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Description
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)等の基板に対してエッチング液を供給してエッチングを行う基板エッチング装置に関する。
従来、この種の装置として、処理槽に貯留されているエッチング液に基板を浸漬させてエッチングを行う基板エッチング装置が挙げられる。具体的には、昇降自在に構成され、処理槽内に基板を搬入出するためのリフターと、処理槽の上部開口を開閉自在に構成されており、リフターが昇降する際には開放され、リフターが処理槽内に位置する際には閉止されるとともに、閉止時にリフターの背板との干渉を回避する挿通開口を備えているオートカバーとを備えている(例えば、特許文献1参照)。
このような構成の装置では、リフターを処理槽の外部に位置させるとともに、オートカバーを閉止して処理槽内のエッチング液を温調する。なお、オートカバーは、エッチング液にパーティクルが混入するのを防止したり、エッチング液が外気に触れて劣化するのを防止したりする目的で配設されている。そして、エッチング液が処理温度に到達した場合には、オートカバーを開放し、リフターに基板を載置した状態で処理槽内にリフターを位置させる。次いで、オートカバーを閉止して、所定時間だけエッチングを行う。なお、リフターの背板は、オートカバーに形成されている挿通開口に位置し、オートカバーとは干渉しない。
特開平7−176506号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理速度を高めるためにエッチング液が高温に加熱されているのが一般的であるので、オートカバーを閉止した状態であっても、挿通開口からエッチング液が飛散する。すると、処理槽の周囲が汚染されてメンテナンスを頻繁に行う必要が生じたり、メンテナンスに長時間を要したりするという問題がある。
上記のような問題を解決するために、リフターが処理槽外部に位置している際には、挿通開口を塞いで処理槽内を閉塞するカバーを取り付けることが考えられる。しかしながら、このような閉塞するカバーを取り付けると、次のような問題が生じる。
例えば、窒化膜などのエッチングのために燐酸溶液を用いることがあるが、この燐酸溶液は所定のエッチングレートを得るために160℃程度の高温で加熱されている。詳細には、燐酸溶液が沸騰した状態よりも緩やかに沸騰状態を持続する状態(以下、サブボイル状態と称する)で基板に対してエッチングを行う。このサブボイル状態に移行する際には、処理槽に供給された燐酸溶液(通常86wt%)が140〜150℃程度で激しく沸騰し、燐酸溶液中の水分が蒸発する。その後、ゆっくりと煮詰めるようにして160℃のサブボイル状態に安定させる。
しかしながら、上述した液滴飛散防止用のカバーを取り付けると、水分の蒸発が妨げられるので、水分濃度が低下しづらく、激しい沸騰状態が長時間続き、サブボイル状態で安定するのに長時間を要するという別の問題が生じる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、サブカバーの形状を工夫することにより、沸騰状態におけるエッチング液の飛散を防止しつつも、水分蒸発を適切に行うことによりサブボイル状態を短時間で安定させることができる基板エッチング装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に所定のエッチングを行う基板エッチング装置であって、エッチング液を貯留する処理槽と、基板を保持しつつ前記処理槽に対して基板を搬入出する保持機構と、前記処理槽の上部開口に対して開閉自在であり、前記保持機構の背板用の開口を有する第1蓋部材と、前記第1蓋部材に設けられ、前記背板用の開口に対して開閉自在である第2蓋部材とを備え、前記保持機構が前記処理槽の外部にあり、かつ前記第1蓋部材が閉じられている場合、前記第2蓋部材は、前記背板用の開口に対する上方側を閉止するとともに、側方側には開口を形成し、前記保持機構が前記処理槽の内部にあり、かつ前記第1蓋部材が閉じられている場合、前記第2蓋部材の先端は、前記第1蓋部材の背板に当接した状態であることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、保持機構が処理槽の外部にあり、かつ第1蓋部材が閉じられている場合、第2蓋部材は、背板用の開口に対する上方側を閉止するとともに、側方側には開口を形成する。第2蓋部材は、背板用の開口に対する上方側を閉止するので、エッチング液の上方側への飛散を防止できる。また、第2蓋部材は、側方側には開口を形成するので、エッチング液の水分蒸発を妨げるということもない。したがって、エッチング液の沸騰状態におけるエッチング液の飛散を防止でき、エッチング液のサブボイル状態を短時間で安定させることができる。また、保持機構が処理槽の内部にあり、かつ第1蓋部材が閉じられている場合、第2蓋部材の先端は、第1蓋部材の背板に当接した状態である。このとき、第2蓋部材は、背板用の開口に対する上方側を閉止するので、エッチング液の上方側への飛散を防止できる。
また、本発明において、第2蓋部材は、一対の蓋片を有しており、一対の蓋片が、背板用の開口に対する上方側を閉止している場合、一対の蓋部材は、横断面形状がM字状になることが好ましい(請求項2)。一対の蓋部材の横断面形状をM字状にすることで、ある程度強度を持たせつつも、側方側の開口の面積を十分確保できる。
(削除)
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また、本発明において、第2蓋部材は、第1蓋部材の上面に設けられた開閉軸に開閉自在に取り付けられたことが好ましい(請求項3)。第1蓋部材を開閉すると、その姿勢に応じて第1蓋部材上で第2蓋部材を開閉させることができる。したがって、第2蓋部材の駆動機構を必要とせず、装置を簡素化できる。
本発明に係る基板エッチング装置によれば、保持機構が処理槽の外部にあり、かつ第1蓋部材が閉じられている場合、第2蓋部材は、背板用の開口に対する上方側を閉止しているので、エッチング液の上方側への飛散を防止できる。また、第2蓋部材は、側方側には開口を形成するので、エッチング液の水分蒸発を妨げるということもない。したがって、エッチング液の沸騰状態におけるエッチング液の飛散を防止でき、エッチング液のサブボイル状態を短時間で安定させることができる。また、保持機構が処理槽の内部にあり、かつ第1蓋部材が閉じられている場合、第2蓋部材の先端は、第1蓋部材の背板に当接した状態である。このとき、第2蓋部材は、背板用の開口に対する上方側を閉止するので、エッチング液の上方側への飛散を防止できる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。
図1は、実施例1に係る基板エッチング装置の概略構成を示すブロック図であり、図2は、オートカバーの閉止時の状態を示す側面一部拡大図であり、図3はオートカバーの閉止時の状態を示す平面一部拡大図である。
ここでは薬液として燐酸と希釈液として純水とを混合して得られたエッチング液である燐酸溶液を加熱し、この燐酸溶液中に基板(例えば半導体ウエハ)を浸漬してエッチング処理する装置を例に採って説明する。
この基板エッチング装置は、燐酸溶液を貯留する処理槽1を備えている。この処理槽1の周囲には、処理槽1から溢れ出た燐酸溶液を回収するための回収槽3が設けられている。回収槽3で回収された燐酸溶液は循環系5を介して処理槽1に戻される。この循環系5は、回収槽3と処理槽1の底部に設けられた噴出管7とを連通接続する配管9に、循環ポンプ11、循環系加熱器13、およびフィルタ15備えている。循環系加熱器13は処理槽1に戻される燐酸溶液を加熱するためのものであり、フィルタ15は処理槽1に戻される燐酸溶液からパーティクルを除去するためのものである。処理槽1と回収槽3の外周囲には、槽内の燐酸溶液を加熱するための槽用加熱器17が設けられている。
