JP2006003277A - 半導体加速度センサ装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体加速度センサ装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ＭＥＭＳ（Micro-electromechanical systems）チップ内部と周囲をゲル材料で充填、覆い安価な樹脂パッケージ化する。
【解決手段】ダイパッド部４１上に固定された加速度センサチップ５０における錘部５２は、この周囲が低弾性のゲル状の樹脂部材６１で覆われているが、外部から加わる加速度に対しては容易に変異するので、加速度を正確に検出できる。しかも、加速度検出に必要な部分以外は樹脂部材６２で樹脂封止されているので、通常の樹脂パッケージと同等の長期信頼性が得られる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、樹脂封止タイプのパッケージ、特にＭＥＭＳ（Micro-electromechanical systems）、或いはＭＥＭＳと半導体回路チップを同一パッケージに実装したＭＣＰ（Multi Chip Package）を用いた半導体加速度センサ装置とその製造方法に関するものである。
近年、電子機器の小型・薄型化に伴い、センサや機構部品等をミクロンレベルの寸法で実現させるＭＥＭＳ技術に注目が集まっている。
図８（ａ）〜（ｃ）は、従来のＭＥＭＳパッケージを用いた半導体加速度センサ装置の構成例を示す断面図であり、同図（ａ）はシングルチップタイプ、同図（ｂ）はマルチチップタイプ（スタック（積み上げ）タイプ）、及び同図（ｃ）はマルチチップタイプ（横置きタイプ）を示す図である。
半導体加速度センサ装置のパッケージングには、通常、中空のセラミックパッケージが用いられる。例えば、図８（ａ）のシングルチップタイプでは、加速度センサチップ１０が中空のセラミックパッケージ２０内に収納されている。加速度センサチップ１０は、半導体製造プロセスをベースに、シリコンチップバルク部中心部にエッチングで錘部１１が形成されると共に、その錘部１１を支持するためにチップ表面にビーム部１２が十字状に４箇所形成されている。錘部１１と周りのシリコンの間は空隙１３になっており、チップに加速度が掛かるとビーム部１２に変形が生じ、このビーム部１２に形成された図示しないピエゾ素子で応力を検出し、加速度が得られる。又、許容量の加速度が掛かった場合はビーム部１２の歪みが破断強度を超えて破損するため、或一定以上の変異が生じないように、上面側はビーム部１２上方に、下面側には錘部１１の下に、それぞれストッパが形成されている。
このような加速度センサチップ１０は、セラミックパッケージ２０を構成するセラミックヘッダ２１上に固定され、その加速度センサチップ１０の電極パッドとセラミックヘッダ２１のポスト部とが、金属細線であるワイヤ１５により接続されている。セラミックパッケージ２０を構成するセラミックキャップ２２が、加速度センサチップ１０上から被せられてセラミックヘッダ２１上に固着されている。
中空のセラミックパッケージ２０を使用するのは、セラミックキャップ２２内の空隙２３を真空或いは気体等にし、加速度が掛かった場合に錘部１１に抗力が掛からない方が感度及び繰り返し精度が高いためである。なお、空隙１３中にオイルやゲルを充填した場合は、その粘弾性特性が安定していれば、それに合わせてチューニング（調整）することで実現できる。
このようなオイルやゲルを充填した関連技術としては、下記の特許文献１のような半導体圧力センサ装置が知られている。この半導体圧力センサ装置では、内蔵された半導体圧力センサチップを汚染から保護するために、その半導体圧力センサチップの外側を弾性を有する樹脂で覆っている。
特開平１０−１７０３８０号公報
図８（ｂ）のスタックタイプでは、加速度センサチップ１０の応力検出結果を信号処理して検出信号を生成する半導体回路チップ１６が、セラミックヘッダ２１上に固定され、その半導体回路チップ１６の電極パッドとセラミックヘッダ２１のポスト部とが、ワイヤ１７により接続されている。半導体回路チップ１６上には加速度センサチップ１０が固定され、その加速度センサチップ１０の電極パッドと半導体回路チップ１６の電極パッドとが、ワイヤ１５により接続されている。
図８（ｃ）の横置きタイプでは、加速度センサチップ１０と半導体回路チップ１６とがセラミックヘッダ２１上に固定され、これらの上からセラミックキャップ２２が被せられて気密封止されている。
しかしながら、従来のセラミックパッケージ２０を用いた半導体加速度センサ装置では、次の（１）〜（３）のような課題があった。
（１） 図８のようなセラミックパッケージ２０では、高価な部材費を用いるためにコスト高になる。更に、セラミックヘッダ２１とセラミックキャップ２２とを、低融点ガラスやソルダ（半田）等により気密封止する必要があるが、この気密封止のためには３６０°Ｃ以上（低融点ガラスでは４００°Ｃ以上）の高温処理が必要なため、図８（ｂ）、（ｃ）のように半導体回路チップ１６を同時にパッケージングする場合、この半導体回路チップ１６に特性変動が生じてしまう。
（２） ＭＣＰの場合、図８（ｂ）のスタックタイプでは、半導体回路チップ１６と加速度センサチップ１０とのチップ積層に有機材料の接着剤を用いた場合、製造工程上、セラミックヘッダ２１とセラミックキャップ２２との封止（接着）も樹脂でする必要が生じるため、長期寿命試験での耐湿の問題があった。これに対し、図８（ｃ）の横置きタイプでは、パッケージ２０が大きくなり、実装密度の点で満足の行くものとは言えなかった。
（３） 前記（１）及び（２）の問題を解決するために、特許文献１の技術を利用し、セラミックパッケージ２０に代えて、チップを樹脂封止することも考えられる。特許文献１では、図８（ｃ）に対応して、圧力センサチップと半導体回路チップとを横置きタイプにし、半導体回路チップ全体を樹脂封止して、外部に露出したチップ収納用凹部を有する樹脂パッケージを形成している。圧力センサチップは、外部からの応力を検出するために外部に露出させておく必要があることから、チップ収納用凹部に固定され、外部からの汚染を防止するために、その圧力センサチップの外側が、圧力伝達を妨げない弾性を有する保護用樹脂で被覆されている。
このような特許文献１の技術を利用し、例えば、図８（ｃ）の半導体回路チップ１６の全体を樹脂封止すると共に、加速度センサチップ１０の外側を弾性を有する樹脂で被覆した場合、加速度センサチップ１０箇所の耐湿性に問題があり、前記（１）及び（２）の問題を解決することが困難であった。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、ＭＥＭＳチップ内部と周囲をゲル材料で充填、覆い安価な樹脂パッケージ化することにより、長期信頼性を維持しつつ、安価で量産性に優れる半導体加速度センサ装置及びその製造方法を提供するものである。
