JP2006032480A - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 荷電粒子ビームを所定の露光量で照射して、レジスト層を複数のパターンに露光する荷電粒子ビーム露光方法において、(1)基準露光量によって露光した場合のレジスト層の蓄積エネルギープロファイルに基づいて、各パターンの露光量を所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する第1の補正工程と、(2)当該補正した露光量によって露光した場合の蓄積エネルギープロファイルのパターンエッジ位置の傾きが、所定の基準値未満になるパターンを抽出し、当該抽出したパターンのサイズを減じるようパターン補正する第2の補正工程と、(3)当該パターン補正したパターンの蓄積エネルギープロファイルに基づいて、当該パターン補正したパターンの露光量を所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する第3の補正工程と、(4)第1、第3の補正工程で補正された露光量によりパターン補正されたパターンサイズで露光を行う露光工程とを有する。
【選択図】 図8
Description
所定の露光量によって露光した場合の前記レジスト層の蓄積エネルギープロファイルのパターンエッジ位置の傾きが、所定の基準値未満になるパターンを抽出し、当該抽出したパターンのサイズを減じるようパターン補正する補正工程と、
当該パターン補正したパターンの前記蓄積エネルギープロファイルに基づいて、当該パターン補正したパターンの露光量を前記所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する補正工程と、
前記補正された露光量により前記パターン補正されたパターンサイズで露光を行う露光工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
基準露光量によって露光した場合の前記レジスト層の蓄積エネルギープロファイルに基づいて、前記各パターンの露光量を所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する第1の補正工程と、
当該補正した露光量によって露光した場合の前記蓄積エネルギープロファイルのパターンエッジ位置の傾きが、所定の基準値未満になるパターンを抽出し、当該抽出したパターンのサイズを減じるようパターン補正する第2の補正工程と、
当該パターン補正したパターンの前記蓄積エネルギープロファイルに基づいて、当該パターン補正したパターンの露光量を前記所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する第3の補正工程と、
前記第1、第3の補正工程で補正された露光量により前記パターン補正されたパターンサイズで露光を行う露光工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを所定の露光量で照射して、レジスト層を複数のパターンに露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
所定の露光量によって露光した場合の前記レジスト層の蓄積エネルギープロファイルのパターンエッジ位置の傾きが、所定の基準値未満になるパターンを抽出し、当該抽出したパターンのサイズを減じるようパターン補正する補正工程と、
当該パターン補正したパターンの前記蓄積エネルギープロファイルに基づいて、当該パターン補正したパターンの露光量を前記所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する補正工程と、
前記補正された露光量により前記パターン補正されたパターンサイズで露光を行う露光工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。 - 請求項1において、前記露光量補正する補正工程では、所定の露光閾値レベルにおける前記蓄積エネルギープロファイルの幅が前記所望パターンサイズに一致するような露光量に補正することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
- 請求項1において、前記パターン補正する補正工程において、パターンの面積密度が所定の基準値より高い領域内のパターン群から、前記パターンを抽出することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
- 請求項1において、前記パターン補正する補正工程において、隣接パターンとの距離が第1の距離のパターンに対しては、前記傾きの基準値を第1の基準値にし、前記隣接パターンとの距離が前記第1の距離より長い第2の距離のパターンに対しては、前記第1の基準値よりも低い第2の基準値にして、それぞれパターン抽出を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
- 荷電粒子ビームを所定の露光量で照射して、レジスト層を複数のパターンに露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
基準露光量によって露光した場合の前記レジスト層の蓄積エネルギープロファイルに基づいて、前記各パターンの露光量を所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する第1の補正工程と、
当該補正した露光量によって露光した場合の前記蓄積エネルギープロファイルのパターンエッジ位置の傾きが、所定の基準値未満になるパターンを抽出し、当該抽出したパターンのサイズを減じるようパターン補正する第2の補正工程と、
当該パターン補正したパターンの前記蓄積エネルギープロファイルに基づいて、当該パターン補正したパターンの露光量を前記所望パターンサイズに対応可能な露光量に補正する第3の補正工程と、
前記第1、第3の補正工程で補正された露光量により前記パターン補正されたパターンサイズで露光を行う露光工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
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