JP2006003260A - センサ装置およびその製造方法 - Google Patents

センサ装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006003260A
JP2006003260A JP2004181083A JP2004181083A JP2006003260A JP 2006003260 A JP2006003260 A JP 2006003260A JP 2004181083 A JP2004181083 A JP 2004181083A JP 2004181083 A JP2004181083 A JP 2004181083A JP 2006003260 A JP2006003260 A JP 2006003260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor element
insulator
sensor
substrate
signal output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004181083A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4281630B2 (ja
Inventor
Masaaki Tanaka
昌明 田中
Hiromi Ariyoshi
博海 有吉
Chiaki Mizuno
千昭 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2004181083A priority Critical patent/JP4281630B2/ja
Priority to US11/142,192 priority patent/US7219543B2/en
Priority to DE102005025667A priority patent/DE102005025667B4/de
Priority to FR0506017A priority patent/FR2871883B1/fr
Publication of JP2006003260A publication Critical patent/JP2006003260A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4281630B2 publication Critical patent/JP4281630B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845Micromachined devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

【課題】 センシング部を有するセンサ素子と信号出力部とを電気的に接続した状態で基板に設け、センシング部を露出させた状態でセンサ素子における信号出力部との電気接続部を絶縁体により封止してなるセンサ装置において、センシング部の周囲における絶縁体の付着を極力防止する。
【解決手段】 基板10と、基板10に設けられセンシング部21を有するセンサ素子20と、センサ素子20と電気的に接続された状態で基板10に設けられセンサ素子20からの信号を外部に出力する信号出力部30とを備え、センサ素子20は、基板10上に弾性変形可能な接着部材40を介して搭載され、センサ素子20は、センシング部21を露出させた状態で信号出力部30との電気接続部が絶縁体50により封止されている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、センシング部を有するセンサ素子と信号出力部とを電気的に接続した状態で基板に設け、センシング部を露出させた状態でセンサ素子における信号出力部との電気接続部を絶縁体により封止してなるセンサ装置およびその製造方法に関する。
この種のセンサ装置は、一般に、センシング部を有するセンサ素子と、センサ素子からの信号を外部に出力する信号出力部とを、基板に設けるとともに、これらセンサ素子および信号出力部を電気的に接続し、センシング部を露出させた状態で、センサ素子における信号出力部との電気接続部を絶縁体としてのモールド樹脂により封止した構成を備えている。
たとえば、このようなセンサ装置としては、従来より、半導体基板を用いた熱式空気流量センサが提案されている(たとえば、特許文献1、特許文献2参照)。
特開平7−174599号公報 特開平11−6752号公報
ところで、上記した従来のセンサ装置は、基板にセンサ素子および信号出力部を設け、センサ素子と信号出力部とを電気的に接続した後、このものを金型に設置し、センサ素子のセンシング部を露出させた状態で、センサ素子と信号出力部との電気接続部をモールド樹脂により封止することで製造される。
しかしながら、本発明者らの検討によれば、上記した従来のセンサ装置では、センサ素子の組付けばらつきが考慮されておらず、センサ素子の側面に樹脂バリが発生する問題があることがわかった。
この樹脂バリの問題について、図7を参照して、具体的に述べる。図7は、従来の一般的なセンサ装置および製造工程における金型へのワークの設置状態を示す図であり、(a)はセンサ装置の概略断面図、(b)は(a)の左側面図、(c)は金型200へのワークの設置状態を示す図である。
図7に示されるように、センサ装置においては、センシング部21を有するセンサ素子20と、信号出力部としての回路チップ31とが基板10に搭載され、これらセンサ素子20および回路チップ31とが電気接続部としてのボンディングワイヤ22により電気的に接続されている。
そして、センシング部21を露出させた状態で、センサ素子20におけるボンディングワイヤ22との接続部、ボンディングワイヤ22、および回路チップ31が、絶縁体としてのモールド樹脂50によって包み込まれるように封止されている。
ここで、モールド樹脂50による封止を行う工程では、図7(c)に示されるように、ワークを金型200に設置する。金型200は、互いに合致する下型210および上型220からなるものである。
そして、金型200には、センサ素子20のセンシング部21がはめ込まれる凹部240が設けられている。ここでは、上型220に凹部240が設けられている。
この凹部240にセンシング部21がはめ込まれることにより、樹脂封止の時に、センシング部21の周囲が凹部240の内面に覆われて樹脂が付かないため、センシング部21をモールド樹脂50から露出させることができるようになっている。
しかし、従来の製造方法では、金型200の凹部240へのセンサ素子20の挿入や取り外しのために当該凹部240とセンサ素子20の側面との間に、図7(c)に示されるような隙間Gを設けている。
この隙間Gは、従来ではセンサ素子20が基板10に固定されて動かないため、センサ素子20と基板10との組み付け誤差を考慮して、設けられているもので、たとえば0.3mm程度の大きさである。
このような隙間Gの存在により、モールド樹脂50の封止工程においては、当該隙間Gに樹脂が入り込み、その結果、センサ素子20の側面に樹脂バリが発生することになる。つまり、センサ素子20のセンシング部21の周囲に樹脂バリが付着してしまうことになる。
このようなセンシング部21の周囲への樹脂バリの付着は、センサ特性へ悪影響を及ぼすことが考えられる。
たとえば、熱式空気流量センサでは、樹脂バリの付着によりセンシング部の熱質量が変化し、流量検出の感度がばらついたり、あるいは、たとえば、ダイアフラム式の圧力センサでは、樹脂バリの付着によりダイアフラムの圧力による歪み特性が変化したりすることが考えられる。
そこで、このようなセンサ特性への悪影響を防止すべく、樹脂などからなる絶縁体によってセンシング部21を露出させつつセンサ素子20の一部を封止するときには、センサ素子20の露出部における側面での樹脂バリの発生、すなわち当該側面への絶縁体の付着を極力防止することが必要となる。