前記課題を解決するために、本発明の半導体加速度センサ装置では、加速度センサチップと、弾性を有する第１の樹脂部材と、第２の樹脂部材とを備えている。ここで、前記加速度センサチップは、鍾部と、該錘部に一端を接続し可撓的に支持する支持部と、該支持部の他端を接続し該錘部を囲む台座部と、加速度により該支持部に生じる変形から応力を検出する応力検出素子とを有している。前記第１の樹脂部材は、前記錘部及び前記支持部を覆う部材である。更に、前記第２の樹脂部材は、前記第１の樹脂部材及び前記加速度センサチップを樹脂封止する部材である。
このような半導体加速度センサ装置の製造方法では、前記第１の樹脂部材を前記台座部に注入し、該第１の樹脂部材により前記支持部及び前記錘部を覆う工程と、前記第２の樹脂部材により前記第１の樹脂部材及び前記加速度センサチップを樹脂封止する工程とを有している。
本発明の他の半導体加速度センサ装置では、前記半導体加速度センサ装置において、前記加速度センサチップ上に搭載される蓋部と、前記第２の樹脂部材から露出する導電部を有する基板と、前記基板の前記導電部と電気的に接続し該基板に搭載される半導体回路チップと、前記半導体回路チップ上に設けられ、前記加速度センサチップと電気的に接続され前記蓋部が搭載された該加速度センサチップが搭載されるバンプ部とを備え、前記加速度センサチップは前記第１の樹脂部材を介して前記半導体回路チップと接続されている。
このような半導体加速度センサ装置の製造方法では、前記基板上に前記半導体回路チップを固定すると共に、該基板の前記導電部と該半導体回路チップとを電気的に接続する工程と、前記半導体回路チップ上に設けられた前記バンプ部上に前記台座部を固定して前記応力検出素子と該バンプ部とを電気的に接続する工程と、前記第１の樹脂部材を前記台座部に注入し、該台座部と前記半導体回路チップとの間を該第１の樹脂部材により覆うと共に、前記支持部及び前記錘部を該第１の樹脂部材により覆う工程と、前記蓋により前記台座部を閉塞した後、前記第１の樹脂部材、前記加速度センサチップ、前記蓋、及び前記基板における前記導電部以外の箇所を、前記第２の樹脂部材により樹脂封止する工程とを有している。
本発明の半導体加速度センサ装置によれば、加速度センサチップにおける錘部は、この周囲が弾性を有する第１の樹脂部材で覆われているが、外部から加わる加速度に対しては容易に変異するので、加速度を正確に検出できる。しかも、加速度検出に必要な部分以外は第２の樹脂部材で樹脂封止されているので、通常の樹脂パッケージと同等の長期信頼性が得られる。従って、従来の装置と比較して、安価で高量産性を期待できる。
本発明の半導体加速度センサ装置における製造方法によれば、比較的簡単な製造工程で、長期信頼性に優れる半導体加速度センサ装置を安価に量産できる。
本発明の他の半導体加速度センサ装置によれば、半導体回路チップ上に加速度センサチップを搭載したので、パッケージを小型化できる。
本発明の他の半導体加速度センサ装置における製造方法によれば、製造工程をより簡単化でき、長期信頼性に優れる半導体加速度センサ装置をより安価に量産できる。
本発明の半導体加速度センサ装置では、加速度センサチップと、弾性を有する第１の樹脂部材と、第２の樹脂部材とを備えている。前記加速度センサチップは、鍾部と、該錘部に一端を接続し可撓的に支持する支持部と、該支持部の他端を接続し該錘部を囲む台座部と、加速度により該支持部に生じる変形から応力を検出する応力検出素子とを有している。前記第１の樹脂部材は、前記錘部及び前記支持部を覆っている。前記第２の樹脂部材は、前記第１の樹脂部材及び前記加速度センサチップを樹脂封止している。
又、例えば、前記半導体加速度センサ装置において、第１領域と該第１領域を囲み前記加速度センサチップの前記台座部が上方に搭載された第２領域とを有する上面及び下面を有するダイパッド部と、前記ダイパッド部の前記上面の前記第１領域から前記下面に亘って形成された貫通孔とを有している。
このような半導体加速度センサ装置の製造方法では、例えば、前記ダイパッド部の前記上面における前記第２領域上に前記台座部を固定する工程と、前記第１の樹脂部材を、前記ダイパッド部の前記貫通孔を通して前記台座部に注入し、該第１の樹脂部材により前記支持部及び前記錘部を覆う工程と、前記第１の樹脂部材、前記加速度センサチップ、及び前記ダイパッド部を、前記第２の樹脂部材により樹脂封止する工程とを有している。
（構成）
図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例１を示すＱＦＮ（Quad Flat Nonlead；４方向平面引き出し端子）パッケージタイプの半導体加速度センサ装置の構成図であり、同図（ａ）は半導体加速度センサ装置の断面図、同図（ｂ）は半導体加速度センサ装置中の加速度センサチップの斜視図、同図（ｃ）は同図（ｂ）中のＡ１−Ａ２線断面の斜視図、同図（ｄ）は同図（ｂ）中のＢ１−Ｂ２線断面の２分割斜視図、同図（ｅ）は同図（ｂ）の平面図、及び同図（ｆ）は同図（ｅ）中のＣ１−Ｃ２線断面図である。
この半導体加速度センサ装置３０は、リードフレーム４０上に搭載されている。リードフレーム４０は、中央の第１領域に第１の貫通孔４１ａが形成された矩形の支持板であるダイパッド部４１を有し、このダイパッド部４１の周囲４方向に複数本のリード４２の導電部（例えば、ポスト部）４２ａが設けられている。ダイパッド部４１の下面側には、貫通孔４１ａを閉じるための蓋部４３が固着されている。ダイパッド部４１の上面における中央の第１領域を囲む第２領域には、外部から加えられる加速度を検出する加速度センサチップ５０が固着されている。
加速度センサチップ５０は、台座部（例えば、半導体チップであるシリコンチップ）５１を有し、このシリコンチップ５１の中心部には、半導体製造プロセスをベースにしてエッチングにより錘部５２が形成されると共に、この錘部５２を支持するためにシリコンチップ５１の上面に、支持部（例えば、ビーム部）５３が十字状に４箇所形成されている。錘部５２と周りのシリコンの間は空隙５４になっており、この空隙５４がシリコンチップ５１の上面に形成された第２の貫通孔５５に連通している。４箇所に設けられた各ビーム部５３には、応力検出素子（例えば、ピエゾ素子）５６がそれぞれ形成されている。ピエゾ素子５６は、加速度によりビーム部５３に応力が加わって変形が生じると、電気抵抗が変わり、この電気抵抗の変化から前記応力を検出する素子である。これらのピエゾ素子５６は、シリコンチップ５１の上面に設けられた複数個の電極パッド５７に電気的に接続されている。複数個の電極パッド５７は、複数個のポスト部４２ａにおける下面（第１の面）及び上面（第２の面）の内の上面に、ワイヤ５８により結線されている。