処理槽1の上部には、処理槽1の上部開口を開閉自在のオートカバー19(第1蓋部材)が設けられている。処理対象である複数枚の基板Wは昇降自在のリフター21に等間隔に直立姿勢で保持されている。リフター21は、板状の背板22と、背板22の下部から水平方向に延出された支持部23とを備えている。オートカバー19は、図1及び図2の紙面方向に長辺を備えた一対のカバー片25を備えており、横向きの回転軸P1を備えて観音開き式に開閉する。このオートカバー19は、リフター21が処理槽1の外部にあるときには閉じられ、基板W群をリフター21の支持部23に保持して槽内に投入するときには開けられる。基板W群が処理槽1内に投入されてエッチング処理を施している間、オートカバー19は再び閉じられる。処理時にオートカバー19が閉止された際に、リフター21の背板22とカバー片25との干渉を回避するために形成されているのが、挿通開口27である。この挿通開口27は、カバー片25の当接辺側であって、背板22の横断面にあたる外径寸法よりもやや大きな開口を備えている。つまり、リフター21の背板22を、図1において紙面方向に移動させて、処理槽1内における基板W群の位置を微調整することができる程度の余裕を設けてある。
リフター21の挿通開口27には、サブカバー29(第2蓋部材)が付設されている。このサブカバー29は、カバー片25の短辺側に長辺を、カバー片25の長辺側に短辺を備えている一対のカバー片31(蓋片)を備えている。一対のカバー片31は、平面視にて挿通開口27よりも大面積であり、挿通開口27を完全に覆う大きさである。また、カバー片31の一端側であって、回転軸P1と同じ側には同じ方向には、開閉軸P2が設けられている。カバー片31は、図2に示すように、横断面形状がアルファベットの「M」の字状となるように成形されている。材質としては、例えば、フッ素樹脂のPTFEが挙げられる。各カバー片31の当接側である先端部31aには、背板22の側面との当接時における摩擦係数を低減するために、丸みが付けられている。また、サブカバー29が閉止されている状態では、カバー片31の基端部31bの下面がカバー片25の上面に当接している。このように、サブカバー29の横断面形状を「M」の字状とすることにより、ある程度の機械的強度をもたせつつも、加熱過程において水分蒸発に必要な開口面積を側方にて十分に確保できる。
なお、サブカバー29の横断面形状は、「M」の字状に限定されるものではなく、水分を十分に蒸発させることができるのであれば、これ以外の横断面形状を採用してもよい。
上述した構成のオートカバー19の動作について、図4〜6を参照して説明する。なお、図4〜6は、基板の搬入時の動作説明図である。
図4に示すように、基板W群がリフター21の支持部23に起立姿勢で載置され、処理槽1の上方に待機している状態で、オートカバー19を開放する。オートカバー19を傾斜姿勢で開放しても、サブカバー29はオートカバー19に対して同じ姿勢を保持している。つまり、サブカバー29は、カバー片31の基端部31bの下面がカバー片25の上面に密着している。
次いで、図5に示すように、リフター21を処理槽1内に下降させ、支持部23に載置されている基板W群が処理槽1内の処理液中に浸漬されるようにする。そして、オートカバー19を閉止させ始める。その過程においては、図5に示すように、挿通開口27により背板22はカバー片25に当接することがない一方、サブカバー29のカバー片31の先端部31aがリフター21の背板22の側面に当接する。
さらにオートカバー19の閉止動作を進めてゆくと、図6に示すように、カバー片31が開閉軸P2周りにカバー片25に対して離間し始め、基端部31bがカバー片31の上面から離れる。そして、オートカバー19が完全に閉止された状態では、サブカバー29が背板22にもたれるような姿勢となる。なお、これらの過程においてカバー片31が背板22の側面と摺動するが、先端部31aに丸みが形成されているので、パーティクルの発生が防止されており、パーティクルによる基板Wへの悪影響はない。このような状態で基板Wに対する処理が行われる。
このようにオートカバー19の上面にサブカバー29の開閉軸P2が取り付けられているので、オートカバー19を開閉すると、その傾斜姿勢に応じてオートカバー19上でサブカバー29を開閉させることができる。したがって、サブカバー29用の駆動手段を必要とせず、構成を簡易化できる。また、リフター21の背板22に先端部31aが当接することでサブカバー29の姿勢が安定するので、サブカバー29を停止させる機構を別途も受ける必要がなく、装置構成を簡略化できる。
図1に戻る。
回収槽3には燐酸を供給する燐酸供給部35が配設されている。燐酸供給部35は、回収槽3の上部に配設されたノズル37と、このノズル37を燐酸供給源に連通接続する配管39と、この配管39に介在する流量調整弁41とを備えている。また、処理槽1には純水を補充するための純水補充部43が配設されている。この純水補充部43は、処理槽1の縁近傍に配設されたノズル45と、このノズル45を純水供給源に連通接続する配管47と、この配管47に介在するエア制御弁49とを備えている。
上記のエア制御弁49は、例えば、電空変換器51から出力圧Poutを与えられ、その流路断面積が調整されて、配管47内の純水流量が精度良く調整されるものである。電空変換器51は、電空レギュレータとも呼ばれ、与えられている所定圧力の圧縮空気を、入力信号Sinに応じた出力圧Poutに変換する。入力信号Sinとしては、例えば4〜20[mA]が与えられ、それに対応して出力圧Poutが0〜1.0[MPa]に調整される。その出力圧Poutを与えられることにより、エア制御弁49は配管47の純水流量を0〜400[mL/min]に調整する。このような構成により、電空変換器51の出力圧Poutに応じてエア制御弁49により純水流量がリニアに調整される。なお、電空変換器51への入力信号Sinは、後述する濃度制御部65から与えられる。
処理槽1内には燐酸溶液の温度を検出する温度センサ53が設けられている。この温度センサ53の検出信号は温度制御部54に与えられる。温度制御部54、この検出信号に基づいて循環系加熱器13をPID(比例・積分・微分)制御するとともに、槽用加熱器17をON/OFF制御する。具体的には、温度制御部54は、燐酸溶液の温度が159.7〜160.3°Cの範囲に入るように循環系加熱器13を制御する。また、温度制御部54は、燐酸溶液の温度が160.3°C以下では槽用加熱器17をON状態に維持し、160.3°Cを超えるとOFF状態にする。
さらに処理槽1には、燐酸溶液の濃度を検出する濃度検出装置55が付設されている。この濃度検出装置55は、燐酸溶液の濃度と燐酸溶液の比重との間に相関関係があることに着目して、燐酸溶液の比重を実質的に検出することにより、燐酸溶液の濃度を検出するものである。また、燐酸溶液の比重は処理槽1内の所定深さにおける圧力と相関関係を有するので、濃度検出装置55は、処理槽1内の所定深さに検出端を有し、この検出端に付与されるエッチング液の圧力を検出することによって、燐酸溶液の濃度を検出している。以下に、濃度検出装置55の構成を具体的に説明する。
濃度検出装置55は、検出管57と、レギュレータ59と、圧力検出部61と、濃度算出部63とを備える。検出管57は、燐酸溶液に耐性を有するフッ素樹脂等で形成されており、その先端部である圧力検出端は処理槽1内の所定深さに位置するように設けられている。レギュレータ59は、窒素ガス供給源からの窒素ガスを一定流量にして検出管57に供給する。すると、定常状態においては、窒素ガスの放出圧力は、処理槽1の液面から所定深さにおける液圧にほぼ等しいものとみなすことができる。圧力検出部61は、この検出管57内の窒素ガス圧力を測定する圧力センサを備えている。したがって、この圧力検出部61からの出力信号は、処理槽1の液面からの所定深さにおける液圧であるとみなすことができる。濃度算出部63は、圧力検出部61からの圧力に応じた電圧と濃度との対応関係を表した検量線データを予め記憶しており、圧力検出部61からの検出信号(電圧)に基づいて、処理槽1内の燐酸溶液の濃度を求める。
具体的な濃度算出手法は、特開平11−219931号公報に詳述されているので詳細な説明を省略するが、簡単に説明すると以下のようなものである。
すなわち、圧力検出部61からの検出信号(電圧)と液圧とは所定の関数関係を有し、液圧は、液面から検出管57の検出端までの距離(深さ)と、燐酸溶液の比重との積に比例する値に大気圧を加えたものとしても表すことができる。したがって、検出端における液圧は、燐酸溶液の濃度と、検出端の深さとを変数とする関数で表現することができる。このため濃度及び深さは、圧力検出部61が出力した電圧との間に一定の関係が成り立つ。この関係から、所定深さに対して濃度と電圧との関係を予め求めておくことにより、圧力検出部61からの電圧に基づいて燐酸溶液の濃度を求めることができる。
濃度検出装置55で得られた燐酸溶液の濃度データは濃度制御部65に与えられる。濃度制御部65は、燐酸溶液の検出濃度が燐酸溶液の設定温度に対応した沸点濃度よりも少し高くなるように、上述した電空変換器51を操作してエア制御弁49を調整し、これによりノズル45から処理槽1に供給される純水の補充量を調整する。具体的には、濃度制御部65は、燐酸溶液の検出濃度に基づいてPID(比例・積分・微分)制御によって電空変換器51を操作する。
主制御部67は、本基板エッチング装置の全体を管理するために設けられている。具体的には、主制御部67は、温度制御部54に対する燐酸溶液の設定温度の指令、濃度制御部65に対する燐酸溶液の目標濃度の指令、および燐酸の流量調整弁41の操作指令などを与える。
次に本基板エッチング装置の動作を図7のフローチャートを参照して説明する。なお、以下のステップS6までは、図1〜図3に示すように、オートカバー19が閉止された状態である。
ステップS1,S2
まず、燐酸の流量調整弁41が開けられて、ノズル37から回収槽3に燐酸が供給される(ステップS1)。回収槽3に供給された燐酸は、循環系5を介して処理槽1に送られる間に循環系加熱器13によって加熱される(ステップS2)。処理槽1に導入された燐酸は槽用加熱器17によっても加熱される。
まず、燐酸の流量調整弁41が開けられて、ノズル37から回収槽3に燐酸が供給される(ステップS1)。回収槽3に供給された燐酸は、循環系5を介して処理槽1に送られる間に循環系加熱器13によって加熱される(ステップS2)。処理槽1に導入された燐酸は槽用加熱器17によっても加熱される。
ステップS3,S4,S5
処理槽1内の燐酸の温度は温度センサ53によって検出されて温度制御部54に与えられる。この温度制御部54は、設定温度160°Cに対して±0.3°Cの範囲内で温度管理している。具体的には、ステップS3において、液温度が159.7°C未満のときは、循環系加熱器13および槽用加熱器17による加熱を継続する。ステップS4において、液温度が160.3°Cを超えるときは、循環系加熱器13および槽用加熱器17による加熱を停止して自然冷却によって液温度を下げる(ステップS5)。液温度が159.7°Cから160.3°Cの範囲内に入ると次のステップS6に進む。
処理槽1内の燐酸の温度は温度センサ53によって検出されて温度制御部54に与えられる。この温度制御部54は、設定温度160°Cに対して±0.3°Cの範囲内で温度管理している。具体的には、ステップS3において、液温度が159.7°C未満のときは、循環系加熱器13および槽用加熱器17による加熱を継続する。ステップS4において、液温度が160.3°Cを超えるときは、循環系加熱器13および槽用加熱器17による加熱を停止して自然冷却によって液温度を下げる(ステップS5)。液温度が159.7°Cから160.3°Cの範囲内に入ると次のステップS6に進む。
ステップS6
処理槽1内の液濃度が濃度検出装置55によって逐次検出される。濃度制御部65は、この検出濃度が予め設定された目標濃度になるように、PID制御により電空変換器51への入力信号Sinを調整することにより、エア制御弁49を制御して処理槽1に純水を補充する。この目標濃度は、燐酸溶液の設定温度に対応した沸点濃度よりも少し高くなるよう設定される。処理槽1内の燐酸溶液の検出濃度が目標濃度範囲を超える場合は純水の補充が継続される。一方、検出濃度が目標濃度範囲を下回る場合は、純水の補充が停止される。純水の補充が停止されると、燐酸溶液の加熱により燐酸溶液中の純水が蒸発して、燐酸溶液の濃度は自然に上昇する。
処理槽1内の液濃度が濃度検出装置55によって逐次検出される。濃度制御部65は、この検出濃度が予め設定された目標濃度になるように、PID制御により電空変換器51への入力信号Sinを調整することにより、エア制御弁49を制御して処理槽1に純水を補充する。この目標濃度は、燐酸溶液の設定温度に対応した沸点濃度よりも少し高くなるよう設定される。処理槽1内の燐酸溶液の検出濃度が目標濃度範囲を超える場合は純水の補充が継続される。一方、検出濃度が目標濃度範囲を下回る場合は、純水の補充が停止される。純水の補充が停止されると、燐酸溶液の加熱により燐酸溶液中の純水が蒸発して、燐酸溶液の濃度は自然に上昇する。
