JP2006032972A - 非晶質シリコン層の結晶化方法 - Google Patents
非晶質シリコン層の結晶化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006032972A JP2006032972A JP2005209275A JP2005209275A JP2006032972A JP 2006032972 A JP2006032972 A JP 2006032972A JP 2005209275 A JP2005209275 A JP 2005209275A JP 2005209275 A JP2005209275 A JP 2005209275A JP 2006032972 A JP2006032972 A JP 2006032972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- silicon layer
- crystallizing
- sample
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【課題】非晶質シリコン層の結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板20上に形成された非晶質シリコン層22に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層22をアニーリングして非晶質シリコン層22を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層22の結晶化方法である。これにより、低エネルギーで非晶質シリコン層22を結晶化でき、結晶化されたシリコン層26の表面粗度特性が改善されうる。
【選択図】図1A
【解決手段】基板20上に形成された非晶質シリコン層22に所定の金属イオンをドーピングする段階と、金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層22をアニーリングして非晶質シリコン層22を結晶化する段階と、を有する非晶質シリコン層22の結晶化方法である。これにより、低エネルギーで非晶質シリコン層22を結晶化でき、結晶化されたシリコン層26の表面粗度特性が改善されうる。
【選択図】図1A
Description
本発明は、非晶質シリコン層の結晶化方法に関する。さらに詳細には、低エネルギーで非晶質シリコン層を結晶化でき、結晶化されたシリコン層の表面粗度特性が改善されうる非晶質シリコン層の結晶化方法に関する。
特許文献1及び2は、非晶質シリコン層を結晶化する方法を開示している。
従来のこの方法では、非晶質シリコン層の表面に強いレーザビームを照射して非晶質シリコン層を瞬間的に溶融させ、溶融された非晶質シリコン層を再び冷却して、数十μmサイズの結晶化されたシリコン層を製造している。
最近、特許文献3において、低エネルギーのレーザで非晶質シリコン層を結晶化させるために、レーザアニーリングをもって結晶化触媒物質を使用する方法が提案されている。
特許文献3は、非晶質シリコン層上にスピンコーティングでNiシリサイド層を形成し、前記Niシリサイド層をパターニングした後にアニーリングする場合、Niシリサイドが存在する部分で非晶質シリコン層の結晶化が生じると報告している。ここで、Niシリサイドは、触媒物質として使われている。
米国特許第4,406,709号明細書
米国特許第4,309,225号明細書
米国特許第6,479,329号明細書
しかし、特許文献1及び2で開示されている方法では、レーザビームエネルギーの大きさによって、結晶化されるシリコン粒子のサイズが決定されるため、さらに微細な粒子を有するシリコン結晶を作るためには、高エネルギーのレーザビームを必要とするという問題点がある。
また、高エネルギーのレーザビームが使用されることによって、結晶化されたシリコンの表面粗度特性が悪いという問題点がある。
さらに、特許文献3で開示されている方法は、結晶化された部分に相当量のNiシリサイドが存在するという問題点、及びNiシリサイドと接触している表面部分でのみ結晶化が生じるという問題点を有する。
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来の技術の問題点を改善するためのものであって、低エネルギーで非晶質シリコン層を結晶化でき、結晶化されたシリコン層の表面粗度特性が改善されうる非晶質シリコン層の結晶化方法を提供することである。
前記課題を解決するために、本発明は基板上に形成された非晶質シリコン層に所定の金属イオンをドーピングする段階と、前記金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層をアニーリングして前記非晶質シリコン層を結晶化する段階とを有する、非晶質シリコン層の結晶化方法を提供する。
本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法によれば、さらに低エネルギーによって非晶質シリコン層が結晶化され、結晶化されたシリコン層の表面粗度特性が改善されうる。
また、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法によれば、表面から所定深さまでの非晶質シリコン層がいずれも均一に結晶化されうる。
特に、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法を、アクティブマトリックス液晶ディスプレイ(AMLCDs)、半導体メモリ素子、及び次世代素子に適用する場合、高品質の素子を効果的に製作でき、素子の性能を増大させて製品の競争力を向上させうる。
以下、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法を、添付した図面を参照して詳細に説明する。
図1Aないし図1Cは、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法を説明する工程図である。
図1Aないし図1Cを共に参照すれば、まず、基板20上に形成された非晶質シリコン層22に所定の金属イオンをドーピングし、前記非晶質シリコン層22を金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層24に変化させる。
前記基板は、非晶質Si基板、ガラス基板、サファイアガラス基板、MgO基板、ダイアモンド基板、及びGaN基板からなる群から選ばれた少なくとも一つであることが好ましい。
前記金属イオンは、Ag、Au、Al、Cu、Cr、Co、Ni、Ti、Sb、V、Mo、Ta、Nb、Ru、W、Pt、Pd、Zn、及びMgよりなる群から選択された少なくとも一つであることが好ましい。したがって、それぞれの金属は、単独または組み合わせとして使われる。
前記金属イオンのドーピング量は、1×1010atoms/cm2ないし1×1017atoms/cm2であることが好ましい。
前記金属イオンのドーピングは、イオン注入装置によって行われることが好ましく、前記金属イオンのドーピングエネルギーは、1keVないし1000keVであることが好ましい。
本発明の他の実施形態によれば、前記金属イオンのドーピングは、公知の他のイオンドーピング装置を用いてなされてもよい。
次いで、前記金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層24を、レーザビームでアニーリングする。前記アニーリング段階で、前記非晶質シリコン層24は結晶化され、結晶化されたシリコン層26に変化されうる。
前記金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層24は、金属イオンがドーピングされていない非晶質シリコン層と比較して、より低いレーザビームエネルギー密度によって結晶化される。これは、レーザ吸収係数及び金属イオンの触媒効果として説明されうる。
一般的に、レーザアニーリングの場合、非晶質シリコンの結晶化程度は、非晶質シリコンのレーザ吸収係数に大きく依存する。
非晶質シリコン層24内にドーピングされた金属イオンは、非晶質シリコンのレーザ吸収係数を増加させる。したがって、レーザビームによるアニーリング時に、非晶質シリコン層24は、より多くのレーザエネルギーを吸収する。
また、非晶質シリコン層24にドーピングされた金属イオンは、アニーリング時に、非晶質シリコンの結晶化を促進させうる触媒として作用する。
したがって、低いレーザビームエネルギーによって、前記非晶質シリコン層24の結晶化が可能であり、このように低いレーザビームエネルギーによって結晶化されたシリコン層は、表面粗度特性が向上しうる。
前記レーザビームのエネルギー密度は、50mJ/cm2ないし3000mJ/cm2であることが好ましく、より好ましくは、レーザビームのエネルギー密度は、300mJ/cm2ないし800mJ/cm2である。
本発明の他の実施形態によれば、前記アニーリングは、加熱手段が備えられた他の装置によって行ってもよい。
本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法によれば、さらに低エネルギーによって非晶質シリコン層が結晶化されうる。さらに、低エネルギーのレーザの使用によって、結晶化されたシリコン層の表面粗度特性が改善されうる。
また、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法によれば、表面から所定深さまでの非晶質シリコン層が、いずれも均一に結晶化されうる。所定深さまで均一に結晶化されうることは、イオン注入装置によって、非晶質シリコン層の所定深さまで金属イオンのドーピングが可能なためであり、ドーピングされる深さは、イオン注入エネルギーによって決定される。
均一な結晶化の効果は、米国特許第6,479,329号明細書において開示されている、結晶化された部分に相当量のNiシリサイドが存在するという問題点、及びNiシリサイドと接触している、表面部分でのみ結晶化が生じるという問題点と比較されうる。
特に、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法をアクティブマトリックス液晶ディスプレイ(AMLCDs)、半導体メモリ素子、及び次世代素子に適用する場合、高品質の素子を効果的に製作でき、素子の性能を増大させて、製品の競争力を高めうる。
本実施例では、まず、シリコン基板上に非晶質シリコン層が形成されたサンプルを準備した。次いで、Niイオンを25keVのエネルギー、1×1015atoms/cm2の量で、前記非晶質シリコン層にイオン注入した。
次いで、前記Niイオンが注入されたサンプルを真空チャンバ内に取り付けた後、約10−3torr(1.32×10−6atm)の真空を維持したまま、エキシマーレーザビームを利用して前記サンプルをアニーリングした。
本実施例で使われたレーザは、KrFエキシマーレーザビームを使用し、レーザビームのエネルギー密度は、300ないし700mJ/cm2の条件でアニーリングした。
Niイオン注入の効果を検証するために、Niイオンが注入されていないサンプルを準備して上述の条件と同じ条件でアニーリングを行い、Niイオンを注入したサンプルと比較した。
図2A及び図2Bは、Niイオンが注入されたサンプル(図2A)と、Niイオンが注入されていないサンプル(図2B)とについて、それぞれ300mJ/cm2のエネルギーでアニーリングした後に測定された断面部の透過型電子顕微鏡(TEM)写真である。
図3A及び図3Bは、Niイオンが注入されたサンプル(図3A)と、Niイオンが注入されていないサンプル(図3B)とについて、それぞれ500mJ/cm2のエネルギーでアニーリングした後に測定された断面部のTEM写真である。
図4A及び図4Bは、Niイオンが注入されたサンプル(図4A)と、Niイオンが注入されていないサンプル(図4B)とについて、それぞれ600mJ/cm2のエネルギーでアニーリングした後に測定された断面部のTEM写真である。
図2A、図2B、図3A、図3B、図4A、及び図4Bを共に参照すれば、レーザエネルギー密度が増加するにつれ、非晶質シリコン層が結晶化されていることが観察できる。
ここで、Niイオンが注入されたサンプル(図2A、図3A、図4A)については、レーザエネルギー密度が増加するにつれて、サンプルの表面粗度特性が向上している。一方、Niイオンが注入されていないサンプル(図2B、図3B、図4B)は、表面粗度特性が悪い。
図5A及び図5Bは、Niイオンが注入されたサンプル(図5A)と、Niイオンが注入されていないサンプル(図5B)とについて、それぞれ300mJ/cm2のエネルギーでアニーリングした後に測定された透過電子回折(TED)写真である。
図6A及び図6Bは、Niイオンが注入されたサンプル(図6A)と、Niイオンが注入されていないサンプル(図6B)とについて、それぞれ500mJ/cm2のエネルギーでアニーリングした後に測定されたTED写真である。
図7A及び図7Bは、Niイオンが注入されたサンプル(図7A)と、Niイオンが注入されていないサンプル(図7B)とについて、それぞれ600mJ/cm2のエネルギーでアニーリングした後に測定されたTED写真である。
図5A、図5B、図6A、図6B、図7A、及び図7Bを共に参照すれば、Niイオンが注入されたサンプル(図5A、図6A、図7A)は、レーザエネルギー密度が300mJ/cm2で非晶質シリコン層の結晶化が開始し、エネルギー密度が増加するにつれて、非晶質シリコンがさらに多く結晶化して、600mJ/cm2で全ての非晶質シリコンが結晶化することが分かる。
しかし、Niイオンが注入されていないサンプル(図5B、図6B、図7B)の結晶化程度は、Niイオンが注入されたサンプル(図5A、図6A、図7A)の結晶化程度と比較して低いということが分かる。
図8は、Niイオンが注入されたサンプルと、Niイオンが注入されていないサンプルとについて、それぞれAFMを使ってサンプル表面の二乗平均平方根(RMS)粗度を測定した結果と、アニーリングエネルギーとの関係を図示したものである。
2つのサンプルとも、600mJ/cm2までは、エネルギー密度が増加するにつれて、RMS粗度が低下するが、600mJ/cm2以上のエネルギー密度では、RMS粗度が増加することを観察できる。
しかし、全てのエネルギー密度範囲で、Niイオンが注入されたサンプルの表面は、Niイオンが注入されていないサンプルの表面に比べて、低いRMS粗度を有することが観察できる。
Niイオンを注入したサンプルと、Niイオンを注入していないサンプルとを、600mJ/cm2のエネルギー密度でレーザアニーリングして、キャリア移動度を測定した結果は、それぞれ49.4cm2/V・s及び10.2cm2/V・sであった。
このような結果は、Niイオンが注入されたサンプルの結晶化程度が、Niイオンが注入されていないサンプルの結晶化程度より良いということを意味する。
すなわち、本発明による非晶質シリコン層の結晶化方法を利用して、LCD素子を製作する場合、高いキャリア移動度を有する素子が得られる。
典型的な実施例に準拠して、本発明を詳細に明示及び記述したが、特許請求の範囲に定義された本発明の技術的な思想、及び範囲から逸脱することなく、形式及び詳細の様々な変化がなされうるということが、当業者によって理解されるであろう。
本発明は、非晶質シリコン層の結晶化方法に関し、例えば、AMLCDs、半導体メモリ素子、及び次世代素子に適用可能である。
20 基板
22,24 非晶質シリコン層
26 結晶化されたシリコン層
22,24 非晶質シリコン層
26 結晶化されたシリコン層
Claims (9)
- 基板上に形成された非晶質シリコン層に所定の金属イオンをドーピングする段階と、
前記金属イオンがドーピングされた非晶質シリコン層をアニーリングして前記非晶質シリコン層を結晶化する段階と、
を有することを特徴とする非晶質シリコン層の結晶化方法。 - 前記金属イオンは、Ag、Au、Al、Cu、Cr、Co、Ni、Ti、Sb、V、Mo、Ta、Nb、Ru、W、Pt、Pd、Zn、及びMgよりなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項1に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記金属イオンのドーピング量は、1×1010atoms/cm2ないし1×1017atoms/cm2であることを特徴とする、請求項1または2に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記金属イオンのドーピングエネルギーは、1keVないし1000keVであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記アニーリングは、レーザビームによって行われることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記レーザビームのエネルギー密度は、50mJ/cm2ないし3000mJ/cm2であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記レーザビームのエネルギー密度は、300mJ/cm2ないし800mJ/cm2であることを特徴とする、請求項6に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記基板は、非晶質Si基板、ガラス基板、サファイアガラス基板、MgO基板、ダイアモンド基板、及びGaN基板よりなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
- 前記金属イオンのドーピングは、イオン注入装置によって行われることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の非晶質シリコン層の結晶化方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040056818A KR20060008524A (ko) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 비정질 실리콘 층의 결정화 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032972A true JP2006032972A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35657785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005209275A Pending JP2006032972A (ja) | 2004-07-21 | 2005-07-19 | 非晶質シリコン層の結晶化方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060019473A1 (ja) |
JP (1) | JP2006032972A (ja) |
KR (1) | KR20060008524A (ja) |
CN (1) | CN1725447A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100736652B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2007-07-09 | 한양대학교 산학협력단 | 팜토 레이저를 이용한 비정질의 Co2MnSi 박막의 부분결정화 방법 |
KR100766038B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-10-11 | 한양대학교 산학협력단 | 도펀트 활성화 방법 |
KR100761867B1 (ko) * | 2006-06-08 | 2007-09-28 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 질화물계 반도체 소자 및 그 제조방법 |
CN104505340B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-12-26 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种低温多晶硅薄膜的制备方法 |
KR20170041962A (ko) | 2015-10-07 | 2017-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 박막 트랜지스터 표시판 |
KR102548825B1 (ko) * | 2018-12-03 | 2023-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4309225A (en) * | 1979-09-13 | 1982-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam |
US4406709A (en) * | 1981-06-24 | 1983-09-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of increasing the grain size of polycrystalline materials by directed energy-beams |
US5654209A (en) * | 1988-07-12 | 1997-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of making N-type semiconductor region by implantation |
TW345705B (en) * | 1994-07-28 | 1998-11-21 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Laser processing method |
US6242289B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-06-05 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
JP2002303879A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
US6642112B1 (en) * | 2001-07-30 | 2003-11-04 | Zilog, Inc. | Non-oxidizing spacer densification method for manufacturing semiconductor devices |
KR100566894B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2006-04-04 | 네오폴리((주)) | Milc를 이용한 결정질 실리콘 tft 패널 및 제작방법 |
KR100571827B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US20060199328A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-07 | Texas Instruments, Incorporated | Non-dispersive high density polysilicon capacitor utilizing amorphous silicon electrodes |
-
2004
- 2004-07-21 KR KR1020040056818A patent/KR20060008524A/ko not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-05-16 CN CN200510072664.XA patent/CN1725447A/zh active Pending
- 2005-05-31 US US11/139,445 patent/US20060019473A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-19 JP JP2005209275A patent/JP2006032972A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060008524A (ko) | 2006-01-27 |
CN1725447A (zh) | 2006-01-25 |
US20060019473A1 (en) | 2006-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW303526B (ja) | ||
TW404045B (en) | The manufacture method of semiconductor device | |
KR100473996B1 (ko) | 비정질 실리콘의 결정화 방법 | |
JP3658213B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3586558B2 (ja) | 薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置 | |
KR100279106B1 (ko) | 반도체 장치의 제작방법 | |
US6670638B2 (en) | Liquid crystal display element and method of manufacturing the same | |
US6657227B2 (en) | Transistor with thin film active region having clusters of different crystal orientation | |
JP2006313912A (ja) | 相変化メモリ素子及びその製造方法 | |
US6391747B1 (en) | Method for forming polycrystalline silicon film | |
JP2006041518A (ja) | ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるSiベースの物質層及びその製造方法 | |
JP2006024946A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及びそれを利用する半導体素子の製造方法 | |
JP2006032972A (ja) | 非晶質シリコン層の結晶化方法 | |
JP2007502025A (ja) | シリコン薄膜の焼鈍方法およびそれから調製される多結晶シリコン薄膜 | |
JP3041177B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007035812A (ja) | 多結晶シリコン膜の製造方法および薄膜トランジスタ | |
TWI285783B (en) | Poly silicon layer structure and forming method thereof | |
JP2004063478A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2004134773A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009246235A (ja) | 半導体基板の製造方法、半導体基板及び表示装置 | |
JP3545104B2 (ja) | 薄膜半導体の作製方法 | |
JP2003224070A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4019584B2 (ja) | 半導体膜の形成方法 | |
JP2007067431A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0817741A (ja) | 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081118 |