JP2005524231A - 集積回路デバイス内のルーティングの容量性と誘導性の両方の信号結合効果を除去するための給電および接地シールド・メッシュ - Google Patents

Abstract

集積回路デバイス内でルーティングの容量性と誘導性の両方の信号結合効果を取り除くための給電と接地のシールド・メッシュである。或る実施形態は、容量結合と誘導結合によって生じるノイズを取り除くための給電線と接地線の両方のシールド・メッシュのルーティングを述べている。充分に接続された給電シールド・メッシュと接地シールド・メッシュの中間に比較的長い信号線がルーティングされ、それは信号ルーティング段階の間、または給電メッシュのルーティング段階の間にルータによって生成される。信号ルーティングのために奇数のトラックまたは偶数のトラックだけを残し、給電（ＶＤＤ）のメッシュと接地（ＶＳＳ）のメッシュがルーティングされ、かつ短いセグメントを残して充分に相互接続され、それにより、回路デバイスのＲＣの効果を減少させる。また別の実施形態は、グリッドレスのルーティングについて給電と接地のメッシュを使用して信号がシールドされる場合を提示する。また別の実施形態は、信号が偶数のグリッド上にルーティングされ、給電線と接地線が奇数のグリッド上にルーティングされる多層グリッドのルーティング技術を提示する。類似した実施形態は、信号が層ＮとＮ＋１の間でルーティングされるグリッド・ルーティング技術を表わす。また別の実施形態は、左、右、上、下で対向する給電と接地のグリッドによって信号がシールドされる。追加的な実施形態もまた、標準的なセルで、および／またはゲートアレーのルーティング領域もしくはいかなる他の信号線もシールドされるべきである他の領域で使用される同様のメッシュの使用を含む。

Description

本発明の分野は、集積回路デバイス内の信号の容量結合と誘導結合によって引き起こされる問題を解決するための回路に関する。信号の容量結合と誘導結合のこの特別の問題は、工業が進歩して回路デバイスのサイズを小さくする（例えば、０．２５μＭ技術から０．１８μＭ、０．１５μＭ、０．１３μＭおよびそれ以下の）方向に移行するにつれてますます困難になりつつある。

商業市場の中でのそれらの成長やさらに小型の集積回路（２、３の例を挙げると携帯電話、腕時計カメラ、携帯型オルガナイザで使用されるＩＣ）に関する消費者の要望が増すにつれて、ＩＣサイズへの要求の傾向は小型化とより少ない電力消費へと向かい続けている。ＩＣサイズへの要求がより小いものへとなると、半導体製造業者は過去よりもはるかに小さいレベルの回路を設計することを強いられる。以前、超ＬＳＩ（ＶＬＳＩ）から超超ＬＳＩ（ＵＬＳＩ）へと工業が移行したとき、回路自体の相対的な容量結合と誘導結合は重大な問題として認識されなかった。

しかしながら、半導体業界がサブミクロン・レベルの技術（そこでは回路配線間の間隔は１０⁻⁶ｍ未満である）やそれ以下で回路を設計し、実装するとき、回路自体の内部の信号線の容量結合と誘導結合が設計者にとって重大な問題として認識されるようになった。回路サイズがさらに小さくなり、信号線の相対的距離がさらに長くなるにつれて、信号線と接地または電力線との間の結合および／またはクロストークの問題がさらに明らかになった。さらに、接地へ信号線の結合および／またはその他の信号線が強くなるにつれて、所定の信号に関する信号対ノイズ比が比例して増大する。信号の容量結合と誘導結合のこの特定の問題は、工業が進歩して回路デバイスのサイズをより小さくする（例えば、０．２５μＭ技術から０．１８μＭ、０．１５μＭ、０．１３μＭおよびそれ以下の）方向に移行するにつれてますます困難になりつつある。

信号対ノイズ比（または容量結合と誘導結合）を最小にするための１つの先行技術の取り組み方は、信号駆動レベルを強くすることである。信号強度を上げることによって、合計の信号対ノイズ比は下がる。残念なことに、信号強度を上げるためにはデバイスにより高い電力を供給しなければならない。この解決策は、熱的な課題、携帯性の課題、環境上の課題に関してＩＣの電力消費を下げようとする現在の傾向と相容れない。さらに高い電力の必要性に加えて、この先行技術の取り組み方は結合の問題を取り除かない。

別の先行技術の取り組み方は信号線の実効（Ｒ−Ｌ−Ｃ）インピーダンスを下げ、それにより、信号線間の間隔を増すことである。概して、信号線間の間隔を３倍に増しても結合効果は５０％下がるだけである。この先行技術の取り組み方は、普通、結合を最小限にしてかつ信号対ノイズ比を下げるために最初の先行技術の取り組み方と組み合わされる。この取り組み方は回路の小型化に関する現代の傾向と合致しない。

さらに別の先行技術の取り組み方は、ＶＤＤまたは接地のいずれかの供給電圧を使用して信号線をシールドすることである。この先行技術の取り組み方を使用するとき、シールド自体がノイズを他の信号線に伝えないようにシールド線（接地）は（低いインピーダンスの）充分に幅広であることを必要とするであろう。

信号線と隣接してシールド線を設ける先行技術の取り組み方に信号強度を上げることを組み合わせて補償しようとする先行技術の取り組み方が図１に示されている。この描写１００に示されるように、信号線１１０がシールド線１２０に沿ってルーティングされている。これは隣りの信号線からノイズをシールドするために使用される。サブミクロン技術に対しては、信号とシールド線の長さは線の厚さに対して相対的に長くなることがあり、その結果、所定の基板上の回路内で高い信号対ノイズ比または高いクロストークにつながる可能性がある。

したがって、ＩＣデバイスのルーティング・リソースの容量と誘導による信号結合効果を下げる必要性が存在する。

したがって、本発明は集積回路内のルーティングの容量性信号結合および／または誘導性信号結合によって引き起こされる信号結合効果を最小限にし、減少させる。本発明のこれらおよびその他の目的、および利点は、様々な図面に具体的に示される好ましい実施形態の詳細な説明を読んだ後に、当業者にとって間違いなく明らかになるであろう。

本発明は、集積回路デバイスのルーティングの容量性と誘導性の両方の信号結合効果を下げるための給電と接地のシールド・メッシュで構成される回路を開示する。このシールド・メッシュは、ＩＣに設けられる通常の給電と接地のグリッドに追加して含まれる。シールド・メッシュの複数のユニットが、集積回路のルーティング・リソースを取り囲むように設置される。特に、本発明の一実施態様は、容量結合と誘導結合によって生成されるノイズを除去するために給電線と接地線の両方のシールド・メッシュのルーティングの方法を説明している。ＶＤＤとＶＳＳ（または接地）の線が交互に設けられ、信号のルーティング・リソースがその間に配置される。このシールド・メッシュは単層または多層であることが可能である。このシールド・メッシュは給電グリッドに追加して含まれ、給電グリッドに接続されてもよい。

ベリーディープ・サブミクロン（ＶＤＳＭ）技術はサイズを小さくし続けている（例えば０．１８μＭ、０．１５μＭ、０．１３μＭ、０．１１μＭおよびそれ以下）ので、信号線は容量結合と誘導結合、および他の隣接する信号線からのノイズになおさら敏感になる。通常、信号のルーティング段階の間または給電グリッドのルーティング段階の間にルータによって生成される完全に接続された給電と接地のシールド・メッシュの間に比較的長い信号線がルーティングされる。一実施態様では、信号のルーティングのために奇数のトラックまたは偶数のトラックだけを残し、給電（ＶＤＤ）メッシュと接地（ＶＳＳ）メッシュがルーティングされ、短いセグメントを残して充分に相互接続され、それにより、回路デバイスのＲＣの影響を下げる。

本発明の他の実施態様は、グリッドレス式ルーティングのために給電と接地のメッシュを使用して信号がシールドされる場合の技術を説明している。本発明の他の実施態様は多層のグリッド式ルーティング技術を提示しており、そこでは信号は偶数グリッド上でルーティングされ、給電と接地線は奇数グリッド上でルーティングされる。本発明の同様の実施態様は、信号がＮとＮ＋１の層の間でルーティングされる場合の類似したグリッド式ルーティング技術を表わしている。その一方で、本発明の他の実施態様は左、右、上、下の対向する給電グリッドと接地グリッドによって信号がシールドされる。本発明の追加の実施態様もやはり標準的なセルで、および／またはゲートアレーのルーティング領域もしくは他のいかなる領域でも使用される、同様のメッシュの使用を含み、そこではいかなる他の信号線もシールドされ、それにより、給電線または接地線の実効抵抗またはＲＣ成分を下げる。

さらに特定すると、本発明の実施態様はａ）基板に配置された複数の信号線、ｂ）基板上に配置され、かつ第１の厚さを有する複数の給電線と第１の厚さを有する複数の接地線を含む、基板の回路に給電と接地を供給するための給電グリッド、およびｃ）基板上に配置され、かつ第２の厚さを有する複数の給電線と第２の厚さを有する複数の接地線を含むシールド・メッシュを含む集積回路デバイスが設けられ、複数の信号線のうちのそれぞれの信号線はシールド・メッシュのそれぞれの給電線とシールド・メッシュのそれぞれの接地線の間に配置され、シールド・メッシュは複数の信号線のうちの近接信号線間の電子工学的クロストークの影響をを削減する。実施態様は以上を含み、シールド・メッシュの給電線と接地線は交互に配置され、基板の単一金属層の中で互いに平行である。

その他の実施態様は上述のような集積回路を含み、そこではシールド・メッシュの給電線と接地線が基板の第１の金属層内で第１の方向に互いに平行で交互に配置され、シールド・メッシュの給電線と接地線がやはり基板の第２の金属層内で第２の方向に互いに平行で交互に配置され、第２の金属層は第１の金属層の下にあり、第１と第２の方向は９０度異なっている。

本発明は、範例の方式で、かつ限定しない方式で添付の図面類の図中に具体的に示されており、そこでは類似した参照番号は類似した素子に関する。

ここで本発明の実施形態、ＡＳＩＣチップのルーティングの容量性と誘導性の両方の信号結合効果を下げるためのシールド用の給電と接地のメッシュが詳細に参照され、それらの範例が添付の図面に具体的に示されている。本発明は好ましい実施形態と結びつけて説明されるが、それらが本発明をこれらの実施形態に限定するように意図されるものでないことは理解されるであろう。対照的に、本発明は代替選択肢、改造および同等のものを網羅することを意図され、それらは添付の特許請求項によって規定されるような本発明の精神と範囲の中に含まれる。さらに、以下の本発明の詳細説明では、本発明を充分に理解させるために多数の特定の詳細が述べられる。しかしながら、これらの特定の詳細を伴なわずに本発明が実現できることは当業者にとって明らかであろう。他の例では、不必要に本発明の態様を曖昧にしないために、よく知られている方法、手順、成分、回路は詳細に述べられていない。

本発明は、基板内部に配置された複数の所定の厚さの信号線を含む回路デバイスを説明する。信号線は、回路内で複数の信号線の近接信号線間のクロストークの効果を下げるのに使用されるシールド・メッシュとしても機能する基板の回路へ電力供給に加えられている。

図１の１００に示したように、信号線１１０は隣接する信号線からノイズをシールドするために使用されるシールド線１２０と共にルーティングされる。前に検討したように、サブミクロン技術については、これら信号とシールド線は線の厚さ（例えば０．１３μＭの短さ）に対して比較的長く（最大１００μＭ）、したがって所定の基板上の回路内で高い信号対ノイズ比またはクロストークにつながる可能性がある。

本発明の一実施形態２００によると、図２は単一の信号線２１０を示している。信号線は交互にＶＤＤとＶＳＳの線が配置された三次元シールド・メッシュを使用することによってその両側がシールドされている。別の層上には、例えば金属４、交互に配置されたＶＤＤとＶＳＳの線が、前の層、例えば金属３に直角に（９０度で）走り、ビア３によって形成される結節点２３０でさらに接続されて信号線２２０に対してＶＤＤとＶＳＳのシールド線の三次元シールド・メッシュを形成している。本発明の一実施形態によると、回路に給電し、接地するのに使用される給電グリッドに追加してシールド・メッシュがＩＣ上に含まれることが理解されるであろう。他の実施形態、例えば０．２５μＭ技術によると、ＶＤＤとＶＳＳ線の相対的セグメント距離(relative segment distance)を０．９４μＭ程度に減少させることができる。ＶＤＤとＶＳＳのセグメント距離を小さくすることはそれらの実効ＲＣ成分を下げ、それにより、ノイズの結合効果を低減させることができる。

