JP2005518062A - 集積回路の物理パラメータからの2進コードの抽出 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、2つの抵抗器(Rd、Rg)の値の差に基づいて2進値を抽出する集積セル(1)に関し、このセルは、前記抵抗器間の差の符号の2進法読取りを行うための接続手段と、値の差の前記符号を不変にするために前記抵抗の1つの値の変更を行うための接続手段に加えて備える。
Description
前記抵抗間の値の差の符号を2進法で読み取るための接続手段と、
前記値の差の符号を不変にするために、前記抵抗の1つの値を変更するための接続手段と、を備える集積セルを提供する。
電気経路を区別するための前記抵抗器の1つと、
読取りトランジスタと、
選択トランジスタとを備え、各枝路の抵抗器と読取りトランジスタの接合点がセルの出力端子を定め、さらに各枝路の読取りトランジスタのゲートが他方の枝路の出力端子に接続されている。
第1の供給端子とセル状態を差動的に読み取るための端子との間に接続された前記抵抗器の1つを各々が備える2つの並列枝路と、
前記読取り端子の1つを、供給電圧を印加する第2の端子に接続する少なくとも1つのプログラミング・スイッチとを備える。
選択された抵抗器の電流を段階的に増加するステップと、
より大きな電流を加えるごとにその後で、機能的な読取り環境でこの抵抗器の値を測定するステップとを備える。
セルの初期状態の読取りを起こさせるステップと、
抵抗器のうちで、ハイ出力状態を与える枝路と関連した抵抗器を、抵抗の値が最大を示す場合の電流よりも大きな束縛電流に一時的に従わせるステップとを備える。
n個のセルと、
中央制御ユニットと、を備える回路を提供する。
R=ρ(L/s)
ここで、ρはトラックを形成する材料(ことによると、ドープされたポリシリコン)の抵抗率を示し、このトラックに要素11がエッチングされる。Lは要素11の長さを示し、sは断面すなわち幅l×厚さeを示す。要素11の抵抗率ρは、特に、それを形成するポリシリコンの可能なドーピングに依存している。
R=R□*L/l
Rd、Rg 抵抗器
Q、NQ 出力端子
W、NW 安定化制御入力端子
R、M 端子
MN1d、MN2d、MN3d、MN1g、MN2g、MN3g トランジスタ
Claims (24)
- 2つの抵抗器の値(Rd、Rg;Rp1、Rp2)の差に基づいて2進値を抽出する集積セル(1)において、
前記抵抗器間の差の符号を2進法で読み取るための接続手段と、
前記差の符号を不変にするために、前記抵抗の1つの値を変更するための接続手段とを備える集積セル。 - 前記抵抗器(Rd、Rg;Rp1、Rp2)間の差の前記符号を2進法で読み取るための手段を集積化した、請求項1に記載のセル。
- 前記値の変更は、不可逆でかつ安定なやり方で、前記セルの読取り動作電流の範囲内で、前記抵抗器(Rd、Rg;Rp1、Rp2)の1つの値を減少させることから成る、請求項1または2に記載のセル。
- 前記抵抗器(Rd、Rg;Rp1、Rp2)は、ポリシリコンでつくられ、かつ同一公称値を持つような大きさにつくられる、請求項1から3のいずれかに記載のセル。
- 前記値の減少は、前記抵抗器の値が最大である場合の電流よりも大きな電流を、対応する抵抗器(Rd、Rg)に一時的に課すことでもたらされる、請求項3または4に記載のセル。
- 2つの電気経路におけるトリガ信号のエッジの伝播に基づいた2進値の抽出に利用され、2つの電圧供給端子(2、3)間に2つの並列枝路を備え、各枝路が、直列に、
前記電気経路を区別する前記抵抗器(Rd、Rg)の1つと、
読取りトランジスタ(MN1d、MN1g)と、
選択トランジスタ(MN2d、MN2g)とを備え、各枝路の前記抵抗器と前記読取りトランジスタの接合点が前記セルの出力端子(Q、NQ)を定め、さらに各枝路の前記読取りトランジスタのゲートが他方の枝路の前記出力端子に接続されている、請求項1から5のいずれかに記載のセル(1)。 - 各枝路は、さらに、前記含まれた枝路の前記抵抗器(Rd、Rg)が接続されている電圧の反対側の電圧を印加する前記端子(3)に、その出力端子(Q、NQ)を接続する安定化トランジスタ(MN3d、MN3g)を備える、請求項6に記載のセル。
- 前記安定化トランジスタ(MN3d、MN3g)は、前記抵抗器(Rd、Rg)の1つの値に前記減少を生じさせるように使用される、請求項3または7に記載のセル。
- 前記電圧は、初期セル状態の比較的低い読取り電圧(Vr)および比較的高い安定化電圧(Vp)から選ばれる、請求項6から8のいずれかに記載のセル。
- 第1の供給端子(E)と前記セル状態を差動的に読み取るための端子(4、6)との間に接続された前記抵抗器(RP1、RP2)の1つを各々が備える2つの並列枝路と、
前記読取り端子の1つを、前記供給電圧を印加する第2の端子(M)に接続する少なくとも1つのプログラミング・スイッチ(MNP1、MNP2;MPP1、MPP2)とを備える、請求項1から5のいずれかに記載のセル。 - 各枝路は、プログラミング・スイッチ(MNP1、MNP2;MPP1、MPP2)を備える、請求項10に記載のメモリ・セル。
- 前記供給端子(E、M)の1つは、セレクタKを介して、少なくとも2つの供給電圧に接続され、その中に比較的低い読取り動作供給電圧(Vr)と比較的高い安定化供給電圧(Vp)がある、請求項10または11に記載のメモリ・セル。
- 少なくとも1つの選択トランジスタ(MNS1、MNS2;MPP1、MPP2)は、前記第1の供給端子(E)と前記対応する読取り端子(4、6)の間で各前記抵抗器と直列に関連付けられている、請求項10から12のいずれかに記載のメモリ・セル。
- 各前記抵抗器は、他方の枝路の前記抵抗器に接続された制御端子を有するラッチ(63G、63D;85G、85D)によって、前記第2の供給端子(M)に接続されている、請求項10から13のいずれかに記載のメモリ・セル。
- 前記セル状態を読み取るための差動増幅器(61、5)を備える、請求項10から14のいずれかに記載のメモリ・セル。
- 各枝路は、それの抵抗器(Rp1、Rp2)の両側に、それぞれNチャネル・トランジスタ(82G、82D)およびPチャネル・トランジスタ(81G、81D)を備え、これらのトランジスタのゲートが、互いに、他方の枝路の前記抵抗器の端子に接続されている、請求項10から15のいずれかに記載のメモリ・セル。
- 前記2個の抵抗の差の符号を不可逆にするために、前記含まれた枝路の前記抵抗器の値が最大を示す場合の電流よりも大きな安定化電流を、前記抵抗器の1つに一時的に課すことから成る、請求項1から16のいずれかに記載のメモリ・セルをプログラムする方法。
- 前記選択された抵抗器の電流を段階的に増加するステップと、
より大きな電流を加えるごとにその後で、機能的な読取り環境でこの抵抗器の値を測定するステップとを備える、請求項17に記載の方法。 - 適合されたプログラミング電流を前記選択されたプログラミング抵抗器に加えるために、安定化電流と所望の最終抵抗の間の対応の予め決定された表を使用することから成る、請求項17または18に記載の方法。
- 請求項6から16のいずれかに記載のセル(1)の値の安定化を制御する方法であって、
前記セルの初期状態の読取りを起こさせるステップと、
前記抵抗器のうちで、ハイ出力状態を与える前記枝路と関連した抵抗器を、前記抵抗の値が最大を示す場合の電流(Im)よりも大きな束縛電流に一時的に従わせるステップとを備える方法。 - 前記束縛電流は、前記束縛電流と前記所望の最終抵抗の間の対応の予め決定された表から選択される、請求項20に記載の方法。
- nビットの2進コードを集積回路チップに格納し、また集積回路チップから抽出する回路であって、
請求項1から16のいずれかに記載のn個のセル(1)と、
中央制御ユニット(4)とを備える回路。 - 前記セル(1)に含まれた前記nビットが、並列に抽出される、請求項22に記載の回路。
- 請求項22または23に記載の回路を備える、集積回路チップを識別する回路。
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