本発明は上記問題に鑑み、センシング部を有するセンサ素子と信号出力部とを電気的に接続した状態で基板に設け、センシング部を露出させた状態でセンサ素子における信号出力部との電気接続部を絶縁体により封止してなるセンサ装置において、センシング部の周囲における絶縁体の付着を極力防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、基板(10)と、基板(10)に設けられ、センシング部(21)を有するセンサ素子(20)と、センサ素子(20)と電気的に接続された状態で基板(10)に設けられ、センサ素子(20)からの信号を外部に出力する信号出力部(30)とを備え、センサ素子(20)は、基板(10)上に弾性変形可能な接着部材(40)を介して搭載されており、センサ素子(20)は、センシング部(21)を露出させた状態で信号出力部(30)との電気接続部が絶縁体(50)により封止されていることを特徴としている。
それによれば、基板(10)にセンサ素子(20)を接着部材(40)を介して搭載し、センサ素子(20)と信号出力部(30)とを電気接続して一体化したワーク(101)を、絶縁体封止用の金型(200)に設置し、絶縁体(50)による封止を行うことになる。
このとき、基板(10)とセンサ素子(20)との接着は、弾性変形可能な接着部材(40)により行われているため、基板(10)とセンサ素子(20)との相対的な位置を接着部材(40)の弾性変形可能な範囲で、ずらすことができる。
上述したように、樹脂封止の時に、センシング部(21)の周囲を覆って樹脂が付かないようにするために、金型(200)においては、センシング部(21)がはめ込まれる凹部(240)が設けられている。そして、従来では、当該凹部とセンサ素子の側面との間に、センサ素子と基板との組み付け誤差を考慮した大きさの隙間G(図7参照)を設けていた。
それに対して、本発明では、金型(200)に設置した状態で、基板(10)とセンサ素子(20)との相対的な位置を接着部材(40)の弾性変形可能な範囲で、ずらして修正できることから、この修正可能な分、センサ素子(20)と基板(10)との組み付け誤差を吸収することができる。
そのため、本発明では、上記した凹部(240)とセンサ素子(20)の側面との間の隙間Gを極力小さくすることができ、その結果、センサ素子(20)の側面に発生する絶縁体(50)の付着も、極力少ないものにできる。
このように、本発明によれば、センシング部(21)を有するセンサ素子(20)と信号出力部(30)とを電気的に接続した状態で基板(10)に設け、センシング部(21)を露出させた状態でセンサ素子(20)における信号出力部(30)との電気接続部を絶縁体(50)により封止してなるセンサ装置において、センシング部(21)の周囲における絶縁体(50)の付着を極力防止することができる。
ここで、請求項2に記載の発明のように、請求項1に記載のセンサ装置においては、絶縁体(50)は、樹脂材料であるものにできる。
また、請求項3に記載の発明のように、請求項1または請求項2に記載のセンサ装置においては、センサ素子(20)と信号出力部(30)との電気的な接続は、ボンディングワイヤ(22)により行うことができる。
また、請求項4に記載の発明のように、請求項1〜請求項3に記載のセンサ装置においては、基板(10)としてリードフレームを用いることができる。
ここで、請求項5に記載の発明のように、請求項4に記載のセンサ装置においては、リードフレームは、信号出力部(30)として構成されるとともに、外部とも電気的に接続されるものにできる。
また、請求項6に記載の発明のように、請求項1〜請求項5に記載のセンサ装置においては、センサ素子(20)の一端部側にセンシング部(21)が設けられ、センサ素子(20)の他端部側が信号出力部(30)との電気接続部となっており、センサ素子(20)の他端部側が絶縁体(50)に封止されて支持された片持ち構造となっているものにできる。
また、請求項7に記載の発明では、請求項1〜請求項6に記載のセンサ装置において、センサ素子(20)は、絶縁体(50)における厚さ方向の中心部に位置していることを特徴としている。
センサ素子(20)に対しては、絶縁体(50)からの応力が加わる。たとえば、金型(200)を用いてセンサ素子(20)を絶縁体(50)で封止した後、絶縁体(50)が固化する過程で応力が発生する。
このとき、本発明のように、センサ素子(20)を絶縁体(50)における厚さ方向の中心部に位置させれば、センサ素子(20)に加わる応力のバランスが均一になり、センサ素子(20)へのダメージを極力小さいものにできる。
また、請求項8に記載の発明のように、請求項1〜請求項7に記載のセンサ装置においては、信号出力部(30)は、基板(10)上に搭載された回路素子(31)を含むものであり、センサ素子(20)および回路素子(31)は、別々の半導体チップにより構成されているものにできる。
また、請求項9に記載の発明では、請求項1〜請求項8に記載のセンサ装置において、センサ素子(20)側に位置する絶縁体(50)の端部(51)は、曲線形状となっていることを特徴としている。
上述したように、センサ素子(20)に対しては、絶縁体(50)からの応力が加わるが、このとき、本発明のように、センサ素子(20)側に位置する絶縁体(50)の端部(51)を曲線形状とすれば、センサ素子(20)に加わる応力が緩和され、センサ素子(20)へのダメージを極力小さいものにできる。
また、請求項10に記載の発明では、請求項1〜請求項9に記載のセンサ装置において、センサ素子(20)側に位置する絶縁体(50)の端部(51)において、絶縁体(50)がセンサ素子(20)に接する部位からセンサ素子(20)から離れる方向へ沿った断面形状は、R形状となっていることを特徴としている。
上述したように、センサ素子(20)に対しては、絶縁体(50)からの応力が加わるが、このとき、本発明のように、センサ素子(20)側に位置する絶縁体(50)の端部(51)における上記断面形状をR形状とすれば、センサ素子(20)に加わる応力が緩和され、センサ素子(20)へのダメージを極力小さいものにできる。
請求項11に記載の発明では、基板(10)に、センシング部(21)を有するセンサ素子(20)およびセンサ素子(20)からの信号を外部に出力する信号出力部(30)を設け、センサ素子(20)と信号出力部(30)とを電気的に接続した後、金型(200)を用いて、センサ素子(20)のセンシング部(21)を露出させた状態で、センサ素子(20)における信号出力部(30)との電気接続部を絶縁体(50)により封止するようにしたセンサ装置の製造方法であって、センサ素子(20)を、基板(10)上に弾性変形可能な接着部材(40)を介して搭載し、センサ素子(20)と信号出力部(30)との電気的接続を行った後、金型(200)を用いた絶縁体(50)による封止を行うことを特徴としている。
それによれば、請求項1に記載のセンサ装置を適切に製造しうるセンサ装置の製造方法を提供することができる。
つまり、本発明によっても、センシング部(21)を有するセンサ素子(20)と信号出力部(30)とを電気的に接続した状態で基板(10)に設け、センシング部(21)を露出させた状態でセンサ素子(20)における信号出力部(30)との電気接続部を絶縁体(50)により封止してなるセンサ装置において、センシング部(21)の周囲における絶縁体(50)の付着を極力防止することができる。
ここで、請求項12に記載の発明では、請求項11に記載のセンサ装置の製造方法において、絶縁体(50)による封止工程では、センサ素子(20)の表面のうち金型(200)が当たる部位と金型(200)との間に緩衝材(260)を介在させることを特徴としている。
それによれば、センサ素子(20)の表面のうち金型(200)が当たる部位と金型(200)との間に緩衝材(260)を介在させるため、絶縁体(50)による封止工程において、金型(200)からセンサ素子(20)に加わる応力を緩和することができ、センサ素子(20)へのダメージを極力小さいものにできる。
また、請求項13に記載の発明では、請求項11または請求項12に記載されているセンサ装置の製造方法において、絶縁体(50)による封止工程では、金型(200)として、センサ素子(20)を所定位置まで案内するガイド部(250)が設けられたものを用い、センサ素子(20)を接着部材(40)の弾性変形を利用してガイド部(250)に沿って前記所定位置まで導いた後、絶縁体(50)による封止を行うことを特徴としている。
それによれば、センサ素子(20)を接着部材(40)の弾性変形を利用してガイド部(250)に沿って所定位置まで容易に導くことができる。つまり、金型(200)へワークを設置するときに、基板(10)とセンサ素子(20)との相対的な位置を接着部材(40)の弾性変形可能な範囲で、ずらして修正するが、この修正を容易に行うことができる。
ここで、請求項14に記載の発明のように、請求項13に記載のセンサ装置の製造方法においては、前記所定位置は、金型(200)に設けられセンサ素子(20)がはめ込まれる凹部(240)であるものにできる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
本実施形態では、本発明のセンサ装置100を熱式空気流量センサ(以下、単にフローセンサという)に適用したものとして説明する。
図1は、本センサ装置100を用いた流量測定装置800を吸気管900に取り付けた状態を示す断面図である。この吸気管900は、たとえば自動車の吸気管であり、その内部を空気が流れるものである。
この流量測定装置800は、樹脂等により成形されたケース部材をその本体とするものであり、図1に示されるように、回路モジュール810、流路部材820およびフローセンサとしてのセンサ装置100を備える。
図1に示されるように、流量測定装置800は、吸気管900に形成された取付穴910に流路部材820が挿入されることにより、流路部材820が吸気管900内に位置した形で取り付けられる。なお、上記取付穴910は、流量測定装置800のOリング等よりなるシール部材840によりシールされる。
回路モジュール810内には、図示しない信号処理用の回路等が収納されており、また、回路モジュール810には、外部と電気的な接続を行うためのコネクタ811が備えられている。コネクタ811には、ワイヤハーネス等の配線部材が接続され、この接続部材を介してエンジン制御装置などに電気的に接続されるようになっている。
流路部材820には、上記吸気管900からの空気をバイパスさせる逆U字形状のバイパス流路821が形成されており、図1中の矢印Yに示されるように、吸気管900からの空気はバイパス流路821へ導入されてバイパス流路821内を流れ、再び、吸気管900へ流れ出すようになっている。
また、流路部材820には、センサ装置100がバイパス流路821内へ突き出した形で設置されている。それにより、センサ装置100においては、後述するセンサ素子20のセンシング部21が、バイパス流路821内の空気の流れにさらされるようになっている。
センサ装置100は台座などに接着等により固定され、この台座を介して流路部材820に固定されている。また、センサ装置100は回路モジュール10内の上記回路と図示しないワイヤ等を介して電気的に接続されている。
かかる流量測定装置800においては、測定流にさらされたセンサ装置100が、空気流量に応じた信号を発生し、この信号は回路モジュール810へ出力されて上記回路等によって処理され、この処理された信号がコネクタ811から上記エンジン制御装置などへ送信されるようになっている。
次に、本実施形態のセンサ装置100について、図2、図3および図4を参照して説明する。
図2は、本実施形態に係るセンサ装置100の概略断面構成を示す図であり、図3は、図2の左側面図であり、図4は、図2の上視平面図である。なお、図4では、絶縁体50の内部構成が示されており、この絶縁体50の外形は破線にて示してある。
本センサ装置100は、大きくは、基板10と、基板10に設けられセンシング部21を有するセンサ素子20と、センサ素子20と電気的に接続された状態で基板10に設けられた信号出力部30と、センサ素子20を基板10上に弾性変形可能な状態で接着する接着部材40と、これら部材10〜40をセンサ素子20のセンシング部21を露出させた状態で封止する絶縁体50とを備えて構成されている。
基板10は、センサ素子20と信号出力部30とを設けることが可能なものであればよく、リードフレームのアイランド部やセラミック基板などを用いることができる。本例では、基板10としては、リードフレームのアイランド部が用いられている。
センサ素子20としては、たとえば、メンブレン上に形成された発熱抵抗体や感温抵抗体の温度−抵抗特性を利用して空気流量測定を行う薄膜式のフローセンサ素子を採用することができる。
図2〜図4では、センサ素子20は、薄肉のメンブレンの部分がセンシング部21となっており、この部分に上記発熱抵抗体(ヒータ)や感温抵抗体が形成されている。そして、このセンシング部21が、上記図1に示される流量測定装置800におけるバイパス流路821内の空気の流れにさらされ、この空気流量に応じた信号を発生するようになっている。
このようなセンサ素子20は、シリコン半導体などの半導体基板を用いて公知の半導体製造技術やエッチング技術などを用いて製造された半導体チップとして構成することができる。
このセンサ素子20は、上述したように、基板10上に弾性変形可能な接着部材40を介して搭載されている。この接着部材40は、もし、センサ素子20が絶縁体50で封止され固定されていない状態ならば、基板10とセンサ素子20との相対的な位置を接着部材40の弾性変形可能な範囲で、ずらすことができるものである。
そして、センサ素子20が絶縁体50で封止され固定されていない状態で、基板10とセンサ素子20との相対的な位置がずれるようになっていても、基板10とセンサ素子20とが接着していれば、最終的には絶縁体50による封止固定がなされるので、何ら問題はない。
このような接着部材40としては、たとえば、ゴム系の接着材やゲル接着材などの接着後においても弾性変形可能な且つ電気絶縁性を有する接着材を採用することができる。より具体的には、たとえばシリコンゴムまたはフッ素ゴム系接着材、シリコンゲルまたはフッ素ゲル系接着材を採用できる。
また、接着部材40としては、たとえばフロロシリコーン系の接着材を用いることも可能である。この場合、接着部材40に上記の弾性を持たせるために、接着部材40の厚さを最低限100μm程度あるいはそれ以上となるように厚くすることが好ましい。ちなみに、従来では、センサ素子と基板との間の接着部材の厚さは、せいぜい20〜30μm程度の薄いものである。
また、本実施形態では、信号出力部30は、回路素子としての回路チップ31、基板10としてのリードフレームとは離れて設けられたリードフレームのリード部32、および、これら回路チップ31とリード部32との間を接続するボンディングワイヤ33とを備えて構成されている。
そして、本実施形態では、センサ素子20と回路チップ31との間は、ボンディングワイヤ22により結線され電気的に接続されている。つまり、本実施形態においては、センサ素子20と信号出力部30との電気的な接続は、ボンディングワイヤ22によって行われている。
ここで、回路チップ31は、センサ素子20からの信号を外部に出力するのに適切な形とするために処理する部分である。このような回路チップ31は、シリコン半導体などの半導体基板を用いて公知の半導体製造技術を用いて製造された半導体チップつまりICチップとして構成することができる。
この回路チップ31は、電気絶縁性を有する接着材34を介して基板10上に接着固定され搭載されている。この接着材34としては、樹脂やセラミックなどの接着材を採用することができる。
このように、本実施形態では、信号出力部30は、基板10上に搭載された回路素子としての回路チップ31を含むものであり、センサ素子20および回路チップ31は、別々の半導体チップにより構成されている。
また、本例では、リード部32は、基板10を構成するリードフレームと同一のリードフレームからなるものであり、当該リードフレームのリード部が、本例のリード部32として構成されている。このリード部32は、樹脂50から突出する部位にて外部と電気的に接続可能になっている。
つまり、本例では、基板10としてリードフレームを用い、しかも、このリードフレームは、信号出力部30であるリード部33としても構成され、外部とも電気的に接続されるものとしている。
このようなリードフレームとしては、通常の電子装置の分野で用いられる銅や42アロイなどからなるリードフレーム材料を採用することができる。また、上記したボンディングワイヤ22、33は、Au(金)やAl(アルミニウム)などからなり、ワイヤボンディングによって形成されるものである。
上述したが、図2〜図4に示されるように、絶縁体50は、上記した基板10、センサ素子20、信号出力部30および接着部材40をセンサ素子20のセンシング部21を露出させた状態で封止している。
さらに言うならば、図2〜図4から明らかなように、センサ素子20は、センシング部21を露出させた状態で信号出力部30との電気接続部が絶縁体50により封止されている。
ここで、センサ素子20における信号出力部30との電気接続部とは、センサ素子20におけるボンディングワイヤ22との接続部および当該ボンディングワイヤ22のことである。
このような絶縁体50は、金型を用いて成形される樹脂材料であればよく、たとえば通常の電子装置の分野で封止材料として用いられるエポキシ系樹脂などのモールド樹脂を採用することができる。
そして、本実施形態では、センサ素子20におけるセンシング部21が、基板10の一部およびリード部33の一部とともに、樹脂50から突出して露出している。
ここで、本実施形態では、図2、図4に示されるように、センサ素子20の一端部側にセンシング部21が設けられ、センサ素子20の他端部側が信号出力部30との電気接続部となっており、センサ素子20の他端部側が絶縁体50に封止されて支持された片持ち構造となっている。
また、図2には、絶縁体50における厚さ方向の寸法L1およびL2が示されている。寸法L1は、絶縁体50の上面とセンサ素子20との間の距離であり、寸法L2は、絶縁体50の下面とセンサ素子20との間の距離である。
図2では、接着部材40の厚さが実際よりも大きくデフォルメしてあるため、これら両寸法L1とL2とは大きく異なるように見えるが、実際には、これら両寸法L1とL2とは同程度であることが好ましい。つまり、センサ素子20は、絶縁体50における厚さ方向の中心部に位置していることが好ましい。
また、本実施形態のセンサ装置100では、図4に示されるように、センサ素子20側に位置する絶縁体50の端部51は、曲線形状となっている。もちろん、当該端部は直線状でもよいが、応力緩和の点から、曲線形状であることが好ましい。図4では、円弧形状となっている。
また、本実施形態においては、図2において矢印Rにて示されるように、センサ素子20側に位置する絶縁体50の端部51において、絶縁体20がセンサ素子20に接する部位からセンサ素子20から離れる方向へ沿った断面形状は、R形状となっていることが好ましい。
次に、上記センサ装置100の製造方法について述べる。図5は本製造方法を説明するための概略断面図であり、図6は図5の左側面図である。
まず、基板10に、センサ素子20および信号出力部30を設け、センサ素子20と信号出力部30とを電気的に接続する。
具体的には、センサ素子20を接着部材40を介して基板10上に接着する。また、回路チップ31を接着材34を介して基板10上に接着固定する。そして、センサ素子20と回路チップ31との間、および、回路チップ31と基板10の周囲に設けられたリード部32との間にてワイヤボンディングを行い、各ボンディングワイヤ22、33による電気的な接続を行う。
ここまでの工程により形成されたワーク101を、金型200に投入し、金型200を用いて、センサ素子20のセンシング部21を露出させた状態で、センサ素子20における信号出力部30との電気接続部を絶縁体50により封止する。
ここで、本実施形態において、絶縁体50としては、通常モールド樹脂が用いられる。この絶縁体50による封止工程では、図5、図6に示されるように、ワーク101を金型200に設置する。
金型200は、互いに合致する下型210および上型220からなるものである。たとえば、下型210にワーク101を置き、その上から上型220を被せるように下型210に合致させる。
これら上下の型210、220が合致することにより金型200が構成され、金型200の内部には、モールド樹脂すなわち絶縁体50の形状に対応した形状を有するキャビティ230が形成されている。
そして、図6に示されるように、金型200には、センサ素子20のセンシング部21がはめ込まれる凹部240が設けられている。ここでは、上型220に凹部240が設けられている。
この凹部240にセンシング部21がはめ込まれることにより、樹脂封止の時に、センシング部21の周囲が凹部240の内面に覆われて樹脂が付かないため、センシング部21を絶縁体50から露出させることができるようになっている。
この凹部240へのセンシング部21のはめ込みは、ワーク101に対して上型220を被せていくことで行う。このとき、治具または人手などにより、センサ素子20を接着部材40の弾性変形可能な範囲でずらしながら、センサ素子20を凹部240にはめ込むようにする。
特に、本実施形態では、図6に示されるように、金型200の上型220には、センサ素子20を凹部240まで案内するガイド部250が設けられている。
このガイド部250は、上型220の下端面から凹部240までにつながる開口部であり、上型220の下端面から凹部240へ向かって狭まるテーパ状の開口部である。この場合、センサ素子20を接着部材40の弾性変形を利用してガイド部250に沿って凹部240まで導くことができる。
こうして、センサ素子20を凹部240にはめ込んで、ワーク101を金型200に設置した後、モールド樹脂をキャビティ230内に注入して充填し、これを冷却固化させる。それにより、上記図2〜図4に示されるような本実施形態のセンサ装置100ができあがる。
また、本実施形態の製造方法においては、図5、図6に示されるように、絶縁体50による封止工程では、センサ素子20の表面のうち金型200の上型220が当たる部位と金型200の上型220との間に緩衝材260を介在させることが好ましい。
この緩衝材260としては、塗布して硬化されたPIQ(ポリイミド)や光硬化性樹脂、レジスト材料、あるいは、接着などにより設けられた弾性体(たとえばゴムなど)からなるプレートなどを採用することができる。緩衝材260はセンサ素子20側に設けてもよいし、上型220側に設けてもよい。
緩衝材260をセンサ素子20に設ける場合、センシング部21および上記電気接続部には、緩衝材260を設けないようにすることは言うまでもない。
ところで、本実施形態によれば、基板10と、基板10に設けられセンシング部21を有するセンサ素子20と、センサ素子20と電気的に接続された状態で基板10に設けられセンサ素子20からの信号を外部に出力する信号出力部30とを備え、センサ素子20は、基板10上に弾性変形可能な接着部材40を介して搭載されており、センサ素子20は、センシング部21を露出させた状態で信号出力部30との電気接続部が絶縁体50により封止されていることを特徴とするセンサ装置100が提供される。
それによれば、上記製造方法にも示したように、基板10にセンサ素子20を接着部材40を介して搭載し、センサ素子20と信号出力部30とを電気接続して一体化したワーク101を、絶縁体封止用の金型200に設置し、絶縁体50による封止を行うことになる。
このとき、基板10とセンサ素子20との接着は、弾性変形可能な接着部材40により行われているため、基板10とセンサ素子20との相対的な位置を接着部材40の弾性変形可能な範囲で、ずらすことができる。
上述したように、モールド樹脂すなわち絶縁体50による封止の時に、センシング部21の周囲を覆って樹脂が付かないようにするために、金型200においては、センシング部21がはめ込まれる凹部240が設けられている。そして、従来では、当該凹部とセンサ素子の側面との間に、センサ素子と基板との組み付け誤差を考慮した大きさの隙間G(図7参照)を設けていた。
それに対して、本実施形態では、金型200に設置した状態で、基板10とセンサ素子20との相対的な位置を接着部材40の弾性変形可能な範囲で、ずらして修正できることから、この修正可能な分、センサ素子20と基板10との組み付け誤差を吸収することができる。
そのため、本実施形態では、上記した凹部240とセンサ素子20の側面との間の隙間Gを極力小さくすることができる。たとえば、従来では上述したように、この隙間Gは、センサ素子20と基板10との組み付け誤差を考慮して0.3mm程度の大きさであったが、本実施形態では、隙間Gの大きさは、センサ素子20の加工誤差を考慮すればよく、おおよそ20μm〜30μm程度と、従来の約1/10程度まで小さくできる。
その結果、本実施形態では、センサ素子20の側面と金型200との隙間Gに樹脂が入り込みにくくなり、センサ素子20の側面に発生する樹脂バリなどの絶縁体50の付着も、極力少ないものにできる。
このように、本実施形態によれば、センシング部21を有するセンサ素子20と信号出力部30とを電気的に接続した状態で基板10に設け、センシング部21を露出させた状態でセンサ素子20における信号出力部30との電気接続部を絶縁体50により封止してなるセンサ装置100において、センシング部21の周囲における絶縁体50の付着を極力防止することができる。
また、本実施形態では、絶縁体50としては、樹脂材料、特にモールド樹脂材料を用いることができるが、金型による成形が可能なものであれば、通常のモールド樹脂以外の樹脂材料であってもよい。
また、本実施形態では、センサ素子20と信号出力部30との電気的な接続は、ボンディングワイヤ22により行われているが、それ以外の配線部材、導体部材などを用いて行うことも適宜可能である。
また、本実施形態のセンサ装置100によれば、上述したように、センサ素子20が、絶縁体50における厚さ方向の中心部に位置していることを特徴としている(上記図2参照)。
センサ素子20に対しては、絶縁体50からの応力が加わる。たとえば、金型200を用いてセンサ素子20を絶縁体50で封止した後、絶縁体50が固化する過程、具体的にはモールド樹脂が冷却して固化する過程において応力が発生する。
このとき、本実施形態のように、センサ素子20を絶縁体50における厚さ方向の中心部に位置させれば、センサ素子20に加わる応力のバランスが均一になり、センサ素子20へのダメージを極力小さいものにできる。
また、本実施形態のセンサ装置100では、センサ素子20側に位置する絶縁体50の端部51は、曲線形状となっていることを特徴としている(上記図4参照)。
上述したように、センサ素子20に対しては、絶縁体50からの応力が加わるが、このとき、本実施形態のように、センサ素子20側に位置する絶縁体50の端部51を曲線形状とすれば、センサ素子20に加わる応力が緩和され、センサ素子20へのダメージを極力小さいものにできる。
また、本実施形態のセンサ装置100によれば、センサ素子20側に位置する絶縁体50の端部51において、絶縁体50がセンサ素子20に接する部位からセンサ素子20から離れる方向へ沿った断面形状は、R形状となっていることを特徴としている(上記図2参照)。
上述したように、センサ素子20に対しては、絶縁体50からの応力が加わるが、このとき、本実施形態のように、センサ素子20側に位置する絶縁体50の端部51における上記断面形状をR形状とすれば、センサ素子20に加わる応力が緩和され、センサ素子20へのダメージを極力小さいものにできる。
また、本実施形態によれば、基板10に、センシング部21を有するセンサ素子20および信号出力部30を設け、センサ素子20と信号出力部30とを電気的に接続した後、金型200を用いて、センサ素子20のセンシング部21を露出させた状態で、センサ素子20における信号出力部30との電気接続部を絶縁体50により封止するようにしたセンサ装置100の製造方法であって、センサ素子20を、基板10上に弾性変形可能な接着部材40を介して搭載し、センサ素子20と信号出力部30との電気的接続を行った後、金型200を用いた絶縁体50による封止を行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法が提供される。
それによれば、本実施形態のセンサ装置100を適切に製造しうるセンサ装置の製造方法を提供することができる。つまり、本製造方法によれば、センシング部21の周囲における絶縁体50の付着を極力防止することの可能なセンサ装置100を提供することができる。
ここで、上述したが、この本実施形態の製造方法においては、絶縁体50による封止工程では、センサ素子20の表面のうち金型200が当たる部位と金型200との間に緩衝材260を介在させることが好ましいとしている。
それによれば、センサ素子20の表面のうち金型200が当たる部位と金型200との間に緩衝材260を介在させるため、絶縁体50による封止工程において、金型200からセンサ素子20に加わる応力を緩和することができ、センサ素子20へのダメージを極力小さいものにできる。
また、本実施形態の製造方法では、絶縁体50による封止工程では、金型200として、センサ素子20を所定位置すなわち凹部240まで案内するガイド部250が設けられたものを用い、センサ素子20を接着部材40の弾性変形を利用してガイド部250に沿って凹部240まで導いた後、絶縁体50による封止を行うことも、特徴点のひとつとしている。
それによれば、センサ素子20を接着部材40の弾性変形を利用してガイド部250に沿って凹部240まで容易に導くことができる。つまり、金型200へワーク101を設置するときに、基板10とセンサ素子20との相対的な位置を接着部材40の弾性変形可能な範囲で、ずらして修正するが、この修正を容易に行うことができる。
(他の実施形態)
なお、上記実施形態では、センサ素子20および回路チップ31は、別々の半導体チップにより構成されていたが、回路チップ31に設けられている信号処理回路が、センサ素子20を構成する半導体チップに集積化されていてもよい。
このように集積化センサ素子を構成した場合、回路チップは不要になる。ただし、センサ素子20を構成する半導体チップに設けられている信号処理回路部は、信号出力部31として構成されるものである。
また、上記実施形態では、1個のセンサ装置100において、センサ素子20は、1個であったが、複数個であってもよい。たとえば、複数個設ける場合、図2における紙面垂直方向に沿ってセンサ素子20を複数個並列に配置すればよい。
この場合、図示しないが、センサ素子20は基板10に複数個設けられており、それぞれのセンサ素子20は、基板10上に弾性変形可能な接着部材40を介して搭載されており、それぞれのセンサ素子20は、センシング部21を露出させた状態で信号出力部30との電気接続部が絶縁体50により封止されているものとなる。
また、本発明のセンサ装置は、上記したフローセンサに限定されるものではないことはもちろんである。それ以外には、たとえば、湿度センサ、ガスセンサ、光センサ、タイヤ圧センサ、DPF(ディーゼルパティキュレートフィルタ)センサ等の半導体センサへ適用することができる。
要するに、本発明は、センシング部を有するセンサ素子と信号出力部とを電気的に接続した状態で基板に設け、センシング部を露出させた状態でセンサ素子における信号出力部との電気接続部を絶縁体により封止してなるセンサ装置において、センサ素子を、基板上に弾性変形可能な接着部材を介して搭載したことを要部とするものであり、その他の部分については適宜設計変更が可能である。
本発明の実施形態に係るセンサ装置を用いた流量測定装置を吸気管に取り付けた状態を示す断面図である。 上記実施形態に係るセンサ装置の概略断面図である。 図2の左側面図である。 図2の上視平面図である。 本実施形態に係るセンサ装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図5の左側面図である。 従来の一般的なセンサ装置および製造工程における金型へのワークの設置状態を示す図であり、(a)はセンサ装置の概略断面図、(b)は(a)の左側面図、(c)は金型へのワークの設置状態を示す図である。
符号の説明
10…基板、20…センサ素子、21…センシング部、
22…ボンディングワイヤ、30…信号出力部、
31…回路素子としての回路チップ、40…接着部材、50…絶縁体、
51…センサ素子側に位置する絶縁体の端部、200…金型、240…凹部、
250…ガイド部。

Claims (14)

  1. 基板(10)と、
    前記基板(10)に設けられ、センシング部(21)を有するセンサ素子(20)と、
    前記センサ素子(20)と電気的に接続された状態で前記基板(10)に設けられ、前記センサ素子(20)からの信号を外部に出力する信号出力部(30)とを備え、
    前記センサ素子(20)は、前記基板(10)上に弾性変形可能な接着部材(40)を介して搭載されており、
    前記センサ素子(20)は、前記センシング部(21)を露出させた状態で前記信号出力部(30)との電気接続部が絶縁体(50)により封止されていることを特徴とするセンサ装置。
  2. 前記絶縁体(50)は、樹脂材料であることを特徴とする請求項1に記載のセンサ装置。
  3. 前記センサ素子(20)と前記信号出力部(30)との電気的な接続は、ボンディングワイヤ(22)により行われていることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ装置。
  4. 前記基板(10)としてリードフレームを用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載のセンサ装置。
  5. 前記リードフレームは、前記信号出力部(30)として構成されるとともに、外部とも電気的に接続されるものであることを特徴とする請求項4に記載のセンサ装置。
  6. 前記センサ素子(20)の一端部側に前記センシング部(21)が設けられ、前記センサ素子(20)の他端部側が前記信号出力部(30)との電気接続部となっており、
    前記センサ素子(20)の他端部側が前記絶縁体(50)に封止されて支持された片持ち構造となっていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のセンサ装置。
  7. 前記センサ素子(20)は、前記絶縁体(50)における厚さ方向の中心部に位置していることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載のセンサ装置。
  8. 前記信号出力部(30)は、前記基板(10)上に搭載された回路素子(31)を含むものであり、
    前記センサ素子(20)および前記回路素子(31)は、別々の半導体チップにより構成されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載のセンサ装置。
  9. 前記センサ素子(20)側に位置する前記絶縁体(50)の端部(51)は、曲線形状となっていることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1つに記載のセンサ装置。
  10. 前記センサ素子(20)側に位置する前記絶縁体(50)の端部(51)において、前記絶縁体(50)が前記センサ素子(20)に接する部位から前記センサ素子(20)から離れる方向へ沿った断面形状は、R形状となっていることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1つに記載のセンサ装置。
  11. 基板(10)に、センシング部(21)を有するセンサ素子(20)および前記センサ素子(20)からの信号を外部に出力する信号出力部(30)を設け、前記センサ素子(20)と前記信号出力部(30)とを電気的に接続した後、
    金型(200)を用いて、前記センサ素子(20)の前記センシング部(21)を露出させた状態で、前記センサ素子(20)における前記信号出力部(30)との電気接続部を絶縁体(50)により封止するようにしたセンサ装置の製造方法であって、
    前記センサ素子(20)を、前記基板(10)上に弾性変形可能な接着部材(40)を介して搭載し、前記センサ素子(20)と前記信号出力部(30)との電気的接続を行った後、
    前記金型(200)を用いた前記絶縁体(50)による封止を行うことを特徴とするセンサ装置の製造方法。
  12. 前記絶縁体(50)による封止工程では、前記センサ素子(20)の表面のうち前記金型(200)が当たる部位と前記金型(200)との間に緩衝材(260)を介在させることを特徴とする請求項11に記載のセンサ装置の製造方法。
  13. 前記絶縁体(50)による封止工程では、前記金型(200)として、前記センサ素子(20)を所定位置まで案内するガイド部(250)が設けられたものを用い、
    前記センサ素子(20)を前記接着部材(40)の弾性変形を利用してガイド部(250)に沿って前記所定位置まで導いた後、前記絶縁体(50)による封止を行うことを特徴とする請求項11または12に記載のセンサ装置の製造方法。
  14. 前記所定位置は、前記金型(200)に設けられ前記センサ素子(20)がはめ込まれる凹部(240)であることを特徴とする請求項13に記載のセンサ装置の製造方法。
JP2004181083A 2004-06-18 2004-06-18 センサ装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4281630B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004181083A JP4281630B2 (ja) 2004-06-18 2004-06-18 センサ装置の製造方法
US11/142,192 US7219543B2 (en) 2004-06-18 2005-06-02 Sensor device having molded signal-outputting portion
DE102005025667A DE102005025667B4 (de) 2004-06-18 2005-06-03 Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung mit einem umgossenen Signalausgabeabschnitt
FR0506017A FR2871883B1 (fr) 2004-06-18 2005-06-14 Structure de capteur ayant une partie de sortie de signal moulee et procede de fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004181083A JP4281630B2 (ja) 2004-06-18 2004-06-18 センサ装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006003260A true JP2006003260A (ja) 2006-01-05
JP4281630B2 JP4281630B2 (ja) 2009-06-17

Family

ID=35453696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004181083A Expired - Fee Related JP4281630B2 (ja) 2004-06-18 2004-06-18 センサ装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7219543B2 (ja)
JP (1) JP4281630B2 (ja)
DE (1) DE102005025667B4 (ja)
FR (1) FR2871883B1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008111668A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Denso Corp 流量センサおよびその製造方法
JP2009036639A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp センサ装置
JP2009036641A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp センサ装置及びその製造方法
JP2009058230A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Denso Corp センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP2009192238A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2009276280A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Denso Corp 濃度検出装置
JP2011122984A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール
JP2011151229A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Lintec Corp 接着シート用支持媒体および支持フレーム
JP2012083124A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP2013050458A (ja) * 2012-10-18 2013-03-14 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール
WO2013187226A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
JP2014001969A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Hitachi Automotive Systems Ltd 熱式流量計
JP2014006210A (ja) * 2012-06-27 2014-01-16 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサおよびその製造方法
JP2014109502A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Azbil Corp フローセンサ

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7425824B2 (en) * 2005-05-20 2008-09-16 Honeywell International Inc. Magnetoresistive sensor
JP4830391B2 (ja) * 2005-07-29 2011-12-07 株式会社デンソー センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP4882732B2 (ja) * 2006-12-22 2012-02-22 株式会社デンソー 半導体装置
JP5178388B2 (ja) * 2008-08-11 2013-04-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 空気流量測定装置
DE102010043062A1 (de) * 2010-10-28 2012-05-03 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung zur Erfassung einer Strömungseigenschaft eines fluiden Mediums
DE102010043083A1 (de) * 2010-10-28 2012-05-03 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung zur Erfassung einer Strömungseigenschaft eines fluiden Mediums
JP5648021B2 (ja) * 2012-06-29 2015-01-07 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式空気流量センサ
JP5916637B2 (ja) * 2013-01-11 2016-05-11 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサおよびその製造方法
JP6067498B2 (ja) * 2013-07-08 2017-01-25 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサ
US9448130B2 (en) * 2013-08-31 2016-09-20 Infineon Technologies Ag Sensor arrangement
US11105292B2 (en) * 2017-04-21 2021-08-31 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Humidity measurement device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2784286B2 (ja) * 1991-12-09 1998-08-06 三菱電機株式会社 半導体センサー装置の製造方法
DE4447570C2 (de) * 1994-07-22 1999-06-02 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Messung der Masse eines strömenden Mediums
DE19524634B4 (de) * 1995-07-06 2006-03-30 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Messung der Masse eines strömenden Mediums
JP3328547B2 (ja) 1997-06-16 2002-09-24 株式会社日立製作所 熱式空気流量センサ
DE19744997A1 (de) 1997-10-11 1999-04-15 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Messung der Masse eines strömenden Mediums
JP2000002572A (ja) 1998-06-15 2000-01-07 Unisia Jecs Corp 気体流量計測装置
JP2004028631A (ja) 2002-06-21 2004-01-29 Mitsubishi Electric Corp 流量センサ
JP3671399B2 (ja) 2002-09-20 2005-07-13 三菱電機株式会社 流量センサ

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008111668A (ja) * 2006-10-27 2008-05-15 Denso Corp 流量センサおよびその製造方法
JP2009036639A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp センサ装置
JP2009036641A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp センサ装置及びその製造方法
JP2009058230A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Denso Corp センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP2009192238A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
JP4577370B2 (ja) * 2008-02-12 2010-11-10 株式会社デンソー センサ装置およびその製造方法
JP2009276280A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Denso Corp 濃度検出装置
US8969977B2 (en) 2009-12-11 2015-03-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
JP2011122984A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール
US9846067B2 (en) 2009-12-11 2017-12-19 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
US10921169B2 (en) 2009-12-11 2021-02-16 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
US11629988B2 (en) 2009-12-11 2023-04-18 Hitachi Astemo, Ltd. Flow sensor, method for manufacturing flow sensor and flow sensor module
JP2011151229A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Lintec Corp 接着シート用支持媒体および支持フレーム
JP2012083124A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
WO2013187226A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式流量計
JP2014001969A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Hitachi Automotive Systems Ltd 熱式流量計
US9541437B2 (en) 2012-06-15 2017-01-10 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Thermal flow meter with a circuit package having an air flow measurement circuit for measuring an air flow
JP2014006210A (ja) * 2012-06-27 2014-01-16 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサおよびその製造方法
JP2013050458A (ja) * 2012-10-18 2013-03-14 Hitachi Automotive Systems Ltd 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール
JP2014109502A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Azbil Corp フローセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
US20050279919A1 (en) 2005-12-22
US7219543B2 (en) 2007-05-22
DE102005025667A1 (de) 2006-06-08
FR2871883A1 (fr) 2005-12-23
FR2871883B1 (fr) 2007-03-30
DE102005025667B4 (de) 2013-07-25
JP4281630B2 (ja) 2009-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4281630B2 (ja) センサ装置の製造方法
JP4830391B2 (ja) センサ装置の製造方法及びセンサ装置
US9222814B2 (en) Flow sensor and manufacturing method of the same and flow sensor module and manufacturing method of the same
JP5318737B2 (ja) センサ装置およびその製造方法
US7219544B2 (en) Thermal-type flow rate sensor and manufacturing method thereof
US5948991A (en) Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JP6357535B2 (ja) センサおよびその製造方法
JP2005274412A (ja) 温度センサ一体型圧力センサ装置
US20150107353A1 (en) Flow Sensor and Method for Manufacturing the Same
JP2008261796A (ja) 温度センサ一体型圧力センサ装置
JP2009058230A (ja) センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP5929721B2 (ja) 流量センサ
US20150122050A1 (en) Flow sensor
JP6435420B2 (ja) 樹脂成形体およびセンサ装置
JP5758851B2 (ja) 熱式流量計
JP2006194683A (ja) 温度センサ一体型圧力センサ装置
JP6043833B2 (ja) 熱式流量計
JP2007285750A (ja) 圧力センサ
JP4196546B2 (ja) 空気流量測定装置
JP2016166895A (ja) 熱式流量計
JP2006194682A (ja) 温度センサ一体型圧力センサ装置
JP2018197764A (ja) 流量センサ
JP4978587B2 (ja) センサ装置およびその製造方法
JP2006208088A (ja) 圧力センサおよびその製造方法
JP2013170997A (ja) 流量センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060731

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090224

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090309

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees