JP2006041530A - ダブルテレセントリック照明を有するリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】放射の照明ビームを発生する照明系202と、反射系216と、物体面を規定するパターンジェネレータ206と、投影系208とが設けられており、パターンジェネレータの反射部がデフォルト状態にある場合に反射系の反射部222がパターンジェネレータの反射部に対して実質的に平行であり、照明ビームが物体面の近くにおいてテレセントリックであり、パターニングされた照明ビーム画像面の近くにおいてテレセントリックであるように、パターンジェネレータの反射部が、照明ビームをパターニングし、パターニングされた照明ビーム214を、投影系208を介して、像面を規定する基板210へ方向付ける。
【選択図】図2
Description
詳細な説明において、“パターンジェネレータ”及び“パターンジェネレーティングデバイス”は、反射形及び透過形レチクル、マスク、コントラストデバイス、液晶ディスプレイ、空間光変調器、回折格子光弁、デジタルミラーデバイス、又は光ビームにパターンを提供するために使用されることができるその他のあらゆる装置を含んでおり、このことはこの説明を読むことにより当業者に明らかになるであろう。
前記のように、リソグラフィの最中、基板ステージに載置された基板は、パターンジェネレータ又はパターンジェネレータのアレイによって形成されたイメージ(例えばパターン)に曝される。イメージは、リソグラフィ装置内に配置された投影光学系によって基板に投影される。投影光学系はリソグラフィの場合に使用されるが、種々異なるタイプの露光装置を、特定の用途に応じて使用することができる。例えば、エキシマレーザ、X線、イオン、電子、光子リソグラフィは、当業者に知られているように、それぞれ異なる露光装置を必要とする。リソグラフィの特定の例は、例示のためにのみここで論じられている。
図1は、ダブルテレセントリック照明を使用する典型的なリソグラフィシステム100を示している。システム100は、照明系102と、ビームスプリッタ104と、パターンジェネレータ106と、投影系108と、基板110とを有している。その他のシステムエレメント(例えば基板ステージ、照明源等)は図面及び以後の説明を簡略にするために省略されている。
図2及び図5は、それぞれ、本発明の2つの実施形態による、ダブルテレセントリック照明を使用するリソグラフィシステム200及び500を示している。これらのシステムは、光を照明系202/502からパターンジェネレータ206/506へ向けるために透過光学系の代わりに反射系216/516を使用することにより、照明ビームに生ぜしめられる吸収及びエラーを排除又は著しく低減する。
(d/h)=tan2α
この公式において、dは、ビーム712が反射系716の反射部722から反射する点と、反射されたビーム734がエレメント718の反射面720によって反射されかつパターニングされる点との間の水平方向の距離であり、hは、これらの2つの点の垂直方向の距離である。αは、反射部722及び反射面720それぞれと垂直に交わる2つの軸線736及び738の間の角度である。より小さな傾斜角度βが望ましいならば、d、h及び/又はαは増大されなければならないのに対し、より大きな傾斜角度βが望ましいならば、d、h、及び/又はαは減少させられなければならない。
図8は、本発明の1つの実施形態による方法800を示すフローチャートである。1つの例において、方法800は、前記システム200又は500の少なくとも一方を作動させるために使用される。
本発明の様々な実施形態が上に説明されたが、これらの実施形態は、限定するためではなく例としてのみ示されている。発明の精神及び範囲から逸脱することなく形状及び詳細における様々な変更を行うことができることは当業者に明らかになるであろう。すなわち、本発明の広さ及び範囲は、前記の典型的な実施形態の何れによっても限定されるべきではなく、添付の請求項及びその均等物に基づいてのみ定義されるべきである。
Claims (32)
- 放射の照明ビームを発生する照明系と、反射系と、物体面を規定するパターンジェネレータと、投影系とが設けられており、パターンジェネレータの反射部がデフォルト状態にある場合に反射系の反射部がパターンジェネレータの反射部に対して実質的に平行であり、照明ビームが物体面の近くにおいてテレセントリックであり、パターニングされた照明ビームが像面の近くにおいてテレセントリックであるように、パターンジェネレータの反射部が、照明ビームをパターニングし、パターニングされた照明ビームを、投影系を介して、像面を規定する基板へ方向付けることを特徴とする、システム。
