JP2006046825A - 塩素化合物の処理方法および処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ダイオキシン類の濃度変動に確実に対応することができ、焼却炉よりも下流側でのダイオキシン類の生成・再合成を防止することができ、しかも吸着剤の吹込み量を削減することができる塩素化合物の処理方法および処理装置を提供する。
【解決手段】 上流側ダクト６内の排ガス中のＨＣｌ濃度の検出を、応答性が良く、ダストからの影響を受け難いレーザ式ＨＣｌ計４０を用いて連続的に行うとともに、一次燃焼領域のＯ_２濃度検出をレーザ式Ｏ_２計５０を用いて連続的に行う。一次燃焼領域のＯ_２濃度が、Ｏ_２濃度の設定値を越えていた場合には、Ｏ_２濃度の検出値が設定値に一致するように一次燃焼空気の供給量をフィードバック制御し、排ガス中のＨＣｌ濃度がＨＣｌ濃度の設定値を越えていた場合には、ＨＣｌ濃度の検出値が設定値に一致するように一次燃焼領域への脱塩剤の吹込み量をフィードバック制御する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、焼却設備におけるダイオキシン類の濃度上昇の要因である塩素化合物の処理方法および処理装置に関するものである。

一般に、焼却炉の焼却処理に伴い発生する排ガスには、人体への毒性が極めて高いダイオキシン類が含まれているため、ダイオキシン類の除去技術の開発が強く希求されている。

前記ダイオキシン類の除去技術としては、種々のものが開発されているが、例えば、焼却炉より発生する高温域の排ガス中にＨＣｌ中和剤を供給して、ダイオキシン類の生成原料の一つと考えられるＨＣｌをその排ガス中から取り除き、ダイオキシン類の発生を抑制するという方法が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。

しかし、特許文献１に記載のような方法では、ダイオキシン類の濃度変動に対応していないため、ダイオキシン類濃度を法定濃度よりも低濃度に抑制するためには、ダイオキシン類の変動に対して余裕を見た、過剰な量のＨＣｌ中和剤を排ガス中に供給せねばならず、ランニングコストが嵩み、また、ＨＣｌ濃度が突発的に高濃度になった場合には、ＨＣｌ中和剤を過剰に供給していてもなお不足する場合があり、したがって、ダイオキシン類を法定濃度以下に抑制できないという問題点がある。

このような問題点を解決するためには、ダイオキシン類濃度を直接的かつ連続的に検出し、そのダイオキシン類濃度に対応した量のＨＣｌ中和剤等を供給するようにすれば良いが、前記ダイオキシン類は極めて微量な物質であり、直接的かつ連続的な測定が極めて困難である。現に、各プラント等において年に数回実施されているダイオキシン類対策特別措置法およびＪＩＳに基づく測定方法では、測定結果が出るまでに１ヶ月程度の期日を要するため、制御の指標として用いることができない。

そこで、ダイオキシン類の代替指標として排ガス中のＨＣｌ濃度を検出し、このＨＣｌ濃度に比例した量の活性炭を、集塵処理が完了する前の排ガス中に投入するようにされたダイオキシン類の処理方法が特許文献２において提案されている。また、ダイオキシン類の代替指標として排ガス中のＣＯ濃度を検出し、このＣＯ濃度に基づき、ダイオキシン類濃度を推定し、ダイオキシン類の削減制御を行う技術が特許文献３において提案されている。

特開平１０−２４９１５４号公報 特開平１１−４７５５３号公報 特開２００２−５４８１１号公報

しかしながら、前記特許文献２に開示されるような、ダイオキシン類の処理方法によれば、焼却設備の下流域（バグハウスとバグハウスを結ぶ経路内）に活性炭を投入するようにされているため、焼却炉と活性炭の投入ポイントとの間にあるガス冷却部（ボイラ、エコノマイザなど）等でのダイオキシン類の生成・再合成を防止することができないという問題点がある。そのため、活性炭の投入ポイントにおいて排ガス中のダイオキシン類濃度が増すことになり、活性炭の吹込み量の増加に繋がるという問題点がある。

また、最新の焼却設備においては、燃焼制御の進歩に伴い焼却炉内での完全燃焼が非常に高い水準で達成されていることから、排ガス中のＣＯ濃度は極めて低い濃度（１０ｐｐｍ前後）で安定している。そのため、特許文献３に開示されるような、ＣＯ濃度に基づいたダイオキシン類濃度の推定方法を最新の焼却設備に適用した場合、焼却設備内で排ガス中のダイオキシン類濃度の変動が生じた場合に、その濃度変動がＣＯ濃度に正しく反映されないことが多く、焼却設備においてダイオキシン類の濃度制御の指標として用いるにはあまりにも信用が置けないという問題点がある。また、特許文献３に開示されているような技術においても、特許文献２に開示される技術と同様、焼却炉から吸着剤の吹込み部位までの間のダイオキシン類の生成・再合成については何等対策が施されておらず、やはり、吸着剤の吹込み量の増加に繋がるという問題点がある。

本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、ダイオキシン類の濃度変動に確実に対応することができ、焼却炉よりも下流側でのダイオキシン類の生成・再合成を防止することができ、しかも吸着剤の吹込み量を削減することができる塩素化合物の処理方法および処理装置を提供することを目的とするものである。

前記目的を達成するために、第１発明による塩素化合物の処理方法は、
焼却炉にて発生した排ガスを集塵手段にて集塵して系外に排出する焼却設備において、
レーザ式Ｏ_２計による焼却炉内Ｏ_２濃度の連続的な検出および／またはレーザ式ＨＣｌ計による集塵手段により集塵される前の排ガス中ＨＣｌ濃度の連続的な検出により得られる結果に基づき、焼却炉内へ供給される一次燃焼空気量および／または焼却炉内へ吹き込む脱塩剤量を制御することを特徴とするものである。

また、第２発明による塩素化合物の処理装置は、
焼却炉にて発生した排ガスを集塵手段にて集塵して系外に排出する焼却設備において、
前記集塵手段により集塵される前の排ガス中のＨＣｌ濃度を連続的に検出するレーザ式ＨＣｌ計と、このレーザ式ＨＣｌ計からの出力に基づき、前記焼却炉内の一次燃焼領域に吹き込まれる脱塩剤量を制御する制御手段を備えることを特徴とするものである。

さらに、第３発明による塩素化合物の除去装置は、
焼却炉にて発生した排ガスを集塵手段にて集塵して系外に排出する焼却設備において、
焼却炉内のＯ_２濃度を連続的に検出するレーザ式Ｏ_２計と、前記集塵手段により集塵される前の排ガス中のＨＣｌ濃度を連続的に検出するレーザ式ＨＣｌ計と、前記レーザ式Ｏ_２計およびレーザ式ＨＣｌ計からの出力に基づき、前記焼却炉内へ供給される一次燃焼空気量と、焼却炉内の一次燃焼領域へ吹き込まれる脱塩剤量とを制御する制御手段を備えることを特徴とするものである。

前記各発明によれば、焼却炉内のＯ_２濃度がレーザ式Ｏ_２計によって連続的に検出されるとともに、ダイオキシン類濃度と高い相関があると確認された排ガス中のＨＣｌ濃度が、レーザ式ＨＣｌ計によって連続的に検出され、これらの検出結果に基づいて、焼却炉内へ供給される一次燃焼空気量および／または焼却炉内の一次燃焼領域への脱塩剤の吹込み量が制御されて、ダイオキシン類の生成・再合成の要因（例えば、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、有機塩素化合物等）の生成抑制あるいは除去が図られるので、焼却炉よりも下流側におけるダイオキシン類の生成・再合成を防止することができ、ダイオキシン類濃度を低く抑えることができる。したがって、吸着剤の吹き込み量を従来のものよりも大幅に削減することができる。

また、応答性に優れ、ダストの影響を受け難いレーザ式Ｏ_２計によって、リアルタイムにかつ連続的に焼却炉内Ｏ_２濃度が測定されるので、一次燃焼領域のＯ_２濃度の変動に確実に対応した一次燃焼空気量の制御を行うことができ、さらに、応答性に優れ、ダストの影響を受け難いレーザ式ＨＣｌ計によって、ダイオキシン類濃度と相関のある排ガス処理前の排ガス中のＨＣｌ濃度を連続的に測定できるので、排ガス中のダイオキシン類濃度（実際には、ＨＣｌ濃度）の変動に確実に対応した脱塩剤量の制御を行うことができる。

次に、本発明による塩素化合物の処理方法および処理装置の具体的な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

図１には、本発明の一実施形態に係る焼却設備の概略構成図が、図２には、レーザ式ＨＣｌ計の概略構成図がそれぞれ示されている。

本実施形態において、焼却設備１は、被処理物の焼却処理を行うストーカ式焼却炉（以下、単に「焼却炉」という。）２と、この焼却炉２から排出される排ガスの熱交換処理を行うボイラ装置３と、このボイラ装置３通過後の排ガスの熱交換処理および減温処理を行うエコノマイザ４と、このエコノマイザ４通過後の排ガスの集塵処理を行う集塵装置５と、前記エコノマイザ４と集塵装置５とを結ぶダクト（以下「上流側ダクト」という。）６と、集塵装置５と下流側の図示省略される煙突とを結ぶダクト（以下、「下流側ダクト」という。）７とを備えて構成されている。

前記焼却炉２の下部には、被処理物を乾燥させるととともにその被処理物の送り出し手段を兼ねる乾燥ストーカ段１２ａと、被処理物の一次燃焼を行う燃焼ストーカ１２ｂと、被処理物のおき燃焼を行う後燃焼ストーカ１２ｃからなるストーカ１２が配されている。また、このストーカ１２の上流側には、被処理物貯留用のホッパ１１が隣接配置されており、そのホッパ１１の下部であって、乾燥ストーカ１２ａの上流側には給塵装置１３が設置されている。また、後燃焼ストーカ１２ｃのさらに下流側には、その後燃焼ストーカ１２ｃ上の被処理物を排出するための灰シュート１４が設けられている。

前記乾燥ストーカ１２ａ、燃焼ストーカ１２ｂ、後燃焼ストーカ１２ｃの下方には、第１、第２、第３の風箱１５ａ，１５ｂ，１５ｃがそれぞれ設けられている。これら各風箱１５ａ，１５ｂ，１５ｃには、送風機１６からの一次燃焼空気が、予熱器１７およびダンパ１８が介挿される一次燃焼空気用ダクト１９およびその一次燃焼空気用ダクト１９から分岐される分岐配管１９ａ，１９ｂ，１９ｃを介して導入される。また、前記焼却炉２の上部には、二次燃焼空気を供給するための二次燃焼空気供給口２０が設けられている。

前記焼却炉２には、前記燃焼ストーカ１２ｂに近接した領域を中心に形成される一次燃焼領域に、脱塩剤（苛性ソーダ、消石灰等）を吹込み、それによって、ダイオキシン類の生成および再合成の要因であるＨＣｌやＣｌ_２等の塩素化合物を除去するための脱塩剤吹込装置３０が付設されている。

前記脱塩剤吹込装置３０は、脱塩剤が貯留される脱塩剤貯留槽３１と、この脱塩剤貯留槽３１内の脱塩剤を供給するための脱塩剤用ダクト３２を備えるとともに、前記脱塩剤貯留槽３１の下部に、脱塩剤を脱塩剤用ダクト３２に供給するための供給装置３１ａを備えている。また、前記脱塩剤用ダクト３２の先端部にはノズル３３が装着されており、このノズル３３は、その先端部の噴出口が一次燃焼領域に向くように、焼却炉２の一次燃焼領域に対向する炉壁２'に固定されている。

また、前記上流側ダクト６には、必要に応じて、その上流側ダクト６内の排ガス中に吸着剤（活性炭等）とアルカリ薬剤（消石灰等）とを吹込み、それによって、ダイオキシン類および酸性ガスの除去を補助的に行う薬剤吹込装置３５が付設されている。

前記薬剤吹込装置３５は、内部にダイオキシン類を吸着・除去するための吸着剤が貯留される吸着剤貯留槽３８と、内部に酸性ガスを中和・除去するためのアルカリ薬剤が貯留されるアルカリ薬剤貯留槽３９と、これら各貯留槽３８，３９内の薬剤を前記上流側ダクト６に供給する薬剤用ダクト３７とを備えて構成されている。また、前記吸着剤貯留槽３８およびアルカリ薬剤貯留槽３９の下部には、吸着剤およびアルカリ薬剤をそれぞれ前記薬剤用ダクト３７に供給するための供給装置３８ａ、３９ａが設けられている。

本実施形態において、前記上流側ダクト６には、前記薬剤用ダクト３７の接続部位よりも上流側に、応答性に優れ、ダスト等の影響を受け難く精度が良く、連続的なＨＣｌの濃度検出を行うことができるレーザ式ＨＣｌ計４０が付設されている。このレーザ式ＨＣｌ計４０は、図２に示されるように、レーザ光の光源を備える検出器本体４１と、上流側ダクト６内にレーザ光を連続的に照射する照射部４２と、この照射部４２の対向面に設けられ、その照射部４２からのレーザ光を受信する受信部４３と、各機器間を接続する光ファイバーケーブル４４，４５，４６を備えている。

このレーザ式ＨＣｌ計４０によれば、前記検出器本体４１のレーザ光源から発信され光ファイバーケーブル４４を通して照射部４２に達したレーザ光は、その照射部４２から上流側ダクト６内に照射され、上流側ダクト６内の排ガスを横切る際に、ある特定の波長が減衰される。こうして排ガスを横切り減衰されたレーザ光は、前記受信部４３で受信され、光ファイバーケーブル４５，４６を通して検出器本体４１に導かれる。

こうして、前記検出器本体４１において、受信部４３で受信されたレーザ光と、照射部４２より発信される減衰・吸収前のレーザ光との比較が行われて、レーザ光の減衰の度合いが分析され、この分析結果に基づいて、上流側ダクト６内を通過する排ガス中のＨＣｌ濃度が検出される。

また、前記焼却炉２には、応答性に優れ、ダスト等の影響を受け難く精度が良く、焼却炉２内に形成される一次燃焼領域におけるＯ_２濃度の検出を連続的に行うことができるレーザ式Ｏ_２計５０が付設されている。このレーザ式Ｏ_２計５０は、レーザ光の光源を備える検出器本体５１と、焼却炉２内にレーザ光を照射する照射部５２と、この照射部５２の対向面に設けられ、その照射部５２からのレーザ光を受信する受信部５３と、各機器間を接続する光ファイバーケーブル（明示を省略する。）を備えており、前記レーザ式ＨＣｌ計５０と同様に、照射前のレーザ光と、受信されたレーザ光とを比較・分析して、焼却炉２内の一次燃焼領域におけるＯ_２濃度を検出するようにされている。

また、前記レーザ式ＨＣｌ計４０およびレーザ式Ｏ_２計５０には、データの入出力部、記憶部、後述の制御を行うための制御部等を具備するコントローラ（制御手段）６０が接続されている。このコントローラ６０には、前記レーザ式ＨＣｌ計４０およびレーザ式Ｏ_２計５０からの検出結果が随時入力される。また、前記記憶部には、各燃焼設備において別個独立に設定される排ガス中のＨＣｌ濃度−ダイオキシン類濃度間の相関データ、排ガス中のＨＣｌ濃度の設定値、一次燃焼領域におけるＯ_２濃度の設定値、焼却炉２内に供給される一次燃焼空気量の下限値等が記憶されている。

前記相関データは、本実施形態の焼却設備１においては、ＨＣｌ濃度に対するダイオキシン類濃度の関係が右肩上がりの直線である検量線Ａとして表される（図３参照。）。ここで、前記検量線Ａは、排ガス中のＨＣｌ濃度と、ダイオキシン類濃度との測定を、種々のＨＣｌ濃度について行い、これらの測定結果をプロットし、プロットされた各点についての直線近似または曲線近似（本実施形態においては直線近似）を行うことで求めることができる。なお、排ガス中のＨＣｌ濃度とダイオキシン類濃度の測定は、特に限定されるものではないが、例えば、ダイオキシン類対策特別措置法およびＪＩＳ規定に準じた測定方法等を用いることができる。