加速度センサチップ５０内の空隙５４には、ゲル状の第１の樹脂部材６１が充填され、更に、加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３がその樹脂部材６１により覆われている。ゲル状の第１の樹脂部材６１は、例えば、シリコーン樹脂等で形成されており、最初粘性を持つ液体であり、加熱（１５０°Ｃ程度）することによってゲル状の樹脂に変化するものである（例えば、弾性率１×１０−２ＭＰａ（＝１×１０−３ｋｇ／ｍｍ２）、粘度２Ｐａ・ｓ程度）。樹脂部材６１で覆われた加速度センサチップ５０の周り、及びワイヤ５８の接続箇所は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性の第２の樹脂部材６２により樹脂封止されている。
加速度センサチップ５０は、これに許容量の加速度が掛かった場合、ビーム部５３の歪みが破断強度を超えて破損するため、或一定以上の変異が生じないように、上面側はビーム部５３上方に、下面側は錘部５２の下に、それぞれストッパを形成することが望ましい。本実施例１では、ビーム部５３の上方がゲル状の樹脂部材６１を介して固体状の樹脂部材６２で覆われ、この樹脂部材６２がストッパ機能を有している。又、錘部５２の下には、ダイパッド部４１の第１領域が設けられ、この第１領域がストッパ機能を有している。なお、錘部５２の上下方向の長さが短く、ダイパッド部４１ではストッパとして不十分なときには、貫通孔を有するストッパ用スペーサを予めダイパッド部４１上に設置しておいても良い。
（動作）
半導体加速度センサ装置に加速度が加わると、錘部５２が動こうとする。錘部５２の周囲はゲル状の樹脂部材６１で覆われているが、このゲル状の樹脂部材６１は低弾性（固体は弾性が大きく、液体は弾性が小さい）のため、加速度のように瞬間的に加わる力に対しては流動抵抗が小さく、錘部５２が容易に変位する（圧力のように低速で加わる力に対しては、樹脂部材６１の粘性が大きく影響する）。そのため、外部から加わる加速度により、錘部５２を支持しているビーム部５３に変形が生じ、ピエゾ素子５６の電気抵抗が変化する。これにより、ビーム部５３に加えられた応力が検出され、この応力検出結果が電極パッド５７からワイヤ５８を介してポスト部４２ａへ出力される。ポスト部４２ａの下面に接続される半導体回路等に、予め加速度対変異（応力）の関係を調べて設定しておけば、加えられた加速度を正確に求めることができる。
（効果）
本実施例１では、 次の（１）〜（４）のような効果等がある。
（１） 加速度センサチップ５０における錘部５２及びビーム部５３は、この周囲が低弾性のゲル状の樹脂部材６１で覆われているが、外部から加わる加速度に対しては容易に変異するので、加速度を正確に検出できる。しかも、加速度検出に必要な部分以外は樹脂部材６２で封止されているので、通常の樹脂パッケージと同等の長期信頼性が得られる。従って、従来の装置と比較して、安価で高量産性を期待できる。
（２） 錘部５２及びビーム部５３の上下の変位を、上方の樹脂部材６２と下方のダイパッド部４１とにより規制しているので、わざわざ上下変位規制用のストッパを設ける必要がなく、構造が簡単になる。なお、錘部５２が短く、ダイパッド部４１ではストッパとして不十分なときには、貫通孔を有するストッパ用スペーサを予めダイパッド部４１上に設置しておけば良い。
（３） 空隙５４内に充填されたゲル状の樹脂部材６１の粘度を適正に設定してダイパッド部４１の貫通孔４１ａから漏れない工夫をすれば、蓋部４３を省略できる。これにより、構造をより簡単化できる。
（４） 図１ではＱＦＮパッケージタイプについて説明したが、本実施例１は樹脂パッケージ全般に適用できる。
（製造方法例）
図２（ａ）〜（ｄ）は、図１の半導体加速度センサ装置３０における実施例２の製造方法例を示す製造工程図である。
この半導体加速度センサ装置３０では、例えば、次の（１）〜（４）のような工程によって製造される。
（１） 図２（ａ）の工程
予め図１の加速度センサチップ５０を製造しておく。リードフレーム４０において、リード４２により複数個連結されたダイパッド部４１上に、加速度センサチップ５０を位置決めし、この加速度センサチップ５０の下面をダイパッド部４１の表面にそれぞれ接着剤等によりダイスボンド（固着）する。なお、錘部５２が短く、ダイパッド部４１ではストッパとして不十分なときには、貫通孔を有するストッパ用スペーサを予めダイパッド部４１上に設置しておけば良い。次に、各加速度センサチップ５０の上面の電極パッド５７と、リードフレーム４０の各ポスト部４２ａとを、ワイヤ５８によりそれぞれワイヤボンド（結線）した後、図２（ａ）に示すように、リードフレーム４０の上下を逆にする。
（２） 図２（ｂ）の工程
各ダイパッド部４１の中央の貫通孔４１ａと樹脂注入用のニードル（needle；針）６３との位置を合わせ、このニードル６３から粘性を持つ液体状の樹脂（例えば、熱硬化性のシリコーン樹脂等）６１ａを各貫通孔４１ａにそれぞれ注入する。貫通孔４１ａに注入された樹脂６１ａは、加速度センサチップ５０の空隙５４内に充填されると共に、貫通孔５５を通して加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３を覆う。
（３） 図２（ｃ）の工程
各加速度センサチップ５０の空隙５４内に樹脂６１ａが充填されると共に、各加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３が樹脂６１ａで覆われた後、各ダイパッド部４１の貫通孔４１ａに蓋部４３を固着する。又、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）を行い、液体状の樹脂６１ａを硬化させてゲル状の樹脂部材６１に変える。
（４） 図２（ｄ）の工程
リードフレーム４０を反転して元に戻す。加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３を覆う樹脂部材６１の被覆量が不足している場合には、必要に応じて、加速度センサチップ５０の上面側からも液体状の樹脂６１ａを供給し、加熱処理により硬化させてゲル状の樹脂部材６１に変え、ビーム部５３上の被覆を完成させる。
その後、通常の樹脂パッケージと同様に、トランスファモールド等により、各加速度センサチップ５０の周囲を樹脂部材６２で樹脂封止し、リード４２の切断等のリード加工と、ポスト部４２ａの鍍金等の表面処理を施せば、図１の半導体加速度センサ装置３０の製造が完了する。
（効果）
本実施例２では、 次の（１）〜（３）のような効果等がある。
（１） 加速度センサチップ５０の錘部５２及びビーム部５３をゲル状の樹脂部材６１で覆った後、これらの周囲から樹脂部材６２で樹脂封止するようにしたので、比較的簡単な工程で、長期信頼性に優れる半導体加速度センサ装置３０を安価に量産できる。
（２） 空隙５４内に充填されたゲル状の樹脂部材６１の粘度を適正に設定してダイパッド部４１の貫通孔４１ａから漏れない工夫をすれば、蓋部４３を省略できる。これにより、製造工程を簡略化できる。
（３） 粘性を持つ液体状の樹脂６１ａとして、熱硬化性のシリコーン樹脂等を使用したが、非熱硬化性のシリコーン樹脂等を使用する場合には、加熱処理に代えて所定時間放置してゲル状に硬化させれば良い。又、樹脂６１ａとして、当初からゲル状の樹脂を使用する場合には、図２（ｂ）の工程において、加速度センサチップ５０の空隙５４内に充填する際に、貫通孔５５を通して加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３を完全に覆うことが難しくなるので、次の図２（ｃ）の工程において、加速度センサチップ５０の上面側から樹脂６１ａを供給することが必要になる。
（製造方法例）
図３（ａ）〜（ｄ）は、図１の半導体加速度センサ装置３０における実施例３の製造方法例を示す製造工程図である。
この半導体加速度センサ装置３０の製造方法は、実施例２の製造方法と類似しており、例えば、次の（１）〜（４）のような工程によって製造される。
（１） 図３（ａ）の工程
図２（ａ）と同様に、リードフレーム４０のダイパッド部４１上に加速度センサチップ５０をダイスボンドし、この加速度センサチップ５０の電極パッド５７とリードフレーム４０のポスト部４２ａとをワイヤ５８によりワイヤボンドした後、図３（ａ）に示すように、リードフレーム４０の上下を逆にする。
（２） 図３（ｂ）の工程
各ダイパッド部４１の中央の貫通孔４１ａと樹脂注入用のニードル６３との位置を合わせ、このニードル６３から粘性を持つ液体状の樹脂（例えば、熱硬化性のシリコーン樹脂等）６１ａを、加速度センサチップ５０の上面側が浸かる程度の量だけ、各貫通孔４１ａにそれぞれ注入する。すると、貫通孔４１ａに注入された樹脂６１ａは、加速度センサチップ５０の貫通孔５５を通して上面側のビーム部５３を覆う。次に、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）し、ビーム部５３を覆う樹脂６１ａをゲル化する。
（３） 図３（ｃ）の工程
再度、各ダイパッド部４１の貫通孔４１ａから液体状の樹脂６１ａを注入し、各加速度センサチップ５０の空隙５４を樹脂６１ａで満たす。その後、各ダイパッド部４１の貫通孔４１ａに蓋部４３を固着する。又、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）を行い、各空隙５４内の樹脂６１ａをゲル化する。これにより、各加速度センサチップ５０の錘部５２及びビーム部５３がゲル状の樹脂部材６１で覆われる。
（４） 図３（ｄ）の工程
リードフレーム４０を反転して元に戻した後、通常の樹脂パッケージと同様に、トランスファモールド等により、各加速度センサチップ５０の周囲を樹脂部材６２で樹脂封止し、リード４２の切断等のリード加工と、ポスト部４２ａの鍍金等の表面処理を施せば、図１の半導体加速度センサ装置３０の製造が完了する。
（効果）
本実施例３では、 次の（１）及び（２）のような効果等がある。
（１） 樹脂６１ａの注入を２段階に分けて行い、第１段階の樹脂注入により、加速度センサチップ５０のビーム部５３をゲル状の樹脂部材６１で覆った後、第２段階の樹脂注入により、錘部５２をゲル状の樹脂部材６１で覆うようにしたので、リードフレーム４０を裏返したまま２段階の樹脂注入を連続的に行うことができ、樹脂部材６１の被覆処理を効率良く行うことができる。
（２） 実施例２と同様に、空隙５４内に充填されたゲル状の樹脂部材６１の粘度を適正に設定してダイパッド部４１の貫通孔４１ａから漏れない工夫をすれば、蓋部４３を省略できる。これにより、製造工程を簡略化できる。
（構成・動作）
図４は、本発明の実施例４を示すＳＯＮ（Small Outline Nonlead；小型引き出し端子）パッケージタイプの半導体加速度センサ装置の断面図であり、実施例１を示す図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この半導体加速度センサ装置３０Ａは、基板（例えば、配線基板）７０上に搭載されている。配線基板７０は、上面に複数個のポスト部７１が設けられ、下面に複数個の導電部７２が設けられ、これらのポスト部７１と導電部７２とが、図示しないスルーホール等によって相互に接続されている。配線基板７０のポスト部７１上には、図１と同様の加速度センサチップ５０がフリップチップボンドで接合されている。即ち、加速度センサチップ５０の上面側に設けられた複数個の電極パッド５７上には、これらと電気的に接続されているバンプ５９がそれぞれ形成され、これらのバンプ５９が、配線基板７０のポスト部７１上に載置されて機械的及び電気的に接続されている。
加速度センサチップ５０の空隙５４内には、ゲル状のシリコーン樹脂等の樹脂部材６１が充填されると共に、その加速度センサチップ５０の上面側と配線基板７０の上面側との間の空隙にも、ゲル状の樹脂部材６１が充填されている。加速度センサチップ５０の下面には、空隙５４を閉塞するための蓋４４が固着されている。これらの加速度センサチップ５０の周囲は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性の樹脂部材６２により樹脂封止されている。
本実施例４では、配線基板７０が、加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３に対する下方のストッパ機能を果たし、蓋４４が、加速度センサチップ５０の錘部５２に対する上方のストッパ機能を果たしている。なお、錘部５２の上下方向の長さが短く、蓋４４ではストッパとして不十分なときには、絞り加工等によって蓋４４の中央部を凹状に突出させたり、或いは、蓋４４の上面にストッパ用のスペーサを貼り合わせる等しておいても良い。
