JP2006003246A - 磁気センサ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ホール素子と同じ特性を持つ抵抗Rm1を設け、その抵抗Rm1に制御トランジスタQ2を直列に接続し、各構成要素が定電流回路の構成に接続された抵抗Rm1、制御トランジスタQ2、誤差増幅器AMP1によりモニタ回路7bを構成する。ホール素子3に接続される増幅器4bとして、ギルバートセルCELLと第1と第2の電流源IR1、IR2がGmアンプの構成に接続された増幅器を使用する。ギルバートセルCELLの第2の電流源IR2から電流の供給を受ける回路位置にモニタ回路7bからモニタ信号を供給する。これにより増幅器4bの増幅率(ゲイン)を変化させ、電圧信号中に含まれるホール素子の特性変化に基づく変動分を補償する。
【選択図】 図1
Description
電源供給端子1からホール素子に所定の大きさの励磁電流が供給される。ここで、ホール素子3を貫通するような磁束が存在すると、その磁束と励磁電流に応じた大きさの電圧信号がホール素子3の信号検出用の端子の間に生じる。増幅器4aは、このホール素子3に生じた電圧信号を増幅して比較器5aに供給する。すると比較器5aは、増幅器4aの出力信号が基準電圧源6によって設定されるしきい値よりも大きい場合、出力信号を磁束の存在を暗示する状態にする。(ここでは、磁束の存在を暗示する出力信号の状態とは、ハイレベルとローレベルのうちのローレベルである。)
このような構造と動作を持つ磁気センサ回路は、例えば特許文献1の図7および従来の技術の項目で紹介されている。
すなわち、ホール素子とほぼ同じ特性を持つ抵抗を形成し、その抵抗をホール素子の出力側に設けられた増幅器の二本のフィードバック抵抗のうちの一つとして使用する。ホール素子とほぼ同じ抵抗の特性の変動に応じて増幅器のゲインを変化させ、電圧信号中に含まれるホール素子の特性変化に基づく変動分を補償する、という対策である。
そこで本発明は、ホール素子とその周辺回路の特性の変動の補償や特性のばらつきの抑制を行い、もって精度の高い検出結果が得られる磁気センサ回路を提供することを目的とする。
このモニタ回路の制御トランジスタを流れる電流をモニタ信号として、ホール素子に接続される増幅器、あるいは当該増幅器の出力信号を処理する比較器に供給する。
モニタ回路の制御トランジスタを流れる電流は、抵抗の特性変動に応じて変化する。抵抗はホール素子とほぼ同じ特性を持つため、モニタ信号はホール素子の特性変動に連動するように変化する。したがって、モニタ信号に応じてGmアンプの増幅率(ゲイン)を変化させることにより、電圧信号中に含まれるホール素子の特性変化に基づく変動分が補償される。
モニタ信号はホール素子の特性変動に連動するように変化する。モニタ信号に応じて比較器のしきい値を変化させることにより、電圧信号中に含まれるホール素子の特性変化に基づく変動分が補償される。
図1の磁気センサ回路は、ゲイン固定型に代えてゲイン可変型の増幅器4bを使用し、増幅器4bにモニタ信号を供給するモニタ回路7aを追加設置したことを除けば、図5の従来の磁気センサ回路と同じ構成となっている。ここで、本発明による磁気センサ回路の要所である増幅器4bとモニタ回路7aの回路部分は、具体的に図2に示すような構成になっている。
図3の磁気センサ回路は、実質的には比較器5bにモニタ信号を供給するモニタ回路7aを追加設置したことを除けば、図5の従来の磁気センサ回路と同じ回路構成となっている。ここで、本発明による磁気センサ回路の要所である比較器5bとモニタ回路7bの回路部分は、具体的に図4に示すような構成になっている。
トランジスタQ4のゲートに供給される電圧信号が非常に小さい時、電流源IR3を通過する電流のほとんどはトランジスタQ4に流入する。この時、トランジスタQ3、Q5、Q6にはほとんど電流が流れないため、出力端子OUT2の位置に現れる信号(電圧)はハイレベルになる。トランジスタQ4のゲートに供給される電圧信号を徐々に大きくしていくと、いずれは出力端子OUT2の信号の状態がハイレベルからローレベルに反転する。この、出力端子OUT2の信号の状態がハイレベルからローレベルに反転する境界に位置する電圧信号の値(以下、しきい値と呼ぶ)は、トランジスタQ3のゲートに供給される基準電圧に等しい値となる。
例えば、比較器5bを構成する各トランジスタの特性やサイズを適切に設定することにより、モニタ回路7bに電流が流入しても、{しきい値}={トランジスタQ4のゲートに供給される基準電圧}とすることは可能である。理解が容易なように、そうなっているものと仮定する。
温度が高くなるとホール素子3の入力抵抗は大きくなる。すると、ホール素子3において発生し、増幅器4aにおいて増幅され、その後に入力端子IN4を介してトランジスタQ4のゲートに供給される電圧信号は小さくなる。この時、比較器5b内のトランジスタQ4を通過する電流は大きくなる。
2:信号出力端子
3:ホール素子
4a:増幅器
4b:Gmアンプの構成を有する増幅器
5a、5b:比較器
7a、7b:モニタ回路
Rm1、Rm2:ホール素子3とほぼ同じ特性を持つ抵抗
Claims (6)
- ホール素子と増幅器を備え、該ホール素子に生じた外部磁界に応じた電圧信号を該増幅器で増幅する磁気センサ回路において、
該ホール素子とほぼ同一の特性を持つ抵抗を備え、該抵抗の特性変化に応じて変化するモニタ信号を出力するモニタ回路と、
該モニタ信号の供給を受け、該モニタ信号に応じて出力信号の大きさを補正する該増幅器と、
を具備することを特徴とする磁気センサ回路。 - 前記モニタ回路が、前記ホール素子とほぼ同一の特性を持つ抵抗と、該抵抗に直列接続された制御トランジスタと、該抵抗の一端に生じた電圧に応じて該制御トランジスタの導通量を制御する誤差増幅器と、を具備し、該制御トランジスタを通過する電流が前記モニタ信号として前記増幅器に供給される
ことを特徴とする、請求項1に記載した磁気センサ回路。 - 前記増幅器が、ギルバートセルと、該ギルバートセルに電流を供給する第1と第2の電流源とを有するGmアンプであり、その増幅率は、該第2の電流源から電流の供給を受けるギルバートセルの所定位置に前記モニタ信号の供給を受けることにより前記モニタ信号に応じて変化することを特徴とする、請求項2に記載した磁気センサ回路。
- ホール素子と増幅器と比較器を備え、該ホール素子に生じた外部磁界に応じた電圧信号を該増幅器で増幅し、該増幅器の出力信号を該比較器において所定のしきい値と比較し、検出結果としての出力信号を生成する磁気センサ回路において、
該ホール素子とほぼ同一の特性を持つ抵抗を備え、該抵抗の特性変化に伴ってその大きさが変化するモニタ信号を出力するモニタ回路と、
該モニタ信号の供給を受け、該モニタ信号に応じてしきい値を補正する該比較器と、
を具備することを特徴とする磁気センサ回路。 - 前記モニタ回路が、前記ホール素子とほぼ同一の特性を持つ抵抗と、該抵抗に直列接続された制御トランジスタと、該抵抗の一端に生じた電圧に応じて該制御トランジスタの導通量を制御する誤差増幅器と、を具備し、該制御トランジスタを通過する電流が前記モニタ信号として前記比較器に供給される
ことを特徴とする、請求項4に記載した磁気センサ回路。 - 前記比較器が、差動対を形成するように接続された第1と第2のトランジスタと、該第1と第2のトランジスタの共通接続点に接続された電流源と、該第1と第2のトランジスタに接続された能動負荷回路と、を具備し、該第1のトランジスタの主電流路に供給される前記モニタ信号によりしきい値が変化する
ことを特徴とする請求項5に記載した磁気センサ回路。
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