本発明の他の実施形態３００によると、図３はシールド・メッシュの平面的透視図を描いており、そこでは同じ厚さの信号線３１０と３２０が同じ層上でかつ同じ厚さの交互のＶＤＤとＶＳＳ線の間に織り交ぜられteiる。したがって、図３は本発明のシールド・メッシュの単層の実施形態を例示している。本発明のシールド・メッシュの実施形態によると、図３はこれらのシールド線が比較的短いセグメント(segment)から成るという事実と結びついてシールド線を密に近接させたことによって、実効ＲＣインピーダンスが下げられ、それにより、信号線３１０と３２０の間の信号結合がさらに下げられることが導き出されるという事実を具体的に示している。他の実施形態によると、図３はまた、信号線３１０と３２０が同じ厚さの交互のＶＤＤとＶＳＳのシールド・メッシュで分離できること、その際、使用される技術に応じてその厚さは０．２５μＭから０．１３μＭに、かつより小型化に向かうという工業的な傾向にしたがってさらに薄くすることができることを具体的に示している。

図４はシールド・メッシュの実施形態４００の平面図であって、２つの隣接する基板層４０５Ａと４０５Ｂを示し、グリッド配置を使用して信号線（４１０、４２０、４３０）、各層上の交互のＶＤＤとＶＳＳの線、２つの層の間の適切なビアを描いている。各々のビアは層の間の接続を行い、シールド・メッシュのセグメント・サイズを小さくし、それによって、本発明の一実施形態に従って実効Ｒ−Ｃ抵抗を下げることができる。層Ｎ、４０５Ａ上で、もし信号線４１０、４２０、４３０が奇数グリッドのトラック上にあれば、ＶＤＤとＶＳＳの線は偶数グリッドのトラック上にあり、その逆もありうることに留意することが大切である。同様に、層Ｎ＋１、４０５Ｂ上で、もし信号線４４０、４５０、４６０が偶数グリッドのトラック上にあれば、ＶＤＤとＶＳＳの線は偶数グリッドのトラック上に交互にあり、その逆もある。

垂直方向に対する、信号とシールドの多層ルーティング割り当てでは、上下の結合を回避するために信号トラックが直接他の信号トラックの上にならないようにトラックを割り当てるべきである。例えば、もし層Ｎ上の信号が奇数のトラック上にある場合、層Ｎと同じルーティング方向を有する層Ｎ＋２上の信号を偶数のトラック上にルーティングする。この方策によって、信号は左右および上下の両方の給電／接地によってシールドされることになる。それにより、セグメント長さをさらに減少させ、かつ信号線間の実効分離度を増すことでノイズ結合を低減させることができる。

図５は本発明の他の実施形態５００の垂直方向の断面図を示しており、それはシールド用グリッド・メッシュの三次元の態様を描いている。信号線、交互のＶＤＤ線・ＶＳＳ線、奇数／偶数グリッドのトラック上の適切なビアとともにいくつかの層Ｎ〜Ｎ＋７が示されている。図５に見られるように、断面切断線は、信号線（５１０、５２０）およびＶＤＤ／ＶＳＳ線（５３０、５４０）を通っている。層Ｎ、層Ｎ＋２、層Ｎ＋４、層Ｎ＋６上に示されるように、ＶＤＤ線、信号線、ＶＳＳ線もまた、図４で記述されたように奇数、偶数のトラック上に交互に配置される。したがって、図５のシールド・メッシュはグリッドの線整列である。本発明の他の実施形態は素子５６０Ａ〜５６０Ｎで示されるようにビアを用いて隣り合う層を接続している。本発明の他の実施形態によると、この多層のシールド・メッシュは各々の成分の長さを減少させ、それにより、本発明の１つの実施形態に従って、結合効果をさらに低減させる。

図６は本発明の他の実施形態６００を示しており、適切なビアを備えたグリッドレス・ルーティングのシールド・メッシュ内の信号線と交互のＶＤＤ線・ＶＳＳ線を示す２つの隣接する層の平面図を描いている。図示したように、信号６４０は２つの別々の層上でルーティングされ、１つの層上で隣り合ったＶＤＤ（６２０ＡＢＢ）とＶＳＳ（６３０ＡＢＢ）を含むグリッドレスのメッシュによってシールドされている。同じ６４０信号線が、第１の層に対して９０度に配列された他の隣接層上のＶＤＤ（６２０Ｂ）とＶＳＳ（６３０Ａ）の線によってシールドされている。この例では信号線６４０は再び前の層上で、再び９０度異なる方向にルーティングされ、ＶＤＤ（６２０ＡＢＡ）とＶＳＳ（６３０ＡＢＡ）の線によってシールドされる。同様に、本発明の他の実施形態によると、信号線６１０Ａ、６１０Ｂ、６１０Ｃも同様に両側（隣り合った）および垂直方向（上下の）でシールドを有するようにたどることが可能である。この多層のシールド・メッシュは各々の成分の長さを減少させ、それにより、本発明の１つの実施形態に従って、グリッドレス・ルーティング技術の中で結合効果をさらに低減させることができる。

本発明の他の実施形態７００によると、図７はグリッドレスのシールド・メッシュの垂直方向断面図を示し、隣り合う層の間を接続するための適切なビアを備えた信号線と交互のＶＤＤ線・ＶＳＳ線を示している。ビア７１０と７２０で示したように、セグメント・サイズの間の距離はグリッド幅によって束縛されない。このグリッドレスの例はまた、ビア７３０と７４０でも見られる。本発明の他の実施形態によると、グリッドのサイズに関係なく、可能な限り密に近接させて、異なるサイズのビアを使用することが可能である。密に近接したビアを使用すると、各々の信号、ＶＤＤまたはＶＳＳのシールド・メッシュの相対的セグメント長さは小さくされる。本発明の他の実施形態によると、集積回路デバイスを主給電グリッドへ接続するための経路としてシールド・メッシュを使用することができる。図７に示したように、線７４０は２つの短いセグメント７１０、７２０を使用してＶＤＤまたはＶＳＳのいずれかのシールド・メッシュへとタップ引き出しするために接続され、それが今度は主給電グリッドへと接続される。

実施形態８００によると、図８は基板上でシールド・メッシュ（８２０）と給電グリッド（８１０）を備えた集積回路を示している。シールド・メッシュはクロストークの容量性と誘導性の効果を低減させるために使用され、その一方で給電グリッドはＩＣ回路に給電と接地を供給するために設けられる。給電グリッドの線は、信号線のサイズにサイズが設定されたシールド・メッシュのＶＳＳとＶＤＤの線よりもはるかに大きい。この実施形態によると、シールド・メッシュの線と真の給電グリッドの線の間のサイズの差異は因数２から因数１０で異なっている。しかしながら、それらの比較的小さいセグメント長さのせいで、機能時のシールド・メッシュは接続される線の実効ＲＣ成分を低減させる。これが今度は他方でノイズと結合効果を低減させ、したがってシールド・メッシュはルーティング・リソースが使用されるいかなる基板領域にも配備されることができる。

図９は実施形態９００を描いており、基板上のブロック間のルーティング・チャネル（９１０）内のシールド・メッシュ、また、基板のブロック（９２０）内のシールド・メッシュを描いている。図８で述べたように、シールド・メッシュの比較的小さいセグメント長さのせいで、シールド・メッシュはルーティングの線の実効ＲＣ成分をさらに減少させ、それにより、信号線間のクロストークによって引き起こされるノイズと結合効果を減少させる。

図１０は、本発明のシールド・メッシュが導入されたＥＤＡツールの処理のための工程のフローチャート１０００を例示している。本発明のこの実施形態に示されるように、工程１０１０で初期コードがＨＤＬを使用して書かれ、（例えば）その後に工程１０２０で論理合成が実行される。図示したように次に工程１０３０で給電グリッドの配置が実行される。例えば基板グリッドが使用される場合、本発明の一実施形態で概説したようなシールド・メッシュが図示したような工程点１０４０で導入される。この工程点の後に、ルータ１０５０が設計された回路をルーティングし、シールド・メッシュをそのパラメータ内で操作する。この工程点で、その設計はテープ上に置かれる（１０６０）。

しかしながら、基板グリッド上にシールド・メッシュを導入する必要がないことに留意することが大切である。前に述べたように、本発明の他の実施形態はシールド・メッシュが所定の基板上でグリッドレス設計に導入されている。グリッドレス・ルーティングに対して、ルータ（１０５０）は基板にシールド・メッシュを導入することが可能である。

この充分に接続された給電と接地のシールド・メッシュは、容量結合と誘導結合を除去することが重要であるときに使用される。このメッシュの主な供給源は主給電グリッドのトランクあるいは比較的ノイズの少ないシールド専用の独立した給電と接地のトラックから形成されるであろう。

シールド・メッシュはまた、標準的なセルもしくはゲートアレー領域、ルーティング・チャネルもしくはハードマクロの最上部のルーティング・チャネル、データ・バスのルーティング、制御バスのルーティング、アドレス・バスのルーティング、アナログ信号のルーティング、クロックやクロック・バスのルーティング、またはその他のいかなる信号線にも使用されることが可能である。

この充分に接続された給電と接地のシールド・メッシュを追加することで、自動化されたＶＤＳＭチップのルーティングは心配不要になり、殆どの予測不可能な結合誤りは事実上本発明によって根絶される可能性がある。

シールド線と信号線を示す平面図である。 本発明の一実施形態のシールド・メッシュによるグリッド配置を示す２つの層の平面図である。 シールド・メッシュの二次元平面を示す図であって、本発明の別の実施形態に従って、ＶＤＤとＶＳＳの線の間の同じ厚さの信号線１と２が同じ層にある。 各々の層に信号線およびＶＤＤとＶＳＳの線を描画する２つの隣接する層、および２つの層の間の適切なビアを含むシールド・メッシュを示す平面図である。 信号線、ＶＤＤとＶＳＳの線を備えたいくつかの層を有し、奇数／偶数グリッドのトラックにそれらの適切なビアを備えたシールド・メッシュの垂直方向の断面を示す図である。 グリッドレスのルーティング技術で信号、ＶＤＤおよびＶＳＳの線を示し、それらの適切なビアを備えたシールド・メッシュの２つの隣接する層を示す平面図である。 シールド・メッシュのグリッドレス・ルーティングの実施形態の垂直方向断面を示す図であって、ＶＤＤとＶＳＳの線を伴なった信号線およびそれらの適切なビアを示している。 本発明の別の実施形態による、前記基板上の給電グリッド内のシールド・メッシュを示す図である。 本発明の別の実施形態による、前記基板上のチャネル内および前記基板上のブロック内のシールド・メッシュを描く図である。 論理合成からプレーサ、ルータ、テープへの処理工程を描いたブロック図である。

Claims (20)

1. ａ）基板に配置された複数の信号線と、
   ｂ）前記基板上に配置され、かつ第１の厚さを有する複数の給電線と前記第１の厚さを有する複数の接地線を含む、前記基板の回路に給電と接地を供給するための給電グリッドと、
   ｃ）前記基板上に配置され、かつ第２の厚さを有する複数の給電線と前記第２の厚さを有する複数の接地線を含むシールド・メッシュとを含み、前記複数の信号線のうちのそれぞれの信号線が前記シールド・メッシュのそれぞれの給電線と前記シールド・メッシュのそれぞれの接地線の間に配置され、前記シールド・メッシュが前記複数の信号線のうちの近接信号線間の電子工学的クロストークの影響を削減する集積回路デバイス。
2. 前記第２の厚さが前記第１の厚さよりも薄い請求項１に記載の集積回路。
3. 前記複数の信号線のうちの前記信号線が前記第２の厚さと同じ厚さである請求項２に記載の集積回路。
4. 前記シールド・メッシュの前記給電線と接地線が交互に配置され、前記基板の単一の金属層において互いに平行である請求項１に記載の集積回路。
5. 前記シールド・メッシュの前記給電線と接地線が基板のグリッドの線と位置合わせされる請求項３に記載の集積回路。
6. 前記シールド・メッシュの前記給電線と接地線が前記基板の第１の金属層内で第１の方向に互いに平行で交互に配置され、前記シールド・メッシュの前記給電線と接地線がやはり前記基板の第２の金属層内で第２の方向に互いに平行で交互に配置され、前記第２の金属層が前記第１の金属層の下にあり、前記第１と第２の方向が９０度異なっている請求項１に記載の集積回路。
7. 前記電子工学的クロストークが容量結合と誘導結合を含む請求項１に記載の集積回路。
8. ａ）基板内部に配置された複数の信号線と、
   ｂ）前記基板上に配置され、かつ第１の厚さを有して第１の電圧レベルを供給するための複数の第１の線と前記第１の厚さを有して第２の電圧レベルを供給するための複数の第２の線を含み、前記基板の回路に電力を供給する給電グリッドと、
   ｃ）前記基板上に配置され、かつ第２の厚さを有して前記第１の電圧レベルを供給する複数の第３の線と前記第２の厚さを有して前記第２の電圧レベルを供給する複数の第４の線を含むシールド・メッシュとを含み、前記複数の信号線のうちのそれぞれの信号線が前記シールド・メッシュのそれぞれの第３の線と前記シールド・メッシュのそれぞれの第４の線の間に配置され、前記シールド・メッシュが前記複数の信号線のうちの近接信号線間の電子工学的クロストークの影響を削減する集積回路デバイス。
9. 前記第２の厚さが前記第１の厚さよりも小さい請求項８に記載の集積回路。
10. 前記複数の信号線のうちの前記信号線が前記第２の厚さと同じ厚さである請求項９に記載の集積回路。
11. 前記シールド・メッシュの前記第３と第４の線が交互に配置され、前記基板の単一の金属層の内部で互いに平行である請求項８に記載の集積回路。
12. 前記シールド・メッシュの前記第３と第４の線が基板のグリッドの線と位置合わせされる請求項１０に記載の集積回路。
13. 前記シールド・メッシュの前記第３と第４の線が前記基板の第１の金属層内で第１の方向に互いに平行で交互に配置され、前記シールド・メッシュの前記第３と第４の線がやはり前記基板の第２の金属層内で第２の方向に互いに平行で交互に配置され、前記第２の金属層が前記第１の金属層の下にあり、前記第１と第２の方向が９０度異なっている請求項８に記載の集積回路。
14. 前記第１の金属層の第３の線と前記第２の金属層の第３の線が第１の接続を使用して一体に結合される請求項１３に記載の集積回路。
15. 前記第１の金属層の第４の線と前記第２の金属層の第４の線が第２の接続を使用して一体に結合される請求項１４に記載の集積回路。
16. 前記電子工学的クロストークが容量結合と誘導結合を含む請求項８に記載の集積回路。
17. 前記シールド・メッシュが前記基板の利用可能面積の実質的に５０％を消費する請求項８に記載の集積回路。
18. ａ）基板内部に配置された複数の信号線と、
    ｂ）前記基板上に配置され、かつ第１の厚さを有する複数の給電線と前記第１の厚さを有する複数の接地線を含む、前記基板の回路に給電と接地を供給するための給電グリッドと、
    ｃ）前記基板上に配置され、かつ第２の厚さを有する複数の第１の線と前記第２の厚さを有する複数の第２の線を含むシールド・メッシュとを含み、前記複数の信号線のうちのそれぞれの信号線が前記シールド・メッシュのそれぞれの第１の線と前記シールド・メッシュのそれぞれの第２の線の間に配置され、前記シールド・メッシュが前記複数の信号線のうちの近接信号線間の電子工学的クロストークの影響を削減する集積回路デバイス。
19. 前記シールド・メッシュの前記第１と第２の線が交互に配置され、前記基板の単一の金属層の内部で互いに平行である請求項１８に記載の集積回路。
20. 前記シールド・メッシュの前記第１と第２の線が前記基板の第１の金属層内で第１の方向に互いに平行で交互に配置され、前記シールド・メッシュの前記第１と第２の線がやはり前記基板の第２の金属層内で第２の方向に互いに平行で交互に配置され、前記第２の金属層が前記第１の金属層の下にあり、前記第１と第２の方向が９０度間隔を置かれている請求項１８に記載の集積回路。

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