JP2006033990A - Dc/dcコンバータ及び半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1制御パルスPL1に応じてスイッチングする第1スイッチングトランジスタTr1、第1制御パルスPL1と周波数の等しい第2制御パルスPL2に応じてスイッチングする第2スイッチングトランジスタTr2、及び第1制御パルスPL1及び第2制御パルスPL2を生成するスイッチング制御回路2aを備え、通常動作期間において第1スイッチングトランジスタTr1及び第2スイッチングトランジスタTr1のそれぞれのスイッチングを制御し、通常動作期間の終了後に第1スイッチングトランジスタTr1のスイッチングを停止させて第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチングを継続させる。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の実施の形態に係る電源供給システムは、図1に示すように、高位電源VCCに接続されたDC/DCコンバータ1a、及びDC/DCコンバータ1aと低位電源GNDとの間に接続された負荷3を備える。負荷3としては例えば小型演算装置(MPU)等が使用できる。DC/DCコンバータ1aは、第1制御パルスPL1に応じてスイッチングする第1スイッチングトランジスタTr1、第1制御パルスPL1と周波数の等しい第2制御パルスPL2に応じてスイッチングする第2スイッチングトランジスタTr2、及び第1制御パルスPL1及び第2制御パルスPL2を生成するスイッチング制御回路2aを備える。DC/DCコンバータ1aは、通常動作期間において第1スイッチングトランジスタTr1及び第2スイッチングトランジスタTr1のそれぞれのスイッチングを制御し、通常動作期間の終了後に第1スイッチングトランジスタTr1のスイッチングを停止させて第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチングを継続させる。第1スイッチングトランジスタTr1としては、例えばpチャネルのMOSトランジスタ(以下において「pMOSトランジスタ」と略記する。)が使用できる。第2スイッチングトランジスタTr2としては、例えばnチャネルのMOSトランジスタ(以下において「nMOSトランジスタ」と略記する。)が使用できる。
本発明の第1の実施の形態の第1の変形例として図6に示すように、DC/DCコンバータ1bを昇圧型に構成しても良い。この場合、図6に示す第1スイッチングトランジスタTr31が低位電源側に接続され、第2スイッチングトランジスタTr32が高位電源側に接続される。第1スイッチングトランジスタTr31としては、例えばnMOSトランジスタが使用できる。第2スイッチングトランジスタTr32としては、例えばpMOSトランジスタが使用できる。また、第2スイッチングトランジスタTr32と並列にショットキ・バリア・ダイオード(SBD)が接続される。コンデンサC3は、第2スイッチングトランジスタTr32と負荷3との接続ノードに一端が接続され、低位電源GNDに他端が接続される。コイルL3は、第1スイッチングトランジスタTr31と第2スイッチングトランジスタTr32との接続ノードに一端が接続され、高位電源VCCに他端が接続される。
本発明の第1の実施の形態の第2の変形例として図7に示すように、第2スイッチングトランジスタTr2と並列にSBDを接続しても良い。或いは、SBDに代えてファスト・リカバリ・ダイオード(FRD)を使用しても良い。第2スイッチングトランジスタTr2と並列にSBDを接続することにより、第2スイッチングトランジスタTr2がオン状態の場合に、第2スイッチングトランジスタTr2とSBDに回生電流が分流される。即ち、回生電流が図7の電流I4と電流I5とに分流される。この結果、第2スイッチングトランジスタTr2の発熱を抑制できる。また、第2スイッチングトランジスタTr2のサイズが第1スイッチングトランジスタTr1よりも小さい場合、通常動作期間には第2スイッチングトランジスタTr2をオフ状態とし、通常動作期間の終了後にのみ第2スイッチングトランジスタTr2をスイッチングさせても良い。
本発明の第2の実施の形態に係るDC/DCコンバータ1dは、図8に示すように、コントローラ21cに接続されたタイマ24を更に備える点が図1と異なる。タイマ24は、第1スイッチングトランジスタTr1のスイッチングを停止させてから一定期間を計測する。タイマ24が計測する一定期間は、1[ms]〜10[ms]程度である。一例として、高位電源の供給電圧値を10[V]、コイルLのインダクタンスを330[mH]、コンデンサCのキャパシタンスを100[uF]、及び出力電圧CVの電圧値を1.5[V]とすると、タイマ24は、4[ms]程度の期間を計測する。コントローラ21cは、一定期間内において第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチングを継続させ、一定期間の経過後に第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチングを停止させる。その他の構成については図1に示すDC/DCコンバータ1aと同様である。
本発明の第2の実施の形態の変形例として、図10(e)に示すように、通常動作の終了から一定期間が経過した後は第2スイッチングトランジスタTr2をオフ状態に保っても良い。即ち、時刻t2以降においてはHi−Zモードが実行される。
本発明の第3の実施の形態に係るDC/DCコンバータ1eは、図11に示すように、コントローラ21dに接続された電圧検知回路25を更に備える点が図1と異なる。電圧検知回路25は、変換後のDC電圧、即ち出力電圧CVの電圧値を検知する。電圧検知回路25としては、コントローラ21dをデジタル回路として構成する場合、例えば出力電圧CVをデジタル信号に変換するアナログ/デジタル(A/D)変換器が使用できる。或いは、コントローラ21dをアナログ回路として構成する場合、例えば、出力電圧CVを閾値電圧と比較して誤差電圧を生成するエラーアンプを使用しても良い。
本発明の第3の実施の形態の第1の変形例として、図13(e)に示すように、図11に示すコントローラ21dに複数の閾値を設定しても良い。図13(e)に示す例においては、閾値V1及びV2が設定されている。コントローラ21dは、図13(a)の実線で示す出力電圧CVの電圧値が閾値V2以下に減少する時刻t2において、第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチングを停止させ、第2スイッチングトランジスタTr2をオン状態に固定する。時刻t2においては、図13(b)の実線で示す放電電流I3の電流値が低く抑えられているため、時刻t2において第2スイッチングトランジスタTr2をオン状態としても出力電圧CVが負電位に落ち込むことはない。更に、コントローラ21dは、出力電圧CVの電圧値が閾値V1以下に減少する時刻t3において、第2スイッチングトランジスタTr2をオフ状態に固定する。
本発明の第3の実施の形態の第1の変形例として図14(a)、(e)、及び(f)に示すように、図11に示すコントローラ21dが、通常動作期間の終了後から出力電圧CVの電圧値が閾値V1に達するまでの期間において、出力電圧CVの電圧値の減少に応じて第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチング時のオン期間を増加させても良い。第2スイッチングトランジスタTr2としてnMOSトランジスタを使用する場合、第2制御パルスPL2のデューティー比を増加させることによりスイッチング時のオン期間を増加させることができる。一例として、第2制御パルスPL2のデューティー比の分解能を8分解能とした場合、コントローラ21dは、出力電圧CVの電圧値の減少に応じて0%、12.5%、25%、37.5%、50%、62.5%、75%、87.5%、及び100%の順に第2制御パルスPL2のデューティー比を増加させる。
本発明の第3の実施の形態の第3の変形例に係るDC/DCコンバータ1fとして、図15に示すように、図8に示したタイマ24及び図11に示した電圧検知回路25の両方を備える構成としても良い。即ち、コントローラ21eは、通常動作期間の終了から一定期間の経過後、又は出力電圧CVの電圧値が閾値以下に減少した場合に第2スイッチングトランジスタTr2のスイッチングを停止させる。図15に示すDC/DCコンバータ1fによれば、第2スイッチングトランジスタのスイッチングTr2を停止させるタイミングを高精度に制御できる。
上記のように、本発明は第1〜第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2a〜2e…スイッチング制御回路
24…タイマ
25…電圧検知回路
Tr1,Tr10,Tr11,Tr31…第1スイッチングトランジスタ
Tr2,Tr20,Tr21,Tr32…第2スイッチングトランジスタ
Claims (5)
- 第1制御パルスに応じてスイッチングする第1スイッチングトランジスタと、
前記第1制御パルスと周波数の等しい第2制御パルスに応じてスイッチングする第2スイッチングトランジスタと、
前記第1及び第2制御パルスを生成するスイッチング制御回路
とを備え、通常動作期間において前記第1及び第2スイッチングトランジスタのそれぞれのスイッチングを制御し、前記通常動作期間の終了後に前記第1スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させて前記第2スイッチングトランジスタのスイッチングを継続させることを特徴とするDC/DCコンバータ。 - 前記スイッチング制御回路は、
前記通常動作期間の終了後から一定期間を計測するタイマと、
前記一定期間内において前記第2スイッチングトランジスタのスイッチングを継続させ、前記一定期間の経過後に前記第2スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させるコントローラ
とを備えることを特徴とする請求項1に記載のDC/DCコンバータ。 - 前記スイッチング制御回路は、
変換後のDC電圧の電圧値を検知する電圧検知回路と、
前記通常動作期間の終了後から前記電圧値が閾値に達するまでの期間において前記第2スイッチングトランジスタのスイッチングを継続させ、前記電圧値が前記閾値以下に減少した場合に前記第2スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させるコントローラ
とを備えることを特徴とする請求項1に記載のDC/DCコンバータ。 - 前記コントローラは、前記通常動作期間の終了後から前記電圧値が前記閾値に達するまでの期間において、前記電圧値の減少に応じて前記第2スイッチングトランジスタのスイッチング時のオン期間を増加させることを特徴とする請求項3に記載のDC/DCコンバータ。
- 半導体チップ上に集積化され、第1制御パルスに応じてスイッチングする第1スイッチングトランジスタと、
前記半導体チップ上に集積化され、前記第1制御パルスと周波数の等しい第2制御パルスに応じてスイッチングする第2スイッチングトランジスタと、
前記半導体チップ上に集積化され、前記第1及び第2制御パルスを生成するスイッチング制御回路
とを備え、通常動作期間において前記第1及び第2スイッチングトランジスタのそれぞれのスイッチングを制御し、前記通常動作期間の終了後に前記第1スイッチングトランジスタのスイッチングを停止させて前記第2スイッチングトランジスタのスイッチングを継続させることを特徴とする半導体集積回路。
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