JP2005523868A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 光ファイバを形成する方法において、前記方法が、
   前記光ファイバに熱エージング欠陥を導入するのに十分な線引き速度及び線引き張力でドープトガラス供給源から前記光ファイバを線引きする工程、及び
   前記熱エージング欠陥を減少させ、前記光ファイバの形成後に減衰が増大する前記光ファイバの傾向を弱めるために、前記光ファイバをある処理張力範囲内に維持しながら、ある処理時間にわたりある処理温度範囲内に前記光ファイバを維持することにより、前記光ファイバを処理する工程、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記光ファイバにゲルマニウムドーパントがドープされていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記処理温度範囲が約１１００℃から約１５００℃の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記処理時間が約０.０２５秒と０.５秒の間の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記処理時間が約０.０３秒と０.１秒の間の範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の方法。
6. 前記線引き速度が約６ｍ/秒と２５ｍ/秒の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記処理する工程が、８３０℃/秒より高く、４０００℃/秒より低い、冷却速度で前記光ファイバを冷却する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記線引きする工程が、線引きされた光ファイバが初めは第１のガスで取り囲まれるように線引き炉から前記光ファイバを線引きする工程を含み、
   前記処理する工程が、前記線引きされた光ファイバに受動マッフルの通路を通過させる工程を含み、
   前記通路には前記第１のガスより低い熱伝導度を有する第２のガスが入っており、前記第１及び第２のガスが混ざり合い、前記受動マッフルの前記通路の末端から出る、
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 前記線引き炉と前記受動マッフルの結合部において周囲空気が前記線引き炉または前記受動マッフルに侵入できないように、前記線引き炉と前記受動マッフルが相互に配置されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
10. 前記第２のガスが、アルゴン、ネオン、窒素及び酸素からなる群から選ばれることを特徴とする請求項８に記載の方法。
11. 光ファイバを作製するための装置において、前記光ファイバをそれから線引きすることができる光ファイバプリフォーム及び第１の熱伝導度係数を有するフォーミングガスが入っている通路を有する線引き炉及び前記線引き炉の下流に配置された熱エージング処理装置を備え、前記処理装置が処理管及び流体が通過できるように前記処理管に接続された処理ガス分配器を備え、前記ガス分配器が軸方向に間隔をおいた少なくとも２つの場所において前記管に接続された、前記軸方向に間隔をおいた少なくとも２つの場所における前記管への処理ガスの供給を可能にする、軸方向に間隔をおいた少なくとも２つの供給ポートを有することを特徴とする装置。
12. 前記処理装置が前記マッフル管を取り囲む処理炉をさらに備え、前記処理炉が少なくとも１つの加熱素子を備えることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
13. 前記処理管が少なくとも１２ｍｍの最小寸法を有することを特徴とする請求項１１に記載の装置。