一方、コントローラ６０の記憶部に記憶させるＨＣｌ濃度の設定値は、前記検量線Ａを利用して、次のようにして求められる。まず、排ガス中のダイオキシン類濃度の法定濃度（図３中、記号Ｂにて示す。）よりも低濃度のダイオキシン類濃度（図３中、記号Ｃにて示す。）を設定する。次いで、この設定値Ｃに対応するＨＣｌ濃度（図３中、記号Ｄにて示す。）を、前記検量線Ａを用いて求める。こうして、求められた値をＨＣｌ濃度の設定値Ｄとする。

また、一次燃焼領域におけるＯ_２濃度の設定値としては、種々の設定方法が考えられるが、例えば、一次燃焼領域を還元雰囲気に保つことができる一次燃焼空気の供給量の範囲を実測等により求め、その供給量の範囲の中から任意の供給量を適宜選択し、選択された量の一次燃焼空気を焼却炉２内に供給した際に、前記レーザ式Ｏ_２計５０等の検出手段によって検出される値を、そのＯ_２濃度の設定値として採用することができる。また、一次燃焼空気量の下限値としては、一次燃焼領域における燃焼状態を安定に維持できる最小の値を採用することができる。

前記コントローラ６０の制御部は、前記レーザ式ＨＣｌ計４０およびレーザ式Ｏ_２計５０により随時入力される排ガス中のＨＣｌ濃度、一次燃焼領域のＯ_２濃度に基づき、次のような制御を行う。
（ａ）前記レーザ式Ｏ_２計５０により随時入力された一次燃焼領域のＯ_２濃度が、前記記憶部に記憶されるＯ_２濃度の設定値を越えたときには、前記ダンパ１８に制御信号を発信し、前記Ｏ_２濃度の検出値が設定値に一致するようにダンパ１８の閉操作を行い、一次燃焼領域への一次燃焼空気の供給量を抑制して一次燃焼領域を還元雰囲気に保ち、一次燃焼領域でのＨＣｌの発生そのものを抑制する（詳細は後述。）。ただし、一次燃焼領域の燃焼状態を安定に保つために、一次燃焼空気の供給量が、前記一次燃焼空気量の下限値以下にならないように注意する必要がある。
（ｂ）前記レーザ式ＨＣｌ計４０により随時入力された排ガス中のＨＣｌ濃度が、前記ＨＣｌ濃度の設定値Ｄよりも高濃度になった場合には、脱塩剤貯留槽３１の供給装置３１ａに制御信号を送信し、前記ＨＣｌの検出値が設定値に一致するように供給装置３１ａの供給速度の増加調整を行い、脱塩剤の吹込み量を調整する。

一次燃焼空気の供給量の抑制によって一次燃焼領域のＯ_２濃度が設定値以下に回復し、脱塩剤の吹込み量の調整により前記ＨＣｌ濃度が設定値Ｄ未満に回復した際には、前記ダンパ１８の開操作および、供給装置３１ａの供給速度の減少調整を行う。これら各フィードバック制御を行うことにより、ＨＣｌの生成抑制・除去がなされ、排ガス中のＨＣｌ濃度が設定値Ｄあるいはその近傍に維持される。

以上のように、本実施形態においては、焼却炉２内に供給される一次燃焼空気量の制御と、焼却炉２内の一次燃焼領域に吹き込まれる脱塩剤量の制御とを併せて行うことによって、ダイオキシン類の濃度上昇の要因を、焼却設備１の上流域、すなわち焼却炉２内の一次燃焼領域で取り除き、ダイオキシン類の生成・再合成を防止することができる。

ここで、ダイオキシン類の濃度上昇要因の一つとして、焼却炉２内の一次燃焼領域にて形成されるＨＣｌを挙げることができる。このことは、排ガス中のＨＣｌ濃度が減少すれば、排ガス中のダイオキシン類濃度が減少することを示す、図３の検量線Ａより明らかである。また、前記焼却炉２内の乾燥ストーカ２ａ上方および燃焼ストーカ１２ｂ上方の一次燃焼領域においては、下記のような化学反応が生じているものと解されている。
（１）ＮａＣｌ＋１／２ＳＯ_２＋１／４Ｏ_２＋１／２Ｈ_２Ｏ
→１／２Ｎａ_２ＳＯ_４＋ＨＣｌ
（２）ＣａＣｌ_２＋ＳＯ_２＋１／２Ｏ_２＋Ｈ_２Ｏ
→ＣａＳＯ_４＋２ＨＣｌ
このことから、ダイオキシン類の濃度上昇の要因を取り除くには、焼却炉２内への一次燃焼空気（厳密には酸素）の供給量を減らし、一次燃焼領域を還元雰囲気に維持できるような一次燃焼空気量の制御を行えば良いことが分かる。

したがって、上述したような本実施形態の制御が行われると、前記焼却炉２内の一次燃焼領域においては、一次燃焼空気の減少によって前記反応式（１）（２）で示される化学反応が抑制され、抑制が不十分な場合には、脱塩剤の吹込みにより、ダイオキシン類の生成要因の一つであるＨＣｌが生成抑制され、発生したＨＣｌは強制除去される。

なお、前記一次燃焼空気の供給量を減らしすぎると、焼却炉２内の燃焼状態が極めて不安定になり、被処理物の焼却処理自体に支障をきたす恐れがあるため、前述のように、一次燃焼空気量には下限が設けられている。そのため、ＨＣｌの生成抑制が不十分になる場合があるが、一次燃焼領域で生成されたＨＣｌは、脱塩剤の吹き込み量を増加させることによって除去されるのでダイオキシン類の濃度上昇の要因になることはない。

本実施形態によれば、レーザ式ＨＣｌ計４０によって検出されたＨＣｌ濃度が、ＨＣｌ濃度の設定値に一致するように、一次燃焼領域へ吹き込まれる脱塩剤量が制御され、加えて、レーザ式Ｏ_２計５０によって検出されたＯ_２濃度が、Ｏ_２濃度の設定値に一致するように、焼却炉２内に供給される一次燃焼空気量が抑制されて一次燃焼領域が還元雰囲気に保たれるので、ダイオキシン類の生成および再合成の要因の一つであるＨＣｌの生成抑制・除去を焼却炉２内の一次燃焼領域において行うことができる。したがって、焼却炉２−上流側ダクト６間でのダイオキシン類の生成・再合成を確実に防止して、ダイオキシン類濃度を抑制することができる。そのため、前記薬剤供給装置３５からの吸着剤の吹込みを大幅に削減することができ、場合によってはその吹込みをなくすことができる。また、排ガス中のＨＣｌ濃度も減少するので、アルカリ薬剤の供給量を削減することができる。

また、本実施形態によれば、応答性に優れ、ダストの影響を受け難いレーザ式ＨＣｌ計４０／レーザ式Ｏ_２計５０によって、排ガス中のＨＣｌ濃度／一次燃焼領域のＯ_２濃度が連続的にかつ精度良く検出されるので、これらの指標（ＨＣｌ濃度の検出結果、一次燃焼領域のＯ_２濃度の検出結果）を用いた、脱塩剤の吹込み量の制御・一次燃焼空気の供給制御をより確実に行うことができる。

また、本実施形態においては、上流側ダクト６にレーザ式ＨＣｌ計４０の照射部４２および受信部４３を取り付け、上流側ダクト６内の排ガスのＨＣｌ濃度を検出するようにされているが、未集塵かつ、吸着剤・アルカリ薬剤の吹込み等の排ガス処理がなされる前の排ガス中のＨＣｌ濃度が検出できるのであれば、それら照射部４２および受信部４３の取り付け位置を限定する必要はなく、例えば、ボイラ３の出口に照射部４２および受信部４３を取り付け、ボイラ３の出口の排ガスのＨＣｌ濃度を検出するようにしても良い。こうした場合であっても本実施形態と同様の作用・効果を得ることができる。

本実施形態においては、一次燃焼空気の供給量を制御する手段として、前記ダンパ１８の開閉操作を行うようにされているが、前記送風機１６に設けられる一次燃焼空気供給用のファンの回転数を制御するＶＶＶＦ（Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ＝電圧可変則制御）等、他の方法により、その一次燃焼空気の供給量を調整するようにしても良い。また、本実施形態においては、焼却炉２の一次燃焼領域に対応する壁面２'に脱塩剤の供給部（ノズル３３）を設けたが、一次燃焼領域への脱塩剤の供給ができるのであれば、他の場所に設けるようにしても良い。

また、本実施形態においては、一次燃焼空気量のフィードバック制御と、脱塩剤量のフィードバック制御を行うことによって、ダイオキシン類の生成要因の一つであるＨＣｌの生成抑制を図るとともに、生成抑制しきれなかったＨＣｌを除去するようにされているが、前記各制御のうち、いずれか一方のみを行うようにしても一定程度の効果を期待することができる。

ここで、一次燃焼空気の供給制御のみを行う場合、ダイオキシン類の生成抑制効果が望めるため、上流側ダクト６への吸着剤・アルカリ薬剤の供給量を、従来のものよりも大幅に削減できるという効果がある。

一方、脱塩剤の吹込み制御のみを行う場合、脱塩剤の吹き込みによりＨＣｌを除去して、下流側でのダイオキシン類の生成・再合成を防止することができるので、やはり前記吸着剤・アルカリ薬剤の吹き込み量を削減することができる。

本発明の一実施形態に係る焼却設備の概略構成図 レーザ式ＨＣｌ計の概略構成図 排ガス中のダイオキシン類濃度と、ＨＣｌ濃度との相関図

符号の説明

１ 焼却設備
２ 焼却炉
３ ボイラ装置
５ 集塵装置
６ 上流側ダクト
１２ ストーカ
１６ 送風機
１８ ダンパ
１９ 一次燃焼空気用ダクト
１９ａ〜１９ｃ 分岐配管
３０ 脱塩剤供給装置
３１ 脱塩剤貯留槽
３２ 脱塩剤用ダクト
３１ａ 供給装置
３３ 粉体ノズル
３５ 薬剤供給装置
４０ レーザ式ＨＣｌ計
５０ レーザ式Ｏ_２計
６０ コントローラ

Claims (3)

1. 焼却炉にて発生した排ガスを集塵手段にて集塵して系外に排出する焼却設備において、
   レーザ式Ｏ_２計による焼却炉内Ｏ_２濃度の連続的な検出および／またはレーザ式ＨＣｌ計による集塵手段により集塵される前の排ガス中ＨＣｌ濃度の連続的な検出により得られる結果に基づき、焼却炉内へ供給される一次燃焼空気量および／または焼却炉内へ吹き込む脱塩剤量を制御することを特徴とする塩素化合物の処理方法。
2. 焼却炉にて発生した排ガスを集塵手段にて集塵して系外に排出する焼却設備において、
   前記集塵手段により集塵される前の排ガス中のＨＣｌ濃度を連続的に検出するレーザ式ＨＣｌ計と、このレーザ式ＨＣｌ計からの出力に基づき、前記焼却炉内の一次燃焼領域に吹き込まれる脱塩剤量を制御する制御手段を備えることを特徴とする塩素化合物の処理装置。
3. 焼却炉にて発生した排ガスを集塵手段にて集塵して系外に排出する焼却設備において、
   焼却炉内のＯ_２濃度を連続的に検出するレーザ式Ｏ_２計と、前記集塵手段により集塵される前の排ガス中のＨＣｌ濃度を連続的に検出するレーザ式ＨＣｌ計と、前記レーザ式Ｏ_２計およびレーザ式ＨＣｌ計からの出力に基づき、前記焼却炉内へ供給される一次燃焼空気量と、焼却炉内の一次燃焼領域へ吹き込まれる脱塩剤量とを制御する制御手段を備えることを特徴とする塩素化合物の処理装置。

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