JP2005520353A - 重ね合わせ誤差検出 - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、重ね合わせ誤差検出に関し、より詳細には、2つの構造の位置ずれを検出するための結像システムおよび重ね合わせ誤差の検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
重ね合わせ誤差測定では、特別に設計されたターゲットが様々な位置、通常は各プロセス用のウェーハ上のダイ間のストリート区域に戦略的に置かれる必要がある。2つの連続プロセスからの2つの重ね合わせターゲットの整合は、ウェーハ上の多くの位置について測定され、ウェーハ全体にわたる重ね合わせ誤差マップが解析されて位置ずれ情報が提供される。次に、この情報は、ウェーハ加工装置の整合制御に用い得る。
【0003】
集積回路の製造における重要な工程管理パラメータは、半導体ウェーハ上の連続層間の重ね合わせターゲット整合の測定である。もし2つの重ね合わせターゲットが相互に位置がずれていれば、製作された電子デバイスは誤動作し、半導体ウェーハは再加工または廃棄される必要がある。
【0004】
典型的には、従来の重ね合わせターゲットは、ボックス・イン・ボックスターゲットおよびバー・イン・バーターゲットである。ボックス・イン・ボックスターゲットは典型的には、10μm内側ボックスおよび20μm外側ボックスを有している。外側ボックスは、基板(または、前プロセス層)上に印刷され、内側ボックスは、現在の層上にレジスト印刷される。重ね合わせ誤差は、外側ボックスを基準とした内側ボックスの位置誤差として報告される。バー・イン・バーターゲットも、10μm内側ターゲットを現在の層上に、20μm外側ターゲットを前層上に有している。しかしながら、ボックスエッジは、約2μm幅の狭いバーと置き換えられる。ボックス・イン・ボックスターゲットはよりコンパクトである。しかしながら、バー・イン・バーターゲットはよりよい測定性能を提供する。重ね合わせターゲットは、ウェーハ上の格子構造またはウェーハ表面にエッチングされた格子構造を含み得る。例えば、1つの重ね合わせターゲットをエッチングによりウェーハ中へ形成し、それと同時に別の隣接した重ね合わせターゲットをウェーハ上のより高い高度のフォトレジスト層とし得る。
【0005】
重ね合わせターゲット位置ずれを検出するための従来のシステムは、「ボックス・イン・ボックス」または「バー・イン・バー」ターゲットを結像する電子カメラを使用するのが典型的である。従来システムの精度は、ターゲットのラインプロファイルの精度、照明および結像光学装置における収差、ならびにカメラにおける像サンプリングによって限定される。そのような方法は複雑であり、完全結像光学装置を必要とする。防振も必要とされ、トラックのような加工装置にそのようなシステムを組み込むことは困難なことがある。重ね合わせ誤差検出のための従来の方法は、化学的および機械的研磨加工により得られるような低コントラストターゲットの場合に困難である。
【0006】
従来方法の改良は、米国特許第6,023,338号に記載されている。この特許は、2つの重ね合わせターゲット構造が互いに隣接して置かれ、構造上のスポットを照明する2つの放射ビームが、両方の構造の部分を横切る2つの別個の経路に沿って走査されるという方法を開示している。両方の経路に沿って反射された放射の強度が検出および処理されて、2つの構造間の任意のオフセットが計算される。
【0007】
上述のどの方法および技法も完全に満足のいくものではない。従って、よりよい性能および単純化された特徴を備える改良されたシステムを開発することが望ましい。
【0008】
(発明の開示)
本発明の1つの局面は、ターゲットを横切る走査光ビームの代わりに、ターゲット中の2つの周期的構造の少なくとも一部分が検出器配列上に結像し得るという知見に基づく。次に、2つの構造間の位置ずれが、検出器からの出力から決定できる。本発明のこの局面は、ステッパおよびエッチャーのような半導体加工装置に組み込まれた場合に特に有用である。そのようにして組み込まれた場合、どのような重ね合わせ誤差検出システムも振動の影響を受ける。検出システムが、ターゲットを横切る走査光ビームを必要とするのであれば、振動によりビーム位置は時間経過につれて移動するであろう。検出器配列上に2つの構造の部分を結像することによって、構造間の位置ずれを決定するために使われる全データが同時に得られ、その結果、システムが振動により影響されることはより少なくなる。好ましくは、2つの構造間の位置ずれは、検出器出力間の位相差から決定される。
【0009】
重ね合わせ誤差を測定するための従来の方法は、2つのターゲット構造からの光を収集するために、高開口数対物レンズを用い、その場合に、高開口数対物レンズは、解像度、従ってエッジ鮮明度を最大にするために用いられる。ターゲット構造は、外側ボックスと比較してより高い高度に内側ボックスを含み得る。従来方法で使用される収集対物レンズは、開口数が高いので、これは必然的に、このレンズの焦点深度が小さいことを意味する。従って、もし内側ボックスからの放射が検出器上に集束されるように対物レンズが設置されれば、より低い高度の外側ボックスから収集された光は、検出器に関して焦点がずれるであろう。それゆえ、内側および外側ボックスの両方を正確に測定するためには、内側および外側ボックスの両方からの放射が検出器上に集束されるように、ターゲットを2回測定する必要があり、この分野で種々の光学焦点を有する「ダブルグラブ」として知られている。「シングルグラブ」測定におけるような1回測定の代わりに2回測定が必要なので、これはスループットに悪影響を与え、不利である。さらに、ウェーハ加工環境におけるように、検出システムが振動の影響を受ける場合には、振動によって2回の測定間で光学的整合が移動することがあり、これが重ね合わせ誤差測定における誤差という結果になることがある。本発明の別の局面によれば、収集対物レンズは、中間開口数を持っており、従って焦点深度がより大きい。それゆえ、これによって、内側および外側ボックスの両方からまたは種々の高度の他の構造からの放射が、対応する検出器上に同時に適切に集束される可能性が高まり、その結果、ターゲットを2回測定する必要が全くない。従って、シングルグラブが可能なより多くのアプリケーションがあり、その結果そのようなアプリケーションについてスループットが悪影響を受けない。さらに、中間開口数により、1回の測定において重ね合わせ誤差測定について十分な情報が得られる確率が増大するので、システムは堅牢であり振動によって影響を受けることが少なくなる。
【0010】
従来システムの上述の問題は、本発明の別の局面において、一方の構造から収集された放射を一方の開口へ集束させ、さらに他方の構造から収集された放射を別の開口へ集束させる2つの開口および光学装置を用いることにより克服できる。その場合、検出器は、開口を通過する放射を検出する。このように、両方の構造は、検出器およびそれらの対応する開口に同時に集束させ得る。
【0011】
収集システムが振動により影響を受ける環境では、もしデータ収集がある期間にわたり、光学的整合がそのような期間にわたって変わるのであれば、測定精度は振動により悪影響を受けるであろう。このような理由で、検出器の積分時間が約10ミリ秒未満の場合には、収集された放射を検出するために、好ましくは1つ以上の検出器が使用される。検出器の積分時間がそのような値の範囲にあるように設定される場合には、検出システムは、ウェーハ加工環境において遭遇するような振動により影響されることが少なくなる。
【0012】
システムが遭遇する振動期間に比べて短くなるように検出器の積分時間を設定する代わりに、2つの構造を、10ミリ秒未満のパルス幅のような、振動期間よりも少ないパルス幅を有する放射パルスで照明し得る。これに代えて、機械式シャッタを、システムの照明光学装置(図1において点線31で示される)または収集光学装置(図1において点線33で示される)に使用することができ、その場合には、シャッタの開口時間(シャッタが開いている期間)は10ミリ秒未満である。
【0013】
1つ以上の上述のシステムを、リソグラフィトラックまたはステッパ、あるいはエッチャーのような加工装置に組み込み、統合型ツールを形成し得る。上述のシステムは、明視野または暗視野システム(以下で定義される)とし得る。明視野システムにおいて、2つの構造から収集された放射は鏡面反射方向に沿ったものを含んでいる。しかしながら、使用される光学装置に応じて、鏡面反射方向に沿った放射の収集に加え、放射は、明視野システムにおいて鏡面反射方向からずれた方向に沿っても収集され得る。
【0014】
本発明の別の局面によれば、検出器配列上に結像される放射は、鏡面反射方向からずれた1つ以上の方向にのみ沿って収集され、その理由は、そのような検出が低い空間周波数成分を抑制し、高い空間周波数を高め、それによりエッジ検出能力、それゆえ重ね合わせ誤差測定における感度が増大するからである。そのような収集(鏡面反射方向からずれた1つ以上の方向にのみ沿った収集)を使用する検出システムは、暗視野システムと呼ばれ、これはボックス・イン・ボックスおよびバー・イン・バータイプターゲットのようなボックスおよびバーを用いるターゲットだけでなく、格子のような周期的タイプターゲットの重ね合わせ誤差の測定にも有用である。暗視野システムは、内側および外側ボックス間の高度差が小さい場合のような低コントラストターゲットにおける重ね合わせ誤差測定に特に有用である。
【0015】
本発明の他の局面は、ターゲットの2つの構造から収集された放射データの処理に関する。ターゲットの2次元像が得られた後、この像から少なくとも1つの1次元信号が導き出され、2つの構造間の重ね合わせ誤差の決定に用い得る。像中のデータを平均して1次元信号が導き出される場合、信号対雑音比が改善され得る。
【0016】
重ね合わせ誤差検出におけるデータの従来の処理においては、ボックスまたはバーのような対象のエッジまたはその近くの像の部分中のデータだけが使われ、システムは像の品質およびコントラストに強く依存する。最新の化学的機械的研磨プロセスは、従来方法がもはや適さないほどにターゲットのコントラストを減少させる傾向がある。本発明の別の局面によれば、ターゲットの2次元像は、像中の位置の解析関数である少なくとも1つの信号により表される。その場合に好ましくは、2つの構造の像からのデータへの少なくとも1つの信号のカーブフィッティングプロセスが、重ね合わせ誤差を決定するために用いられる。2つの構造の像が、解析関数である少なくとも1つの信号により表される場合、重ね合わせ誤差を見出すために従来方法に比べて2次元像からのより多くの情報が用いられ、より正確な結果がもたらされる。カーブフィッティングプロセスにより、検出の正確度および精密度がさらに改善される。
【0017】
上述の重ね合わせ位置ずれ検出における像処理のためのいずれの手法も、コンピュータあるいは任意の他の情報機器またはデジタルデバイスにロードしたソフトウェアコンポーネントによって実行し得る。それが可能な場合には、コンピュータ、機器またはデバイスは、上述の手法を実行して重ね合わせ位置ずれの発見を助けることができる。ソフトウェアコンポーネントは、固定媒体からロードされるか、あるいはインターネットまたは任意の他のタイプのコンピュータネットワークのような通信媒体を通してアクセスされ得る。
【0018】
説明を簡単にするために、同一の構成要素は本出願において同じ番号が付与されている。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の1つの実施形態を例示する多色(例えば、白色光)またはレーザ暗視野結像システムの断面図である。図1に示されているように、結像システム20は、レーザビーム22または白色光のような多色放射ビーム22を供給する源(図示せず)を含んでおり、ビーム22は、鏡26によって重ね合わせターゲット24に向けて反射される。ターゲット24はその表面に2つの構造を有している。すなわち、前層上の他方の構造およびそれより高い現在層上の構造である。これら2つの構造は、2つの異なる面上に位置しかつそれらの面と実質的に平行な2つの格子(これらは、図1においてはそれ自体示されていないが、ボックスまたはバーを含むタイプとし得る)とすることができ、その場合、面34(またはそれに平行な任意の面)のような2つの面の一方は基準面となり得る。ターゲット24によって散乱されたビーム22からの放射がレンズ28によって収集され、レンズ30によって検出器配列32に向かって集束される。
【0020】
図1において、ビーム22からの放射は、基準面34に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って鏡26により反射される。ターゲット24の被照明部分24aによって散乱されたビーム22からの放射は、レンズ28によって収集され、レンズ30によって、基準面34に対して斜めの方向に沿って配列32上の対応領域32aに集束される。図1では、ターゲット24の小さい1つの部分24aのみがビーム22によって照明されるのが示されているが、実際は、ターゲット24のずっと広い領域がビーム22によって照明される。言い換えれば、ターゲット24の広い被照明領域の像が検出器配列32上に形成される。例えば、図1に例示されるような部分24aに加え、図1には示してないけれども、別の部分24bも、基準面34に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿ってビーム22により同様に照明され、その結果、部分24bによって散乱されたビーム22からの放射も、面34に対し斜めの方向に沿ってレンズ28によって収集されて、検出器配列32上の対応する領域32b上にレンズ30によって集束される。これは、図1に点線で例示される。
【0021】
