JP2006032854A - 樹脂封止型集積回路装置 - Google Patents

Abstract

【課題】集積回路の回路特性を調整するための調整端子を備える場合であれ、同端子への静電気印加を好適に抑制することのできる樹脂封止型集積回路装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型集積回路の一例である回転検出装置は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと、これら磁気抵抗素子対にバイアス磁界を付与するバイアス磁石と、センサチップによる検出信号を電気的に処理する検出回路チップとがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされている。このうち、検出回路チップの回路特性を調整するための調整端子２３、２４は、給電用等の他の端子２１、２２とともにパッケージ（モールド樹脂）１０から導出されている。パッケージ１０は、これら調整端子２３、２４が導出される部分に選択的に凹部１１を有し、回路特性の調整後には、これら調整端子２３、２４をこの凹部１１内に収まる態様で切断する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、樹脂封止型集積回路装置に関するものである。

従来より、この種の樹脂封止型集積回路装置としては、例えば樹脂を用いたトランスファ成形法により樹脂成形されたモールドパッケージ（モールドＩＣ）がある。このようなトランスファ成形法では、ボンディングの終了したリードフレームを金型成形機にセットし、これに液状化した樹脂を圧送して流し込むなどしてモールド成形するようにしている。

ところで、このようなモールドパッケージ、すなわち樹脂封止型集積回路装置では、例えば電源端子や各種入出力端子、電気調整用の端子等は樹脂封止されることなくパッケージの外部に導出されている。そしてこのうち、電気調整用の端子、すなわち調整端子は、樹脂封止後の内部回路の電気調整のために用いられ、その調整の後、切り落とされることとなる。

ここで従来、このような調整端子を設けることのできる、もしくは設けることが望ましい樹脂封止型集積回路装置としては、例えば特許文献１に記載の回転検出装置がある。
この回転検出装置は、磁気抵抗素子が設けられたセンサチップを備え、該センサチップの近傍にて磁性体ロータが回転するときに上記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石からのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を同磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して上記ロータの回転態様を検出する装置である。そして、このような回転検出装置にあっては、上記磁気抵抗素子の抵抗値変化を電気的に処理する回路が、同文献１に記載されているように、２つの磁気抵抗素子対の各中点電位を差動増幅する増幅器やその差動増幅出力を所定の閾値電圧のもとに２値化するコンパレータ等を備えて構成されることがある。しかも、このような処理回路は通常、集積回路化され、上記センサチップ等とともに一体にモールド成形されることも多い。そしてこのような場合に、例えば上記差動増幅出力のオフセットレベル調整用として、あるいは上記閾値電圧の調整用として上記調整端子を設けることとすれば、モールド成形による樹脂封止後であっても、当該処理回路としての回路特性を所望に調整することができるようになる。
特開平１１−２３７２５６号公報

ところで、例えばこのような回転検出装置に上記調整端子をさらに設けてこれを上述した樹脂封止型集積回路装置としてモールド成形した場合、その外観は概ね図１８（ａ）に例示するような形状となる。この図１８（ａ）に示されるように、上記回転検出装置の場合には、モールド樹脂からなるパッケージ１００から電源端子１０１ａおよび１０１ｂ、出力端子１０２に加えて、上記調整端子１０３および１０４がそれぞれ導出されるかたちとなる。そして上述のように、この調整端子１０３および１０４を通じて差動増幅出力のオフセットレベル調整や閾値電圧の調整等の回路特性の調整が終了すれば、これら端子１０３および１０４は、図１８（ｂ）に示される態様で切り落とされることとなる。

しかし、上記回転検出装置も含めた従来一般の樹脂封止型集積回路装置では、こうして切り落とされた調整端子の切り残った部分がパッケージから突出するかたちとなり、外部から静電気が印加される確率も高くなる。すなわち、これら端子の切り残った部分を介して内部回路が静電破壊を起こす確率も自ずと高くなる。このため、別途に静電気対策を講じる必要があるなど、未だ改良の余地を残すものとなっている。

本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、集積回路の回路特性を調整するための調整端子を備える場合であれ、同端子への静電気印加を好適に抑制することのできる樹脂封止型集積回路装置を提供することにある。

こうした目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、集積回路を構成するチップが一体に樹脂モールドされてなり、前記集積回路の回路特性を調整するための調整端子がモールド樹脂から導出されてなる樹脂封止型集積回路装置として、前記モールド樹脂の前記調整端子が導出される部分に選択的に凹部を設け、前記調整端子がこの凹部内に収まる態様で切断される構造とした。

このような構造によれば、調整端子の切り残し部分がモールド樹脂、すなわちパッケージ面から突出することはなくなり、同調整端子が物理的に外部の静電気源と接触する確率も低くなる。このため、こうした調整端子への静電気の印加は抑制され、ひいては樹脂モールドされた集積回路内部での静電破壊の発生等も抑制されるようになる。また、モールド樹脂に凹部を設けるだけの簡易な構造であり、その実現も容易である。

また、調整端子についてはこれを、請求項２に記載の発明によるように、切断される部分に対応して切り込みが設けられるものとすれば、上述した調整端子の切断もこれを容易に行うことができるようになる。

また、請求項３に記載の発明では、集積回路を構成するチップが一体に樹脂モールドされてなり、前記集積回路の回路特性を調整するための調整端子がモールド樹脂から導出されてなる樹脂封止型集積回路装置として、前記モールド樹脂の前記調整端子が導出される部分に選択的に凹部を設け、前記調整端子がこの凹部内に収まる態様で収容される構造とした。

このような構成によっても、調整端子がモールド樹脂、すなわちパッケージ面から突出することはなくなり、同調整端子が物理的に外部の静電気源と接触する確率も低くなる。このため、こうした調整端子への静電気の印加は抑制され、ひいては樹脂モールドされた集積回路内部での静電気の発生等も抑制されるようになる。

また、調整端子は、請求項４に記載の発明によるように、一つの凹部内に複数設けられるものを採用することもできる。
また、請求項５に記載の発明によるように、前記凹部の先端部の少なくとも一方には前記調整端子の先端を覆う態様で内側に突出される突起部が設けられるものとすることで、上記調整端子が物理的に外部の静電気源と接触する確率はより低くなる。

また、調整端子は、請求項６に記載の発明によるように、導出される根元の部分の面積が先端部分の面積よりも大きく形成されるものとすることで、例えば調整端子を切断した後に電気調整を行う場合であれ、そのプロービングが容易となる。

また、調整端子は、請求項７に記載の発明によるように、導出される根元の部分の面積が先端部分の面積よりも小さく形成されるものとすることもできる。調整端子をこのような構造とすることで、切断される前の端子形状として有効であるが、特に請求項３の構造にあっても、電気調整の際のプロービングが容易となり、その意味では有効な構造である。

また、調整端子は、請求項８に記載の発明によるように、凹部内の二点で吊られる態様で設けられるものとすることで、上記調整端子は凹部内に収められ、調整端子への静電気の印加をより好適に抑制することができるようになる。またこの場合、一つの凹部内に調整端子が複数設けられる構造に対して、例えばそれら調整端子を切断するか否かをそれぞれ選択することで内部回路の電気調整を行うこともできる。

また、凹部についてはこれを、請求項９に記載の発明によるように、モールド樹脂中に窓状に設けられるものを採用することもできる。このように窓状に凹部を設ける場合も、一つの凹部内に調整端子が複数設けられる構造に対して、例えばそれら調整端子を切断するか否かをそれぞれ選択することで内部回路の電気調整を行うこともできる。

また、樹脂封止型集積回路装置としてのこのような構造は、前述した回転検出装置にも有効であり、例えば請求項１０に記載の発明によるように、
（イ）上記集積回路として、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと、該センサチップの近傍にて磁性体ロータが回転するときに前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石からのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する検出回路チップとが一体に樹脂モールドされたタイプのもの。

あるいは請求項１１に記載の発明によるように、
（ロ）上記集積回路として、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石と、前記センサチップの近傍にて磁性体ロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する検出回路チップとがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされたタイプのもの。
等々にも適用することができ、それら集積回路から上記調整端子が導出される場合であれ、その導出部分に選択的に凹部を設けておくことで、こうした調整端子への静電気の印加を抑制することができるようになる。

なお、これら請求項１０あるいは１１に記載の発明において、前記センサチップが少なくとも２つの磁気抵抗素子対を備えるとともに、前記検出回路チップが、それら磁気抵抗素子対をハーフブリッジとしてその各ブリッジ出力を差動増幅する回路、およびその差動増幅出力と所定の閾値電圧とを比較して前記ロータの回転態様に対応した２値化信号を出力する回路を備えるものであるとき、前記モールド樹脂から導出される調整端子についてはこれを、例えば
・前記閾値電圧を調整するための端子。
・前記差動増幅出力のオフセット電圧を調整するための端子。
・前記差動増幅出力をモニタするための端子、および前記閾値電圧を調整するための端子。
・前記閾値電圧をモニタするための端子、および前記差動増幅出力のオフセット電圧を調整するための端子。
・前記差動増幅出力のオフセット電圧を調整するための端子、および前記閾値電圧を調整するための端子。
のいずれかとすることが有効である。少なくとも上記差動増幅出力および上記閾値電圧の一方を調整可能とすることで、それら検出回路としての回路特性を所望の特性に調整することができるようになる。

以下、この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
この実施の形態にかかる樹脂封止型集積回路装置は、前述した回転検出装置の一種として、例えば車両の車軸と共に回転する円盤形状の着磁ロータの回転を検出する装置にこの発明を適用したものである。

はじめに、図１を参照して、この回転検出装置の構成について説明する。
図１は、電気調整が行われた後の、同回転検出装置について、斜視構造を示したものである。

この回転検出装置は、以下に詳細を説明するように、その内部に、大きくは
（ａ）磁気抵抗素子を備えるセンサチップ。
（ｂ）磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石。
（ｃ）センサチップの近傍にて磁性体ロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知してロータの回転態様を検出する検出回路チップ。
をそれぞれ備えている。そして、これらがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされることにより樹脂封止型集積回路装置として構成されている。

ここで、上記センサチップは、２つの磁気抵抗素子対を備えるとともに、上記検出回路チップは、それら磁気抵抗素子対をハーフブリッジとしてその各ブリッジ出力を差動増幅する回路、およびその差動増幅出力と所定の閾値電圧とを比較して前記ロータの回転態様に対応した２値化信号を出力する回路を備えている。

また、この回転検出装置には、給電端子および出力端子を兼ねる端子２１、２２がモールド樹脂からなるパッケージ１０から導出されている。さらに、上記検出回路チップを構成する集積回路の回路特性を調整するための調整端子として、差動増幅出力のオフセット電圧を調整するための端子（内部信号調整端子）２３、および前記閾値電圧を調整するための端子（閾値調整端子）２４が上記パッケージ１０から導出されている。

そしてこの実施の形態において、同パッケージ１０の上記各調整端子２３、２４が導出される部分には、選択的に矩形形状の凹部１１を有し、上記各調整端子２３、２４は、この凹部１１内に収まる態様で切断されている。これにより、各調整端子２３、２４の切り残し部分がパッケージ１０の表面から突出することはなくなり、同調整端子２３、２４が物理的に外部の静電気源と接触する確率も低くなる。このため、こうした調整端子２３、２４への静電気の印加は抑制され、ひいては樹脂モールドされた集積回路内部での静電破壊の発生等も抑制されるようになる。

次に、図２〜図４を参照して、この回転検出装置の内部構造、並びに上記各調整端子２３、２４を通じた電気調整の方法について詳述する。
図２は、着磁ロータ３０とともに該ロータ３０の回転態様を検出するこの回転検出装置の内部構造についてその概要を示したものである。なお、この図２では便宜上、実際にはパッケージ１０内に設けられているバイアス磁石４０、センサチップ５０、磁気抵抗素子対５０ａ、５０ｂ、検出回路チップ６０等を透視して示している。

同図２に示されるように、この回転検出装置は、樹脂封止型の集積回路として、上記磁気抵抗素子対５０ａ、５０ｂを備えるセンサチップ５０と、これら磁気抵抗素子対５０ａ、５０ｂにバイアス磁界を付与するバイアス磁石４０と、上記検出回路チップ６０とがリードフレーム（図示略）に装着された状態で一体に樹脂モールドされている。

ここで、上記センサチップ５０は、ボンディングワイヤｗ１によって上記検出回路チップ６０と電気的に接続されており、さらにこの検出回路チップ６０は、それぞれボンディングワイヤｗ２、ｗ３によって、リードフレームから導出された上記端子２１、２２や調整端子２３、２４と電気的に接続されている。また、上記センサチップ５０に設けられている磁気抵抗素子対５０ａ、５０ｂにバイアス磁界を付与する上記バイアス磁石４０は、リードフレームを挟んでこれらセンサチップ５０や検出回路チップ６０の裏面に装着されている。そして、モールド樹脂（パッケージ１０）の上記調整端子２３、２４が導出される部分に選択的に設けられる上記凹部１１については、同形状を実現するために、これに対応する形状の凸部をモールド用の金型に予め形成しておくこととする。

図３は、こうしたセンサチップ５０および検出回路チップ６０について、上記調整端子２３、２４も含めてその電気的な構成を等価回路として示したものであり、次に、同図３を併せ参照して、同実施の形態として例示した回転検出装置の電気的な構成、並びに検出回路チップ６０としての回路特性の調整態様について説明する。

この図３に示されるように、上記センサチップ５０は、電気的にはそれぞれハーフブリッジ回路を構成する磁気抵抗素子ＭＲＥ１、ＭＲＥ２からなる磁気抵抗素子対５０ａ、および磁気抵抗素子ＭＲＥ３、ＭＲＥ４からなる磁気抵抗素子対５０ｂを備えて構成されている。

また、上記検出回路チップ６０は、定電圧回路６１、定電流回路６２に加え、差動増幅器６３、比較器６４、スイッチング素子６５を基本的に備えて構成されている。また、この検出回路チップ６０は、上記比較器６４の閾値電圧Ｖｔｈを調整するための回路として、分圧抵抗６６とプログラマブル抵抗６７、そしてこのプログラマブル抵抗６７の抵抗値を可変設定する閾値設定回路６８を備えて構成されている。

ここで、定電圧回路６１は、例えば車載バッテリ等から印加される電源電圧「＋Ｖ」（例えば「１２Ｖ」）に基づいて所定の定電圧（例えば「５Ｖ」）を生成する回路である。そして、この生成された定電圧に基づいてセンサチップ５０や検出回路チップ６０の各部に対する給電が行われる。なお、上記センサチップ５０においては、磁気抵抗素子ＭＲＥ１、ＭＲＥ３側にこの生成された定電圧が印加され、磁気抵抗素子ＭＲＥ２、ＭＲＥ４側は接地（グランド）電位となっている。

このような状態で、上記着磁ロータ３０の回転に伴い上記センサチップ５０の各磁気抵抗素子対５０ａ、５０ｂに付与されているバイアス磁界の磁気ベクトルが変化すると、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４の抵抗値がそれぞれ変化し、同磁気抵抗素子対５０ａ、５０ｂの各中点電位Ｖａ、Ｖｂも変化する。そして、この中点電位Ｖａ、Ｖｂは、検出回路チップ６０の上記差動増幅器６３にて差動増幅され、その差動増幅出力Ｓが比較器６４において上記閾値電圧Ｖｔｈと比較される。この比較器６４は、上記閾値電圧Ｖｔｈに基づいて上記差動増幅出力Ｓを２値化する回路である。そして、この比較器６４による２値化信号（パルス信号）に基づいてスイッチング素子６５をオン／オフさせることにより、上記端子２１、２２からは、この２値化信号に同期して電源電位「＋Ｖ」と接地電位「０Ｖ」とが交番する信号が得られるようになり、この信号が例えば電子制御装置等に取り込まれることとなる。なお、上記スイッチング素子６５にはいわばインピーダンス無限大の負荷抵抗である定電流回路６２が接続されており、同スイッチング素子６５には、電源電圧「＋Ｖ」の大小にかかわらず、常に一定の電流が供給されている。

一方、この検出回路チップ６０において、上記調整端子２３は、上記差動増幅器６３の出力線に、また上記調整端子２４は、上記閾値設定回路６８にそれぞれ接続されている。そして、これら各調整端子２３、２４を通じた同検出回路チップ６０の回路特性の調整は、例えば次の態様で行われる。

まず、上記調整端子２３にプローブ等を接続して上記差動増幅出力Ｓを波形測定器（図示略）等にてモニタする。ちなみに、このモニタされる差動増幅出力Ｓは、図４（ａ）および（ｂ）に例示するような波形となっている。そして、この差動増幅出力Ｓをモニタしつつ、上記調整端子２４に所定の変調信号を入力し、上記閾値設定回路６８を通じてこれに接続されているプログラマブル抵抗６７の抵抗値を可変設定する。

なお、ここで、上記閾値設定回路６８は、上記調整端子２４に入力される変調信号を復調する復調回路（デコーダ）や、この復調に応じたプログラム用データが記憶されるＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリを備えて構成されている。また、上記プログラマブル抵抗６７は、上記不揮発性メモリにセット（記憶）されたプログラム用データの内容に基づいて例えば抵抗Ｒ１〜Ｒ３（図３）をプログラマブルに切り替える回路である。したがって、上記調整端子２４に上述の態様で変調信号が入力されることで、その変調信号に応じたプログラム用データが閾値設定回路６８内の不揮発性メモリに自動的にセットされ、このセットされたデータ内容に応じた抵抗値がプログラマブル抵抗６７において自動設定される。そして、この自動設定された同プログラマブル抵抗６７の抵抗値と上記分圧抵抗６６の抵抗値との分圧比に応じて上記比較器６４における閾値電圧Ｖｔｈが決定される。

図４（ａ）および（ｂ）は、上記モニタされる差動増幅出力Ｓに対するこうした閾値電圧Ｖｔｈの調整態様を例示したものであり、図４（ａ）は調整前の差動増幅出力Ｓと閾値電圧Ｖｔｈとの関係を、また図４（ｂ）は調整後の同差動増幅出力Ｓと閾値電圧Ｖｔｈとの関係をそれぞれ示している。

すなわちいま、調整前において、これら差動増幅出力Ｓと閾値電圧Ｖｔｈとが図４（ａ）に示されるような関係にあったとすると、上記比較器６４による２値化信号、あるいは当該回転検出装置としての出力信号Ｓ’も、同図下段に示されるように、かろうじて２値化は可能であるものの、余裕度が低く且つ不安定な信号となる。

そこでこのような場合に、上記差動増幅出力Ｓをモニタしつつ、上記閾値電圧Ｖｔｈの電圧レベルを調整することとなる。すなわちこの場合、上記調整端子２４に上記変調信号として閾値電圧Ｖｔｈを高めるような、具体的には上記プログラマブル抵抗６７においてより抵抗値の高い抵抗が選択されるような信号を入力することとなる。なお、この操作は、試行錯誤的に繰り返し実行することができる。そして、最終的に、上記差動増幅出力Ｓと閾値電圧Ｖｔｈとの関係が図４（ｂ）に示されるような関係となったところで、該調整にかかる作業（操作）が終了される。

こうして調整が終了すれば以降、上記各調整端子は不要であり、例えば図２に例示する態様で導出されているそれら端子２３、２４を適宜の工具で切断する。これにより、図１に示した樹脂封止型集積回路装置として、静電気に対する耐性の高い回転検出装置を得ることができるようになる。

以上詳述したように、この実施の形態にかかる樹脂封止型集積回路装置によれば、以下に列記するような優れた効果が得られるようになる。
（１）上記調整端子２３、２４を、凹部１１に収まる態様で切断するようにしたことで、調整端子の切り残し部分がパッケージ１０の表面から突出することはなくなり、同調整端子２３、２４が物理的に外部の静電気源と接触する確率も低くなる。このため、こうした調整端子２３、２４への静電気の印加は抑制され、ひいては樹脂モールドされた集積回路内部での静電破壊の発生等も抑制されるようになる。

（２）また、パッケージ１０に凹部１１を設けるだけの簡易な構造であり、その実現も容易である。
（３）上記凹部１１についてはこれを、図１に示されるように、その上下方向が完全に開放される態様で形成することとした。このため、上記調整端子２３、２４の同凹部１１に収まる態様での切断も容易である。

なお、この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置は上記実施の形態に限定されるものではなく、同実施の形態を適宜変更した、例えば次のような形態として実施することもできる。

・上記実施の形態では、回転検出装置としてそのパッケージ１０から導出される調整端子が、内部信号（差動増幅出力）をモニタするための端子２３、および閾値電圧を調整するための端子２４であるとしたが、このような回転検出装置に採用することのできる調整端子としては、同実施の形態の例も含めて、
ａ．閾値電圧を調整するための端子。
ｂ．内部信号（差動増幅出力）のオフセット電圧を調整するための端子。
ｃ．一方では内部信号（差動増幅出力）をモニタしつつ、他方では閾値電圧を調整するための端子。
ｄ．一方では閾値電圧をモニタしつつ、他方では内部信号（差動増幅出力）のオフセット電圧を調整するための端子。
等々がある。そして、これらいずれの調整端子が採用される場合であれ、この発明の適用は可能であり、上記実施の形態に準じた効果を得ることができる。

・上記実施の形態では、回転検出装置を構成する集積回路として、センサチップ５０と、バイアス磁石４０と、検出回路チップ６０とがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされたものを例示した。しかし、このような集積回路としては、センサチップと検出回路チップのみが一体に樹脂モールドされて、バイアス磁石内に装着されるタイプのものもある。そして、このようなタイプの集積回路を備える回転検出装置にも、この発明は同様に適用することができる。また、これら回転検出装置において検出対象とするロータも、上述した着磁ロータに限らず、例えば歯車状の磁性体ロータであってもよい。

・上記実施の形態では、調整端子２３、２４は電気調整後に切断されるものとしたが、調整端子２３、２４を切断してから電気調整を行うようにしてもよい。また、上記調整端子２３、２４は切断されることなく上記モールドパッケージ１０の凹部１１に収まる態様で収容されていてもよい。

・上記実施の形態では、一方向に、例えば上下方向に完全に開放される形状を有する凹部１１について例示したが、凹部の形状はこのような形状に限定されるものではない。他に例えば、図５に示すように、パッケージ１０の側面に設けられた穴状の凹部１２が設けられていてもよい。

・また、凹部や調整端子の構造としても、他に例えば、図６に示すように、
（Ａ）調整端子が凹部内の二点で吊られる態様で設けられる構造のもの。
あるいは、図７に示すように、
（Ｂ）調整端子の構造として、導出される根元の部分の面積が先端部分の面積よりも大きく形成される構造のもの。
あるいは、図８、図９に示すように、
（Ｃ）調整端子は、導出される根元の部分の面積が先端部分の面積よりも小さく形成される構造のもの。
あるいは、図１０に示すように、
（Ｄ）凹部の先端部の少なくとも一方に、調整端子の先端を覆う態様で内側に突出される突起部が設けられる構造のもの。
あるいは、図１１に示すように、
（Ｅ）一つの凹部内に複数の調整端子が設けられる構造のもの。
あるいは、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、
（Ｆ）調整端子の構造として、切断される部分に対応して切り込みを設けた構造のもの。
あるいは、図１３に示すように、
（Ｇ）デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）にこの発明を適用して、例えば図１２（ａ）にその一部平面構造が示される態様をもって上記調整端子を凹部に収まる態様で切断、あるいは収容する構造のもの。
等々も適宜に採用することができる。

・その他、例えば図１４に示すように、パッケージ１０の上面あるいは下面に窓状に設けられた凹部１３なども適宜採用することができる。また、この窓状の凹部やそこに設けられる調整端子の構造としても、他に例えば、図１５に示すように、
（Ｈ）調整端子が窓状の凹部内の二点で吊られる態様で設けられている構造のもの。
あるいは、図１６に示すように、
（Ｉ）調整端子の面積を大きくして電気調整のためのプロービングを行い易くした構造のもの。
あるいは、図１７に示すように、
（Ｊ）凹部内に複数の調整端子を設け、該調整端子を切るか否かをそれぞれ選択することで内部回路の電気調整を行う構造のもの。
等々も適宜に採用することができる。要は、調整端子が導出される部分に選択的に設けられてそれら端子への静電気の印加を抑制し得る凹部であればよく、その形状や数等は任意である。

・また、上記集積回路自体、半導体基板上に集積形成される回路に限らず、薄膜回路や厚膜回路等、任意の基板上に形成された集積回路に対してこの発明は適用可能である。
・またこの意味で、この発明は上述した回転検出装置に限らず、電気的な調整端子を備える任意の樹脂封止型集積回路装置に適用することができる。

この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の一実施の形態として同装置を回転検出装置に適用した例について、その斜視構造を示す斜視図。 同回転検出装置の内部構造を模式的に示す平面図。 同回転検出装置の電気的な構成を示す回路図。 （ａ）および（ｂ）は、同回転検出装置を構成する検出回路チップの回路特性調整態様を示すタイムチャート。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の変形例についてその斜視構造を示す斜視図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例について、（ａ）はその一部平面構造を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の断面構造を示す断面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部断面構造を示す断面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその斜視構造を示す斜視図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 この発明にかかる樹脂封止型集積回路装置の他の変形例についてその一部平面構造を示す平面図。 （ａ）および（ｂ）は、従来の樹脂封止型集積回路装置として同装置を回転検出装置に適用した例についてその斜視構造を示す斜視図。

符号の説明

１０…パッケージ（モールド樹脂）、１１、１２、１３…凹部、２１、２２…端子、２３、２４…調整端子、３０…着磁ロータ、４０…バイアス磁石、５０…センサチップ、５０ａ、５０ｂ…磁気抵抗素子対、６０…検出回路チップ、６１…定電圧回路、６２…定電流回路、６３…差動増幅器、６４…比較器、６５…スイッチング素子、６６…分圧抵抗、６７…プログラマブル抵抗、６８…閾値設定回路。

Claims (11)

1. 集積回路を構成するチップが一体に樹脂モールドされてなり、前記集積回路の回路特性を調整するための調整端子がモールド樹脂から導出されてなる樹脂封止型集積回路装置において、
   前記モールド樹脂は、前記調整端子が導出される部分に選択的に凹部を有し、前記調整端子は、この凹部内に収まる態様で切断されてなる
   ことを特徴とする樹脂封止型集積回路装置。
2. 前記調整端子には、前記切断される部分に対応して切り込みが設けられてなる
   請求項１に記載の樹脂封止型集積回路装置。
3. 集積回路を構成するチップが一体に樹脂モールドされてなり、前記集積回路の回路特性を調整するための調整端子がモールド樹脂から導出されてなる樹脂封止型集積回路装置において、
   前記モールド樹脂は、前記調整端子が導出される部分に選択的に凹部を有し、前記調整端子は、この凹部内に収まる態様で収容されてなる
   ことを特徴とする樹脂封止型集積回路装置。
4. 前記調整端子は、一つの凹部内に複数設けられてなる
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
5. 前記凹部の先端部の少なくとも一方には前記調整端子の先端を覆う態様で内側に突出される突起部が設けられてなる
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
6. 前記調整端子は、前記導出される根元の部分の面積が先端部分の面積よりも大きく形成されてなる
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
7. 前記調整端子は、前記導出される根元の部分の面積が先端部分の面積よりも小さく形成されてなる
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
8. 前記調整端子は、前記凹部内の二点で吊られる態様で設けられてなる
   請求項１〜７のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
9. 前記凹部は、前記モールド樹脂中に窓状に設けられてなる
   請求項１〜８のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
10. 前記集積回路は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと、該センサチップの近傍にて磁性体ロータが回転するときに前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石からのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する検出回路チップとが一体に樹脂モールドされたものである
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。
11. 前記集積回路は、磁気抵抗素子を備えるセンサチップと、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石と、前記センサチップの近傍にて磁性体ロータが回転するときに前記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子の抵抗値の変化として感知して前記ロータの回転態様を検出する検出回路チップとがリードフレームに装着された状態で一体に樹脂モールドされたものである
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂封止型集積回路装置。

Images