- パターンジェネレータが複数の制御可能なエレメントを有しており、それぞれの複数の制御可能なエレメントが、反射系の反射部に対して実質的に平行になるようにデフォルト状態において調節可能な反射面を有している、請求項1記載のシステム。
- 複数の制御可能なエレメントの反射面が、物体面に対して角度を成して位置決め可能である、請求項2記載のシステム。
- 複数の制御可能なエレメントにおいてエレメントを位置決めする校正系が設けられている、請求項2記載のシステム。
- 照明ビームが、実質的に全ての照明ビームが複数の制御可能なエレメントと相互作用するように形成される、請求項2記載のシステム。
- 複数のパターンジェネレータが設けられており、それぞれのパターンジェネレータが、1つ又は2つ以上の反射面を有しており、
反射系の反射部が複数の区分を有しており、これらの区分が、複数のパターンジェネレータに設けられたデフォルト状態の1つ又は2つ以上の反射面に対して実質的に平行である、請求項1記載のシステム。 - 反射部が照明ビームを内向きに反射する、請求項6記載のシステム。
- 反射部が照明ビームを外向きに反射する、請求項6記載のシステム。
- 反射部が、物体面の中央開口を通るように照明を反射する、請求項6記載のシステム。
- 反射部が、物体面の周囲開口を通るように照明ビームを反射する、請求項6記載の請求項6記載のシステム。
- リソグラフィシステムにおいて、
照明ビームを形成する照明系と、
照明ビームをパターニングする複数の制御可能な反射エレメントを有するダイナミックパターンジェネレータと、
デフォルト状態における複数の制御可能な反射エレメントの個々の反射面に対して実質的に平行な円錐形の反射面を有する反射器と、
パターニングされた照明ビームを基板へ向ける投影系とが設けられており、
照明ビームが物体面の近くにおいてテレセントリックであり、パターニングされた照明ビーム画像面の近くにおいてテレセントリックであることを特徴とするリソグラフィシステム。 - 反射器が照明ビームを外向きにダイナミックパターンジェネレータに向かって方向付ける、請求項11記載のリソグラフィシステム。
- 反射器が照明ビームを、物体面における周囲開口を通るように方向付ける、請求項11記載のリソグラフィシステム。
- 複数の制御可能なエレメントがデフォルト状態において円錐形の反射面に対して実質的に平行であるように、複数の制御可能なエレメントにおけるそれぞれのエレメントを位置決めするために使用される校正系が設けられている、請求項11記載のリソグラフィシステム。
- リソグラフィシステムにおいて、
照明ビームを形成する照明系と、
照明ビームをパターニングする複数の制御可能な反射エレメントを有するダイナミックパターンジェネレータと、
デフォルト状態における複数の制御可能な反射エレメントの個々の反射面に対して実質的に平行なピラミッド形の反射面を有する反射器と、
パターニングされた照明ビームを基板へ向ける投影系とが設けられており、
照明ビームが物体面の近くにおいてテレセントリックであり、パターニングされた照明ビームが像面の近くにおいてテレセントリックであることを特徴とするリソグラフィシステム。 - 反射器が照明ビームを外向きにダイナミックパターンジェネレータに向かって方向付ける、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 反射器が照明ビームを、物体面における周囲開口を通るように方向付ける、請求項15記載のリソグラフィシステム。
- 複数の制御可能なエレメントがデフォルト状態においてピラミッド形の反射面に対して実質的に平行であるように、複数の制御可能なエレメントにおけるそれぞれのエレメントを位置決めするために使用される校正系が設けられている、請求項11記載のリソグラフィシステム。
- リソグラフィシステムにおいて、
照明ビームを形成する照明系が設けられており、
照明ビームをパターニングする複数の制御可能な反射エレメントを有するダイナミックパターンジェネレータが設けられており、
反射器が設けられており、該反射器の個々の反射区分が、デフォルト状態における複数の制御可能な反射エレメントの個々の反射面に対して実質的に平行であり、
パターニングされた照明ビームを基板へ向ける投影系とが設けられており、
照明ビームが物体面の近くにおいてテレセントリックであり、パターニングされた照明ビーム画像面の近くにおいてテレセントリックであることを特徴とするリソグラフィシステム。 - 反射器が照明ビームを内向きにダイナミックパターンジェネレータに向かって反射する、請求項19記載のリソグラフィシステム。
