JP2006032736A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 β−Ga2O3単結晶からなるGa2O3基板を準備(工程イ)し、沸騰する硝酸中にGa2O3基板を浸け込み、所定時間エッチング(工程ロ)し、このGa2O3基板をエタノールを用いた超音波洗浄(工程ハ)、超純水を用いた超音波洗浄(工程ニ)を行った後に乾燥する(工程ホ)。反射高速電子線回折(RHEED)法によりストリーク像が観察され、原子間顕微鏡(AMF)によりGa2O3基板の表面が平滑であることが確認できた。
【選択図】 図1
Description
を提供する。
(イ)酸によるエッチングを行い、超音波洗浄することにより、平滑な表面を有するβ−Ga2O3基板を得ることができるので、薄膜をエピタキシャル成長させ易くなる。
(ロ)結晶性の高い発光層が得られるので、発光効率が高くなる。
(ハ)MOCVD装置の成長炉内で上記真空洗浄(工程へ)、窒化処理(工程ト)、GaNエピタキシャル成長(工程チ)を連続して行えるため、半導体層を効率的に生産することができる。
(1)エッチングを施していないGa2O3基板とエッチングを施したものとの目視による比較
(2)反射高速電子線回折(RHEED)法によるストリーク像の有無
(3)原子間力顕微鏡(AFM)による表面平滑度の観察
目視による比較では、エッチングの有無に拘わらず差はなかったが、RHEED法によりストリーク像が観察され、表面が平滑であると推測でき、AFMにより平滑であると推測された。
硝酸を用いて室温でGa2O3基板をエッチングした。目視による比較では、エッチングの有無に拘わらず差はなかった。RHEED法によるストリーク像が見られず、総合的に判断すると、「×」である。
塩酸を用いて室温でGa2O3基板をエッチングした。目視による比較では、エッチングの有無に拘わらず差はなかった。RHEED法によるストリーク像が見られず、総合的に判断すると「×」である。
沸騰状態の塩酸を用いてGa2O3基板をエッチングした。RHEED法によるストリーク像が見られ、表面が平滑であるとされたが、AFMによれば、深い溝が存在する状態であり、総合的に判定すると「×」である。
燐酸を用いて室温でGa2O3基板をエッチングした。目視による比較では、エッチングの有無に拘わらず差はなかった。RHEED法によるストリーク像が見られず、総合的に判断すると「×」である。
沸騰状態の燐酸を用いてGa2O3基板をエッチングした。RHEED法によるストリーク像が見られず、AFMによればピットが発生し、総合的に判断すると「×」である。
塩酸を用いて室温でGa2O3基板をエッチングした。目視による比較では、反射電子が少なく測定できず、総合的に判断すると「×」である。
沸騰状態の塩酸を用いてGa2O3基板をエッチングした。目視による比較では、白濁してしまい、評価できなかった。RHEED法によれば反射電子がなく測定できず、総合的に判断すると「×」である。
本実施の形態および実施例において、Ga2O3単結晶からなるGa2O3基板について説明してきたが、各種元素を添加したGa2O3系単結晶からなるGa2O3系基板であってもよい。本発明の洗浄は、Ga2O3系単結晶からなるGa2O3系薄膜に適用してもよい。
Claims (3)
- 酸化ガリウム系単結晶からなる基板または薄膜を準備し、
前記基板または薄膜の表面を沸騰した無機酸を用いて洗浄し、
洗浄された前記基板または薄膜の前記表面に半導体膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記無機酸は、硝酸であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の製造方法。
- 前記基板または薄膜の前記表面の洗浄は、前記無機酸を用いて洗浄した後、超音波洗浄を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体素子の製造方法。
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