JP2006024969A - 半導体記憶装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1に溝12が形成されている。素子分離領域16は、溝の側壁部分で溝の上部と一致された第1の部分及び前記溝の残りの部分で前記溝より突出し、第1の部分と同一材料により形成された第2の部分を有している。第1のゲート絶縁膜22上の電荷蓄積層7は、一部分が素子分離領域の前記第1の部分上にオーバーラップして第2の部分と自己整合的に形成され、第2の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。第2のゲート絶縁膜8は、電荷蓄積層の上面、及び第2の部分の上面に形成され、制御ゲート電極9は、第2のゲート絶縁膜8上に形成されている。
【選択図】 図22
Description
ここで、上記製造方法において、図5までの工程を上記参考例と同様に行った後、第二マスク層であるシリコン酸化膜4、第一絶縁膜であるCVDシリコン酸化膜5と第二絶縁膜であるシリコン窒化膜6が同一のエッチングレートになる条件で、第一マスク層である多結晶シリコン層3の上端部において終了するようにエッチングを行った後、図6に示される工程を省略し、図7の以下の工程を進めることが可能である。
ここで、参考例に係る製造方法においては、図4に示すように第一絶縁膜5を形成する前にフィールドI/Iを行ったが、その代りに先に第一絶縁膜5を形成し、溝12の底部が露出するように軽くエッチングした後、フィールドI/Iを行い(図12)、第二絶縁膜6を形成しても良い(図13)。
浮遊ゲート電極7間(浮遊ゲート側壁部)のシリコン窒化膜6をエッチングせずに、図10の構造の上にONO膜8を形成しても良い(図14)。
図22に、本発明の実施例に係るNAND型EEPROMの断面図を示す。本実施例は、参考例に比較して工程をさらに簡略化したものである。
ここで、図21の構造において、例えばCDE法により浮遊ゲート7側壁部のCVDシリコン酸化膜16をエッチングし、ONO膜8を形成した後に、コントロール・ゲート電極9を形成しても良い(図23)。
Claims (4)
- 半導体基板表面に設けた溝と、
前記溝を絶縁物で埋め込んで形成され、前記溝の側壁部分で溝の上部と一致された第1の部分及び前記溝の残りの部分で前記溝より突出し、第1の部分と同一材料により形成された第2の部分を有する素子分離領域と、
前記素子分離領域により互いに分離された素子領域と、
前記素子領域上に形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成され、一部分が前記素子分離領域の前記第1の部分上にオーバーラップして前記第2の部分と自己整合的に形成された、前記素子分離領域の前記第2の部分の上面と一致された平坦な上面を有する電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層の上面、及び前記第2の部分の上面に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 半導体基板表面に、熱酸化膜、所定の材料からなるマスク層を順次形成する第1の工程と、
素子形成領域以外の前記熱酸化膜及び前記マスク層を除去する第2の工程と、
前記素子形成領域上に残ったマスク層をマスクとし、前記第2の工程によって露出した半導体基板表面をエッチングして溝を形成する第3の工程と、
前記溝の底部から前記マスク層の上端面まで絶縁膜を堆積する第4の工程と、
前記溝から突出した部分の絶縁膜を残すように前記マスク層を除去して素子形成領域上に前記絶縁膜の開口部を形成する第5の工程と、
半導体基板表面に形成されている熱酸化膜をはく離する第6の工程と、
前記溝から突出した部分の絶縁膜を所望の量除去して前記開口部を素子形成領域両端の外側に素子形成領域に対して自己整合的に広げる第7の工程と、
半導体基板表面にゲート絶縁膜を形成する第8の工程と、
電荷蓄積層形成のための伝導性膜を形成する第9の工程と、
前記伝導性膜を前記絶縁膜の上端面が露出するまで除去し前記伝導性膜表面を平坦化する第10の工程と、
前記伝導性膜及び前記絶縁膜上に電極間絶縁膜を形成する第11の工程と、
前記電極間絶縁膜上に制御ゲート形成のための伝導性膜を形成する第12の工程と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第10の工程と前記第11の工程との間に、前記伝導性膜間の前記絶縁膜をエッチバックして前記伝導性膜の側壁の少なくとも一部分を露出させる工程を備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第7の工程と前記第8の工程との間に、前記半導体基板表面に熱酸化膜を形成した後、この熱酸化膜をはく離する工程を備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置の製造方法。
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