JP2006032680A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 はんだ溜りを容易に解消することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極が形成された半導体基板をはんだ浴に浸漬させて電極にはんだを付着させる工程と、はんだ浴から半導体基板を引き上げる工程と、半導体基板における引き上げ方向の末端部を引き上げ方向の先端部以上の高さに位置させる工程と、半導体基板の上記の末端部を上記の先端部以上の高さにした状態で電極に付着したはんだを溶融状態にする工程とを含む太陽電池の製造方法である。
【選択図】 図1
【解決手段】 電極が形成された半導体基板をはんだ浴に浸漬させて電極にはんだを付着させる工程と、はんだ浴から半導体基板を引き上げる工程と、半導体基板における引き上げ方向の末端部を引き上げ方向の先端部以上の高さに位置させる工程と、半導体基板の上記の末端部を上記の先端部以上の高さにした状態で電極に付着したはんだを溶融状態にする工程とを含む太陽電池の製造方法である。
【選択図】 図1
Description
本発明は太陽電池の製造方法に関し、特に太陽電池の電極に対して行なわれるはんだコーティングを改善した太陽電池の製造方法に関する。
近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池は次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池は一般的にSi(シリコン)基板などの半導体基板の内部にpn接合を形成し、半導体基板の表面に電流を取り出すための電極を設置して、さらに電極への機械的な衝撃、雰囲気中の水分からの電極の保護および太陽電池同士の配線を容易にするなどの観点から電極にはんだコーティングが行なわれて形成される。
図6に、従来の太陽電池の製造プロセスのフローチャートを示す。まず、ステップS1において、p型Si基板のエッチングが行なわれる。次に、ステップS2において、p型Si基板の受光面側にn型拡散層および太陽光の反射率を低下させるための反射防止膜が形成される。次いで、ステップS3において、p型Si基板の裏面のほぼ全面にAlペーストをスクリーン印刷して乾燥させた後に酸化性雰囲気下で高温で焼成してAl電極を形成する。そして、ステップS4において、p型Si基板の裏面の一部にAgペーストをスクリーン印刷した後に乾燥させる。さらに、ステップS5において、p型Si基板の受光面側の反射防止膜上にAgペーストをパターン状にスクリーン印刷した後に乾燥させる。そして、ステップS6において、p型Si基板の反射防止膜および裏面の一部にスクリーン印刷されたAgペーストを焼成することによってAg電極を形成する。
その後、ステップS7において、Ag電極形成後の複数枚のp型Si基板をウエハキャリアに垂直方向に並べてセットし、フラックスへ常温で数十秒間浸漬させた後、温風乾燥させる。次いで、ステップS8において、ウエハキャリアごとに約192℃の有鉛または無鉛のはんだ浴に約1分間浸漬させることによってAg電極のはんだコーティングを行なう。そして、水中で超音波洗浄を数回繰り返した後、純水リンスを行ない、温風乾燥させることによって太陽電池が完成する。
特開昭61−104677号公報
しかしながら、この従来の太陽電池の製造方法においては、ウエハキャリアのはんだ浴からの引き上げによって、図7に示すように、p型Si基板1に形成されたAg電極5、6においては、p型Si基板1のはんだ浴からの引き上げ方向(図7中の矢印で示される方向)の末端部12側におけるはんだ7の厚みが厚くなる、いわゆるはんだ溜り11が発生することがあった。概ね、10μm程度の厚みのはんだ7がはんだ溜り11においては500μmを超える厚みとなる場合が散見された。このようなはんだ溜りを有する太陽電池は、太陽電池の特性検査や太陽電池の直列配線の際に太陽電池の割れを生じさせるため、不良品として選別せざるを得なかった。そして、選別された太陽電池について再度はんだコーティングを行なったり、はんだこてを用いて人手によりはんだ溜りを溶融して取り除いたりしていたため、はんだ溜りの解消に非常に手間がかかるという問題があった。
本発明の目的は、はんだ溜りを容易に解消することができる太陽電池の製造方法を提供することにある。
本発明は、電極が形成された半導体基板をはんだ浴に浸漬させて電極にはんだを付着させる工程と、はんだ浴から半導体基板を引き上げる工程と、半導体基板における引き上げ方向の末端部を引き上げ方向の先端部以上の高さに位置させる工程と、半導体基板における上記の末端部を上記の先端部以上の高さにした状態で電極に付着したはんだを溶融状態にする工程とを含む太陽電池の製造方法である。
ここで、本発明の太陽電池の製造方法においては、電極に付着したはんだを融点以上の温度に加熱することにより、はんだを溶融状態にすることが好ましい。
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、はんだが鉛フリーはんだであることが好ましい。
本発明によれば、はんだ溜りを容易に解消することができる太陽電池の製造方法を提供することができる。さらに、本発明によれば、はんだのコーティング領域を広くすることが可能になるため、太陽電池同士の配線がより容易となる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
図1に、本発明による太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図を示す。この太陽電池はp型Si基板1の受光面(太陽光が入射する側の面)側にn型拡散層2が形成されており、n型拡散層2上に反射防止膜3およびAg電極5が形成されている。そして、このAg電極5は、はんだ7によってコーティングされている。また、p型Si基板1の裏面(受光面と反対側の面)側にはAl焼結層8とAl/Si合金層9とからなるAl電極4が形成されている。また、このAl電極4の間にはAg電極6が形成されており、このAg電極6は、はんだ7によってコーティングされている。
図2に、この太陽電池の製造プロセスの好ましい一例のフローチャートを示す。まず、ステップS1において、p型Si基板のエッチングが行なわれる。次に、ステップS2において、p型Si基板の受光面側にn型拡散層および太陽光の反射率を低下させるための反射防止膜が形成される。次いで、ステップS3において、p型Si基板の裏面のほぼ全面にAlペーストをスクリーン印刷して乾燥させた後に酸化性雰囲気下で高温で焼成することによってAl電極を形成する。そして、ステップS4において、p型Si基板の裏面の一部にAgペーストをスクリーン印刷した後に乾燥させる。さらに、ステップS5において、p型Si基板の受光面側の反射防止膜上にAgペーストをパターン状にスクリーン印刷した後に乾燥させる。そして、ステップS6において、p型Si基板の反射防止膜および裏面の一部にスクリーン印刷されたAgペーストを焼成することによってp型Si基板の受光面上および裏面上にAg電極を形成する。
その後、ステップS7において、Ag電極が形成されたp型Si基板をウエハキャリアに垂直方向に複数枚並べてセットし、フラックスへ常温で数十秒間浸漬させた後、温風乾燥させる。次いで、ステップS8において、ウエハキャリアごとに約192℃の鉛フリーはんだ浴に約1分間浸漬させることによってAg電極のはんだコーティングを行なう。そして、鉛フリーはんだ浴からウエハキャリアを引き上げる。このとき、図3に示すように、ウエハキャリアにセットされた個々のp型Si基板1に形成されたAg電極5、6においては、p型Si基板1のはんだ浴からの引き上げ方向(図3中の矢印で示される方向)の末端部12側に局所的にはんだ7の厚みが厚くなるはんだ溜り11が形成される。ここまでは、従来の太陽電池の製造プロセスと同様である。
そして、ステップS9において、図4に示すように、p型Si基板1を180°回転させることによって、p型Si基板1における引き上げ方向の末端部12を引き上げ方向の先端部13よりも上方に位置させる。続いて、ステップS10において、p型Si基板1をこの状態にしたままオーブンなどの加熱機器にセットし、Ag電極5、6に付着したはんだの融点以上の温度ではんだを加熱する。これにより、はんだが溶融状態となって、図4に示すp型Si基板1の引き上げ方向の末端部12側に形成されたはんだ溜り11から末端部12の反対側にある先端部13側にはんだが流動し、図5に示すように、Ag電極5、6上のはんだ7の厚みが平坦となってはんだ溜りが解消される。
そして、水中で超音波洗浄を数回繰り返した後、純水リンスを行ない、温風乾燥させることによって太陽電池が完成する。
このように、本発明においては、はんだ溜りを解消できるだけでなく、はんだの溶融による流動によって、はんだコーティングが十分に行なわれていない領域についてもコーティングすることができるようになる(不濡れの低減)。また、はんだ溜りの溶融は生産ラインとは別の簡便なオーブンなどを用いて行なうことができるため、太陽電池の生産量が落とすことなく本発明の実施が可能となる。さらに、はんだこてを用いた人手によるはんだ溜りの解消方法においては、はんだ溜りから取り除かれた余分なはんだくず(太陽電池50枚につき0.5g程度)が生じていたが、本発明においてはこのようなはんだくずが生じないというメリットもある。
なお、上記においては、p型Si基板を180°回転させることによって、p型Si基板における引き上げ方向の末端部を引き上げ方向の先端部よりも上方に位置させたが、本発明においては180°に限定されず、p型Si基板における引き上げ方向の末端部を引き上げ方向の先端部の位置以上の高さに位置させればよい。ただし、効率的にはんだ溜りを解消する観点からは、p型Si基板における引き上げ方向の末端部を引き上げ方向の先端部よりも高い位置にした状態ではんだを溶融状態にすることが好ましい。
また、上記においては、半導体基板としてp型Si基板を用いたが、その他の半導体基板を用いてもよいことは言うまでもない。
テクスチャエッチングされた厚さ330μmで幅125mm×長さ125mmの矩形のp型Si基板の片側の表面(受光面となる側の表面)に900℃のリン拡散により約50Ω/□の面抵抗値を有するn型拡散層を形成し、n型拡散層上に反射防止膜としてプラズマCVD法により約60nmのSi窒化膜を形成した。そして、その裏面に市販のAlペーストをスクリーン印刷法にて印刷し、約150℃程度で乾燥した後、空気中で700℃で焼成してAl電極を形成した。次に、このp型Si基板の裏面の所定の位置に、市販のAgペーストをスクリーン印刷法によって約30μmの厚みに印刷し150℃で約4分間乾燥した。次いで、p型Si基板の受光面にAgペーストをパターン状に印刷、乾燥した後、酸化性雰囲気中で600℃で2分間焼成することによって、p型Si基板の両面にAg電極を形成した。
Ag電極の形成後のp型Si基板を市販の水溶性フラックス中へ室温下で1分間浸漬し、100℃で1分間熱風乾燥した後、このp型Si基板が複数セットされたウエハキャリアをSnとBiとAgとを含み鉛を含まない鉛フリーはんだ浴に1秒間浸漬させることを3回行なった。その後、ウエハキャリアを約30秒間の浸漬させた後、60秒かけて引き上げることによって、p型Si基板の両面のAg電極に融点が約139〜180℃であるはんだのコーティングを行なった。次いで、水中で6分間、温水中で90秒間の洗浄を行なった後、温風乾燥させて鉛フリーはんだ浴からの引き上げ方向の末端部側にはんだ溜りを有するp型Si基板を得た。
このようにして得られた複数枚のp型Si基板のそれぞれについて目視での外観検査を行ない、はんだ溜りの厚さが0.5mmを超えるp型Si基板を選別した。そして、選別された50枚のp型Si基板をはんだ溜りがある側を上方にしてウエハキャリアにセットした。その後、このウエハキャリアを200℃に保持されたオーブン(YAMATO社製の簡易オーブン)に設置して2分間加熱した後、オーブンから取り出して放冷させることによって太陽電池を完成させた。
そして、完成した太陽電池について再度目視による外観検査を行ない、はんだ溜り発生度および不濡れ発生度を調査した。その結果を表1に示す。
なお、表1において、本発明の実施前とははんだ溜りを有するp型Si基板のことを意味し、本発明の実施後とは完成した太陽電池のことを意味する。また、表1において、不濡れ発生度は、はんだがコーティングされるべきAg電極の領域のうち5%以上の領域がコーティングされていない太陽電池の枚数を表示している。
表1からもわかるように、本発明においては、はんだ溜りを解消することができるだけでなく不濡れも低減できることが確認された。
さらに、はんだ溜りを解消した後の上記の太陽電池のうち1枚の太陽電池については接着強度試験を行ない、3枚の太陽電池については温湿度サイクル試験を行なった。この接着強度試験において、Ag電極にはんだ付けされた幅1.5mm×長さ3mmのタブをAg電極と45°の角度を為す方向に引っ張った際に300g以上の強度を有するかどうかを確認したところ、300g以上の強度を有することが確認された。また、温湿度サイクル試験において、湿度85%の雰囲気下で−40℃から85℃まで温度を上昇させた後に85℃から−40℃まで温度を降下させる温度変化を1サイクルとし、この1サイクルを6時間かけて行なう試験槽中に太陽電池を25サイクル保持した後の太陽電池の特性変化が±5%以内であるかどうかを確認したところ、太陽電池の特性変化が±5%以内であることが確認された。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明によれば、はんだ浴から引き上げられた半導体基板のはんだ溜りが形成されている端部をその反対側にある他端以上の高さに位置させた状態で電極に付着したはんだを溶融状態にすることによってはんだ溜りを容易に解消することができる。さらに、これによって、はんだの不濡れも低減することができる。
1 p型Si基板、2 n型拡散層、3 反射防止膜、4 Al電極、5,6 Ag電極、7 はんだ、8 Al焼結層、9 Al/Si合金層、11 はんだ溜り、12 引き上げ方向の末端部、13 引き上げ方向の先端部。
Claims (3)
- 電極が形成された半導体基板をはんだ浴に浸漬させて前記電極にはんだを付着させる工程と、前記はんだ浴から前記半導体基板を引き上げる工程と、前記半導体基板における前記引き上げ方向の末端部を前記引き上げ方向の先端部以上の高さに位置させる工程と、前記半導体基板の前記末端部を前記先端部以上の高さにした状態で前記電極に付着した前記はんだを溶融状態にする工程と、を含む太陽電池の製造方法。
- 前記電極に付着した前記はんだを融点以上の温度に加熱することにより、前記はんだを溶融状態にすることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記はんだが鉛フリーはんだであることを特徴とする、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004209839A JP2006032680A (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 太陽電池の製造方法 |
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Cited By (1)
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TWI409134B (zh) * | 2009-06-05 | 2013-09-21 | New Gifu Entpr Co Ltd | 加工機的任意點換刀裝置 |
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2004
- 2004-07-16 JP JP2004209839A patent/JP2006032680A/ja not_active Withdrawn
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