JP2005521207A - アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この信号はアドレスTFT T2をオンにし、それ故、列導体160からのそれぞれのデータ信号を有する行の画素をロードする。これらのデータ信号は、それぞれの画素の個々の駆動TFT T1のゲートに印加される。その駆動TFT T1の結果として得られた導通状態を保持するために、このデータ信号は、このゲート5と駆動ライン140、240との間に結合される保持キャパシタChによりゲート5において維持される。このように、各々の画素200のLED25を流れる駆動電流は、前アドレス期間の間に印加され、関連するキャパシタChにおいて電圧として蓄積された駆動信号に基づいて、TFT T1により制御される。具体例の図1においては、T1はPチャネルTFTとして示され、T2はNチャネルTFTとして示されている。
● 半導体性高分子層22を調整する間に、個々の画素200のそれぞれの領域及び/又は画素200の列との間の高分子溶液のオーバーフローを回避して、分離する。
● 個々の画素200及び/又は画素の列のための他のエレクトロルミネッセンス層22または半導体性高分子(或いは、画素のための個々の電極であって、例えば、上部電極23の個々の下層の自己分離でさえ)の範囲限定において基板表面にセルフパターニング能力を提供する。
● 少なくとも有機半導体材料22及び/又は電極材料の析出の間に基板表面に亘るマスクのためのスペーサとして機能する。
● 光250が上部を透過して発光されるとき、アレイにおける画素200の明確に限定された光学的分離のための不透明障壁210を(底部基板100の代わり又はそれと併せて)構成する。
図5乃至7の実施形態の各々においては、センサ400sのアレイは画素200のアレイと共に集積されている。センサ400sは、回路基板100の第1回路素子に導電性障壁材料240により接続される第2回路素子400を提供する。種々のセンサアレイは、本発明に従って、表示装置と共に集積されることが可能である。このようにして、センシングアレイは、例えば、短絡タッチ入力、圧力入力、コンデンサ入力又は光ペン入力を有する。
図8の実施形態における第2回路素子は、回路基板100の薄膜素子に導電性障壁材料240により接続されたLED25の上部電極である。そのような相互接続は、所定のLED25の電極21及び23の両方への回路構成の集積を可能にする。
本発明に従って、装置における相互接続障壁材料240に対して、多種多様のレイアウト構成が可能である。有利なことに、相互接続障壁材料240は、画素間の障壁210xの他の部分と、複合レイアウトにおいて、結合されることが可能である。
図2乃至8及び図10の実施形態においては、障壁210及び210xは、導電性材料240及び240xを主体とするものとして示されている。図12は、障壁210が絶縁性材料244を主体としていることを示している。この場合、ビア244bはエッチングされ、回路基板100における回路素子4,5の方に絶縁性材料244を通して成形される。金属コーティング240は、絶縁性障壁210の上部及びビア244bにおいて延びる導電性障壁材料を提供する。
相互接続材料240と共に障壁210を用いて構成すること以外に、本発明に従ったアクティブマトリクススエレクトロルミネッセンス表示装置は、例えば、上記の背景としての参照文献におけるように、既知の装置技術及び回路技術を用いて、構成されることが可能である。
この実施形態は、画素領域に隣接する障壁210の少なくとも側部に絶縁性コーティングを与えるために、陽極酸化処理法(析出の代わりに)を用いる。代表的には、導電性障壁材料240はアルミニウムを有することが可能である。析出されるアルミニウムの好ましい距離とレイアウトパターンとは、既知のフォトリソグラフィのマスキング及びエッチング技術を用いて、限定されることができる。図17は、アルミニウムの障壁パターン240の上部に保持されたフォトリソグラフィにより限定されるエッチャントマスクを示している。
Claims (19)
- 画素のアレイが該アレイの少なくとも1つの方向において少なくとも幾つかの隣接画素間の物理的障壁を有して存在する、回路基板;
を有する、アクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
各々の画素はエレクトロルミネッセンス素子を有し;
前記回路基板は、前記エレクトロルミネッセンス素子が接続される回路構成を有し;
前記物理的障壁は、前記回路基板の第1回路素子と前記装置の第2回路素子との間の相互接続としての機能を果たす導電性材料を有し;
前記導電性障壁材料は前記エレクトロルミネッセンス素子に隣接する障壁の少なくとも側部において絶縁され、非絶縁性である上部接続領域と下部接続領域とを有し、前記第1回路素子と前記第2回路素子とは前記導電性障壁材料に接続されている;
ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記回路基板の前記第1回路素子は:
導体層;
電極接続;
供給ライン;
アドレスライン;
信号ライン;
薄膜トランジスタ;及び
薄膜キャパシタ;
を有するグループの少なくとも1つの薄膜素子である、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第2回路素子は前記エレクトロルミネッセンス素子の上部電極であり、前記第1回路素子は前記回路基板の少なくとも1つの薄膜素子である、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項3に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
各々の画素は、隣り合っている副画素であって、それら副画素間に障壁を有し、1つのサブ画素の前記上部電極を隣接副画素の前記下部電極に接続する導電性障壁材料を有する、副画素、を有し、それらの上部電極及び下部電極は前記第1回路素子及び前記第2回路素子を構成する、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1又は2に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、センサのアレイが前記画素のアレイと共に集積化され、前記センサは、前記回路基板の前記第1回路素子に前記導電性障壁材料により接続された前記第2回路素子を提供する、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、センサのアレイは前記画素のアレイと共に集積化され、前記回路基板は、前記の画素のアレイ及び前記のセンサのアレイの両方のためのマトリクス状アドレス回路構成を有し、そして、前記導電性障壁材料は前記マトリクス状アドレス回路構成に前記アレイのセンサを接続する、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項5又は6に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記センサアレイは、前記障壁の上部において及び前記画素アレイに亘って支持される、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項7に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、
平坦化層は、前記画素アレイに亘って前記センサアレイを支持するために前記障壁の疝気上部に延びる膜厚を有する前記画素アレイに亘ってある、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1乃至8のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記障壁の絶縁性距離部は前記導電性障壁材料(及び、好適には、金属を有する)を主体としている、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項1乃至9のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記障壁は、前記第1回路素子に接続され、少なくとも前記障壁の側部における絶縁性コーティングを有する前記導電性障壁材料を与える金属コアを有する、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項1乃至9のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記障壁は、前記第1回路素子に接続され、少なくとも前記障壁の側部における絶縁性コーティングを有する前記導電性障壁材料を与える金属コーティングを有する、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項1乃至8のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記物理的障壁は、ビアが前記回路基板における前記回路素子との
接続のために延びている絶縁性材料を主体としており、前記導電性障壁材料を提供する金属コーティングは、前記物理的障壁の上部において且つ前記障壁を通るビアにおいて延びている、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 請求項1乃至12のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記エレクトロルミネッセンス素子は有機半導体材料の電流駆動発光ダイオードである、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項1乃至13のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記導電性障壁材料の下方において、第1回路素子への接続を可能にする前記回路基板における中間絶縁性層に接続窓がある、ことを特徴とするアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項1乃至14のいずれ一項に記載のアクティブマトリクスエレクトロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって:
(a)前記回路基板の前記第1回路素子への電極接続上に析出された電気導電性材料を有し、前記画素領域に隣接する前記物理的障壁の少なくとも側部において絶縁体を有する前記物理的障壁を形成する段階であって、前記物理的障壁は前記障壁の前記上部において前記導電性障壁材料への非絶縁性上部接続領域を有する、段階;
(b)前記物理的障壁間に画素領域における前記エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部を与える段階;及び
(c)前記障壁の前記の非絶縁性上部接続領域における前記導電性障壁材料との接続において前記第2回路素子を与える段階;
有する、ことを特徴とする方法。 - 請求項15に記載の方法であって、前記絶縁体は、前記導電性障壁の少なくとも側部と上部とに析出され、前記上部接続領域から実質的にエッチングされる絶縁性コーティングを有する、ことを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記導電性障壁材料はアルミニウムを有し、前記絶縁体は陽極酸化により前記アルミニウムの障壁材料の側部に形成された絶縁性コーティングを有する、ことを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記段階(a)は、ビアが前記回路基板の前記接続窓における前記回路素子との接続のために形成される絶縁性材料を主体とする物理的障壁を形成する手順を有し、前記電気導電性材料は前記物理的障壁の上部において且つ前記物理的障壁を通る前記ビアにおいて導電性コーティングとして析出される、ことを特徴とする方法。
- 請求項18に記載の方法であって、前記物理的障壁のための前記導電性コーティングと前記エレクトロルミネッセンス素子の上部電極は同時に析出され、前記物理的障壁の前記側部における突出形状のシャドーマスクの効果により分離される、ことを特徴とする方法。
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