JP2005535117A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005535117A5 JP2005535117A5 JP2004524816A JP2004524816A JP2005535117A5 JP 2005535117 A5 JP2005535117 A5 JP 2005535117A5 JP 2004524816 A JP2004524816 A JP 2004524816A JP 2004524816 A JP2004524816 A JP 2004524816A JP 2005535117 A5 JP2005535117 A5 JP 2005535117A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- metal shield
- adjusting
- window
- etching process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 13
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims 13
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
Claims (11)
- 誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記誘導結合プラズマエッチング装置のコイルに接続されている同調コンデンサの電気容量をゼロ動作容量に近い値に固定する動作と、
前記コイル上のノードの位置を決定する動作であって、前記ノードは、前記同調コンデンサが前記ゼロ動作容量に近い値に固定された際に前記コイル上に存在する定在RF波のノードに対応している、動作と、
前記ノードの位置に実質的に近い接続位置で、前記コイルを金属シールドに電気的に接続する動作と、
前記金属シールドにおいて所要の電圧を得るために、前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記金属シールドにかかる前記所要の電圧は、エッチング工程に適した電圧である、動作と、
を備える方法。 - 請求項1に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記同調コンデンサの調整は、前記同調コンデンサに係合しているモータ駆動を制御することによって実施される、方法。 - 請求項1に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記金属シールドにかかる前記電圧の適切さを決定するために、前記エッチング工程をモニタする動作であって、前記モニタ動作は、エッチング副生成物の堆積の存在を検出することを含む、動作と、
前記金属シールドにかかる適切な電圧を維持するために、前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記金属シールドにかかる前記適切な電圧は、エッチング副生成物の堆積を阻止するのに足る、動作と、
を備える方法。 - 請求項1に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記金属シールドにかかる前記電圧の適切さを決定するために、前記エッチング工程をモニタする動作であって、前記電圧の前記適切さは、エッチング工程の要件に基づく、動作と、
前記金属シールドにかかる適切な電圧を維持するために、前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記金属シールドにかかる前記適切な電圧は、エッチング工程の要件を満たすのに足る、動作と
を備える方法。 - 請求項1に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記誘導結合プラズマエッチング装置は、ウエハをエッチングするためのチャンバを含み、前記チャンバは、上端の開口部に窓を有し、前記窓は、外表面と、前記チャンバの内側の領域に面する内表面とを有し、
前記コイルは、前記窓の前記外表面の上方に配置され、
前記金属シールドは、前記窓の前記外表面の上方に定められ、前記金属シールドは、前記コイルと前記窓の前記外表面との間に両者から離れた状態で配置される、方法。 - 請求項5に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
複数のエッチング工程段階を実施する動作であって、前記複数のエッチング工程段階は、前記金属シールドにおいてそれぞれ異なる電圧を必要とする可能性がある、動作と、
前記金属シールドにおいて前記所要の電圧を得るために、エッチング工程段階間に前記同調コンデンサを調整する動作であって、前記所要の電圧は、後続のエッチング工程段階に適した電圧である、動作と
を備える方法。 - 請求項6に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、
前記複数のエッチング工程段階を実施する前記動作およびエッチング工程段階間に前記同調コンデンサを調整する前記動作は、所定の設定にしたがって自動的に実施される、方法。 - 請求項7に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
エッチング副生成物の堆積を検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタ動作は、前記複数のエッチング工程段階の各段階中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるエッチング副生成物の堆積を阻止する、動作と
を備える方法。 - 請求項8に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
スパッタリングを検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタリングは、前記複数のエッチング工程段階の各段階中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるスパッタリングを阻止する、動作と
を備える方法。 - 請求項5に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記エッチング工程を実施する動作と、
エッチング副生成物の堆積を検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタ動作は、前記エッチング工程中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるエッチング副生成物の堆積を阻止する、動作と
を備える方法。 - 請求項5に記載の、誘導結合プラズマエッチング装置のファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法であって、更に、
前記エッチング工程を実施する動作と、
スパッタリングを検出するために、前記窓の内表面をモニタする動作であって、前記モニタリングは、前記エッチング工程中に実施される、動作と、
前記金属シールドにかかる前記電圧を制御するために、前記同調コンデンサを自動的に制御する動作であって、前記金属シールドにかかる前記制御された電圧は、前記窓の内表面におけるさらなるスパッタリングを阻止する、動作と
を備える方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21023902A | 2002-07-31 | 2002-07-31 | |
US10/210,239 | 2002-07-31 | ||
PCT/US2003/023304 WO2004012221A2 (en) | 2002-07-31 | 2003-07-23 | Method for adjusting voltage on a powered faraday shield |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005535117A JP2005535117A (ja) | 2005-11-17 |
JP2005535117A5 true JP2005535117A5 (ja) | 2006-08-24 |
JP4741839B2 JP4741839B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=31187255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004524816A Expired - Lifetime JP4741839B2 (ja) | 2002-07-31 | 2003-07-23 | 通電されたファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7413673B2 (ja) |
EP (1) | EP1525602A2 (ja) |
JP (1) | JP4741839B2 (ja) |
CN (1) | CN100353484C (ja) |
AU (1) | AU2003259241A1 (ja) |
TW (1) | TWI232515B (ja) |
WO (1) | WO2004012221A2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7595271B2 (en) * | 2005-12-01 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Polymer coating for vapor deposition tool |
JP4888076B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2012-02-29 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置 |
JP2011124293A (ja) | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
US8987678B2 (en) * | 2009-12-30 | 2015-03-24 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media |
JP5711953B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US9293353B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Faraday shield having plasma density decoupling structure between TCP coil zones |
US9490106B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-11-08 | Lam Research Corporation | Internal Faraday shield having distributed chevron patterns and correlated positioning relative to external inner and outer TCP coil |
US9966236B2 (en) | 2011-06-15 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Powered grid for plasma chamber |
