JP2007149769A - 半導体チップおよびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】識別コードの作り込みが簡単で低コストであって、かつ、識別コードの読み出しを簡単に行うことができる半導体チップおよびその駆動方法を提供する。
【解決手段】入出力パッドP0〜P4は、入力保護回路10を介して内部回路11に信号を入出力する。識別用ダイオード12は、一例としての識別コード“1010”に応じ、入出力パッドP0,P2に対してそれぞれ設けられている。識別用ダイオード12のアノードは、入出力パッドP0,P2にそれぞれ接続されている。識別用パッドP6は、各識別用ダイオード12のカソードに共通に接続されている。識別用パッド6に接地電圧を印加した状態で、入出力パッドP0〜P4に対して正の電流を印加することにより、上記識別コードが電圧値として読み出される。また、識別用ダイオード12のアノードとカソードとを逆にして接続することも可能である。
【選択図】図2
【解決手段】入出力パッドP0〜P4は、入力保護回路10を介して内部回路11に信号を入出力する。識別用ダイオード12は、一例としての識別コード“1010”に応じ、入出力パッドP0,P2に対してそれぞれ設けられている。識別用ダイオード12のアノードは、入出力パッドP0,P2にそれぞれ接続されている。識別用パッドP6は、各識別用ダイオード12のカソードに共通に接続されている。識別用パッド6に接地電圧を印加した状態で、入出力パッドP0〜P4に対して正の電流を印加することにより、上記識別コードが電圧値として読み出される。また、識別用ダイオード12のアノードとカソードとを逆にして接続することも可能である。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体チップおよびその駆動方法に関し、特に、種別を識別する識別コードを電気的に読み出すことができる半導体チップおよびその駆動方法に関する。
通常、半導体チップの種別の識別は、半導体チップを封止したパッケージの表面に刻印されたマークによって行われており、このマークは、製造メーカ、品種、ロット番号などを識別可能とする記号や数字などからなる。また、半導体チップは、同一品種であっても、製造時のプロセスやマスクのバージョンなどが異なることがあり、このようなバージョン情報は、製造業者内部で使用されるものであるため、通常、半導体チップに直接記されている。これは、通常、半導体チップの最上層のメタル層などを利用し、これを視認可能な記号や数字に形成することによってなされている。
しかしながら、半導体チップをパッケージに封止した後では、パッケージを開封しない限り半導体チップ上に記された情報を参照することができず、上記バージョン情報などの種別の識別を行うことができない。このため、パッケージがなされた封止状態においても電気特性を検出することによって種別の識別を行うことができるように構成された半導体チップが知られている(例えば、特許文献1,2参照)。
特許文献1記載の半導体チップは、識別コードが書き込まれたROM(Read Only Memory)を半導体チップ内に形成し、電極パッドに印加された電圧に応じてその識別コードが読み出されるように構成されている。このROMは、エンハンスメントおよびデプレッションのn型MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを組み合わせて構成されている。
また、特許文献2記載の半導体チップは、スイッチを並列接続したMOSトランジスタを電極パッドと接地端子との間に複数直列接続したものであり、製造工程において、各スイッチをショートまたはオープンに設定することによって識別コードを書き込んでいる。この識別コードは、スイッチの設定によって異なる入力リーク電流を検出することによって読み出される。
特開平5−152178号公報
特開平6−140577号公報
上記特許文献1,2記載の半導体チップは、いずれも識別コードを記憶するためにMOSトランジスタが設けられており、識別コードとして、MOSトランジスタからの電圧値または電流値を、電極パッドを介して読み出すように構成されている。MOSトランジスタは構造が複雑であるため、識別コードの記憶のためにMOSトランジスタを設けると、その分、チップ面積が増大し、製造コストがかさむ。また、識別コードの読み出しのために、特別な測定を行わなければならない。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、識別コードの作り込みが簡単で低コストであって、かつ、識別コードの読み出しを簡単に行うことができる半導体チップおよびその駆動方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の半導体チップは、内部回路に信号を入出力する複数の入出力パッドを備えた半導体チップにおいて、半導体チップの種別を識別する識別コードに応じ、前記複数の入出力パッドのいずれか1つまたは複数に対してそれぞれ設けられ、一方の端子が対応する入出力パッドに接続された識別用ダイオードと、前記各識別用ダイオードの他方の端子に共通に接続された識別用パッドとを備え、前記識別用パッドに所定電圧を印加した状態で、前記複数の入出力パッドに対して電流印加電圧測定を行うことにより、前記識別コードが読み出されることを特徴とする。
また、本発明の半導体チップの駆動方法は、前記一方の端子をアノード、前記他方の端子をカソードとしてなる前記半導体チップの駆動方法において、前記識別コードの読み出し時には、前記識別用パッドに接地電圧を印加した状態で、前記複数の入出力パッドに対して正の定電流を印加することにより、前記識別用ダイオードを導通させることを特徴する。
また、本発明の半導体チップの駆動方法は、前記一方の端子をカソード、前記他方の端子をアノードとしてなる前記半導体チップの駆動方法において、前記識別コードの読み出し時には、前記識別用パッドに接地電圧を印加した状態で、前記複数の入出力パッドに対して負の定電流を印加することにより、前記識別用ダイオードを導通させることを特徴する。
本発明の半導体チップによれば、半導体チップの種別を識別する識別コードを、識別用ダイオードおよび識別用パッドのみで簡単に作り込むことができ、部品点数が少なく低コストである。また、コンタクト試験に類似した試験によって、識別コードを簡単に読み出すことができる。
図1において、ユニット2は、後述する半導体チップ3の電極パッド4と、リード端子5との間が、金などのワイヤ6によってボンディング接続され、リード端子5の先端部以外の部分が封止樹脂7によって封止されてなる。封止樹脂7は、不透明プラスチックであり、リード端子5は、先端部がL字状に曲げられている。ユニット2は、SOP(Small Outline Package)と称される表面実装型パッケージである。
半導体チップ3は、メモリ、ロジック、イメージセンサなどの集積回路(IC)がプロセス形成されたシリコンウェーハがダイシング装置によって矩形状に切り出されたものである。図2において、半導体チップ3は、電極パッド4と、入力保護回路10と、内部回路11と、識別用ダイオード12とを含む。
電極パッド4は、データや制御信号を内部回路11に入出力するための入出力パッドP0〜P3と、内部回路11および入力保護回路10に電源電圧を供給するためのVDDパッドP4と、内部回路11および入力保護回路10に接地電圧を供給するためのGNDパッドP5と、識別用ダイオード12に電圧を供給するための識別用パッドP6とからなる。
入力保護回路10は、入出力パッドP0〜P3からの静電気などの入力による内部回路11の破壊を防止するためのものであり、入出力パッドP0〜P3と内部回路11との間にそれぞれ配置されている。入力保護回路10は、保護ダイオード13,14からなる。保護ダイオード13は、アノード側がノードN1に接続され、カソード側がノードN2に接続されている。保護ダイオード14は、カソード側がノードN1に接続され、アノード側がノードN3に接続されている。ノードN1は、入出力パッドP0〜P3と内部回路11との間に配置されている。ノードN2は、VDDパッドP4に共通に接続されている。ノードN3は、GNDパッドP5に共通に接続されている。
半導体チップ3の通常動作時は、ノードN2には、VDDパッドP4から正の電源電圧VDD(例えば、3V)が供給され、ノードN3には、GNDパッドP5から接地電圧(0V)が供給される。保護ダイオード13は、所定のオン電圧V1を有し、入出力パッドP0〜P3に“VDD+V1”より高い電圧が印加された場合に導通する。これにより、ノードN1からノードN2に向かう方向(順方向)に電流が流れ、内部回路11に過大な正電圧が印加されることを防止する。同様に、保護ダイオード14は、所定のオン電圧V2を有し、入出力パッドP0〜P3に“−V2”より低い電圧が印加された場合に導通する。これにより、ノードN3からノードN1に向かう方向(順方向)に電流が流れ、内部回路11に過大な負電圧が印加されることを防止する。
識別用ダイオード12は、保護ダイオード13,14と同様なダイオード素子であり、入出力パッドP0と内部回路11との間、および入出力パッドP2と内部回路11との間に配置されている。この識別用ダイオード12は、後述するように、個々の半導体チップ3の識別に用いられるものであるため、個々の半導体チップ3ごとに数および配置が変更される。識別用ダイオード12は、識別コードに応じ、入出力パッドP0〜P3のいずれか1つまたは複数に対してそれぞれ設けられる。同図は、識別コードが“1010”の場合を例示しており、“1”に対応する入出力パッドP0,P2に識別用ダイオード12が設けられている。
また、識別用ダイオード12のアノード側は、入出力パッドP0,P2に接続され、カソード側は、共通に識別用パッドP6に接続されている。半導体チップ3の通常動作時は、識別用パッドP6にVDDパッドP4と同一の電源電圧が印加され、識別用ダイオード12は、過大な正電圧に対する入力保護回路として機能する。
次に、以上のように構成されたユニット2のコンタクト試験および識別試験方法について説明する。これらの試験は、所定の電圧を発生する電源ユニットと、定電流源および電圧計からなるISVM(電流印加電圧測定)ユニットとを含む、不図示のICテスタ(半導体試験装置)によって行われる。
コンタクト試験は、入出力パッドP0〜P3とリード端子5とのコンタクト状態(接触/非接触)を判定することを目的とし、ワイヤ6の破断などを検出する。表1に、ICテスタによるコンタクト試験1の測定条件および測定結果を示す。
コンタクト試験1において、ICテスタは、リード端子5を介し、電源ユニットによってVDDパッドP4を接地電圧“0V”に設定し、GNDパッドP5および識別用パッドP6をオープン(非接続)とした状態で、入出力パッドP0〜P3にISVMユニットを順次に接続して電圧値を測定する。このとき、ISVMユニットは、正の定電流If(+10μAとする)を印加する。つまり、10μAの定電流を、ICテスタ側から各入出力パッドP0〜P3に流し込む。
コンタクト不良がない場合には、入力保護回路10の保護ダイオード13が導通し、順方向に電流が流れる。これにより、各入出力パッドP0〜P3の電圧は、接地電圧“0V”から保護ダイオード13のオン電圧(1Vとする)の分だけ上昇し、対応するリード端子5から“1V”が測定される。表1は、コンタクト不良がない場合の測定値を示している。一方、コンタクト不良が存在する場合には、不良が存在するリード端子5からの電流経路は存在しなくなるので、該リード端子5の電圧は、測定不能(正側のレンジオーバー)となる。
表2は、上記とは別のコンタクト試験2の測定条件および測定結果を示す。コンタクト試験2において、ICテスタは、リード端子5を介し、電源ユニットによってGNDパッドP5を接地電圧“0V”に設定し、VDDパッドP4および識別用パッドP6をオープンとした状態で、入出力パッドP0〜P3にISVMユニットを順次に接続して電圧値を測定する。このとき、ISVMユニットは、負の定電流If(−10μAとする)を印加する。つまり、10μAの定電流を、各入出力パッドP0〜P3からICテスタ側に引き出す。
コンタクト不良がない場合には、入力保護回路10の保護ダイオード14が導通し、順方向に電流が流れる。これにより、各入出力パッドP0〜P3の電圧は、接地電圧“0V”から保護ダイオード14のオン電圧(1Vとする)の分だけ降下し、対応するリード端子5から“−1V”が測定される。表2は、コンタクト不良がない場合の測定値を示している。一方、コンタクト不良が存在する場合には、不良が存在するリード端子5からの電流経路は存在しなくなるので、該リード端子5の電圧は、測定不能(負側のレンジオーバー)となる。
次に、識別試験は、半導体チップ3に作り込まれた識別コードを読み出すことを目的とする。表3に、ICテスタによる識別試験1の測定条件および測定結果を示す。識別試験1において、ICテスタは、VDDパッドP4およびGNDパッドP5をオープンとし、電源ユニットによって識別用パッドP6を接地電圧“0V”に設定した状態で、入出力パッドP0〜P3にISVMユニットを順次に接続して電圧値を測定する。このとき、ISVMユニットは、上記コンタクト試験1と同様に、正の定電流If(+10μAとする)を印加する。
これにより、識別用ダイオード12が導通し、順方向に電流が流れるので、入出力パッドP0,P2の電圧は、接地電圧“0V”から識別用ダイオード12のオン電圧(1Vとする)の分だけ上昇し、対応するリード端子5から“1V”が測定される。一方、入出力パッドP1,P3には電流経路は存在しないので、対応するリード端子5の電圧は、測定不能(正側のレンジオーバー、同表中には“N/A”と記載している)となる。この結果、入出力パッドP0〜P3の測定値から識別コード“1010”が読み出される。
このように、入出力パッドと識別用パッドP6との間に識別用ダイオード12を設けるだけで、識別コードを簡単に作り込むことができる。また、この識別コードは、コンタクト試験に類似した識別試験によって、簡単に読み出すことができる。識別コードのために要される部品点数は、従来のものより少なく、低コストである。
なお、上記実施形態では、入出力パッドから識別用パッドP6へ順方向となるように識別用ダイオード12を接続しているが、本発明はこれに限定されず、識別用パッドP6から入出力パッドへ順方向となるように識別用ダイオード12を接続してもよい。これを例示する図3において、入出力パッドP0,P2をカソード、識別用パッドP6をアノードとするように、識別用ダイオード12がそれぞれ接続されている。
表4に、この場合の識別試験2の測定条件および測定結果を示す。識別試験2において、ICテスタは、VDDパッドP4およびGNDパッドP5をオープンとし、電源ユニットによって識別用パッドP6を接地電圧“0V”に設定した状態で、入出力パッドP0〜P3にISVMユニットを順次に接続して電圧値を測定する。このとき、ISVMユニットは、上記コンタクト試験2と同様に、負の定電流If(−10μAとする)を印加する。
これにより、識別用ダイオード12が導通し、順方向に電流が流れるので、入出力パッドP0,P2の電圧は、接地電圧“0V”から識別用ダイオード12のオン電圧(1Vとする)の分だけ降下し、対応するリード端子5から“−1V”が測定される。一方、入出力パッドP1,P3には電流経路は存在しないので、対応するリード端子5の電圧は、測定不能(負側のレンジオーバー、同表中には“N/A”と記載している)となる。この結果、入出力パッドP0〜P3の測定値から“1010”に相当する識別コードが得られる。
また、この場合、半導体チップ3の通常動作時は、識別用パッドP6にGNDパッドP5と同一の接地電圧が印加され、識別用ダイオード12は、過大な負電圧に対する入力保護回路として機能する。
また、上記実施形態では、入出力パッドの数は、P0〜P3の4個としているが、本発明はこれに限定されず、入出力パッドの数は適宜変更してよい。
また、上記実施形態では、識別用ダイオード12を、入出力パッドと入力保護回路10との間に配置しているが、本発明はこれに限定されず、識別用ダイオード12を、入力保護回路10と内部回路11との間に配置してもよい。
2 ユニット
3 半導体チップ
4 電極パッド
5 リード端子
6 ワイヤ
7 封止樹脂
10 入力保護回路
11 内部回路
12 識別用ダイオード
13,14 保護ダイオード
P0〜P3 入出力パッド
P4 VDDパッド
P5 GNDパッド
P6 識別用パッド
3 半導体チップ
4 電極パッド
5 リード端子
6 ワイヤ
7 封止樹脂
10 入力保護回路
11 内部回路
12 識別用ダイオード
13,14 保護ダイオード
P0〜P3 入出力パッド
P4 VDDパッド
P5 GNDパッド
P6 識別用パッド
Claims (3)
- 内部回路に信号を入出力する複数の入出力パッドを備えた半導体チップにおいて、
半導体チップの種別を識別する識別コードに応じ、前記複数の入出力パッドのいずれか1つまたは複数に対してそれぞれ設けられ、一方の端子が対応する入出力パッドに接続された識別用ダイオードと、前記各識別用ダイオードの他方の端子に共通に接続された識別用パッドとを備え、
前記識別用パッドに所定電圧を印加した状態で、前記複数の入出力パッドに対して電流印加電圧測定を行うことにより、前記識別コードが読み出されることを特徴とする半導体チップ。 - 前記一方の端子をアノード、前記他方の端子をカソードとしてなる請求項1記載の半導体チップの駆動方法において、
前記識別コードの読み出し時には、前記識別用パッドに接地電圧を印加した状態で、前記複数の入出力パッドに対して正の定電流を印加することにより、前記識別用ダイオードを導通させることを特徴する半導体チップの駆動方法。 - 前記一方の端子をカソード、前記他方の端子をアノードとしてなる請求項1記載の半導体チップの駆動方法において、
前記識別コードの読み出し時には、前記識別用パッドに接地電圧を印加した状態で、前記複数の入出力パッドに対して負の定電流を印加することにより、前記識別用ダイオードを導通させることを特徴する半導体チップの駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339044A JP2007149769A (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 半導体チップおよびその駆動方法 |
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JP2005339044A JP2007149769A (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 半導体チップおよびその駆動方法 |
Publications (1)
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JP2005339044A Pending JP2007149769A (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 半導体チップおよびその駆動方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7446440B2 (ja) | 2020-08-06 | 2024-03-08 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 半導体静電保護デバイス |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005339044A patent/JP2007149769A/ja active Pending
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