このように電空変換器51は濃度制御部65からの入力信号Sinに応じてリニアに出力圧Poutを可変できるので、それに応じてエア制御弁49を動作させることにより、出力圧Poutに応じて純水の補充量をリニアに調整できる。したがって、濃度検出装置55における検出濃度に応じて精度良く純水を補充することができる。
上記の過程において、燐酸溶液の温度が140℃程度にまで達すると、激しい沸騰が生じて液面から上方へ液滴の飛散が生じるとともに、水分が蒸発する。しかし、オートカバー19は、その挿通開口27にサブカバー29が設けられ、これも閉止されている。そのため燐酸の液滴が上方へ飛散するのをサブカバー29によって防止できる。さらに、サブカバー29は側方側に開口を有するので、燐酸溶液の水分蒸発を妨げることがない。したがって、沸騰状態における液滴の飛散を防止することができつつも、サブボイル状態を短時間で安定させることができる。
ステップS7,S8,S9
処理槽1内の燐酸溶液が目標濃度範囲に入って安定すると、図4〜6に示すようにオートカバー19が開放されてリフター22に保持された基板W群が処理槽1内に投入されて、サブボイル状態における基板W群のエッチング処理が始まる(ステップS7)。ステップS8において、予め定められた処理時間が経過するまで、ステップS2〜S6の温度制御および濃度制御が繰り返し行なわれる。処理時間が経過すると基板W群が槽内から引き上げられて、図示しない次の処理槽へ移送される(ステップS9)。
処理槽1内の燐酸溶液が目標濃度範囲に入って安定すると、図4〜6に示すようにオートカバー19が開放されてリフター22に保持された基板W群が処理槽1内に投入されて、サブボイル状態における基板W群のエッチング処理が始まる(ステップS7)。ステップS8において、予め定められた処理時間が経過するまで、ステップS2〜S6の温度制御および濃度制御が繰り返し行なわれる。処理時間が経過すると基板W群が槽内から引き上げられて、図示しない次の処理槽へ移送される(ステップS9)。
上述したように、本実施例おいて、燐酸溶液の温度が設定温度範囲を超えたときに、純水を供給することなく加熱停止によって燐酸溶液の温度を下げ(図7のステップS5)、また、濃度制御は、燐酸溶液の温度が159.7〜160.3℃の範囲に入ったときに行うようにしている(ステップS6)。
上記のような制御を行う理由は次のとおりである。燐酸溶液が例えば170℃にまで上昇したときに、温度を下げるために純水を供給すると、燐酸溶液の濃度は低下する方向に変化する。すると、燐酸溶液が設定温度に対応した目標濃度に達する前に、沸点に達して突沸を引き起こす恐れがある。突沸を避けるためには、純水の補充を徐々に行う必要があるが、そうすると燐酸溶液を設定温度にするのに長時間を要する。
これに対して本実施例では、燐酸溶液の温度を循環系加熱器13と槽用加熱器17の操作のみで制御しているので、燐酸溶液の温度を昇降させても燐酸溶液の濃度が変動しない。したがって、燐酸溶液の突沸を未然に防止することができる。また、燐酸溶液の濃度調整のための純水補充は、燐酸溶液の温度が設定温度範囲に入っている場合にのみ行うので、純水の補充により突沸が発生することもない。その上、純水の補充を、電空変換器51の出力圧Poutを調整し、エア制御弁49を操作して行うので、突沸を防止しつつも精度良くエッチング液のエッチングレートを高い状態に維持できる。
次に、図8及び図9を参照して本実施例1と従来装置とを比較する。図8は、本実施例1における温度・比重変化を示すグラフであり、図9は、従来装置における温度・比重変化を示すグラフである。なお、従来装置では、本データの収集中において、挿通開口27からエッチング液が飛散するので突沸後に燐酸の液量が減少し、燐酸が補充されたことにより一時的に温度が低下している。これは通常の温度・濃度制御とは相違しているが、これらを比較する上で支障はない。