- 反射器が照明ビームを、物体面における中央開口を通るように反射する、請求項19記載のリソグラフィシステム。
- 複数の制御可能なエレメントにおけるエレメントがデフォルト状態において反射器に対して実質的に平行であるように前記エレメントを位置決めする校正系が設けられている、請求項19記載のリソグラフィシステム。
- デバイスを形成する方法において、
(a)照明ビームを反射系から、物体面を規定するパターンジェネレータに向かって反射するステップと、
(b)パターンジェネレータを使用して照明ビームをパターニングするステップと、
(c)パターニングされた照明ビームを投影系を使用して、像面を規定する基板へ方向付けるステップとを含み、該基板上にデバイスが形成され、
(d)パターンジェネレータがデフォルト状態にある場合に反射系の反射部をパターンジェネレータの反射部に対して実質的に平行に位置決めし、照明ビームが像面の近くにおいてテレセントリックであり、パターニングされた照明ビーム画像面の近くにおいてテレセントリックであるように、パターンジェネレータの反射部が照明ビームをパターニングしかつパターニングされた照明ビームを基板へ方向付けるステップを含むことを特徴とする、デバイスを形成する方法。 - ステップ(b)が、デフォルト状態において反射系の反射部に対して実質的に平行になるように調整可能な反射面をそれぞれが有する複数の制御可能なエレメントを使用することを含む、請求項23記載の方法。
- 複数の制御可能なエレメントのそれぞれの反射面が物体面に対して角度を成して位置決め可能である、請求項24記載の方法。
- (e)エレメントを複数の制御可能なエレメントに位置決めするために校正方法を使用する、請求項24記載の方法。
- ステップ(a)が、実質的に全ての照明ビームが複数の制御可能なエレメントと相互作用するように照明ビームを形成することを含む、請求項23記載の方法。
- ステップ(a)が、
パターンジェネレータとして複数のパターンジェネレータを使用することを含み、それぞれのパターンジェネレータが、反射面を有する複数の制御可能なエレメントを含んでおり、
制御可能なエレメントがデフォルト状態にある場合に反射部に設けられた反射区分が制御可能なエレメントの反射面に対して実質的に平行であるように、複数の制御可能なエレメントのそれぞれの調節することを含んでいる、請求項23記載の方法。 - 反射区分が照明ビームを内向きに反射する、請求項28記載の方法。
- 反射区分が照明ビームを外向きに反射する、請求項28記載の方法。
- 反射区分が照明を、物体面の中央開口を通るように反射する、請求項28記載の方法。
- 反射区分が照明ビームを、物体面の周囲開口を通るように反射する、請求項28記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/898,290 US7227613B2 (en) | 2004-07-26 | 2004-07-26 | Lithographic apparatus having double telecentric illumination |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006041530A true JP2006041530A (ja) | 2006-02-09 |
JP4346586B2 JP4346586B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=35656767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005216006A Expired - Fee Related JP4346586B2 (ja) | 2004-07-26 | 2005-07-26 | ダブルテレセントリック照明を有するリソグラフィ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7227613B2 (ja) |
JP (1) | JP4346586B2 (ja) |
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US7227613B2 (en) | 2007-06-05 |
JP4346586B2 (ja) | 2009-10-21 |
US20060017902A1 (en) | 2006-01-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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