ターゲット24によって面34に垂直ないしほぼ垂直な鏡面反射方向に散乱された放射は、ストッパとして働く鏡26によって配列32からブロックされる。従って、システム20は暗視野システムである。ビーム22からの放射およびターゲット24の部分24a、24bと同様な他の部分により散乱された放射も同様な方法で収集および集束されて、配列32の対応する部分を照明する。このように、ターゲット24上の被照明領域の像が配列上に形成される。好ましくは、ビーム22は、配列32上に形成された2つの構造の像が重ね合わせ位置ずれ誤差検出のための十分な情報をもたらすように、ターゲット24上の2つの構造の全範囲を照明する。しかしながら、ターゲット24の2つの構造の全範囲ではなくて一部分のみが照明されれば十分なことがあり、その場合には、被照明部分により散乱された放射の検出によりもたらされる情報は重ね合わせ誤差検出に十分である。従って、ビーム22およびターゲット24の間の相対運動は、誤差検出のためには全く不要であり、先行技術システムとは異なり、逐次測定を実行する必要性がより少なくてもよいことがある。ビーム22により照明される領域の典型的サイズは、約100×100ミクロンである。
【0022】
図1に例示される一実施形態においては、重ね合わせターゲット24上の2つの構造は、並んで置かれた2つの格子を含み、これらの2つの格子は同じ方向に沿って周期的である。2つの格子の各々の少なくとも一部分の像が、検出器配列32上に形成される。そのように形成された像を処理することによって、2つの格子間の位置ずれが検出できる。
【0023】
システム20は、重ね合わせターゲットと任意の光学装置との間の相対運動が全く不要であるという点で、米国特許第6,023,338号に記載されるものよりも有利である。従って、システム20には可動部が全くなく、2つの格子間の位置ずれを決定するために必要なすべての情報は同時に得られる。この理由により、システム20は、リソグラフィトラック、ステッパまたはエッチャーのような加工装置と統合させた場合に特に有利である。そのように統合された場合には、システム20は振動の影響を受ける。重ね合わせ誤差検出システムが走査を必要とする場合に、これは、取得データが時間経過につれて逐次取られることを意味する。半導体ウェーハ加工により引き起こされる振動は、重ね合わせターゲット24に関して光学装置の整合を時間の経過につれて変えることがあり、その結果、測定に誤差を持ち込むことになる。システム20には可動部が全くなく、さらに位置ずれの決定に必要なデータのすべてが同時に得られる可能性があるので、システム20を使用した測定は、ウェーハ加工により引き起こされた振動に影響されることがより少ない。
【0024】
照明ビーム22は、白色光源によって供給されるような多色とすることができる。図1にはビーム22が示されているが、任意の投光照明方式が可能であり、適正な照明を提供しかつ信号対雑音比を高めるために、システム20において使用し得る。
【0025】
上述したように、従来の重ね合わせ誤差検出システムは、高い開口数を有する光学装置を使用する。ターゲット24上の2つの格子(図1には、その一方のみが示してある)は、典型的には異なる高度にある。一方の高度にある構造からの放射を検出器に集束するために高開口数の光学装置が配置される場合には、これは、他方の構造からの放射は検出器において焦点がずれることを意味する。この理由により、光学装置がより大きい焦点深度を持ち、従って、重ね合わせターゲットにおける2つの構造間の高度差に対する許容度がより大きくなるように、より低い開口数を有する光学装置を使用することが望ましいことがある。しかしながら、開口数が減少させられると、光学装置の解像度も同様に減少する。図2は、計算に基づく開口数と解像度との相関関係を例示するものである。従って、図2に示されているように、焦点深度は、開口数増加に伴って減少する。焦点深度に比べて減少がずっと緩やかであること以外は、解像度も同じである。従って、一実施形態において、選ばれる開口数は、0.1〜0.9の範囲にある。より好ましくは、開口数は、約0.4〜0.8の範囲内にある。さらに好ましくは、光学装置(例えば、レンズ28および30)の開口数は、約0.5〜0.7の範囲内にある。そのような範囲内では、システム20は、2つの構造間の高度差に対する許容度がより高い焦点深度を有する一方で、許容可能な解像度を同時に達成する。このように、開口数がより低いそのような光学装置を用いることにより、高度が異なる両方の構造を1回だけ測定することよって許容可能な結果が得られる。従って、従来システムとは異なり、異なる焦点で2回の測定を実施する必要は全くない。これは、暗視野システムおよび(以下で説明する図7におけるもののような)明視野システムの両方のケースについて当てはまる。
【0026】
上述したように、従来の重ね合わせ誤差検出は、像の品質およびコントラストに強く依存する。最新の化学的機械的研磨は、ターゲットのコントラストを減少させる傾向がある。低空間周波数成分を抑制し、検出器配列32上で高空間周波数を増幅することにより像中のエッジのような細部を強調するために、暗視野検出を使用し得る。これは、重ね合わせ誤差推定アルゴリズムの感度を高める。これは、図3A、図3Bに例示される。図3Aは、ターゲット24上の格子の一部の断面図である。図3Bは、図1に示されるような暗視野システムを用いて得られた、図3Aにおいて位置の関数としてプロットされた格子によって散乱された放射の像のグラフプロットである。図3A、図3Bは位置的に整列されており、その結果、図3Bに示されているように、ピーク強度は、格子のエッジに対応する散乱放射である。第1に、図3A、図3Bにおいて明確に示されているように、図1の暗視野検出システムは、格子のエッジにおいて生じる高空間周波数を強調し、最も低い空間周波数成分を抑制し、従って、エッジ検出のための信号対雑音比を改善する。
【0027】
暗視野検出は、上述の利点を得るために、格子をその表面に有するターゲットならびにボックス・イン・ボックス、バー・イン・バーまたはバー・イン・ボックスタイプターゲットの両方について使用し得る。従って、ボックスおよびバーを含む構造を有する後者のタイプのターゲットに暗視野検出が適用される場合、図3Bに類似したグラフプロットが得られ、その場合、再び低空間周波数成分が抑制され、エッジのような像の細部は、高空間周波数を増幅することによって強調される。暗視野システムは、内側および外側ボックス(または2つの格子)間の高度差が小さい場合のような、低コントラストターゲットにおける重ね合わせ誤差の測定に特に有用である。
【0028】
図4は、ターゲット24の2つの格子間のターゲットシフトまたは位置ずれの関数としての誤登録信号のグラフプロットである。図4に示されているように、検出器配列32により検出される誤登録信号がターゲットシフトの関数として変わるのが観察され、その場合、信号はターゲットシフトの特定範囲内で直線的でありかつ最も敏感である。
【0029】
図5は、本発明の別の実施形態を例示するための暗視野重ね合わせ誤差検出システムの断面図である。図1のシステム20において、照明は、頭上位置からターゲットに向けて(すなわち、基準面34に垂直ないしほぼ垂直な方向に)送り出され、ターゲット24により散乱された放射は、ターゲットおよび基準面に対して斜めの角度の方向に沿って収集される。あるいは、ターゲット24は、頭上位置からの代わりにターゲットに対し斜めの角度に向けられた放射により照明されてもよく、ターゲットにより散乱された照明ビームからの放射は、重ね合わせターゲットおよび基準面34に垂直ないしほぼ垂直な方向に収集され得る。この構成は、図5においてシステム50で例示されている。
【0030】
図1および図5に関連して、配列32は、好ましくは、電荷結合素子(CCD)のような検出器の2次元配列である。図3Aに示されるような格子は、現在層上に存在し、別の格子は前層上に存在する。2つの格子間の位置ずれは、一方の格子から検出された2次元像中の放射強度と他方の格子から検出された2次元像中の放射強度との相互相関により決定し得る。これは、2つの格子の2次元像を図1および図5のコンピュータ40により相互相関することによりなし得る。あるいは、信号対雑音比を向上させるため、2つの格子の各々の2次元像から1次元信号をコンピュータ40を用いてまず形成し得る。例えば、これは、Y方向に沿って(すなわち、格子ラインの方向に沿って)像の強度の平均を得ることによって実行できる。従って、その場合に1次元信号はxの関数であり、これは、図3Bに示される波形を持ち得る。格子ラインの方向、すなわちYに沿って平均することにより、信号対雑音比は、平均が実行されるライン数の平方根倍向上する。次に、一方の格子から検出された2次元像中の放射のY軸に沿った平均強度と、他方の格子から検出された2次元像中の放射のY軸に沿った平均強度と間の相互相関が実行される。2つの平均化信号も、以下で説明される図10に例示される。以下でより詳細に説明されるように、2つの格子間の位置ずれは、2つの平均化信号間の位相差を計算することによって見出し得る。好ましくは、格子の各々の少なくとも2つ以上のラインを横切って2つの格子の隣接ラインから検出された放射の強度について相互相関が実行される。従って、2つの平均化信号間の位相差を見出すのに適した情報を与える相互相関のために2つの格子の被照明部分が2つの格子の十分なラインをカバーするならば、被照明部分からの情報は、2つの格子の全範囲を照明する必要なく、重ね合わせ誤差決定に十分である。
【0031】
同様に、信号平均化は、信号対雑音比を改善するためのそのような構造におけるエッジの方向に沿ったボックスまたはバーを含む構造の像について実行し得る。
【0032】
ビーム22がレーザビームである場合、鏡面反射方向に沿ってスペックルが作り出される。この理由から、ビーム22がレーザビームである場合には、基準面に関してレーザビームの鏡面反射方向からずれた方向にのみ沿った放射を収集光学装置が収集するのが好ましい。これは、図1においてはストッパ26により、図5においては図5の垂直反射方向からずれた鏡26’の配置により達成される。
【0033】
上述したように、従来システムは、高い開口数を有する収集光学装置を使用する。この理由から、高度が異なる2つの構造からの放射を同じ検出器に集束するのは困難であろう。本発明の別の局面によれば、基準面34から異なる距離の位置において2つの開口が使用される。より低い高度の一方の格子によって散乱された放射が収集光学装置によって第1の開口に集束され、高い高度の他方の格子からの放射が、同じまたは異なる収集光学装置によって他方の開口に集束される。2つの開口の背後に1つ以上の検出器が置かれ得る。そのような配置により、高度が異なる両方の構造からの散乱放射を、それらのそれぞれの開口またはスリットに、同時に集束させることが可能である。この構成は、図6Aに例示される。図6Bは、図6Aのシステム70の側面図である。
【0034】
従って、格子24(1)により散乱された放射は、レンズ28、30により収集されてスリット72へ集束され、格子24(2)により散乱された放射は、レンズ28、30により収集されてスリット74へ集束される。図6Aに示されているように、スリット72は、スリット74よりも基準面34に近く、その場合に、基準面34からの2つのスリットの距離の差は、2つの格子24(1)、24(2)の高度間の差を吸収する。このように、焦点深度についての要件を緩和するために、解像度を妥協する必要がない。
【0035】
2つの格子による散乱放射は2つの異なるスリットに集束される必要があるので、格子全体が照明されるのではなく、ビーム22’は、大きいスポットを照明するための小さいビーム直径を持っており、その場合、大きいスポットは、両方の格子の部分を含んでいる。従って、2つの格子の各々の被照明部分により散乱された放射は、2つのレンズによって収集され、そのそれぞれのスリットまたは開口に集束される。従って、2つの格子を走査するためには、2つの格子と収集光学装置(レンズ28、30およびスリット72、74)との間の相対運動が、光学装置または格子の直線的平行移動および/または回転を実行するためのモータを使用するなどの従来方法で提供される。モータは、図を単純化するために省略してある。鏡26、レンズ28、30およびスリット72、74が同じ光学ヘッド中にある場合、相対運動は、光学ヘッド中のこれらの要素と2つの格子との間で引き起こされ得る。2つの構造の像が取得された後、2つの格子の2次元像、または上述したようにそこから導き出された1次元信号の相互相関をコンピュータ40により実行し得る。図6A、図6Bのシステムも、ボックスおよびバータイプ構造をその上に有するターゲットの重ね合わせ誤差を検出するために用い得る。
【0036】
上述したように、上記システムは、リソグラフィトラック、ステッパおよび/またはエッチャーのような半導体ウェーハ加工装置に組み込み得る。そのような場合、重ね合わせ誤差検出が、処理装置により引き起こされた振動により受ける影響がより少なくなるように、データ収集期間を制御することが望ましいであろう。一実施形態では、用いた(2次元CCD検出器のような)検出器の積分時間は、約10ミリ秒未満である。言い換えれば、ビーム22が、放射を連続的に供給するか、検出器の振動にとっての振動周期に比べて十分短い積分時間を選択することにより長いパルス幅を有するパルスを放射としてターゲットに供給する場合、誤差検出が加工装置の振動から受ける影響はより少なくなるであろう。あるいは、検出器の積分時間を制御する代わりに、ビーム22’がパルスを含む場合には、そのように適用されたパルスのパルス幅は約10ミリ秒未満になり、その結果、検出器の積分時間が約10ミリ秒より長くなり得る。データ収集期間を制御する上述したような特徴は、半導体ウェーハ加工装置と統合された場合に正確な重ね合わせ誤差検出能力を提供するために、上述したような値の1つのような適切な開口数を有する収集光学装置と有利に組み合わせ得る。
【0037】
図7は、本発明の別の実施形態を例示する明視野システムの概略図である。図7に示されているように、多色ビーム83は、源からの放射を伝達するためのファイババンドルを含むことがあるCWランプ源82により供給される。ビームは、コンデンサ84を通過し、ビームスプリッタ86により反射され、顕微鏡対物レンズ88によってターゲット24の基準面34へ集束される。ターゲット24によって散乱されたビーム83からの放射は、対物レンズ88によって収集され、ビームスプリッタ86を通り、チューブレンズ90によってCCDカメラ92に集束される。図7に示されているように、ビーム83は、基準面34に対して実質的に垂直であり、対物レンズ88によって収集され、レンズ90によってカメラ92に集束された放射は、基準面34に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿っている。収集されCCDカメラ92に集束された放射が、ターゲットについての基準面34に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿った放射を含むので、システム80は明視野システムである。ターゲット24中の2つの格子の走査が全く必要とされないという点で、システム80は米国特許第6,023,338号に記載されるものよりも有利である。ビーム83は、2つの格子間のどのような重ね合わせ誤差の決定についても単一の測定で十分であるように、両方の格子の実質的な部分、または好ましくは2つの格子の全範囲を照明する。動作部を持たない80のようなシステムの他の利点は、上記で説明されており、ここで繰り返す必要はない。好ましくは、対物レンズ88、90を含む収集光学装置は、暗視野システムについて上記で説明したように1回の測定で異なる高さの構造からの放射が正確に測定できる可能性がより高くなるように、中間開口数(上述した開口数についての値の範囲のいずれか1つとし得る)を有している。
【0038】
対物レンズ88は、その開口数に応じて、明視野または明暗視野対物レンズとし得る。ジー.ノマルスキー (G. Nomaruski) の「偏光波式微分干渉顕微鏡 “Microinterferometre differentiel a ondes polarises" 」 (J. Phys. Radium 16, 9S-13S(1955)) に記載されているようなノマルスキー型対物レンズも使用し得る。
【0039】
本発明の別の局面は、より正確な重ね合わせ誤差測定を提供するために、図1、5、6A、6Bおよび7に示されるようなシステムを使って得られた像を処理するための方法に関する。これは、図8において本発明の別の実施形態において例示される。図8に示されているように、重ね合わせターゲット102(格子、ボックスおよび/またはバーを含み得る2つ以上の構造をその表面に有する)は、2次元デジタル像106を得るための上述の光学ツール104のいずれか1つを用いて検出される。次に、デジタル像106は、プロセッサ40のような像前処理ツール108に供給され、上述したような格子、ボックスまたはバー中のエッジの方向に沿って2次元像強度を平均することによって1次元信号110を得る。次に、パラメータ空間中のパラメータを用いてモデルが構築される。次に、これらのパラメータの値は、プロセッサを介して適用される非線形回帰ツール(ブロック112)を用いて、2次元デジタル像から導き出された1次元信号にモデルを適合させるために変えられる。1次元信号に最良適合する事前定義モデルのパラメータ値を見出すことにより(ブロック114)、これらのパラメータが解析され(ブロック116)、重ね合わせ誤差または他の誤差の値を見出す(ブロック118)。非線形回帰を実行する前に1次元信号を2次元像から導き出すことがより望ましいのに対して、最初に1次元信号を導き出さずに2次元像について非線形回帰を実行することが可能なことが理解されるであろう。すべてのそのようなおよびその他の変更は、本発明の範囲内にある。
【0040】
上述したように、従来のアルゴリズムは、ボックス・イン・ボックスターゲットまたはボックスおよびバーを含む他のターゲットの2次元像のエッジ部分またはその近くのデータのみを利用する。像の他の部分におけるデータポイントは利用されない。本発明の別の局面は、従来方法よりも多くの2次元像からのデータポイントを利用する認識に向けられており、より正確な結果が得られる。一実施形態において、これは、2次元デジタル像を表すために、像中の位置の少なくとも1つの解析関数を見出すことによって達成される。
【0041】
この実施形態においては、解析関数を利用するモデルが最初に構築され、そこでは関数は多くのパラメータについて表現される。次に、実験データに関数が最良適合する結果になるパラメータ値を見出すために非線形回帰が実行される。次に、これらのパラメータ値は、重ね合わせ誤差および他の誤差を導き出すために用いられる。
【0042】
1次元信号を2次元像から導き出すことおよび非線形回帰のような上述したような特徴を実施するための好ましいプロセスを以下に説明する。
【0043】
雑音低減手順
上述したように得られた2次元像は、さらなる解析のための像領域を選択するために、ターゲットの外側エッジを検出することによりなされるように最初に前処理し得る。好ましくは、不規則雑音を平均しかつ、下記の2つの式に従って2次元像のXおよびY軸に沿って重ね合わせ誤差を計算するのに適当な1次元信号を得るために、2次元像も前処理される。
ここで、I(xi ,yj )は、座標(xi ,yj )により特徴付けられる画素の像強度であり、Nx 、Ny は、選択された像領域中のX方向およびY方向それぞれにおける画素数を表す。
【0044】
両方の式(1)および(2)は、ボックスおよび/またはバーをその中に持っているターゲットについて用いられるのに対して、平均化が格子ラインの方向にのみ沿ってなされる格子ターゲットについては、式(1)のみが用いられる。
【0045】
上記2つの式は、ターゲットエッジが軸XおよびYに沿って完全に整合するという仮定の下で用いられる。もしハードウェアにおける位置ずれが問題になれば、本来の軸XおよびYについて角度θだけ回転させた軸X’およびY’に沿って同様な平均化が実行される。次に、角度θは、以下で説明される非線形回帰ツールの調整可能パラメータのセットに加えられる。
【0046】
格子ターゲットのためのモデル
2次元格子像の前処理後、上記の式(1)におけるような1次元信号が得られる。次に、以下の形の2つの1次元周期的信号の位相シフトδφおよびピッチpから、重ね合わせ誤差δxを見出し得る。
δx=(p/2π)δφ (3)
【0047】
図9は、4つの格子、すなわちターゲットの第1の層上の2つの格子132、134および第1の層の高度とは異なる高度のターゲットの第2の層上の2つの格子136、138の2次元像のプロットである。言い換えれば、図9は上記の式(1)および(2)における4つの格子の像I(xi ,yj )のグラフプロットの例である。格子ペア132、134が、格子ペア136、138の高度とは異なる高度にあるので、これら2つの格子ペアのピッチは、たとえそれらがピッチについて同じ設定で作製されたとしても、2次元像が異なり得る。この理由から、上で参照されたモデルに従って、2つの1次元周期的信号が2つの異なるピッチ値p1およびp2において生成される。
【0048】
各周期的信号については、これは有限数N項を有するそのフーリエ級数により解析され、級数は以下の形である。
ピッチpならびに係数an およびbn を大まかに推定するため、高速フーリエ変換(FFT)アルゴリズムが用いられる。次に、Ix (x)の形の2つの信号の各々についての2次元像から得られた平均化放射データポイントに対する式(4)のモデルの最良適合を見出すために非線形回帰ツールが利用される。2次元像中で2つの格子ペアのピッチが異なる程度まで、上記プロセスは、2つの異なるピッチp1 およびp2 という結果になるであろう。これら2つのピッチ値は互いに比較され、もしそれらの間の差が、規定の百分率限界を越えれば、ターゲットは拒絶され、重ね合わせ誤差は全く返されない。そうでなければ、平均ピッチ値、
p=(p1 +p2 )/2 (5)
が両方の信号について仮定され、それらの係数an 1 、bn 1 、an 2 、bn 2 は、上記と同じ非線形回帰ツールでさらに改良され、ここでは、位置ずれ角度θは、必要であれば、調整可能パラメータとして含まれる。もし基本高調波(すなわち、an およびbn においてn=1)の強度が、各信号中で十分に強ければ、位相シフトδφは、以下の式から得られる。
δφ=tan-1(b1 1 /a1 1 )−tan-1(b1 2 /a1 2 )(6)
そうでなければ、最も強い高調波がδφを計算するために用いられ、それに対して、2番目に強い高調波は、位相アンラッピングを実行するために用いられる。異なる高度にある2つの格子ペアを表している2つの信号の各々についての放射データポイントへの式4のモデルの最良適合を見出すために非線形回帰ツールが使用された後、2つの信号は、次に、それらの間の位相差を見出すために、図10に例示されるように比較される。図10に示されているように、2つの信号の一方は実線で示され、他方の信号は破線で示される。これは、上記の式(3)に式(5)および(6)を代入して実行され、これは、測定結果として返される重ね合わせ誤差δxの値を与える。
【0049】
式(1)および(2)の雑音低減アルゴリズムが2次元像に適用されなかった場合、2次元像の放射中のデータポイントへのモデルの最良適合を見出すための上述したプロセスは依然として可能である。例えば、式(4)のモデルは、2次元像の格子ラインを横切る平面に沿った断面に沿って得られた放射データポイントへの最適適合を見出すために用い得る。
【0050】
ボックスおよび/またはバーを含むターゲットのためのモデリング
図11は、本発明を例示するのに有用な2次元ボックス・イン・ボックスタイプターゲットの像である。格子ターゲットの2次元像のケースにおけるように、2つの1次元信号が、図11に示されるような2次元ボックス・イン・ボックス像から導き出し得る。例えば、上記の式(1)および(2)に記述される平均化プロセスは、図11の像のセクションに適用できる。従って、平均化は、点線152、154の間の外側ボックス140の上下部分142、144で実行され、X方向に沿って内側ボックス150において実行し得る。同様に、像の平均化は、点線156、158の間の外側ボックス140の左右部分146、148ならびに内側ボックス150についてはY方向に沿って実行し得る。図11の2次元像の外側ボックスおよび内側ボックスの部分142、144、146、148のみにおいて平均化が実行されることを除いて、上述したプロセスも、式(1)および(2)に従って2つの1次元信号を与える。
【0051】
図12は、そのようにして導き出された2つの1次元信号の各々の形の例を図示するものである。同様に、内側ボックス150のY方向および点線156、158の間の左右部分146、148のセクションを平均化することにより、図12に示される形の1次元信号も得られる。以下で説明されるように、パラメータを利用するモデルが、ボックス・イン・ボックス像用に作られる。このモデルを、図12に例示されるようなXおよびY軸の両方に沿った1次元データに適合させることによって、外側および内側ボックスの中心を見出すことができる。
【0052】
上述したように、本発明の1つの局面は、従来システムとは異なり、エッジ部分だけでなく2次元像の他の部分での放射データも用いることによる認識に基づき、より正確な結果が得られる。言い換えれば、ピーク142a、142b、150a、150b、144a、144bにおけるまたはその付近の放射データを利用することに加え、本発明のシステムは、図12における部分162、164および166のデータポイントのような、放射像の他の部分における放射データも利用する。これは、本発明のシステムにおいて解析関数の形でのエッジ検出モデルによって達成される。一実施形態において、2次元像から導き出された1次元データに適合されるべきエッジ解析関数は以下の通りである。
上記の式において、A1 、A2 、B、d1 、d2 およびx0 は、図12に示されるような1次元信号中のデータポイントにエッジ関数を適合させるために変え得るパラメータである。エッジは、X軸に沿った位置x0 で生じる。xの代わりにyを用いることにより、上記の式(7)と形が同様なエッジ関数f(x)を、Y軸に沿ったエッジの平均プロファイルとして用いることができ、その場合、x0 は、Y軸に沿ったエッジの位置を表すy0 で置き換えられる。上記の式(7)におけるxの値の範囲は、部分162、164および166におけるデータポイントをカバーするので、これらの部分におけるデータポイントも、以下で説明されるカーブフィッティングプロセスにおいて利用される。
【0053】
上記の実施形態において、平均1次元信号は、XおよびY軸の各々についての2次元像から導き出される。平均化により、雑音の影響が減少しかつ信号対雑音比が向上する。あるいは、上述したような関数f(x)、f(y)を得るために平均化プロセスを実行する代わりに、これらの関数は、図11における点線172、174に沿った断面に沿うデータのような、外側および内側ボックスの断面に沿ってデータを単にとることによって得ることができる。式(7)のモデルのような2つ以上の解析的エッジモデルにより、同様な重ね合わせ誤差測定性能が達成できることが見出された。これらの代替モデルは、指数関数またはガウス関数を伴うモデル、および光学系の点広がり関数によってボックスを巻き込むことによって得られた正確なモデルを含む。そのような変更および他の変更は本発明の範囲内にある。
【0054】
内側および外側ボックスのエッジが互いに近いターゲットにおいては、図12におけるような外側ボックスのエッジを示す信号は、内側ボックスにより散乱された放射からの寄与を含んでおり、逆もまた同様である。従来システムにおいては、これは重ね合わせ計算における系統誤差の原因となり得る。この問題を克服するために、2つのボックスからの全信号は、内側および外側ボックス(または、バー・イン・バーターゲットの場合はバー)からの2つの寄与の合計として表される。
Ix (x)=Ix inn (x)+Ix out (x) (8)
関数Ix inn (x)およびIx out (x)は、上記の式(7)中のエッジ関数のような、ボックスエッジをモデリングする簡単な解析セグメントで作られる。全体の信号は、ボックス・イン・バーまたはバー・イン・ボックスターゲットについて同様に構成し得る。
【0055】
ボックスエッジおよびボックスの他の部分についてのモデルとして式(7)および(8)を用いた結果は、光学系の点広がり関数によってボックスを巻き込むことによって得られた正確な関数を用いて得られたものと同じくらい良好な重ね合わせ正確度および精密度をもたらすことが見出された。ツール誘起シフト(「TIS」)および不均一照明の効果を最小限にし、かつ調整可能パラメータの数を減らすため、外側ボックスについての信号Ix out (x)は、座標xc out を持つ外側ボックスの中心に関して互いに反射された2つの関数f(x)を重ね合わせて得られる。
Ix out (x)=g(x−xc out )+g(xc out −x) (9)
ここで、関数g(x)は、図14に例示されるように、2つのエッジ関数f(x)の合計である。TISプロセスは、ハリー・レビンソン (Harry Levinson) による「リソグラフィプロセス管理 “Lithography Process Control"」(SPIE press, vol. TT28, Bellingham, Washington 1999)中で、より完全に説明されている。この構成は、信号Ix out (x)が同じ材料により形成されるという事実を反映しており、それゆえ、これは照明およびTIS効果を修正する。なぜなら、これは、照明特性または光学ツール特性に対してよりも、ターゲット特性に対してより敏感だからである。内側ボックスについての信号Ix inn (x)は、ポイントxc inn に中心を合わせたただ1つの関数f(x)を用いて構成される。
Ix inn (x)=f(x−xc inn )+f(xc inn −x) (10)
ここで、この式中の内側ボックスエッジ関数f(x)についての調整可能パラメータは、外側ボックスエッジ関数についての調整可能パラメータとは異なる。この式において用いられる対称化は、調整可能パラメータの数を減らし、かつ外側ボックスについての議論で説明されるように、測定性能を改善するために重要である。
【0056】
次に、実験的信号へのモデル(8)の最良適合を見出しかつ以下から重ね合わせ誤差を計算するために非線形回帰ツールが用いられる。
δx=xc out −xc inn (11)
【0057】
本発明の別の実施形態において、2次元データを平均して得られた1次元信号を使う代わりに、2次元像全体が、図11に例示されるように、xおよびyの解析関数によりモデル化される。その場合、式(8)の代わりに以下のようになる。
I(x,y)=Iinn (x,y)+Iout (x,y) (12)
ここで、Iinn (x,y)およびIout (x,y)は、内側および外側ボックス像についての解析モデルである。上述した1次元のケースにおけるように、これらのモデルの種々の実施が可能であり、(式(7)におけるような)有理関数、指数関数、および対象の回旋と光学系の点広がり関数との組み合わせが含まれる。
【0058】
図13は、ボックス・イン・ボックスまたはバー・イン・バー、あるいはボックス・イン・バー像中のエッジを説明するための上記の式(7)における関数f(x)の図解である。式(7)中のパラメータd1 およびd2 は、座標x0 のそれぞれ左右へのボックスまたはバーのエッジにおけるピーク強度の減衰率を示す。言い換えれば、ピーク200は、ボックスまたはバーのエッジの存在を示す。部分202は、ボックスまたはバーの高い部分から検出された放射強度を示し、部分204は、ボックスまたはバーの外部のターゲットの高くない部分から検出された放射強度を示す。
【0059】
次に、異なるパラメータセットを有する2つの関数f(x)の合計として、2エッジ関数g(x)が作られる。意味があり連続的な関数を得るために、パラメータに対していくつかの制約条件が導入される。例えば、第1のエッジ関数のパラメータA2 は、第2の関数のパラメータA1 と等しいものと想定される。図14は、このモデルに従った式(9)における関数g(x)のグラフプロットである。
【0060】
式(9)において、外側ボックス信号は、外側ボックスの中心xc out に関して反射された2つの関数g(x)を加えることによって形成され、この中心は、決定すべき別の調整可能パラメータになる。内側ボックスについては、2つの関数f(x)の同様な対称的重ね合わせがなされ、その結果、信号は対称的に見える(図14におけるものとは異なる)。内側ボックスについての調整可能パラメータは、f(x)関数に入るパラメータと対称化中心xc inn であり、これは、式(9)において後に使用される非線形回帰によっても決定されるべき内側ボックスの中心である。
【0061】
ボックス・イン・ボックス、バー・イン・バーおよびボックス・イン・バータイプターゲットの多くは、ボックスまたはバー構造のセグメントの中心まわりで対称な構造を含んでいる。例えば、図11を参照すると、部分142を表すエッジ関数は、例えば、部分142を2つの等しい半分に分割する点線190のまわりで対称であるべきである。この理由のため、外側ボックスおよび内側ボックス信号が、加えることにより形成されるのが好ましい。
【0062】
統合されたウェーハ加工および重ね合わせ誤差検出ツール
図15は、本発明の別の局面を例示するための重ね合わせ誤差検出システム10、フォトリソグラフィトラック、ステッパおよびエッチャーのブロック図である。フォトレジストのような材料の層が、ステッパ350によって半導体ウェーハの表面に形成され、そこでは、フォトレジストがウェーハ上に格子構造を形成する。次に、格子構造の重ね合わせ誤差が、図1、5、6A、6B、7のシステム、および上述した技術の1つ以上を用いて測定される。次に、コンピュータ40からのそのような測定値がステッパ350へフィードバックされ、そこでそのような情報は、どのような誤差をも修正するようにステッパ350におけるリソグラフィプロセスを変更するために用いられ得る。
【0063】
半導体加工において、ウェーハ上にフォトレジスト層が形成された後、エッチャー360などを用いてエッチングプロセスが実行できる。次に、フォトレジスト層は、技術的に周知の方法で除去され、結果として得られるウェーハ上に半導体材料で作られた格子構造を、もし必要であれば、上述したシステムを用いて再度測定し得る。エッチングプロセスの前に、上述した技術のいずれか1つ以上を用いて測定した重ね合わせ誤差値は、システムを用いて見出されたどのような誤差をも修正するためにいずれかのエッチングパラメータを変更するためにエッチャーに供給し得る。当然ながら、上述した技術の1つ以上により得られた結果は、ステッパおよびエッチャーの両方において、またはステッパもしくはエッチャーのいずれかにおいて使用すること、あるいは双方において使用しないことができる。ステッパ350および/またはエッチャー360は、回折構造の1つ以上のパラメータを見出すための上述したシステムのいずれかと統合された単独のツールを形成するか、あるいはそれとは別個の計器とし得る。
【0064】
ソフトウェアアップグレード
本発明を、図1、5、6A、6Bまたは7に示されるようなシステムを用いて上記で説明してきた。試料から測定データを得るためにこれらの図のシステム中の様々な光学的構成要素が使用されるのに対して、他のプロセスの多くはコンピュータ40により実行される。従って、半導体製造業者のような製造業者によって現在使用されている多くのシステムの場合、システム中で使用されるコンピュータは、上述した技術を実行するための能力を有していないことがある。従って、本発明の別の局面は、コンピュータ40が上述した種々の機能の1つ以上を実行できるように、これらのコンピュータ中のソフトウェアがアップグレードできることを想定している。従って、本発明の別の局面は、上述した機能を実行するためにコンピュータ40にロードされるソフトウェアコンポーネントを含む。これらの機能は、図1、5、6A、6B中のシステムの光学的構成要素と共に、上記で概要を述べた種々の利点を結果にもたらす。ソフトウェアまたはプログラムコンポーネントは、各種の方法でコンピュータ40にインストールし得る。
【0065】
技術的に理解されるように、本発明のソフトウェアコンポーネントは、適切に構成された計算デバイスにロードされた場合にそのデバイスを本発明に従って作動させる論理命令および/またはデータを含む固定媒体プログラムコンポーネントとして具体化し得る。技術的に理解されるように、固定媒体プログラムは、ユーザのコンピュータにロードするために固定媒体上でユーザに引き渡すか、あるいは固定媒体プログラムは、リモートサーバ上にあり、プログラムコンポーネントをダウンロードするためにユーザは通信媒体を介してこのサーバにアクセスすることができる。従って、本発明の別の局面は、プログラムコンポーネントをユーザへ伝達するか、伝達されるようにすることを含み、その場合に、コンポーネントは、ユーザのデバイス中にダウンロードされると、上述した機能のいずれか1つ以上を実行できる。
【0066】
図16は、媒体417および/またはネットワークポート419から命令を読むことができる論理装置として解釈できる情報機器(またはデジタルデバイス)を示す。その後、装置40は、技術的に理解されるように、本発明の局面を具体化するため、それらの命令を用いてサーバまたはクライアント論理を命令できる。本発明を具体化し得る論理装置の1つのタイプは40で例示されるコンピュータシステムであり、CPU404、任意の入力デバイス409および411、ディスクドライブ415および任意のモニタ405を含む。固定媒体417は、そのようなシステムをプログラムするために使用でき、さらにディスクタイプの光学式または磁性媒体、磁気テープ、固体メモリ等とすることができる。本発明の1つ以上の局面は、この固定媒体上に記録されたソフトウェアとして全体または部分的に具体化し得る。そのようなシステムが上述した機能のいずれか1つ以上を実行するようにプログラムするために使用される命令を最初に受け取るために通信ポート419も用いることができ、インターネットまたは任意の他のコンピュータネットワークへのような任意のタイプの通信接続とすることができる。命令またはプログラムは、ユーザのデバイスへ直接送るか、ユーザのデバイスを介してアクセス可能なインターネットのウェブサイトのようなネットワーク上に置くことができる。ユーザにとって利用可能なプログラムまたはソフトウェアコンポーネントを作るすべてのそのような方法は、当業者には既知であり、ここでは説明しない。
【0067】
本発明は、特定用途向け集積回路(ASIC)またはプログラム可能な論理デバイス(PLD)の回路構成内で全体的または部分的に具体化し得る。そのような場合には、本発明は、本明細書中に記載されるように作動するASICまたはPLDを作るために用い得るコンピュータの理解可能な記述言語で具体化し得る。
【0068】
上記で様々な実施形態を参照して本発明を説明してきたが、添付の特許請求の範囲およびそれらの等効物のみにより規定されるべき本発明の範囲を逸脱することなく、変更および改造をなし得ることが理解されるであろう。言及されたすべての参照は、それらの全体が本明細書に組み入れられている。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の実施形態を例示するためのレーザまたは白色光暗視野システムの断面図である。
【図2】
本発明の実施形態を例示するための解像度および焦点深度対対物レンズ開口数のグラフプロットである。
【図3A】
本発明の例示に有用な格子ターゲットの一部の断面図である。
【図3B】
本発明の実施形態を例示するために図1のシステムを用いた、図3Aの格子ターゲットにより散乱された放射の強度のグラフプロットである。
【図4】
本発明の例示に有用なターゲットの2つの格子間の誤登録信号対2つの格子間のターゲットシフトのグラフプロットである。
【図5】
本発明の別の実施形態を例示するためのレーザまたは白色光暗視野システムの断面図である。
【図6A】
本発明の別の実施形態を例示するデュアルスリットまたは開口走査を備えるレーザ暗視野システムの正面断面図である。
【図6B】
図6Aのシステムの側面図である。
【図7】
本発明のさらに別の実施形態を例示するターゲット中の2つの周期的構造の位置ずれを検出するための中間開口数を有する収集光学装置を備える明視野結像システムである。
【図8】
本発明の実施形態を例示する重ね合わせターゲット中の構造に関する位置ずれ情報を得るための重ね合わせターゲットの2次元像を得るためのプロセスおよび像の処理を例示するフローチャートである。
【図9】
本発明の例示に有用な2次元格子像である。
【図10】
本発明の局面を例示するための、図9の像のような、2次元像から導き出された2つの1次元信号のグラフプロットである。
【図11】
本発明の例示に有用な2次元ボックス・イン・ボックス像である。
【図12】
本発明の別の局面を例示するボックス・イン・ボックスターゲットの像から導き出された1次元データ信号のグラフプロットである。
【図13】
本発明の例示に有用なボックス・イン・ボックスまたはバー・イン・バー、あるいはボックス・イン・バータイプ像のエッジ部分の近似としての解析関数のグラフプロットである。
【図14】
本発明の例示に有用な外側ボックス像のエッジ部分から導き出された解析関数のグラフプロットである。
【図15】
本発明の別の局面を例示するターゲット中の構造間の位置ずれを検出するためのシステムのブロック図であり、このシステムは、リソグラフィトラック、ステッパおよび/またはエッチャーに、独立型測定器としてあるいはステッパおよび/またはエッチャーとの一体型ツールとして接続される。
【図16】
本発明の局面が具体化し得る代表的サンプル論理デバイスを示すブロック図である。
Claims (143)
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの周期的構造の位置ずれを検出するための結像方法であって、
2つの周期的構造を照明する放射を提供するステップと、
2つの構造からの放射を収集し、収集された放射を、2つの構造の少なくとも一部分の像を検出器配列上で形成するために送り出すステップと、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するステップと、
を含む方法。 - 前記決定ステップは、検出器の出力間の位相差を見出すことを含む請求項1記載の方法。
- 前記提供ステップは、ビームが基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って構造を照明するように、放射ビームを提供する請求項1記載の方法。
- 前記収集ステップは、基準面に対して斜めの角度の方向に沿って2つの構造から放射を収集する請求項3記載の方法。
- 前記提供ステップは、ビームが基準面に対して斜めの角度になるように、放射ビームを提供する請求項1記載の方法。
- 前記収集ステップは、基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って2つの構造からの放射を収集する請求項5記載の方法。
- 前記提供ステップは、両方の構造の全範囲を同時に照明する放射ビームを提供する請求項1記載の方法。
- 前記構造の各々は、ラインの配列を含み、前記方法は、構造の一方のラインから検出器上に結像された放射を検出する検出器の出力を合計するステップをさらに含む請求項1記載の方法。
- 前記2つの構造は、ある方向に沿って実質的に周期的であり、前記決定ステップは、構造の各々の少なくとも2本以上のラインを横切る2つの構造の隣接したラインから検出された放射の強度を相互相関することを含む請求項1記載の方法。
- 前記提供ステップは、レーザビームまたは多重波長を有する広帯域ビームを提供する請求項1記載の方法。
- 前記提供ステップは、レーザビームを提供し、前記収集ステップは、基準面に関してレーザビームの鏡面反射方向からずれた方向のみに沿って放射を収集する請求項10記載の方法。
- 前記収集ステップは、ビームの任意の鏡面反射方向からずれた1つ以上の方向のみに沿って構造から放射を収集する請求項1記載の方法。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための方法であって、
2つの構造の各々の一部を照明する放射ビームを提供するステップと、
2つの構造の各々の被照明部分からの放射を収集し、各構造から収集された放射を2つの開口の対応する一方を介して対応する検出器へ送り出すステップと、検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するステップと、
を含む方法。 - 一方では開口および検出器、他方では2つの構造の間で、あるいは一方ではビーム、他方では2つの構造の間で相対運動を引き起こすステップをさらに含む請求項13記載の方法。
- 前記収集および送り出しステップは、光学装置を用い、2つの構造の各々の像が光学装置により対応する開口に実質的に集束させるように前記開口を設置するステップをさらに含む請求項13記載の方法。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの周期的構造の位置ずれを検出するための結像装置であって、
2つの周期的構造を照明する放射を提供する源と、
検出器配列と、
2つの構造からの放射を収集し、収集された放射を2つの構造の少なくとも一部分の像を出力を提供する検出器配列上で形成するために送り出す光学装置と、
検出器の出力間の位相差から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、
を含む装置。 - 前記配列は、検出器の2次元配列を含む請求項16記載の装置。
- 前記源は、ビームが基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って構造を照明するように、放射ビームを提供する請求項16記載の装置。
- 光学装置は、基準面に対して斜めの角度の方向に沿って2つの構造から放射を収集する請求項18記載の装置。
- 前記源は、ビームが基準面に対して斜めの角度になるようにビームを提供する請求項16記載の装置。
- 光学装置は、基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って2つの構造からの放射を収集する請求項20記載の装置。
- 前記源は、両方の構造の全範囲を同時に照明する放射ビームを提供する請求項16記載の装置。
- 前記構造の各々は、ラインの配列を含み、前記プロセッサは、構造の一方のラインから検出器上に結像された放射を検出する検出器の出力を合計する請求項16記載の装置。
- 前記2つの構造は、ある方向に沿って実質的に周期的であり、前記プロセッサは、構造の各々の少なくとも2本以上のラインを横切る2つの構造の隣接したラインから検出された放射の強度を相互相関する請求項16記載の装置。
- 前記源は、レーザビームまたは多重波長を有するビームを提供する請求項16記載の装置。
- 前記源は、レーザビームを提供し、前記光学装置は、基準面に関してレーザビームの鏡面反射方向からずれた方向のみに沿って放射を収集する請求項25記載の装置。
- 前記光学装置は、源からの放射を2つの構造に送り出しかつ2つの構造からの放射を収集する屈折要素を含む請求項16記載の装置。
- 前記屈折要素は、約0.1〜0.9の範囲の開口数を有する請求項27記載の装置。
- 前記屈折要素は、約0.4〜0.8の範囲の開口数を有する請求項28記載の装置。
- 前記屈折要素は、約0.5〜0.7の範囲の開口数を有する請求項29記載の装置。
- 前記検出器は、約10ミリ秒未満の積分時間を有する請求項16記載の装置。
- 前記源は、構造を照明する放射ビームを提供し、前記光学装置は、基準面からのビームの任意の鏡面反射方向からずれた1つ以上の方向のみに沿って放射を収集する請求項16記載の装置。
- 前記源は、構造を照明する放射ビームを提供し、前記光学装置は、基準面からのビームの1つ以上の鏡面反射方向に沿って放射を収集する請求項16記載の装置。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための装置であって、
2つの構造の各々の一部を照明する放射ビームを提供する源と、
1つ以上の検出器と、
2つの開口と、
2つの構造の各々の被照明部分からの放射を収集し、各々の構造から収集された放射を2つの開口のうちの対応する一方を介して対応する検出器へ送り出し、対応する検出器に出力を提供させる光学装置と、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、
を含む装置。 - 一方では開口および検出器、他方では2つの構造の間であるいは一方ではビーム、他方では2つの構造の間での相対運動を引き起こす機器をさらに含む請求項34記載の装置。
- 前記光学装置は、2つの構造の各々の像を対応する開口に実質的に集束させる請求項34記載の装置。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像装置であって、
2つの構造を照明する放射ビームを提供する源と、
1つ以上の検出器と、
2つの構造からの放射を収集し、出力を提供する1つ以上の検出器へ収集された放射を送り出し、約0.1〜0.9の範囲の開口数を有する光学装置と、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、
を含む装置。 - 前記光学装置は、約0.4〜0.8の範囲の開口数を有する請求項37記載の装置。
- 前記光学装置は、約0.5〜0.7の範囲の開口数を有する請求項38記載の装置。
- 前記1つ以上の検出器は、CCD検出器を含む請求項37記載の装置。
- 前記1つ以上の検出器は、約10ミリ秒未満の積分時間を有する請求項37記載の装置。
- 前記源は、2つの構造を照明する放射のパルスを提供し、パルスの少なくとも1つは約10ミリ秒未満のパルス幅を有する請求項37記載の装置。
- 前記源は、約10ミリ秒未満の開口時間を有する機械式シャッタを含む請求項42記載の装置。
- 構造と1つ以上の検出器との間の光路に約10ミリ秒未満の開口時間を有する機械式シャッタをさらに含む請求項37記載の装置。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像方法であって、
2つの構造を照明する放射ビームを提供するステップと、
1つ以上の検出器を提供するステップと、
2つの構造からの放射を収集し、出力を提供する1つ以上の検出器へ収集された放射を送り出し、約0.1〜0.9の範囲の開口数を有する光学装置を用いるステップと、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するステップと、
を含む方法。 - 前記使用ステップで、約0.4〜0.8の範囲の開口数を有する光学装置を用いる請求項45記載の方法。
- 前記使用ステップで、約0.5〜0.7の範囲の開口数を有する光学装置を用いる請求項46記載の方法。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像装置であって、
2つの構造を照明する放射ビームを提供する源と、
約10ミリ秒未満の積分時間を有する1つ以上の検出器と、
2つの構造からの放射を収集し、収集された放射を出力を提供する1つ以上の検出器へ送り出す光学装置と、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、
を含む装置。 - 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像装置であって、
2つの構造を照明する放射のパルスを提供し、パルスの少なくとも1つは約10ミリ秒未満のパルス幅を有するようにした源と、
1つ以上の検出器と、
2つの構造からの放射を収集し、収集された放射を出力を提供する1つ以上の検出器へ送り出す光学装置と、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、
を含む装置。 - 前記源は、約10ミリ秒未満の開口時間を有する機械式シャッタを含む請求項49記載の装置。
- 2つの構造を有する試料を処理するための統合型処理および結像装置であって、
(a)基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像システムであって、
2つの構造を照明する放射ビームを提供する源と、
2つの構造からの放射を収集し、出力を提供する検出器上に2つの構造の少なくとも一部分の像を形成するために収集された放射を1つ以上の検出器へ送り出す光学装置と、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、を含むシステムと、
(b)前記試料を処理する処理システムであって、処理パラメータを調整するための位置ずれに応答性の処理システムと、
を含む装置。 - 前記光学装置は、約0.1〜0.9の範囲の開口数を有する請求項51記載の装置。
- 前記光学装置は、約0.4〜0.8の範囲の開口数を有する請求項52記載の装置。
- 前記光学装置は、約0.5〜0.7の範囲の開口数を有する請求項53記載の装置。
- 前記処理システムは、半導体試料を処理するためのステッパまたはエッチャーを含む請求項51記載の装置。
- 前記1つ以上の検出器は、CCD検出器を含む請求項51記載の装置。
- 前記1つ以上の検出器は、約10ミリ秒未満の積分時間を有する請求項51記載の装置。
- 前記源は、2つの構造を照明する放射のパルスを提供し、パルスの少なくとも1つが約10ミリ秒未満のパルス幅を有する請求項51記載の装置。
- 前記源は、約10ミリ秒未満の開口時間を有する機械式シャッタを含む請求項58記載の装置。
- 構造と1つ以上の検出器との間の光路に約10ミリ秒未満の開口時間を有する機械式シャッタをさらに含む請求項51記載の装置。
- 前記処理システムは、半導体試料を処理するためのステッパまたはエッチャーを含む請求項51記載の装置。
- 前記源は、構造を照明する放射ビームを提供し、前記光学装置は、基準面からのビームの任意の鏡面反射方向からずれた1つ以上の方向のみに沿って放射を収集する請求項61記載の装置。
- 前記光学装置は、基準面からのビームの1つ以上の鏡面反射方向に沿って放射を収集する請求項51記載の装置。
- 2つの構造を有するターゲットから重ね合わせ誤差を決定するための方法であって、
ターゲットの2次元像を提供するステップと、
像から少なくとも1つの1次元信号を導き出すステップと、
少なくとも1つの信号から重ね合わせ誤差を決定するステップと、
を含む方法。 - 前記決定ステップは、非線形回帰を用いる請求項64記載の方法。
- パラメータ値を提供するモデルを提供するステップをさらに含み、前記回帰は、少なくとも1つの信号をモデルにより提供されたパラメータ値と一致させる請求項65記載の方法。
- 前記ターゲットは、実質的に同じ方向に沿って周期的に互いに隣接する2つの格子を含み、前記モデルは、格子のピッチについての値およびそれらの間の位相シフトを決定するためのパラメータ値を提供する請求項66記載の方法。
- 前記モデルは、高速フーリエ変換アルゴリズムを用いる請求項66記載の方法。
- 前記構造は、ボックスまたはバーを含み、前記導き出しステップは、2次元像の2つの軸に関して像から2つの1次元信号を導き出す請求項64記載の方法。
- 前記少なくとも1つの1次元信号は、解析関数である請求項64記載の方法。
- 前記少なくとも1つの1次元信号は、エッジ関数である請求項64記載の方法。
- 2つの構造を有するターゲットから重ね合わせ誤差を決定するための方法であって、
ターゲットの2次元像を提供するステップと、
像中の位置の解析関数である少なくとも1つの信号により像を表示するステップと、
像からの構造についてのデータへの少なくとも1つの信号のカーブフィッティングプロセスを用いて2つの構造間の重ね合わせ誤差を決定するステップと、
を含む方法。 - 前記構造の各々は、周期的でありかつピッチを有しており、表示ステップは、
構造の各々のピッチに対応する1次元信号を提供し、
前記1次元信号から構造の各々についての構造のピッチの平均値に対応する変更された1次元信号を導き出す請求項72記載の方法。 - 前記構造の各々は、実質的に共通方向に沿って周期的でありかつピッチを有しており、表示ステップは、それに沿って構造が実質的に周期的である前記方向に沿った位置の解析関数のフーリエ級数を提供する請求項72記載の方法。
- 前記カーブフィッティングプロセスは、2つの構造についてのデータ間の位相差を決定するためのデータへのフーリエ級数の最良適合を見出す請求項74記載の方法。
- 前記構造は、ボックスおよび/またはバーの外側構造および内側構造を含み、前記表示ステップは、外側構造からの放射の第1の解析関数、および内側構造からの放射の第2の解析関数を提供する請求項72記載の方法。
- 前記外側および内側構造の各々は、中心を有し、前記カーブフィッティングプロセスは、像からの構造についてのデータへの第1および第2の関数の最良適合をもたらす中心の位置を見出す請求項76記載の方法。
- 前記決定ステップは、重ね合わせ誤差を見出すために2つの中心を比較することを含む請求項77記載の方法。
- 前記表示ステップは、外側構造からの放射の解析関数の第1のペアと、内側構造からの放射の解析関数の第2のペアとを提供し、2つの関数ペアの各々は、2つの軸xおよびyの一方に沿った位置の関数である請求項76記載の方法。
- 第1および第2の関数の各々は、外側または内側構造のエッジ部分からの放射を示すエッジ関数である請求項76記載の方法。
- 第1および第2の関数の少なくとも一方は、対称関数である請求項76記載の方法。
- 前記プロセスは、非線形回帰を含む請求項72記載の方法。
- 前記表示ステップは、像から1次元信号を導き出す請求項72記載の方法。
- 2つの構造を有するターゲットから重ね合わせ誤差を決定するための方法を実行するためにコンピュータにより実行可能な命令のプログラムを具体化するコンピュータ可読記憶デバイスであって、前記方法は、
ターゲットの2次元像を提供するステップと、
像中の位置の解析関数である少なくとも1つの信号により像を表示するステップと、
像からの構造についてのデータへの少なくとも1つの信号のカーブフィッティングプロセスを用いて2つの構造間の重ね合わせ誤差を決定するステップと、
を含むデバイス。 - 前記構造の各々は、周期的でありかつピッチを有しており、表示ステップは、それに沿って構造が周期的である方向に沿った位置の解析関数のフーリエ級数を提供する請求項85記載のデバイス。
- 前記カーブフィッティングプロセスは、2つの構造間の位相差を決定するためのフーリエ級数とデータとの間の最良適合を見出す請求項86記載のデバイス。
- 前記構造は、ボックスおよび/またはバーの外側構造および内側構造を含み、前記表示ステップは、外側構造からの放射の第1の解析関数、および内側構造からの放射の第2の解析関数を提供する請求項86記載のデバイス。
- 前記外側および内側構造の各々は、中心を有し、前記カーブフィッティングプロセスは、像からの構造についてのデータ間の第1および第2の関数への最良適合をもたらす中心の位置を見出す請求項88記載のデバイス。
- 前記決定ステップは、重ね合わせ誤差を見出すために2つの中心を比較することを含む請求項89記載のデバイス。
- 前記表示ステップは、外側構造からの放射の解析関数の第1のペアと、内側構造からの放射の解析関数の第2のペアとを提供し、2つの関数ペアの各々は、2つの軸xおよびyの一方に沿った位置の関数である請求項88記載のデバイス。
- 第1および第2の関数の各々は、外側または内側構造のエッジからの放射を示すエッジ関数である請求項88記載の機器。
- 第1および第2の関数の少なくとも一方は、対称関数である請求項88記載の方法。
- 前記表示ステップは、像から1次元信号を導き出す請求項85記載の方法。
- 2つの構造を有するターゲットから重ね合わせ誤差を決定するためのプロセスを実行するためにコンピュータにより実行可能な命令のプログラムを伝達するための方法であって、
命令のプログラムがクライアントデバイスへ伝達されるようにし、それによって、クライアントデバイスが、そのようなプログラムにより、
ターゲットの2次元像を提供するプロセスと、
少なくとも1つの1次元信号を像から導き出すプロセスと、
少なくとも1つの信号から重ね合わせ誤差を決定するプロセスと、
を実行できるようにする方法。 - 前記決定プロセスは、非線形回帰を用いる請求項96記載の方法。
- 前記プロセスは、パラメータ値を提供するモデルを提供するプロセスをさらに含み、前記回帰は、少なくとも1つの信号をモデルにより提供されたパラメータ値と一致させる請求項97記載の方法。
- 前記ターゲットは、実質的に同じ方向に沿って周期的に互いに隣接する2つの格子を含み、前記モデルは、格子のピッチについての値およびそれらの間の位相シフトを決定するためのパラメータ値を提供する請求項98記載の方法。
- 前記モデルは、高速フーリエ変換アルゴリズムを用いる請求項98記載の方法。
- 前記構造は、ボックスまたはバーを含み、前記導き出しプロセスは、2次元像の2つの軸に関して像から2つの1次元信号を導き出す請求項96記載の方法。
- 前記少なくとも1つの1次元信号は、解析関数である請求項96記載の方法。
- 前記少なくとも1つの1次元信号は、エッジ関数である請求項96記載の方法。
- 2つの構造を有するターゲットから重ね合わせ誤差を決定するためのプロセスを実行するためにコンピュータにより実行可能な命令のプログラムを伝達するための方法であって、
命令のプログラムがクライアントデバイスへ伝達されるようにし、それによって、クライアントデバイスが、そのようなプログラムにより、
ターゲットの2次元像を提供するプロセスと、
像中の位置の解析関数である少なくとも1つの信号により像を表示するプロセスと、
像からの構造についてのデータへの少なくとも1つの信号のカーブフィッティングプロセスを用いて2つの構造間の重ね合わせ誤差を決定するプロセスと、
を実行できるようにする方法。 - 前記構造の各々は、周期的でありかつピッチを有しており、表示プロセスは、
構造の各々のピッチに対応する1次元信号を提供し、
前記1次元信号から構造の各々についての構造のピッチの平均値に対応する変更された1次元信号を導き出す請求項104記載の方法。 - 前記構造の各々は、周期的でありかつピッチを有しており、表示プロセスは、それに沿って構造が周期的である方向に沿った位置の解析関数のフーリエ級数を提供する請求項104記載の方法。
- 前記カーブフィッティングプロセスは、2つの構造間の位相差を決定するためのフーリエ級数とデータとの間の最良適合を見出す請求項106記載の方法。
- 前記構造は、ボックスおよび/またはバーの外側構造および内側構造を含み、前記表示プロセスは、外側構造からの放射の第1の解析関数、および内側構造からの放射の第2の解析関数を提供する請求項104記載の方法
- 前記外側および内側構造の各々は、中心を有し、前記カーブフィッティングプロセスは、像からの構造についてのデータと第1および第2の関数との間の最良適合をもたらす中心の位置を見出す請求項108記載の方法。
- 前記決定プロセスは、重ね合わせ誤差を見出すために2つの中心を比較することを含む請求項109記載の方法。
- 前記表示プロセスは、外側構造からの放射の解析関数の第1のペアと、内側構造からの放射の解析関数の第2のペアとを提供し、2つの関数ペアの各々は、2つの軸xおよびyの一方に沿った位置の関数である請求項108記載の方法。
- 第1および第2の関数の各々は、外側または内側構造のエッジ部分からの放射を示すエッジ関数である請求項108記載の方法。
- 第1および第2の関数の少なくとも一方は、対称関数である請求項108記載の方法。
- 前記プロセスは、非線形回帰を含む請求項104記載の方法。
- 前記表示プロセスは、像から1次元信号を導き出す請求項104記載の方法。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像方法であって、
2つの構造を照明する放射ビームを提供するステップと、
2つの構造からの放射を収集し、収集された放射を2つの構造の像を検出器配列上で形成するために送り出し、前記収集ステップは、ビームの任意の鏡面反射方向からずれた1つ以上の方向のみに沿って構造から放射を収集するステップと、
検出器の出力から構造間の位置ずれを決定するステップと、
を含む方法。 - 前記決定ステップは、検出器の出力間の位相差を見出すことを含む請求項117記載の方法。
- 前記提供ステップは、ビームが基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って構造を照明するように、放射ビームを提供する請求項117記載の方法。
- 前記収集ステップは、基準面に対して斜めの角度の方向に沿って2つの構造から放射を収集する請求項119記載の方法。
- 前記提供ステップは、ビームが基準面に対して斜めの角度になるように、放射ビームを提供する請求項117記載の方法。
- 前記収集ステップは、基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って2つの構造から放射を収集する請求項121記載の方法。
- 前記提供ステップは、両方の構造の全範囲を同時に照明する放射ビームを提供する請求項117記載の方法。
- 前記構造の各々は、ラインの配列を含み、前記方法は、構造の一方のラインから検出器上に結像された放射を検出する検出器の出力を合計するステップをさらに含む請求項117記載の方法。
- 前記2つの構造は、ある方向に沿って実質的に周期的であり、前記決定ステップは、構造の各々の少なくとも2本以上のラインを横切る2つの構造の隣接したラインから検出された放射の強度を相互相関することを含む請求項117記載の方法。
- 前記提供ステップは、レーザビームまたは多重波長を有する広帯域ビームを提供する請求項117記載の方法。
- 前記提供ステップは、レーザビームを提供し、前記収集ステップは、基準面に関してレーザビームの鏡面反射方向からずれた方向のみに沿って放射を収集する請求項126記載の方法。
- 基準面に関して互いに隣接して置かれた2つの構造の位置ずれを検出するための結像装置であって、
2つの構造を照明する放射ビームを提供する源と、
検出器の配列と、
2つの構造からの放射を収集し、収集された放射を出力を提供する検出器配列上で2つの構造の像を形成するために送り出す光学装置であって、基準面に関してビームの鏡面反射方向からずれた方向のみに沿って放射を収集するように配置された光学装置と、
検出器の出力間の位相差から構造間の位置ずれを決定するプロセッサと、
を含む装置。 - 前記配列は、検出器の2次元配列を含む請求項128記載の装置。
- 前記源は、ビームが基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って構造を照明するように、放射ビームを提供する請求項128記載の装置。
- 前記光学装置は、基準面に対して斜めの角度の方向に沿って2つの構造から放射を収集する請求項130記載の装置。
- 前記源は、ビームが基準面に対して斜めの角度になるようにビームを提供する請求項128記載の装置。
- 光学装置は、基準面に対して実質的に垂直ないしほぼ垂直な方向に沿って2つの構造からの放射を収集する請求項132記載の装置。
- 前記源は、両方の構造の全範囲を同時に照明する放射ビームを提供する請求項128記載の装置。
- 前記構造の各々は、ラインの配列を含み、前記プロセッサは、構造の一方のラインから検出器上に結像された放射を検出する検出器の出力を合計する請求項128記載の装置。
- 前記2つの構造は、ある方向に沿って実質的に周期的であり、前記プロセッサは、構造の各々の少なくとも2本以上のラインを横切る2つの構造の隣接したラインから検出された放射の強度を相互相関する請求項128記載の装置。
- 前記源は、レーザビームまたは多重波長を有する広帯域ビームを提供する請求項128記載の装置。
- 前記源は、レーザビームを提供し、前記光学装置は、基準面に関してレーザビームの鏡面反射方向からずれた方向のみに沿って放射を収集する請求項137記載の装置。
- 前記光学装置は、源からの放射を2つの構造に送り出しかつ2つの構造からの放射を収集する屈折要素を含む請求項128記載の装置。
- 前記屈折要素は、約0.1〜0.9の範囲の開口数を有する請求項139記載の装置。
- 前記屈折要素は、約0.4〜0.8の範囲の開口数を有する請求項140記載の装置。
- 前記屈折要素は、約0.5〜0.7の範囲の開口数を有する請求項141記載の装置。
- 前記検出器は、約10ミリ秒未満の積分時間を有する請求項128記載の装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160115982A (ko) * | 2014-02-03 | 2016-10-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
US9784573B2 (en) | 2015-02-24 | 2017-10-10 | Toshiba Memory Corporation | Positional deviation measuring device, non-transitory computer-readable recording medium containing a positional deviation measuring program, and method of manufacturing semiconductor device |