このような構成の半導体加速度センサ装置３０Ａにおける動作は、実施例１とほぼ同様に、外部から加速度が加わり、錘部５２が動こうとした場合、この周囲を覆っているゲル状の樹脂部材６１が低弾性のために容易に変異が生じ、それをビーム部５３のピエゾ素子５６で検出できる。ピエゾ素子５６の検出結果は、電極パッド５７及びバンプ５９を介して配線基板７０側のポスト部７１へ送られ、導電部７２から出力される。そのため、配線基板７０に接続された半導体回路等に、予め加速度対変異（応力）の関係を調べて設定しておけば、加えられた加速度を正確に求めることができる。
（製造方法例）
本実施例４の半導体加速度センサ装置３０Ａでは、例えば、次の（ａ）〜（ｃ）のような工程によって製造される。
（ａ） 第１の工程
配線基板７０に形成された複数個のポスト部７１上に、予め製造しておいた加速度センサチップ５０の上面側を位置決めし、この加速度センサチップ５０の上面側に設けられた複数個のバンプ５９を、配線基板７０側の複数個のポスト部７１上にフリップチップボンドで接合する。
（ｂ） 第２の工程
粘性を持つ液体状の樹脂（例えば、熱硬化性のシリコーン樹脂等）６１ａを、加速度センサチップ５０の空隙５４内に注入し、貫通孔５５を通してこの加速度センサチップ５０の上面側と配線基板７０の上面側との間の空隙に樹脂６１ａを充填してビーム部５３を覆うと共に、空隙５４内を樹脂６１ａで満たす。その後、加速度センサチップ５０の下面に蓋４４を固着して空隙５４を閉塞する。又、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）を行い、液体状の樹脂６１ａを硬化させてゲル状の樹脂部材６１に変える。
（ｃ） 第３の工程
通常の樹脂パッケージと同様に、トランスファモールド等により、加速度センサチップ５０の周囲を樹脂部材６２で樹脂封止等すれば、図４の半導体加速度センサ装置３０Ａの製造が完了する。
（効果）
本実施例４では、次の（１）〜（５）のような効果等がある。
（１） 実施例１とほぼ同様に、加速度センサチップ５０における錘部５２は、この周囲が低弾性のゲル状の樹脂部材６１で覆われているが、外部から加わる加速度に対しては容易に変異するので、加速度を正確に検出できる。しかも、加速度検出に必要な部分以外は樹脂部材６２で封止されているので、通常の樹脂パッケージと同等の長期信頼性が得られる。
（２） 錘部５２及びビーム部５３の上下の変位を、上方の蓋４４と下方の配線基板７０とにより規制しているので、わざわざ上下変位規制用のストッパを設ける必要がなく、構造が簡単になる。なお、錘部５２が短く、蓋４４ではストッパとして不十分なときには、この蓋４４の中央部を凹状に突出させたり、或いは、蓋４４の下面にストッパ用のスペーサを貼り合わせる等しておけば良い。
（３） 加速度センサチップ５０を配線基板７０にフリップチップボンドで接合し、その加速度センサチップ５０内の空隙５４と、加速度センサチップ５０の上面と配線基板７０の上面との間の空隙とを、ゲル状の樹脂部材６１で充填した後、これらの周囲を樹脂部材６２で樹脂封止したので、実施例１に比べてパッケージの小型化が期待でき、しかも、製造工程をより簡単化でき、長期信頼性に優れる半導体加速度センサ装置３０Ａをより安価に量産できる。
（４） 図４の他の製造方法として、図３（ｂ）、（ｃ）とほぼ同様に、液体状の樹脂６１ａの注入を２段階に分けて行い、第１段階の樹脂注入により、加速度センサチップ５０の上面と配線基板７０の上面との間の空隙を樹脂６１ａで充填し、加熱処理してゲル状の樹脂部材６１に変えた後、第２段階の樹脂注入により、空隙５４内を液体状の樹脂６１ａで満たし、加熱処理してゲル状の樹脂部材６１に変えるようにしても良い。
（５） 図４ではＳＯＮパッケージタイプについて説明したが、本実施例４は樹脂パッケージ全般に適用できる。
（構成・動作）
図５は、本発明の実施例５を示すＳＯＮパッケージタイプの半導体加速度センサ装置の断面図であり、実施例４を示す図４中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この半導体加速度センサ装置３０Ｂでは、図４におけるゲル状の樹脂部材６１の粘度特性を適正化することにより（即ち、粘度を変えることにより）、蓋４４を省略した構成になっている。その他の構成は、図４の実施例４と同様である。
このような構成の半導体加速度センサ装置３０Ｂにおける動作は、実施例４と同様に、外部から加速度が加わり、錘部５２が動こうとした場合、この周囲を覆っているゲル状の樹脂部材６１が低弾性のために容易に変異が生じ、それをビーム部５３のピエゾ素子５６で検出できる。加速度が加わって錘部５２が加速度センサチップ５０の下面側（図５の上方）に変異した場合でも、固体状の樹脂部材６２がストッパになって破損を防止できる。
（製造方法例）
本実施例５の半導体加速度センサ装置３０Ｂでは、例えば、次の（ａ）〜（ｃ）のような工程によって製造される。
（ａ） 第１の工程
配線基板７０の複数個のポスト部７１上に、加速度センサチップ５０を位置決めし、この加速度センサチップ５０の上面側の複数個のバンプ５９を、配線基板７０側の複数個のポスト部７１上にフリップチップボンドで接合する。
（ｂ） 第２の工程
粘性を持つ液体状の樹脂（例えば、粘度の少し大きな熱硬化性のシリコーン樹脂等）６１ａを、加速度センサチップ５０の空隙５４内に注入し、貫通孔５５を通してこの加速度センサチップ５０の上面側と配線基板７０の上面側との間の空隙に樹脂６１ａを充填してビーム部５３を覆うと共に、空隙５４内を樹脂６１ａで満たす。その後、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）を行い、液体状の樹脂６１ａを硬化させてゲル状の樹脂部材６１に変える。
（ｃ） 第３の工程
通常の樹脂パッケージと同様に、トランスファモールド等により、加速度センサチップ５０の周囲を樹脂部材６２で樹脂封止等すれば、図５の半導体加速度センサ装置３０Ｂの製造が完了する。
（効果）
本実施例５では、実施例４の効果等の（１）、（３）〜（５）とほぼ同様の効果等がある他に、更に次の（ｉ）及び（ｉｉ）のような効果等もある。
（ｉ） ゲル状の樹脂部材６１の粘度特性を適正化し（即ち、粘度を変えることにより）、加速度センサチップ５０の周囲から漏れないようにすることによって蓋４４を不要としたので、実施例４に比べて構造及び製造工程をより簡略化でき、より安価に提供できる。
（ｉｉ） 錘部５２及びビーム部５３の上下の変位を、上方の樹脂部材６２と下方の配線基板７０とにより規制しているので、わざわざ上下変位規制用のストッパを設ける必要がなく、構造がより簡単になる。
（構成）
図６は、本発明の実施例６を示すＭＣＰタイプの半導体加速度センサ装置の断面図であり、実施例４を示す図４中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この半導体加速度センサ装置３０Ｃは、例えば、図４の半導体加速度センサ装置３０Ａ内に、加速度センサチップ５０の応力検出結果を信号処理して検出信号を生成する半導体回路チップ８０を設け、この半導体回路チップ８０を加速度センサチップ５０上に積み上げて樹脂封止したＭＣＰタイプの装置である。
上面に複数個のポスト部７１及び下面に複数個の導電部７２を有する配線基板７０の上面には、半導体回路チップ８０がダイボンディングされている。半導体回路チップ８０の上面の周縁には、複数個の電極パッド８１が設けられ、更に、これらの電極パッド８１の内側に、複数個の搭載用パッド部８２が設けられている。複数個の電極パッド８１は、配線基板７０側の複数個のポスト部７１にワイヤ８３でワイヤボンドされている。複数個のパッド部８２上には、図４と同様の加速度センサチップ５０がフリップチップボンドで接合されている。即ち、加速度センサチップ５０の上面側に設けられた複数個の電極パッド５７上には、これらと電気的に接続されているバンプ５９がそれぞれ形成され、これらのバンプ５９が、半導体回路チップ８０のパッド部８２上に載置されて機械的及び電気的に接続されている。
加速度センサチップ５０の空隙５４内には、ゲル状のシリコーン樹脂等の樹脂部材６１が充填されると共に、その加速度センサチップ５０の上面側と半導体回路チップ８０の上面側との間の空隙にも、ゲル状の樹脂部材６１が充填されている。加速度センサチップ５０の下面には、空隙５４を閉塞するための蓋４４が固着されている。これらの加速度センサチップ５０及び半導体回路チップ８０の周囲は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性の樹脂部材６２により樹脂封止されている。
本実施例６では、半導体回路チップ８０の上面側が、加速度センサチップ５０の上面側のビーム部５３に対する下方のストッパ機能を果たし、蓋４４が、加速度センサチップ５０の錘部５２に対する上方のストッパ機能を果たしている。なお、錘部５２の上下方向の長さが短く、蓋４４ではストッパとして不十分なときには、絞り加工等によって蓋４４の中央部を凹状に突出させたり、或いは、蓋４４の下面にストッパ用のスペーサを貼り合わせる等しておいても良い。
（動作）
半導体加速度センサ装置３０Ｃに加速度が加わり、錘部５２が動こうとした場合、この周囲を覆っているゲル状の樹脂部材６１が低弾性のために容易に変異が生じ、それをビーム部５３のピエゾ素子５６が検出し、この検出結果が電極パッド５７及びバンプ５９を介して半導体回路チップ８０側のパッド部８２へ出力される。半導体回路チップ８０では、予め加速度対変異（応力）の関係が設定されており、加速度センサチップ５０からの応力検出結果を信号処理して加速度検出信号を生成する。この応力検出信号は、電極パッド８１及びワイヤ８３を介して配線基板７０側のポスト部７１へ送られ、導電部７２から出力される。
（製造方法例）
本実施例６の半導体加速度センサ装置３０Ｃでは、例えば、次の（ａ）〜（ｄ）のような工程によって製造される。
（ａ） 第１の工程
予め製造しておいた半導体回路チップ８０の下面を位置決めして、配線基板７０上にダイボンディングする。半導体回路チップ８０の上面側に形成された複数個の電極パッド８１と、回路基板７０の上面側に形成された複数個のポスト部７１とを、ワイヤ８３によりワイヤボンドする。
（ｂ） 第２の工程
半導体回路チップ８０の上面側に形成された複数個の搭載用パット部８２上に、予め製造しておいた加速度センサチップ５０の下面側を位置決めし、この加速度センサチップ５０の上面側の複数個の電極パッド５７上にそれぞれ形成された複数個のバンプ５９を、半導体回路チップ８０側の複数個のパッド部８２上にフリップチップボンドで接合する。なお、このフリップチップボンド後に、前記第１の工程におけるワイヤ８３のワイヤボンドを行っても良い。
（ｃ） 第３の工程
粘性を持つ液体状の樹脂（例えば、熱硬化性のシリコーン樹脂等）６１ａを、加速度センサチップ５０の空隙５４内に注入し、貫通孔５５を通してこの加速度センサチップ５０の上面側と半導体回路チップ８０の上面側との間の空隙に樹脂６１ａを充填してビーム部５３を覆うと共に、空隙５４内を樹脂６１ａで満たす。その後、加速度センサチップ５０の下面に蓋４４を固着して空隙５４を閉塞する。又、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）を行い、液体状の樹脂６１ａを硬化させてゲル状の樹脂部材６１に変える。
（ｄ） 第４の工程
通常の樹脂パッケージと同様に、トランスファモールド等により、加速度センサチップ５０及び半導体回路チップ８０の周囲を樹脂部材６２で樹脂封止等すれば、図６の半導体加速度センサ装置３０Ｃの製造が完了する。
（効果）
本実施例６では、実施例４の効果等の（１）、（２）及び（５）とほぼ同様の効果等がある他に、更に次の（ｉ）及び（ｉｉ）のような効果等もある。
（ｉ） 配線基板７０上に固定した半導体回路チップ８０の上に、加速度センサチップ５０をフリップチップボンドで接合し、その加速度センサチップ５０内の空隙５４と、加速度センサチップ５０の上面と半導体回路チップ８０の上面との間の空隙とを、ゲル状の樹脂部材６１で充填した後、これらの周囲を樹脂部材６２で樹脂封止したので、加速度センサチップ５０と半導体回路チップ８０からなるＭＣＰを、安価に、又低温プロセスで提供することができる。
（ｉｉ） 図６の他の製造方法として、図３（ｂ）、（ｃ）とほぼ同様に、液体状の樹脂６１ａの注入を２段階に分けて行い、第１段階の樹脂注入により、加速度センサチップ５０の上面と半導体回路チップ８０の上面との間の空隙を樹脂６１ａで充填し、加熱処理してゲル状の樹脂部材６１に変えた後、第２段階の樹脂注入により、空隙５４内を液体状の樹脂６１ａで満たし、加熱処理してゲル状の樹脂部材６１に変えるようにしても良い。
（構成・動作）
図７は、本発明の実施例７を示すＭＣＰタイプの半導体加速度センサ装置の断面図であり、実施例６を示す図６中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この半導体加速度センサ装置３０Ｄでは、図６におけるゲル状の樹脂部材６１の粘度特性を適正化することにより（即ち、粘度を変えることにより）、蓋４４を省略した構成になっている。その他の構成は、図６の実施例６と同様である。
このような構成の半導体加速度センサ装置３０Ｄにおける動作は、実施例６と同様に、外部から加速度が加わり、錘部５２が動こうとした場合、この周囲を覆っているゲル状の樹脂部材６１が低弾性のために容易に変異が生じ、これがビーム部５３のピエゾ素子５６で検出される。この検出結果から、半導体回路チップ８０により加速度検出信号が生成され、配線基板７０側のポスト部７１へ送られ、導電部７２から出力される。なお、加速度が加わって錘部５２が加速度センサチップ５０の下面側（図７の上方）に変異した場合でも、固体状の樹脂部材６２がストッパになって破損を防止できる。
（製造方法例）
本実施例７の半導体加速度センサ装置３０Ｄでは、例えば、次の（ａ）〜（ｄ）のような工程によって製造される。
（ａ） 第１の工程
半導体回路チップ８０の底面を位置決めして、配線基板７０上にダイスボンドする。半導体回路チップ８０の上面側の複数個の電極パッド８１と、配線基板７０の上面側の複数個のポスト部７１とを、ワイヤ８３によりワイヤボンドする。
（ｂ） 第２の工程
半導体回路チップ８０の上面側の複数個の搭載用パット部８２上に、加速度センサチップ５０の上面側を位置決めし、この加速度センサチップ５０の上面側の複数個の電極パッド５７上にそれぞれ形成された複数個のバンプ５９を、半導体回路チップ８０側の複数個のパッド部８２上にフリップチップボンドで接合する。なお、このフリップチップボンド後に、前記第１の工程におけるワイヤ８３のワイヤボンドを行っても良い。
（ｃ） 第３の工程
粘性を持つ液体状の樹脂（例えば、熱硬化性のシリコーン樹脂等）６１ａを、加速度センサチップ５０の空隙５４内に注入し、貫通孔５５を通してこの加速度センサチップ５０の上面側と半導体回路チップ８０の上面側との間の空隙に樹脂６１ａを充填してビーム部５３を覆うと共に、空隙５４内を樹脂６１ａで満たす。その後、加熱処理（例えば、１５０°Ｃ程度）を行い、液体状の樹脂６１ａを硬化させてゲル状の樹脂部材６１に変える。
（ｄ） 第４の工程
通常の樹脂パッケージと同様に、トランスファモールド等により、加速度センサチップ５０及び半導体回路チップ８０の周囲を樹脂部材６２で樹脂封止等すれば、図７の半導体加速度センサ装置３０Ｄの製造が完了する。
（効果）
本実施例７では、実施例４の効果等の（１）、（２）、（５）、及び実施例６の効果等の（ｉ）とほぼ同様の効果等がある他に、更に次の（Ｉ）及び（ＩＩ）のような効果等もある。
（Ｉ） ゲル状の樹脂部材６１の粘度特性を適正化し（即ち、粘度を変えることにより）、加速度センサチップ５０の周囲から漏れないようにすることによって蓋４４を不要としたので、実施例６に比べて構造及び製造工程をより簡略化でき、より安価に提供できる。
（ＩＩ） 図７の他の製造方法として、図３（ｂ）、（ｃ）とほぼ同様に、液体状の樹脂６１ａの注入を２段階に分けて行い、第１段階の樹脂注入により、加速度センサチップ５０の上面と半導体回路チップ８０の上面との間の空隙を樹脂６１ａで充填し、加熱処理してゲル状の樹脂部材６１に変えた後、第２段階の樹脂注入により、空隙５４内を液体状の樹脂６１ａで満たし、加熱処理してゲル状の樹脂部材６１に変えるようにしても良い。
本発明では、半導体加速度センサ装置及びその製造方法について説明したが、加速度センサチップに代えて他のセンサチップを搭載した種々の半導体センサ装置等にも利用できる。
本発明の実施例１を示すＱＦＮパッケージタイプの半導体加速度センサ装置の構成図である。 図１の半導体加速度センサ装置における実施例２の製造方法を示す製造工程図である。 図１の半導体加速度センサ装置における実施例３の製造方法を示す製造工程図である。 本発明の実施例４を示すＳＯＮパッケージタイプの半導体加速度センサ装置の断面図である。 本発明の実施例５を示すＳＯＮパッケージタイプの半導体加速度センサ装置の断面図である。 本発明の実施例６を示すＭＣＰタイプの半導体加速度センサ装置の断面図である。 本発明の実施例７を示すＭＣＰタイプの半導体加速度センサ装置の断面図である。 従来のＭＥＭＳパッケージを用いた半導体加速度センサ装置の断面図である。
符号の説明
３０，３０Ａ〜３０Ｄ 半導体加速度センサ装置
４０ リードフレーム
４１ ダイパッド部
４１ａ，５５ 貫通孔
４２ リード
４２ａ ポスト部
４３ 蓋部
４４ 蓋
５０ 加速度センサチップ
５１ シリコンチップ
５２ 錘部
５３ ビーム部
５４ 空隙
５６ ピエゾ素子
５７，８１ 電極パッド
５８，８３ ワイヤ
５９ バンプ
６１，６２ 樹脂部材
６１ａ 樹脂
７０ 配線基板
７１ ポスト部
７２ 導電部
８０ 半導体回路チップ
８１ 電極パッド
８２ パッド部

Claims (13)

  1. 鍾部と、該錘部に一端を接続し可撓的に支持する支持部と、該支持部の他端を接続し該錘部を囲む台座部と、加速度により該支持部に生じる変形から応力を検出する応力検出素子とを有する加速度センサチップと、
    前記錘部及び前記支持部を覆い、弾性を有する第１の樹脂部材と、
    前記第１の樹脂部材及び前記加速度センサチップを樹脂封止する第２の樹脂部材と、
    を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  2. 請求項１に記載の半導体加速度センサ装置において、
    第１領域と該第１領域を囲み前記加速度センサチップの前記台座部が上方に搭載された第２領域とを有する上面及び下面を有するダイパッド部と、
    前記ダイパッド部の前記上面の前記第１領域から前記下面に亘って形成された貫通孔と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  3. 請求項２に記載の半導体加速度センサ装置において、
    前記ダイパッド部に形成された前記貫通孔を完全に覆い、前記第２の樹脂部材によって覆われる蓋部を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  4. 請求項２に記載の半導体加速度センサ装置において、
    前記第２の樹脂部材から露出する第１の面を有し前記ダイパッド部の周辺に該ダイパッド部と離間して配置された導電部と、
    前記応力検出素子と前記導電部とを電気的に接続するワイヤとを有することを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  5. 請求項１に記載の半導体加速度センサ装置であって、
    前記加速度センサチップ上に搭載される蓋と、
    前記第２の樹脂部材から露出する導電部を有する基板と、
    前記基板上に設けられ、前記加速度センサチップと電気的に接続され前記蓋が搭載された該加速度センサチップが搭載されるパンプ部とを備え、
    前記加速度センサチップは前記第１の樹脂部材を介して前記基板と接続されることを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  6. 請求項１に記載の半導体加速度センサ装置であって、
    前記加速度センサチップ上に搭載される蓋部と、
    前記第２の樹脂部材から露出する導電部を有する基板と、
    前記基板の前記導電部と電気的に接続し該基板に搭載される半導体回路チップと、
    前記半導体回路チップ上に設けられ、前記加速度センサチップと電気的に接続され前記蓋部が搭載された該加速度センサチップが搭載されるバンプ部とを備え、
    前記加速度センサチップは前記第１の樹脂部材を介して前記半導体回路チップと接続されることを特徴とする半導体加速度センサ装置。
  7. 鍾部と、該錘部に一端を接続し可撓的に支持する支持部と、該支持部の他端を接続し該錘部を囲む台座部と、加速度により該支持部に生じる変形から応力を検出する応力検出素子とを有する加速度センサチップを準備する工程と、
    前記支持部及び前記錘部を覆うように、弾性を有する第１の樹脂部材を注入する工程と、
    前記第２の樹脂部材によって前記第１の樹脂部材及び前記加速度センサチップを覆うように樹脂封止する工程と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
  8. 請求項７に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法において、
    第１領域と該第１領域を囲み前記加速度センサチップの前記台座部が上方に搭載される第２領域とを有する上面及び下面を有するダイパッド部であって、該ダイパッド部の該上面の前記第１領域から該下面に亘って形成された貫通孔を有するダイパッド部を準備する工程と、
    前記ダイパッド部の前記第２領域上に前記台座部を固定する工程と、
    前記第１の樹脂部材を、前記ダイパッド部の前記貫通孔を通して前記台座部に注入し、該第１の樹脂部材により前記支持部及び前記錘部を覆う工程と、
    前記第１の樹脂部材と前記加速度センサチップと前記ダイパッド部を、前記第２の樹脂部材によって樹脂封止する工程と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
  9. 請求項８に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法において、
    前記ダイパッド部に形成された前記貫通孔を完全に覆う蓋部を準備する工程と、
    前記蓋部により前記貫通孔を閉塞した後、前記第１の樹脂部材と前記加速度センサチップと前記ダイパッド部と前記蓋部とを前記第２の樹脂部材により樹脂封止する工程と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
  10. 請求項８に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法において、
    第１の面を有し前記ダイパッド部の周辺に該ダイパッド部と離間して配置される導電部を準備する工程と、
    前記導電部と前記加速度センサチップの前記応力検出素子とをワイヤにより電気的に接続する工程と、
    前記導電部の前記第１の面を露出するように前記第１の樹脂部材と前記加速度センサチップと前記ダイパッド部と前記ワイヤと前記導電部とを前記第２の樹脂部材により樹脂封止する工程と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
  11. 請求項７に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法において、
    前記加速度センサチップ上に搭載される蓋と、前記第２の樹脂部材から露出する導電部を有する基板であって、該基板上に設けられ、前記加速度センサチップと電気的に接続されるパンプ部を備えた基板とを準備する工程と、
    前記基板上に設けられた前記バンプ部上に前記台座部を固定して前記応力検出素子と該バンプ部とを電気的に接続する工程と、
    前記第１の樹脂部材を前記台座部に注入し、該台座部と前記基板との間を該第１の樹脂部材により覆うと共に、前記支持部及び前記錘部を該第１の樹脂部材により覆う工程と、
    前記蓋により前記台座部を閉塞した後、前記第１の樹脂部材と前記加速度センサチップと前記蓋と前記基板における前記導電部以外の箇所とを前記第２の樹脂部材により樹脂封止する工程と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
  12. 請求項７に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法において、
    前記加速度センサチップ上に搭載される蓋部と、前記第２の樹脂部材から露出する導電部を有する基板と、前記基板の前記導電部と電気的に接続し該基板に搭載される半導体回路チップであって、該半導体回路チップ上に設けられ前記加速度センサチップと電気的に接続されるバンプ部を備えた半導体回路チップとを準備する工程と、
    前記基板上に前記半導体回路チップを固定すると共に、該基板の前記導電部と該半導体回路チップとを電気的に接続する工程と、
    前記半導体回路チップ上に設けられた前記バンプ部上に前記台座部を固定して前記応力検出素子と該バンプ部とを電気的に接続する工程と、
    前記第１の樹脂部材を前記台座部に注入し、該台座部と前記半導体回路チップとの間を該第１の樹脂部材により覆うと共に、前記支持部及び前記錘部を該第１の樹脂部材により覆う工程と、
    前記蓋により前記台座部を閉塞した後、前記第１の樹脂部材と前記加速度センサチップと前記蓋と前記基板における前記導電部以外の箇所を、前記第２の樹脂部材により樹脂封止する工程と、
    を有することを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
  13. 請求項７〜１２のいずれか１項に記載の半導体加速度センサ装置の製造方法において、
    前記第１の樹脂部材を前記台座部に注入して前記支持部を覆った後、再度、前記第１の樹脂部材を前記台座部に注入して前記錘部を覆うようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ装置の製造方法。
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