完全に挿通開口27を閉塞する液滴飛散防止用のカバーを取り付けると、水分の蒸発が妨げられるので、水分濃度が低下しづらく、激しい沸騰状態が長時間続き、サブボイル状態で安定するのに長時間を要する。その一方、上述した本実施例1は、沸騰状態からサブボイル状態に移行するまでの時間が、従来装置におけるそれよりやや長くなっているだけでサブボイル状態に収束していることが明らかである。
次に、図10を参照してこの発明の実施例2(参考例)を説明する。なお、図10は、実施例2における要部を示し、側面から見た縦断面図である。以下の説明においては、上述した実施例1と同じ符号については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
オートカバー19の上面であって、挿通開口27に隣接する位置には、実施例1におけるサブカバーに相当するサブカバー機構69(第2蓋部材)が配備されている。このサブカバー機構69は、カバー片25の上面に付設された基台71と、基台71に埋設されたアクチュエータ73と、アクチュエータ73の作動片75側に穿たれたガイド77と、ガイド77に進退自在に配備されたカバー片79(蓋片)とを備えている。アクチュエータ73の作動片75は、カバー片79の一端側に取り付けられている。
カバー片79は、オートカバー19を閉塞した加熱時に、アクチュエータ73により進出して下方の挿通開口27の上方を塞ぐとともに、基板Wを搬入出する際には退出して挿通開口27の上方を開放する。但し、カバー片79が挿通開口27の上方を塞いだ際であっても、側方は周囲に連通した状態で、挿通開口27を通して十分な量の水分蒸気を周囲に逃がすことが可能となっている。また、サブカバー機構69は、カバー片25の各々に設けられており、2つのサブカバー機構69が同時に同様の動作を行う。
このような構成であっても、上述した実施例1と同様の作用・効果を奏する。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上記の実施例では、エッチング液として燐酸溶液を例に採って説明したが、硫酸溶液等の他のエッチング液であっても本発明を適用することができる。
(2)本発明は、上述したようなエッチング液を循環させる循環系の配管を備えた装置でなくとも適用可能である。
W … 基板
1 … 処理槽
3 … 回収槽
5 … 循環系
7 … 噴出管
13 … 循環系加熱器
21 … リフター
22 … 背板
23 … 支持部
25 … カバー片
P1 … 回転軸
27 … 挿通開口
29 … サブカバー
31 … カバー片
P2 … 開閉軸
1 … 処理槽
3 … 回収槽
5 … 循環系
7 … 噴出管
13 … 循環系加熱器
21 … リフター
22 … 背板
23 … 支持部
25 … カバー片
P1 … 回転軸
27 … 挿通開口
29 … サブカバー
31 … カバー片
P2 … 開閉軸
Claims (3)
- 基板に所定のエッチングを行う基板エッチング装置であって、
エッチング液を貯留する処理槽と、
基板を保持しつつ前記処理槽に対して基板を搬入出する保持機構と、
前記処理槽の上部開口に対して開閉自在であり、前記保持機構の背板用の開口を有する第1蓋部材と、
前記第1蓋部材に設けられ、前記背板用の開口に対して開閉自在である第2蓋部材とを備え、
前記保持機構が前記処理槽の外部にあり、かつ前記第1蓋部材が閉じられている場合、前記第2蓋部材は、前記背板用の開口に対する上方側を閉止するとともに、側方側には開口を形成し、前記保持機構が前記処理槽の内部にあり、かつ前記第1蓋部材が閉じられている場合、前記第2蓋部材の先端は、前記第1蓋部材の背板に当接した状態であることを特徴とする基板エッチング装置。 - 請求項1に記載の基板エッチング装置において、
前記第2蓋部材は、一対の蓋片を有しており、
前記一対の蓋片が、前記背板用の開口に対する上方側を閉止している場合、前記一対の蓋部材は、横断面形状がM字状になることを特徴とする基板エッチング装置。 - 請求項1または2に記載の基板エッチング装置において、
前記第2蓋部材は、前記第1蓋部材の上面に設けられた開閉軸に開閉自在に取り付けられたことを特徴とする基板エッチング装置。
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