WO2013099372A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 放電容器及びプラズマ処理装置 |
US8664717B2 (en) | 2012-01-09 | 2014-03-04 | Globalfoundries Inc. | Semiconductor device with an oversized local contact as a Faraday shield |
US9867238B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for treating an exhaust gas in a foreline |
CN103457118A (zh) * | 2012-05-29 | 2013-12-18 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种装有垫片的射频线圈连接器 |
US9064868B2 (en) | 2012-10-12 | 2015-06-23 | Globalfoundries Inc. | Advanced faraday shield for a semiconductor device |
US9029267B2 (en) | 2013-05-16 | 2015-05-12 | Lam Research Corporation | Controlling temperature of a faraday shield |
US9384948B2 (en) * | 2013-06-13 | 2016-07-05 | Lam Research Corporation | Hammerhead TCP coil support for high RF power conductor etch systems |
US9885493B2 (en) | 2013-07-17 | 2018-02-06 | Lam Research Corporation | Air cooled faraday shield and methods for using the same |
KR101652845B1 (ko) * | 2014-08-08 | 2016-09-01 | 인베니아 주식회사 | 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 |
JP6561804B2 (ja) | 2015-12-03 | 2019-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN106937474B (zh) * | 2015-12-31 | 2020-07-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电感耦合等离子处理器 |
US20170278680A1 (en) * | 2016-03-28 | 2017-09-28 | Lam Research Corporation | Substrate processing system including coil with rf powered faraday shield |
JP6715129B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10541114B2 (en) * | 2016-11-03 | 2020-01-21 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
US10896806B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-19 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
US10903046B2 (en) * | 2016-11-03 | 2021-01-26 | En2Core Technology, Inc. | Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system |
CN113130281B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-07-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理系统及其包含的法拉第屏蔽装置 |
JP7489894B2 (ja) * | 2020-10-20 | 2024-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2249451Y (zh) * | 1995-05-11 | 1997-03-12 | 中国科学院微电子中心 | 一种高密度等离子体工艺装置 |
JP3429391B2 (ja) * | 1995-05-22 | 2003-07-22 | 株式会社アルバック | プラズマ処理方法及び装置 |
US5650032A (en) * | 1995-06-06 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus for producing an inductive plasma for plasma processes |
TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
US6080287A (en) * | 1998-05-06 | 2000-06-27 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition |
US6422173B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-07-23 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for actively controlling RF peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system |
JP5047423B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-10-10 | ラム リサーチ コーポレーション | 誘導結合型プラズマエッチング装置 |
-
2003
- 2003-07-23 EP EP03771839A patent/EP1525602A2/en not_active Withdrawn
- 2003-07-23 JP JP2004524816A patent/JP4741839B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-23 AU AU2003259241A patent/AU2003259241A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-23 CN CNB038184338A patent/CN100353484C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-23 WO PCT/US2003/023304 patent/WO2004012221A2/en not_active Application Discontinuation
- 2003-07-30 TW TW092120873A patent/TWI232515B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-19 US US11/109,921 patent/US7413673B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005535117A5 (ja) | ||
KR102195550B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5711953B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
EP3133635B1 (en) | Edge ring assembly for improving feature profile tilting at extreme edge of wafer | |
US9875881B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US9011636B2 (en) | Automatic matching method, computer-readable storage medium, automatic matching unit, and plasma processing apparatus | |
JP2013182966A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5492070B2 (ja) | ウエハに面する電極に直流電圧を誘導するための方法およびプラズマ処理装置 | |
JP4741839B2 (ja) | 通電されたファラデーシールドにかかる電圧を調整するための方法 | |
CN110416049B (zh) | 可调节边缘射频等离子体分布的ccp刻蚀装置及其方法 | |
US9384945B2 (en) | Automatic matching unit and plasma processing apparatus | |
JP2008053496A (ja) | エッチング装置 | |
WO2022265838A1 (en) | Apparatus and method of ion current compensation | |
US20200319263A1 (en) | Impedance matching device, abnormality diagnosis method, and storage medium for abnormality diagnosis program | |
JPH104081A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
CN111415854B (zh) | 半导体工艺的控制方法及控制装置 | |
KR20140112710A (ko) | 유도결합형 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 | |
CN109961998B (zh) | 等离子体处理装置及基于聚焦环厚度监测的控制方法 | |
JP5879449B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102124940B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 그 제어방법 | |
CN111800931B (zh) | 阻抗匹配装置、异常诊断方法以及存储介质 | |
US11456199B2 (en) | Measurement method and measuring jig | |
JP2015149323A (ja) | プラズマ処理装置及びfsvの制御方法 | |
WO2024123377A1 (en) | Chamber impedance management in a processing chamber | |
JP2017069209A (ja) | プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |