鉄―ニオブ系合金粒子に限らず、高透磁率のアモルファスシート、あるいはＮｉ、Ｆｅ、及びそれらの合金等の高透磁率の磁性粉末を使用することも含む。

前記構成により、金属製部品や電子部品等、磁束を通さない部材で形成された物品に貼り付けても正常にデータの通信ができる非接触ＩＣタグを提供することができる。

この発明の態様として、前記熱転写を前記非接触ＩＣタグ本体に対して複数回実行する、又は、複数回実行可能に構成することができる。
これにより、高透磁率層を多層化し、磁束の通過量を増加させることができる。

またこの発明の態様として、前記非接触ＩＣタグ本体に対する前記熱転写の実行回数を任意に設定することができる。
これにより、貼り付け対象の物品に対応させて、高透磁率層の厚さを必要最小限に容易に調節することができる。

またこの発明の態様として、前記非接触ＩＣタグ本体に、共振周波数を５．０ＭＨｚ〜１２．０ＭＨｚ内の所定周波数に調整した非接触ＩＣタグ本体を使用することができる。

これにより、非接触ＩＣタグを磁束を通さない物品に貼り付けても、平状に形成されている高透磁率層にて非接触ＩＣタグのアンテナコイル内に磁束を通過させて、確実に通信することができる。

またこの発明の態様として、前記高透磁率層に、情報を視認可能に書き込むことができる。
前記情報は、高透磁率層を多層化した場合の層数、製造元、非接触ＩＣタグのタイプ、非接触ＩＣタグを貼り付ける対象の物品、又は非接触ＩＣタグを購入する購入者等、非接触ＩＣタグに関連する情報とすることを含む。

また該情報の書き込み位置は、非接触ＩＣタグを物品に貼り付けた後は視認できないよう貼り付け面側に設定する、あるいは、物品に貼り付けた後も視認できるように非接触ＩＣタグ側に設定することを含む。

前記構成により、非接触ＩＣタグの種類の識別、セキュリティ情報としての利用、製造元へのトレーサビリティ等、非接触ＩＣタグの利用における利便性を向上することができる。

またこの発明は、記憶手段とアンテナコイルとを備え、物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグであって、物品との貼付面側に、高透磁率の部材により膜状に形成した高透磁率膜を１層以上備えた非接触ＩＣタグとすることができる。

これにより、金属製部品や電子部品等、磁束を通さない部材で形成された物品に貼り付けても正常にデータの通信ができる非接触ＩＣタグを提供することができる。

この発明により、金属製部品、あるいはプリント回路基板等の電子部品で構成された製品の直上や周辺に非接触ＩＣタグを配置しても、記憶した情報が読み取れる非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置を提案し、利便性の高い非接触ＩＣタグを安価に提供することができる。

この発明の一実施形態を以下図面と共に説明する。
まず、図１に示す構成図と共に、高透磁率層を備えた非接触ＩＣタグを作成する非接触ＩＣタグ製造装置１の構成について説明する。

非接触ＩＣタグ製造装置１は、搬送ローラ１５ａ，１５ｂ、熱転写ヘッド１６１（１６１ａ，１６１ｂ，１６１ｃ，…）、書き込みヘッド２１ａ、及び通信アンテナ２２ａを備えている。

搬送ローラ１５ａ，１５ｂは、非接触ＩＣタグロール７０を搬送ローラ１５ａにセットし、非接触ＩＣタグロール７０の外周端部を搬送ローラ１５ｂにセットして、搬送ローラ１５ａから搬送ローラ１５ｂへ非接触ＩＣタグロール７０を巻き取る。

すなわち、複数の電子部品モジュール５７をシート５１上に等間隔に配設した状態でロール状に形成した非接触ＩＣタグロール７０を、搬送ローラ１５ａから搬送ローラ１５ｂに巻変える。

これにより、シート５１と電子部品モジュール５７で構成する非接触ＩＣタグ本体６０を搬送ローラ１５ａから搬送ローラ１５ｂへ搬送する搬送手段として機能している。

ＩＣやアンテナコイルを備えた面を内側としてシート５１をロール状に巻いているため、この実施形態で使用する際には、シート５１の下面側にＩＣやアンテナコイルが位置するようにして、上側から高透磁率層３５を熱転写するようにしている。

なお、非接触ＩＣタグロール７０は、非接触ＩＣタグ本体６０を構成するＩＣやアンテナコイルで構成する電子部品モジュール５７をシート５１に等間隔に配設したものであり、シート５１を非接触ＩＣタグ本体６０の形状（例えば長方形のカード型）に切り抜くことで、非接触ＩＣタグ本体６０が取得できるものである。

熱転写ヘッド１６１は、前記搬送ローラ１５ａ，１５ｂによる非接触ＩＣタグ本体６０の搬送経路に複数個順番に並べて配設している。
各熱転写ヘッド１６１には、リボン３０（３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，…）がそれぞれにセットされている。

ここで、リボン３０は高透磁率層転写シートとして機能する熱転写用のリボンであり、図２の断面図に示すように、フィルム３１の下面側に高透磁率層３５を備えた２層構造に形成している。

このリボン３０は、テープ状のフィルム３１として厚さ１２μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を用い、該フィルム３１の表面上（図示下面側）に、粒径５μｍ程度に粉砕された鉄―ニオブ系合金粒子を熱可塑性樹脂であるポリエステル系等の樹脂バインダに分散させて形成したペーストを、４０〜５０μｍ厚で塗布して膜状の高透磁率層３５（高透磁率膜）を形成している。

上記ペーストは、熱可塑性樹脂であるポリエステルをバインダとしているため、１５０℃程度の加熱によって軟化させた状態で、バーコーター等を用いてフィルム３１表面に連続的に塗工し、常温に冷却して硬化させる方法で塗布することができる。

このように形成することで、図２に示すように、高透磁率層３５の中央側にて高透磁率粒子である鉄―ニオブ系合金粒子３７を分散させ、高透磁率層３５の表面側（上下両方）には、熱可塑性樹脂である樹脂バインダ３６を集中させている。
従って、後に非接触ＩＣタグ本体６０へ高透磁率層３５を熱転写する際に、表面で密となっている樹脂バインダ３６により、容易に熱転写することができる。

なお、リボン３０はこの構成に限らず、フェライト系の酸化鉄よりも透磁率が高い適宜の高透磁率部材を、適宜の熱可塑性樹脂に分散させて形成する等、他の構成としても良い。

図１に示した熱転写ヘッド１６１は、１３０℃〜１５０℃程度に加熱した状態で、０．５Ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力で上記リボン３０の上面のフィルム３１を下方側へ押圧し、非接触ＩＣタグ本体６０に高透磁率層３５を熱転写する。

この時、高透磁率粒子である鉄―ニオブ系合金粒子３７を分散させた樹脂バインダ３６は熱可塑性であるため、熱転写ヘッド１６１によって加熱軟化されることで粘着性を持つ。

従って、非接触ＩＣタグ本体６０と接触した部分のみと接着してリボン３０より転写される。このため、図３の説明図の（Ａ）に示す転写前の状態から、（Ｂ）の転写後の状態に示すように、リボン３０上の高透磁率層３５の一部を熱転写ヘッド１６１の形状に相応した形態に抜き出して非接触ＩＣタグ本体６０の表面上に転写し、非接触ＩＣタグ５０の高透磁率層３５を形成できる。

なお、熱転写後は、（Ｃ）に示すようにシート５１と電子部品モジュール５７と高透磁率層３５とで構成する非接触ＩＣタグ５０をタグ搬送部１５によって搬送すると共に、リボン搬送部１７によってリボン３０を位置移動して、次の熱転写が可能なようにセットする。

図１に示した書き込みヘッド２１ａは、高透磁率層３５にレーザー加工を行い、高透磁率層３５の層数等の情報を視認可能に書き込む。
該書き込みヘッド２１ａで書き込む情報としては、層数に限らず、共振周波数、非接触ＩＣタグの種類、製造元の情報、販売先の情報、又は貼付対象物品の情報等、使用用途や顧客要求に応じて適宜の情報を書き込む。

また該情報としては、例えば当たり／はずれの表示を書き込み、非接触ＩＣタグ５０に娯楽要素を付与するといったように利用しても良い。この場合は、貼付面側に書き込みを行い、物品からはがせば当たりかはずれかが見れるようにすると良い。

これにより、例えば一般消費者に販売する被服等の最終製品に非接触ＩＣタグ５０を貼り付けるような場合に、一般消費者が非接触ＩＣタグ５０を煩わしく感じることを防止し、非接触ＩＣタグ５０による当たりを期待して逆に喜ばせることが可能となる。

なお、書き込みヘッド２１ａは、レーザー加工に限らず、インクジェット方式等による印刷、熱転写による印字、又は彫刻によるエッチング等、視認可能に書き込みを行える他の装置で構成しても良い。

通信アンテナ２２ａは、薄型の非接触ＩＣタグ５０とデータ通信を行い、非接触ＩＣタグ５０に必要なデータを書き込む処理や初期化処理等を行う。

以上の構成により、非接触ＩＣタグ本体６０に高透磁率層３５を多層に熱転写し、さらに視認可能な書き込みと視認不可能なデータ書き込みとを行うことができる。
なお、非接触ＩＣタグ５０は、共振周波数を５ＭＨｚ〜１２ＭＨｚの間の所定周波数に設計している。

次に図４に示すブロック図と共に、非接触ＩＣタグ製造装置１の構成について説明する。
非接触ＩＣタグ製造装置１は、制御部１０に接続して、入力部１１、タグ搬送部１５、熱転写部１６、リボン搬送部１７、表示書込部２１、及びデータ書込部２２を備えている。

制御部１０は、ＣＰＵで構成し、各種制御処理を実行する。
入力部１１は、入力された信号を制御部１０に送信する操作スイッチ等であり、非接触ＩＣタグ５０の製造の開始や停止、高透磁率層３５の層数の設定といった指示の入力を受け付ける。

なお、入力部１１は操作スイッチに限らず、例えばＰＣ（パーソナルコンピュータ）を接続し、ＰＣの画面上でマウスやキーボードによって、層数、表示書込部２１で書き込む情報、データ書込部２２で記録する情報、熱転写部１６の温度や圧力、製造速度等を入力許容し、各種調整を行えるように構成しても良い。

タグ搬送部１５は、前述した搬送ローラ１５ａ，１５ｂ（図１）を備えており、搬送ローラ１５ａ，１５ｂを回動させて非接触ＩＣタグ本体６０を移動させる。

熱転写部１６は、前述した熱転写ヘッド１６１（図１）を備えており、制御部１０の制御信号に従って熱転写ヘッド１６１の加熱と下方への移動による圧力付加を行う。

このとき、シート５１を挟んでＩＣやアンテナコイルを備えた面と反対側の面に高透磁率層３５を熱転写する。これにより、アンテナコイル等の凹凸が原因となって共振周波数等のタグ特性を変化させる影響を防止若しくは減少させている。

リボン搬送部１７は、制御部１０の制御に従い、熱転写部１６で熱転写している間はリボン３０の巻き出し（繰り出し）を停止し、熱転写していない間に、巻き出しを行ってリボン３０を次の熱転写位置まで搬送して停止する。

表示書込部２１は、制御部１０の制御信号に従って高透磁率層３５にレーザー加工を行い、高透磁率層３５の層数等の情報を視認可能に書き込む。
データ書込部２２は、制御部１０の制御信号に従って前記通信アンテナ２２ａを備えており、非接触ＩＣタグ５０とデータ通信を行い、非接触ＩＣタグ５０に必要なデータを書き込む処理や初期化処理等を行う。

以上の構成により、非接触ＩＣタグ本体６０に高透磁率層３５を熱転写し、さらに高透磁率層３５に視認可能な書き込みや視認不可能なデータ書き込みを行うことができる。

次に、図５に示す処理フロー図と共に、非接触ＩＣタグ製造装置１の全体の動作について説明する。
この実施形態では、熱転写部１６を３つ備えた場合で説明する。

制御部１０は、まず利用者による高透磁率層３５の層数のセット、表示書込部２１で書き込む文字又は図形等の設定、データ書込部２２で記録させるデータの設定等の入力を入力部１１にて受け付ける（ステップｎ１）。

制御部１０は、タグ搬送部１５により、非接触ＩＣタグロール７０を回転させ、これに装着されている非接触ＩＣタグ本体６０の搬送を実行する（ステップｎ２）。

設定された層数が１以下であれば（ステップｎ３：Ｙｅｓ）、１段目の熱転写ヘッド１６１ａのみで、接触ＩＣタグ本体６０への高透磁率層３５の熱転写を実行する（ステップｎ４）。

熱転写をすると、次の熱転写のためにリボン３０ａ及び非接触ＩＣタグロール７０を次の熱転写用の位置まで搬送（移動）する（ステップｎ５）。

前記ステップｎ３で設定された層数が１以下でなかった場合（ステップｎ３：Ｎｏ）、層数が２以下か否か判定する（ステップｎ６）。

層数が２以下であれば（ステップｎ６：Ｙｅｓ）、１〜２段目の熱転写ヘッド１６１ａ，１６１ｂにより、接触ＩＣタグ本体６０への高透磁率層３５の熱転写を実行して高透磁率層３５を２層化する（ステップｎ７）。

熱転写をすると、次の熱転写のためにリボン３０ａ，３０ｂ及び非接触ＩＣタグロール７０を次の熱転写用の位置まで搬送する（ステップｎ８）。

前記ステップｎ６で層数が２以下でなければ（ステップｎ６：Ｎｏ）、１〜３段目の熱転写ヘッド１６１ａ，１６１ｂ，１６１ｃにより、接触ＩＣタグ本体６０への高透磁率層３５の熱転写を実行して高透磁率層３５を３層化する（ステップｎ９）。

熱転写をすると、次の熱転写のためにリボン３０ａ，３０ｂ，３０ｃ及び非接触ＩＣタグロール７０を次の熱転写用の位置まで搬送する（ステップｎ１０）。このように熱転写と搬送を順次繰り返すとことで多層化する。

制御部１０は、入力部１１（図４）で表示するための情報が指定されていれば（ステップｎ１１：Ｙｅｓ）、指定された情報を表示書込部２１で高透磁率層３５に書き込む（ステップｎ１２）。

制御部１０は、入力部１１（図４）で非接触ＩＣタグ本体６０に格納するためのデータが指定されていれば（ステップｎ１３：Ｙｅｓ）、指定されたデータをデータ書込部２２で非接触ＩＣタグ本体６０のメモリ（記憶手段）に書き込む（ステップｎ１４）。

以上の動作により、入力部１１で入力された層数だけ高透磁率層３５を熱転写して積層し、入力部１１で入力された指示に応じて情報表示やデータ格納をした非接触ＩＣタグ５０を製造することができる。

熱転写ヘッド１６１により高透磁率層３５を順次熱転写することにより、通信距離（交信距離）の特性を向上させることを、安価に実施することができる。

完成した非接触ＩＣタグ５０は、図６の平面図、及び図７のＡ−Ａ断面図に示すように、非接触ＩＣタグ本体６０の片面側に高透磁率層３５を備えた構成となる。

ここで、非接触ＩＣタグ本体６０は、ＩＣ５６を実装したモジュール基板５５と、シート５１の上に形成したアンテナコイル（巻き線コイル）５３とを接合点５４において機械的に締結して形成している。

アンテナコイル５３は、９μｍ厚のＣｕをエッチングして成る渦巻き状導体パターンで形成している。
シート５１は、３８μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製のフィルムで形成している。

モジュール基板５５は、樹脂製基材であり、２５μｍのＰＥＴフィルム基材で形成している。
電子部品モジュール５７は、モジュール基板５５上に、ＩＣ（ベアチップＩＣ）５６を実装して形成している。

高透磁率層３５は、シート５１の片面であって電子部品モジュール５７を備えていない側の面に設けている。

このように製造した非接触ＩＣタグ５０は、図８の正面断面図に示すように、非接触ＩＣタグ５０を貼り付けた物品８０がアルミ製の板材等であって、磁束を全く通さないあるいはあまり通さない場合であっても、磁束Ｇはアンテナコイル５３（図示省略）の中心を抜けて高透磁率層３５を通過するため、正常にデータ通信を行うことができる。

また、高透磁率層３５を複数積層して多層構造とした場合は、図９の正面断面図に示すように、高透磁率層３５が全体としてより磁束を通すようになる。従って、物品８０が磁束を通さず高透磁率層３５を１層設けただけでは通信できない場合であっても、複数層の高透磁率層３５により通信を行うことができる。

このように、４０〜５０μｍの薄膜状の高透磁率層３５を重ねる層数を自由に調節して厚み調整をすることで、磁束が通過する断面積の大きさを調節できる。

これにより、図１０の表に示すように、金属板（例えばアルミ製の板材）等の磁束を通さない物品に非接触ＩＣタグ５０を貼り付けて通信（交信）できる距離を、高透磁率層３５を厚くして通信距離を長く設定するといったように調整することができる。

高透磁率層３５は高価であるため、必要な交信距離や貼り付ける対象の物品の特性に対応して必要な厚みに調整し、利用者の使用用途に適切な非接触ＩＣタグ５０を低コストで提供することができる。

また、シート状に形成された高透磁率部材を非接触ＩＣタグ本体６０の形状に合わせるために切断加工し、切断した高透磁率部材又は非接触ＩＣタグ本体６０に接着剤を塗布し、両者を接着するといった製造工程が不要となり、量産性を向上し、低コスト生産が実現できる。

また、リボン３０の作製は、高透磁率部材をテープ状のフィルムに塗布するという簡単な工程で大量生産できるため、アモルファスシートや板材を使用する場合と比較し、材料コストを低下できる。

また、貼り付け対象の物品８０に対しては特殊な加工等を何ら行う必要がないため、どのような物品であっても容易に貼り付けて利用することができる。

表示書込部２１で書き込んだ視認可能な情報は、例えば非接触ＩＣタグ５０を再利用する際等に、層数や共振周波数等の必要情報を取得することに役立てるといったことができる。

このような情報は、貼付面側に書き込めば、物品８０に非接触ＩＣタグ５０を貼り付けた状態では見えないため、非接触ＩＣタグ５０の利用者は書き込まれた情報を意識することなく利用することができる。

次に、図１１に示す斜視図、図１２に示す貼り付け位置説明図、図１３に示す通信距離説明図と共に、製造した非接触ＩＣタグ５０の利用方法について説明する。

図１１は、ノートパソコン８１を貼り付け対象物品として非接触ＩＣタグ５０を貼り付け、外部通信アンテナ８５により非接触ＩＣタグ５０と通信する際の外観イメージを示している。

ノートパソコン８１は、内部に様々な電子機器を備えているため、部位によって磁束を通過する量が異なる。

そこで、図１２に示すように、ノートパソコン８１を閉じた状態の表面Ａの１２箇所（Ａ１〜Ａ１２とする）、及び裏面Ｂの１２箇所（Ｂ１〜Ｂ１２とする）について、通信距離の変化を説明する。

図１３の表は、（Ａ）が表面に貼り付けた場合の通信距離を示し、（Ｂ）が裏面に貼り付けた場合の通信距離を示す。この例では、共振周波数を１０．８ＭＨｚに調整した非接触ＩＣタグ５０を使用している。

これを見ると、非接触ＩＣタグ５０の貼付位置により通信距離が異なり、貼付位置がＡ１〜Ａ３，Ａ１２，Ｂ９〜Ｂ１１である場合は、高透磁率層３５を設けずとも通信できることが解る。

また、貼付位置がＡ４であれば、高透磁率層３５が薄くても（３層でも）十分な通信距離が得られることが解る。

また、Ａ１，Ａ３，Ｂ９，Ｂ１０といった貼付位置では、高透磁率層が無い方が交信距離が長くなるという特性があることがわかる。

こういった貼付位置による通信距離の違いは、電子機器であるノートパソコン８１内部の電子部品、あるいは金属部品の配置に起因し、誘導電磁界の遮蔽の形態が、金属部品と非接触ＩＣタグ５０の位置関係により異なるために生じる。

これに対して、高透磁率層３５の層厚を自在に調整することで、使用用途に合った最適な特性を、コストとの間でバランス良く選択できる。

すなわち、高透磁率層３５を備えない非接触ＩＣタグ５０を提供する、あるいは、必要な通信距離に応じた層数だけ高透磁率層３５を積層して提供することで、利用者の要求する通信能力を確保した非接触ＩＣタグ５０を提供することができる
なお、以上の実施形態において、シート５１のほぼ全面に高透磁率層３５を備えたが、平面視アンテナコイル５３の内側と外側を繋ぐ所定の形状に形成してシート５１の一部に備える構成としても良い。この場合でも、磁束を通過させることができる。

また、図５のステップｎ３の手前に層数が０か否かを判定する処理を追加し、層数が０であった場合はステップｎ１１にスキップする構成としても良い。
この場合は、同一の非接触ＩＣタグ製造装置１で高透磁率層３５を備えていない非接触ＩＣタグ５０、高透磁率層３５を１層備えた非接触ＩＣタグ５０、及び高透磁率層３５を多層備えた非接触ＩＣタグ５０を自由に製造することができる。

これにより、小ロットでの注文に対して、製造設備のレイアウト変更なく迅速に非接触ＩＣタグ５０を製造して販売することができる。

また、各熱転写ヘッド１６１にセットするリボン３０の高透磁率層３５の厚みは全て同一に設定したが、異なる厚みのものをセットする構成としても良い。
例えば、熱転写ヘッド１６１ａは厚さ４０μｍ、熱転写ヘッド１６１ｂは厚さ８０μｍ、熱転写ヘッド１６１ｃは厚さ１６０μｍといったようにセットすれば、３つの熱転写ヘッド１６１により４０μｍ，８０μｍ，１２０μｍ，１６０μｍ，２００μｍ，２４０μｍ，２８０μｍと７種類の厚さの高透磁率層３５が得られる等、熱転写ヘッド１６１の数以上の種類の厚さを得ることができる。
この場合は、各熱転写ヘッド１６１にセットするリボン３０の高透磁率層３５の厚さを整数倍に設定する、あるいはその他の設定とする事ができる。

また、リボン３０上に高透磁率層３５を形成する際の樹脂バインダとして、熱硬化性であるエポキシ系樹脂をメチルエチルケトン等の溶剤に溶かしたものを用いてもよい。

この場合、該樹脂バインダに磁性粉末（例えば鉄―ニオブ系合金粒子）を分散させて形成したペーストをフィルム３１の表面に塗布した後、１５０℃程度の温度で該塗布層内の溶剤を揮発させて熱転写用のリボン３０を作製すると良い。

この時、溶剤の揮発量を抑えて、例えば、溶剤が１ｍ２当たり２０ｇ程度残留するように高透磁率層３５を乾燥させておく等により、上述したポリエステル系等の樹脂バインダを使用する実施形態と同様な熱転写の方法で、非接触ＩＣタグ本体６０上に高透磁率層３５を形成することできる。

また、熱転写ヘッド１６１は、複数ではなく１つ備える構成としても良い。
この場合は、タグ搬送部１５による非接触ＩＣタグロール７０の巻きだしを一時停止した状態で、熱転写ヘッド１６１によるリボン３０上の高透磁率層３５の熱転写を行いリボン３０の位置移動を行う１連の熱転写工程を、任意の回数実行できる設定とすれば良い。
これにより、１つの熱転写ヘッド１６１で非接触ＩＣタグ５０の高透磁率層３５の層数を任意の調整することができる。

また、表示書込部２１とデータ書込部２２のいずれか一方又は両方を備えない構成としても良い。
この場合は、製造工程の工程数を削減して非接触ＩＣタグ５０をより安価に提供することができる。

この発明の構成と、上述の実施形態との対応において、
この発明の熱転写回数設定手段は、実施形態の入力部１１に対応し、
以下同様に、
熱転写手段は、熱転写部１６に対応し、
書込手段は、表示書込部２１に対応し、
高透磁率の部材は、鉄―ニオブ系合金粒子に対応するも、
この発明は、上述の実施形態の構成のみに限定されるものではなく、多くの実施の形態を得ることができる。

非接触ＩＣタグ製造装置の外観構成図。 リボンの断面図。 転写工程の説明図。 非接触ＩＣタグ製造装置の構成を示すブロック図。 非接触ＩＣタグ製造装置の動作を示す処理フロー図。 非接触ＩＣタグの平面図。 非接触ＩＣタグの正面断面図。 物品に貼り付けた非接触ＩＣタグの正面断面図。 物品に貼り付けた非接触ＩＣタグの正面断面図。 高透磁率層の層数と通信距離の関係を示す表。 非接触ＩＣタグ付きノートパソコンと外部通信アンテナの斜視図。 非接触ＩＣタグの貼り付け位置の説明図。 高透磁率層の貼付位置と層数と通信距離の関係を示す表。 従来考えられる方法の説明図。

符号の説明

１…非接触ＩＣタグ製造装置
１１…入力部
１６…熱転写部
２１…表示書込部
３５…高透磁率層
５０…非接触ＩＣタグ
６０…非接触ＩＣタグ本体
８０…物品

Claims (11)

1. 物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法であって、
   高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層を、前記非接触ＩＣタグ本体の物品との貼付面側に熱転写する
   非接触ＩＣタグ製造方法。
2. 前記熱転写を前記非接触ＩＣタグ本体に対して複数回実行する
   請求項１記載の非接触ＩＣタグ製造方法。
3. 前記非接触ＩＣタグ本体に対する前記熱転写の実行回数を任意に設定する
   請求項１又は２記載の非接触ＩＣタグ製造方法。
4. 前記非接触ＩＣタグ本体として、共振周波数を５．０ＭＨｚ〜１２．０ＭＨｚ内の所定周波数に調整した非接触ＩＣタグ本体を使用する
   請求項１、２又は３記載の非接触ＩＣタグ製造方法。
5. 前記高透磁率層に、情報を視認可能に書き込む
   請求項１〜４のいずれか１つに記載の非接触ＩＣタグ製造方法。
6. 物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造装置であって、
   高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層を、非接触ＩＣタグ本体の物品への貼付面側に熱転写する熱転写手段を備えた
   非接触ＩＣタグ製造装置。
7. 前記熱転写手段を、前記熱転写を前記非接触ＩＣタグ本体に対して複数回実行可能に構成した
   請求項６記載の非接触ＩＣタグ製造装置。
8. 前記非接触ＩＣタグ本体に対する前記熱転写の回数を任意に設定許容する熱転写回数設定手段を備えた
   請求項７記載の非接触ＩＣタグ製造装置。
9. 前記非接触ＩＣタグ本体として、共振周波数を５．０ＭＨｚ〜１２．０ＭＨｚ内の所定周波数に調整した非接触ＩＣタグ本体を使用する
   請求項６、７又は８記載の非接触ＩＣタグ製造装置。
10. 前記高透磁率層に情報を視認可能に書き込む書込手段を備えた
    請求項６〜９のいずれか１つに記載の非接触ＩＣタグ製造装置。
11. 記憶手段とアンテナコイルとを備え、物品に貼り付けて使用する非接触ＩＣタグであって、
    物品との貼付面側に、高透磁率の部材により膜状に形成した高透磁率膜を１層以上備えた
    非接触ＩＣタグ。
    

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