KR20200059301A (ko) * | 2017-11-07 | 2020-05-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
JP7365510B2 (ja) | 2020-01-29 | 2023-10-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の周期構造を測定するための計測方法およびデバイス |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL138552A (en) * | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
US6721052B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-04-13 | Kla-Technologies Corporation | Systems for measuring periodic structures |
US7061615B1 (en) | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
US7046361B1 (en) | 2002-04-04 | 2006-05-16 | Nanometrics Incorporated | Positioning two elements using an alignment target with a designed offset |
US6958819B1 (en) | 2002-04-04 | 2005-10-25 | Nanometrics Incorporated | Encoder with an alignment target |
US6982793B1 (en) | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
US6949462B1 (en) | 2002-04-04 | 2005-09-27 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with multiple polarization states |
US6992764B1 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-31 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with a single polarization state |
US7075639B2 (en) | 2003-04-25 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks |
US7508976B1 (en) * | 2003-12-29 | 2009-03-24 | Nanometric Incorporated | Local process variation correction for overlay measurement |
US7593593B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-09-22 | Microsoft Corporation | Method and system for reducing effects of undesired signals in an infrared imaging system |
US7433039B1 (en) * | 2004-06-22 | 2008-10-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for reducing tool-induced shift during overlay metrology |
US7557921B1 (en) | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
US7911444B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-03-22 | Microsoft Corporation | Input method for surface of interactive display |
KR100715280B1 (ko) * | 2005-10-01 | 2007-05-08 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 키를 이용하는 오버레이 정밀도 측정 방법 |
US7656529B1 (en) | 2006-05-30 | 2010-02-02 | Mehrdad Nikoonahad | Overlay error measurement using fourier optics |
US20080018897A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | Nanometrics Incorporated | Methods and apparatuses for assessing overlay error on workpieces |
US8212857B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-07-03 | Microsoft Corporation | Alternating light sources to reduce specular reflection |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
SG163442A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-08-30 | Semiconductor Technologies & Instruments | System and method for inspecting a wafer |
SG164292A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
US9164397B2 (en) * | 2010-08-03 | 2015-10-20 | Kla-Tencor Corporation | Optics symmetrization for metrology |
CN102540778B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-07-16 | 上海微电子装备有限公司 | 一种测量系统及使用该测量系统的光刻设备 |
US8681413B2 (en) | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
US8817273B2 (en) * | 2012-04-24 | 2014-08-26 | Nanometrics Incorporated | Dark field diffraction based overlay |
US9093458B2 (en) | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
TWI470378B (zh) | 2012-11-01 | 2015-01-21 | Ind Tech Res Inst | 量測堆疊對位誤差的方法與系統 |
US10769320B2 (en) | 2012-12-18 | 2020-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Integrated use of model-based metrology and a process model |
US11366397B2 (en) | 2013-07-10 | 2022-06-21 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US10379447B2 (en) * | 2013-07-10 | 2019-08-13 | Qoniac Gmbh | Method and apparatus for simulation of lithography overlay |
US9257351B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-02-09 | Globalfoundries Inc. | Metrology marks for bidirectional grating superposition patterning processes |
US9059102B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Metrology marks for unidirectional grating superposition patterning processes |
JP6285666B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-02-28 | キヤノン株式会社 | 検出装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法及び検出方法 |
TWI631636B (zh) * | 2013-12-16 | 2018-08-01 | 克萊譚克公司 | 以模型爲基礎之量測及一製程模型的整合使用 |
SG11201609566VA (en) * | 2014-06-02 | 2016-12-29 | Asml Netherlands Bv | Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method |
DE102014210641B4 (de) * | 2014-06-04 | 2020-12-10 | Carl Zeiss Ag | Testobjekt, Verwendung eines Testobjekts sowie Einrichtung und Verfahren zur Messung der Punktbildfunktion eines optischen Systems |
EP3499312A1 (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and a method of determining a characteristic of interest |
EP3931865A4 (en) | 2019-02-14 | 2023-02-15 | KLA Corporation | SYSTEM AND METHOD FOR MEASUREMENT OF MISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE WAFERS USING INDUCED TOPOGRAPHY |
CN113366619A (zh) * | 2019-02-15 | 2021-09-07 | 科磊股份有限公司 | 使用组合光学与电子束技术的偏移测量 |
US11075126B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-07-27 | Kla-Tencor Corporation | Misregistration measurements using combined optical and electron beam technology |
US11784077B2 (en) | 2019-12-18 | 2023-10-10 | Micron Technology, Inc. | Wafer overlay marks, overlay measurement systems, and related methods |
KR102630496B1 (ko) * | 2020-04-15 | 2024-01-29 | 케이엘에이 코포레이션 | 반도체 디바이스의 오정합을 측정하는 데 유용한 디바이스 스케일 피쳐를 갖는 오정합 타겟 |
CN114065687A (zh) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 基于人工智能确定用于制造部件承载件的行动规划 |
US11798828B2 (en) * | 2020-09-04 | 2023-10-24 | Kla Corporation | Binning-enhanced defect detection method for three-dimensional wafer structures |
US11556062B2 (en) * | 2021-03-18 | 2023-01-17 | Kla Corporation | Sub-resolution imaging target |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270347A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 位置ずれ検出方法及びその装置 |
JPH1187231A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Nikon Corp | 画像取り込み装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163110A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
GB8516984D0 (en) * | 1985-07-04 | 1985-08-07 | British Telecomm | Etching method |
FR2598797B1 (fr) * | 1986-05-07 | 1990-05-11 | Nippon Telegraph & Telephone | Procede de mesure et/ou d'ajustement du deplacement d'un objet et appareil pour la mise en oeuvre de ce procede |
US4728193A (en) * | 1986-12-11 | 1988-03-01 | Hughes Aircraft Company | Precision automatic mask-wafer alignment system |
FR2620244B1 (fr) | 1987-09-08 | 1990-01-12 | Micro Controle | Systeme pour le positionnement rigoureux d'un objet le long d'un axe |
EP0398334B1 (en) * | 1989-05-17 | 1994-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting apparatus |
US5290300A (en) * | 1989-07-31 | 1994-03-01 | Baxter International Inc. | Flexible suture guide and holder |
EP0634702B1 (en) * | 1990-03-27 | 2010-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Measuring method and apparatus |
US5182610A (en) * | 1990-04-19 | 1993-01-26 | Sortec Corporation | Position detecting method and device therefor as well as aligning device |
US5216257A (en) | 1990-07-09 | 1993-06-01 | Brueck Steven R J | Method and apparatus for alignment and overlay of submicron lithographic features |
US5343292A (en) * | 1990-10-19 | 1994-08-30 | University Of New Mexico | Method and apparatus for alignment of submicron lithographic features |
JP3187093B2 (ja) * | 1991-09-27 | 2001-07-11 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ測定装置 |
CA2078732A1 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-28 | Koichi Sentoku | Displacement measuring device and displacement measuring method |
US5495336A (en) * | 1992-02-04 | 1996-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method for detecting a positional relationship between a first object and a second object |
JPH06137830A (ja) * | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Canon Inc | 干渉計測方法及び干渉計測装置 |
US5585923A (en) * | 1992-11-14 | 1996-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for measuring positional deviation while correcting an error on the basis of the error detection by an error detecting means |
JP3548298B2 (ja) * | 1994-08-30 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ計測方法及びそれを用いた位置ずれ計測装置 |
JPH0886612A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Canon Inc | 光ヘテロダイン干渉を利用した位置ずれ検出装置 |
US5923041A (en) | 1995-02-03 | 1999-07-13 | Us Commerce | Overlay target and measurement procedure to enable self-correction for wafer-induced tool-induced shift by imaging sensor means |
US5808742A (en) * | 1995-05-31 | 1998-09-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks |
US5757507A (en) | 1995-11-20 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Method of measuring bias and edge overlay error for sub-0.5 micron ground rules |
US5712707A (en) | 1995-11-20 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Edge overlay measurement target for sub-0.5 micron ground rules |
EP0826165B1 (en) * | 1996-03-15 | 2001-05-30 | Asm Lithography B.V. | Alignment device and lithographic apparatus provided with such a device |
US5805290A (en) | 1996-05-02 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of optical metrology of unresolved pattern arrays |
US6023338A (en) | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
US6556305B1 (en) * | 2000-02-17 | 2003-04-29 | Veeco Instruments, Inc. | Pulsed source scanning interferometer |
US6710876B1 (en) * | 2000-08-14 | 2004-03-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Metrology system using optical phase |
-
2000
- 2000-10-26 US US09/697,025 patent/US7009704B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2004521380A patent/JP4647998B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-26 WO PCT/US2001/051287 patent/WO2004008068A1/en active Application Filing
-
2005
- 2005-12-19 US US11/313,139 patent/US7375810B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270347A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 位置ずれ検出方法及びその装置 |
JPH1187231A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-30 | Nikon Corp | 画像取り込み装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102221751B1 (ko) * | 2014-02-03 | 2021-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
JP2017506741A (ja) * | 2014-02-03 | 2017-03-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
KR101898598B1 (ko) * | 2014-02-03 | 2018-09-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
KR20180102225A (ko) * | 2014-02-03 | 2018-09-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
US10162271B2 (en) | 2014-02-03 | 2018-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
US11526085B2 (en) | 2014-02-03 | 2022-12-13 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
US10739687B2 (en) | 2014-02-03 | 2020-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
KR20160115982A (ko) * | 2014-02-03 | 2016-10-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
US9784573B2 (en) | 2015-02-24 | 2017-10-10 | Toshiba Memory Corporation | Positional deviation measuring device, non-transitory computer-readable recording medium containing a positional deviation measuring program, and method of manufacturing semiconductor device |
JP2021501905A (ja) * | 2017-11-07 | 2021-01-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 関心対象特性を算出するメトロロジ装置及び方法 |
KR102408786B1 (ko) * | 2017-11-07 | 2022-06-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
KR20220084198A (ko) * | 2017-11-07 | 2022-06-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
JP7150838B2 (ja) | 2017-11-07 | 2022-10-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 関心対象特性を算出するメトロロジ装置及び方法 |
KR20200059301A (ko) * | 2017-11-07 | 2020-05-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
KR102529770B1 (ko) * | 2017-11-07 | 2023-05-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
KR20230067707A (ko) * | 2017-11-07 | 2023-05-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
KR102648880B1 (ko) * | 2017-11-07 | 2024-03-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
JP7365510B2 (ja) | 2020-01-29 | 2023-10-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の周期構造を測定するための計測方法およびデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7009704B1 (en) | 2006-03-07 |
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