JP2005517188A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005517188A5 JP2005517188A5 JP2003566568A JP2003566568A JP2005517188A5 JP 2005517188 A5 JP2005517188 A5 JP 2005517188A5 JP 2003566568 A JP2003566568 A JP 2003566568A JP 2003566568 A JP2003566568 A JP 2003566568A JP 2005517188 A5 JP2005517188 A5 JP 2005517188A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- electrical action
- test signal
- detection
- electrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 13
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 4
- 230000004936 stimulating Effects 0.000 claims 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 230000001143 conditioned Effects 0.000 claims 2
- 230000003750 conditioning Effects 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
Claims (40)
- 集積回路の電気特性の測定方法であって、
刺激エネルギー源を用いて前記集積回路の所定の領域を刺激することによって、前記集積回路内へテスト信号を注入するステップと、
検出器を用いて、前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出するステップと、
前記検出された電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定するステップと、を含む方法。 - 前記電気作用の前記検出を、電気的に無負荷な方法で行なう請求項1に記載の方法。
- 前記テスト信号の前記注入を、前記刺激エネルギー源を前記集積回路の前記所定の被刺激領域と機械的に接触させることなく行なう請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路の前記所定の領域を、前記刺激エネルギー源によって放出される電磁放射のビームを用いて刺激する請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路の前記所定の領域を、前記刺激エネルギー源によって放出される荷電粒子のビームを用いて刺激する請求項1に記載の方法。
- 前記回路内へ注入される前記テスト信号を、前記集積回路内に配置される信号コンディショニング・デバイスを用いてコンディショニングする請求項1に記載の方法。
- 前記注入の前に、前記集積回路を、ウェハ上で位置確認して、前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して所定の方法で位置づける請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路を前記ウェハ上で位置確認することを、前記ウェハの画像を使用し前記画像の光学的パターン認識分析を実行することによって行なう請求項7に記載の方法。
- 前記集積回路を前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して位置づけることを、機械的ステージを用いて行なう請求項7に記載の方法。
- 前記注入の前に、前記集積回路に電力を供給する請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路に前記電力を供給することを、前記回路内に受光器を配置して前記受光器をエネルギー・ビームを用いて照射することによって行なう請求項10に記載の方法。
- 前記集積回路に前記電力を供給することを、前記集積回路内に配置された少なくとも1つの導電性パッドとはめ合う少なくとも1つの機械的プローブを用いて行なう請求項10に記載の方法。
- 前記注入を、前記集積回路の金属層を堆積した後に行なう請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路についてパラメータ測定を行なうステップと、前記パラメータ測定の結果を用いて前記集積回路の特性を決定するステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの非時間分解検出を用いて行なう請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの時間分解検出を用いて行なう請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路のレーザ・ビーム・プロービングを用いて行なう請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路内に配置された少なくとも1つの導電性パッドとはめ合う少なくとも1つの機械的プローブを用いて行なう請求項1に記載の方法。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路の電子ビーム・プロービングを用いて行なう請求項1に記載の方法。
- 所定のパターンの電子コンポーネントを半導体ウェハの表面上に形成してなる集積回路の電気特性の測定装置であって、
前記集積回路の所定の領域を刺激することによって前記集積回路内へテスト信号を注入するための刺激エネルギー源と、
前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも1つに向けて電力を供給する電源と、
前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出する検出器と、を備え、
前記電気作用は、前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも1つのスイッチングを含み、前記検出された電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定する装置。 - 前記検出器が、前記集積回路内の前記電気作用を電気的に無負荷な方法で検出するように動作する請求項20に記載の装置。
- 前記刺激エネルギー源が、前記集積回路の前記所定の被刺激領域との機械的な接触を設けることなく前記テスト信号を注入するように動作する請求項20に記載の装置。
- 前記刺激エネルギー源が、前記集積回路の前記所定の領域を、電磁放射のビームを前記所定の領域上へ送ることによって刺激する請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路の前記所定の領域を、前記刺激エネルギー源によって放出される荷電粒子のビームを用いて刺激する請求項20に記載の装置。
- 前記回路内へ注入される前記テスト信号を、前記集積回路内に配置される信号コンディショニング・デバイスを用いてコンディショニングする請求項20に記載の装置。
- 前記注入の前に、前記集積回路を、ウェハ上で位置確認して、前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して所定の方法で位置づける請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路を前記ウェハ上で位置確認することを、前記ウェハの画像を使用し前記画像の光学的パターン認識分析を実行することによって行なう請求項26に記載の装置。
- 前記集積回路を前記刺激エネルギー源および前記検出器に対して位置づけることを、機械的ステージを用いて行なう請求項26に記載の装置。
- 前記注入の前に、前記集積回路に電力を供給する請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路に前記電力を供給することを、前記回路内に受光器を配置して前記受光器をエネルギー・ビームを用いて照射することによって行なう請求項29に記載の装置。
- 前記集積回路に前記電力を供給することを、前記集積回路内に配置された少なくとも1つの導電性パッドとはめ合う少なくとも1つの機械的プローブを用いて行なう請求項29に記載の装置。
- 前記注入を、前記集積回路の金属層を堆積した後に行なう請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路についてパラメータ測定を行なうためのセットアップをさらに備え、前記パラメータ測定の結果を用いて前記集積回路の特性を決定する請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの非時間分解検出を用いて行なう請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路によって放出されるフォトンの時間分解検出を用いて行なう請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路のレーザ・ビーム・プロービングを用いて行なう請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路内に配置された少なくとも1つの導電性パッドとはめ合う少なくとも1つの機械的プローブを用いて行なう請求項20に記載の装置。
- 前記集積回路内の前記電気作用の検出を、前記集積回路の電子ビーム・プロービングを用いて行なう請求項20に記載の装置。
- 所定のパターンの電子コンポーネントを半導体ウェハの表面上に形成してなる集積回路の電気特性の測定装置であって、
前記集積回路の所定の領域を刺激することによって前記集積回路内へテスト信号を注入するための刺激エネルギー源と、
前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも1つに向けて電力を供給する電源と、
前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出する検出器と、を備え、
検出された前記電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定するための処理ユニットと
を備え、
前記電気作用は、前記集積回路の電子コンポーネントの少なくとも1つのスイッチングを含み、前記検出された電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定する装置。 - 所定のパターンの電子コンポーネントを半導体ウェハの表面上に形成してなる集積回路の電気特性の測定するための装置であって、
前記集積回路の所定の領域を刺激することによって前記集積回路内へテスト信号を注入するための手段と、
前記集積回路に電力を供給するための手段と、
前記注入されたテスト信号に応答する前記集積回路内の電気作用を検出するための手段と、
検出された前記電気作用に基づいて前記集積回路の前記特性を決定するための手段と
を備え、
前記電気作用は前記集積回路の前記電子コンポーネントの少なくとも1つのスイッチングを含む
ことを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35337402P | 2002-02-01 | 2002-02-01 | |
US10/229,181 US6859031B2 (en) | 2002-02-01 | 2002-08-26 | Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits |
PCT/US2003/002852 WO2003067271A2 (en) | 2002-02-01 | 2003-01-31 | Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005517188A JP2005517188A (ja) | 2005-06-09 |
JP2005517188A5 true JP2005517188A5 (ja) | 2006-03-23 |
Family
ID=27668376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003566568A Pending JP2005517188A (ja) | 2002-02-01 | 2003-01-31 | 集積回路の動的診断テスティング装置および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6859031B2 (ja) |
EP (1) | EP1470431A2 (ja) |
JP (1) | JP2005517188A (ja) |
KR (1) | KR100734186B1 (ja) |
AU (1) | AU2003217284A1 (ja) |
TW (1) | TWI264791B (ja) |
WO (1) | WO2003067271A2 (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7283694B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-10-16 | Infinera Corporation | Transmitter photonic integrated circuits (TxPIC) and optical transport networks employing TxPICs |
US7224910B2 (en) * | 2002-10-25 | 2007-05-29 | Gennum Corporation | Direct attach optical receiver module and method of testing |
US7391005B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-06-24 | Gennum Corporation | Direct attach optical receiver module and method of testing |
US6976234B2 (en) * | 2003-01-13 | 2005-12-13 | Credence Systems Corporation | Apparatus and method for measuring characteristics of dynamic electrical signals in integrated circuits |
DE10311966A1 (de) * | 2003-03-18 | 2004-12-16 | Infineon Technologies Ag | Chipkarte |
US7184626B1 (en) * | 2003-04-07 | 2007-02-27 | Luxtera, Inc | Wafer-level testing of optical and optoelectronic chips |
US7378861B1 (en) * | 2003-04-07 | 2008-05-27 | Luxtera, Inc. | Optical alignment loops for the wafer-level testing of optical and optoelectronic chips |
WO2004100200A2 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-18 | Yale University | Solid state microchannel plate photodetector |
US7030977B2 (en) | 2003-05-06 | 2006-04-18 | Visteon Global Technologies, Inc. | Non-contact optical system for production testing of electronic assemblies |
US20050024057A1 (en) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Romain Desplats | Methods of using measured time resolved photon emission data and simulated time resolved photon emission data for fault localization |
US7730434B2 (en) * | 2003-08-25 | 2010-06-01 | Tau-Metrix, Inc. | Contactless technique for evaluating a fabrication of a wafer |
US7518391B2 (en) * | 2004-02-17 | 2009-04-14 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Probe card and a method for detecting defects using a probe card and an additional inspection |
US7005719B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-02-28 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit structure having a flip-chip mounted photoreceiver |
WO2005086786A2 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-22 | Sioptical, Inc. | Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method |
US7019311B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-03-28 | Sandia Corporation | Laser-based irradiation apparatus and methods for monitoring the dose-rate response of semiconductor devices |
US8380478B2 (en) * | 2004-06-07 | 2013-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Statistical evaluation of circuit robustness separating local and global variation |
US20060103378A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Nader Pakdaman | Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits |
US7154287B2 (en) * | 2005-01-27 | 2006-12-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for light-controlled circuit characterization |
US7381970B2 (en) * | 2005-01-31 | 2008-06-03 | Summer Schneider | Specimen stage for charged-particle scanning microscopy |
US7239157B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Optical trigger for PICA technique |
US7202689B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-04-10 | International Business Machines Corporation | Sensor differentiated fault isolation |
JP2006349522A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子の検査方法及びその装置 |
JP2007010384A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Univ Of Tokyo | 半導体デバイスの高周波特性測定方法及び装置 |
FR2891626B1 (fr) * | 2005-09-30 | 2008-02-01 | Cnes Epic | Dispositif d'analyse d'un circuit integre. |
CA2540238A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-15 | Global Intellectual Strategies | Method and system for locating a structure of interest in an integrated circuit |
US7679358B2 (en) * | 2006-04-05 | 2010-03-16 | Dcg Systems, Inc. | System and method for voltage noise and jitter measurement using time-resolved emission |
US7663390B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus and method |
JP2009008420A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体デバイスの良否判定装置 |
US7868630B2 (en) * | 2007-06-26 | 2011-01-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated light conditioning devices on a probe card for testing imaging devices, and methods of fabricating same |
US7888947B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-02-15 | Teradyne, Inc. | Calibrating automatic test equipment |
KR20110042188A (ko) * | 2008-10-24 | 2011-04-25 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 전자 디바이스 및 제조 방법 |
US8378702B2 (en) | 2009-05-08 | 2013-02-19 | Corning Incorporated | Non-contact testing of printed electronics |
FR2947119B1 (fr) * | 2009-06-18 | 2011-07-01 | Amcad Engineering | Procede et systeme d'adaptation optimale d'impedance de source en entree de composants electroniques, en particulier de transistors |
JP2011035206A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の解析装置及び半導体装置の解析方法 |
JP2011075441A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体デバイス故障解析装置 |
KR101109302B1 (ko) | 2009-12-02 | 2012-01-31 | 삼성전기주식회사 | 회로패턴의 결함 검사장치 및 그 검사방법 |
FR2974183B1 (fr) * | 2011-04-13 | 2013-12-13 | Proton World Int Nv | Dispositif de perturbation du fonctionnement d'un circuit integre. |
US9721854B2 (en) | 2012-12-05 | 2017-08-01 | International Business Machines Corporation | Structure and method for in-line defect non-contact tests |
KR20140095387A (ko) * | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 삼성전자주식회사 | 광 소자를 포함하는 웨이퍼의 테스트 시스템 및 웨이퍼 테스트 방법 |
US9599666B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Minimum voltage and maximum performance mapping using laser-assisted techniques |
US11041809B2 (en) * | 2015-10-08 | 2021-06-22 | President And Fellows Of Harvard College | Ultrahigh resolution dynamic IC chip activity detection for hardware security |
US10180486B2 (en) * | 2016-03-16 | 2019-01-15 | Formfactor Beaverton, Inc. | Test standards and methods for impedance calibration of a probe system, and probe systems that include the test standards or utilize the methods |
US9791346B1 (en) * | 2016-04-20 | 2017-10-17 | Stmicroelectronics Sa | Semiconductor device and wafer with reference circuit and related methods |
US10665421B2 (en) * | 2018-10-10 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ beam profile metrology |
US11125780B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-09-21 | International Business Machines Corporation | Test probe assembly with fiber optic leads and photodetectors |
US11119148B2 (en) | 2018-10-18 | 2021-09-14 | International Business Machines Corporation | Test probe assembly with fiber optic leads and photodetectors for testing semiconductor wafers |
US11243230B2 (en) * | 2019-12-30 | 2022-02-08 | Juniper Networks, Inc. | Compact opto-electric probe |
US11614584B2 (en) * | 2020-04-28 | 2023-03-28 | Poet Technologies, Inc. | Loopback waveguide |
CN113589027B (zh) * | 2021-07-30 | 2022-06-03 | 奇舍电子科技(上海)有限公司 | 一种电力电子器件瞬态过程时间信息检测装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4681449A (en) * | 1984-09-07 | 1987-07-21 | Stanford University | High speed testing of electronic circuits by electro-optic sampling |
US4758092A (en) | 1986-03-04 | 1988-07-19 | Stanford University | Method and means for optical detection of charge density modulation in a semiconductor |
US5508610A (en) * | 1992-12-03 | 1996-04-16 | Georgia Tech Research Corporation | Electrical conductivity tester and methods thereof for accurately measuring time-varying and steady state conductivity using phase shift detection |
IT1265145B1 (it) | 1993-07-12 | 1996-10-31 | Cesare Gallone | Dispositivo di connessione per componenti elettrici |
US5640539A (en) * | 1993-09-21 | 1997-06-17 | Advantest Corporation | IC analysis system having charged particle beam apparatus for improved contrast image |
EP0652444A1 (en) | 1993-11-08 | 1995-05-10 | Advantest Corporation | Method and apparatus for forming a potential distribution image of a semiconductor integrated circuit |
US5721688A (en) * | 1996-09-06 | 1998-02-24 | Madill Technologies, Inc. | Apparatus and method for electrical system measurements including battery condition, resistance of wires and connections, total electrical system quality and current flow |
US5663967A (en) * | 1995-10-19 | 1997-09-02 | Lsi Logic Corporation | Defect isolation using scan-path testing and electron beam probing in multi-level high density asics |
JP2956755B2 (ja) * | 1996-03-11 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 微細パターン検査装置 |
US5631571A (en) * | 1996-04-03 | 1997-05-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Infrared receiver wafer level probe testing |
US5940545A (en) | 1996-07-18 | 1999-08-17 | International Business Machines Corporation | Noninvasive optical method for measuring internal switching and other dynamic parameters of CMOS circuits |
US5872360A (en) | 1996-12-12 | 1999-02-16 | Intel Corporation | Method and apparatus using an infrared laser based optical probe for measuring electric fields directly from active regions in an integrated circuit |
US5905577A (en) | 1997-03-15 | 1999-05-18 | Schlumberger Technologies, Inc. | Dual-laser voltage probing of IC's |
US6331782B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-12-18 | Conexant Systems, Inc. | Method and apparatus for wireless testing of integrated circuits |
US6184696B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-02-06 | Conexant Systems, Inc. | Use of converging beams for transmitting electromagnetic energy to power devices for die testing |
US6107107A (en) * | 1998-03-31 | 2000-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Analyzing an electronic circuit formed upon a frontside surface of a semiconductor substrate by detecting radiation exiting a backside surface coated with an antireflective material |
US6621275B2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-09-16 | Optonics Inc. | Time resolved non-invasive diagnostics system |
-
2002
- 2002-08-26 US US10/229,181 patent/US6859031B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-23 TW TW092101517A patent/TWI264791B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-01-31 AU AU2003217284A patent/AU2003217284A1/en not_active Abandoned
- 2003-01-31 KR KR1020047011746A patent/KR100734186B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-01-31 EP EP03713326A patent/EP1470431A2/en not_active Withdrawn
- 2003-01-31 WO PCT/US2003/002852 patent/WO2003067271A2/en not_active Application Discontinuation
- 2003-01-31 JP JP2003566568A patent/JP2005517188A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005517188A5 (ja) | ||
KR100315326B1 (ko) | 광섬유를이용한반도체장치평가시스템 | |
US4599558A (en) | Photovoltaic imaging for large area semiconductors | |
JPH065691B2 (ja) | 半導体素子の試験方法および試験装置 | |
JP2985826B2 (ja) | 位置検出装置および方法 | |
US20100188094A1 (en) | Method and apparatus for measuring a lifetime of charge carriers | |
JP2012093355A (ja) | 被試験デバイスの分析のためのシステムおよび被試験デバイスをテストする方法 | |
US9110127B2 (en) | Apparatus and method for electrical characterization by selecting and adjusting the light for a target depth of a semiconductor | |
TW200617413A (en) | Substrate inspection device and substrate inspecting method | |
US20150061715A1 (en) | Method and Apparatus for Non-Contact Measurement of Forward Voltage, Saturation Current Density, Ideality Factor and I-V Curves in P-N Junctions | |
TWI779070B (zh) | 探針裝置 | |
US20060017452A1 (en) | Substrate inspection device and substrate inspecting method | |
US6915232B2 (en) | Film thickness measuring method, relative dielectric constant measuring method, film thickness measuring apparatus, and relative dielectric constant measuring apparatus | |
JP2006521701A (ja) | 半導体ウェーハのリアルタイム・インラインテスト | |
JPH04305954A (ja) | 製造プロセスを試験する装置と方法 | |
JP2004146831A (ja) | 半導体ウェハの荷電キャリア寿命測定方法及び測定装置 | |
US20070188761A1 (en) | Combined modulated optical reflectance and electrical system for ultra-shallow junctions applications | |
US7623982B2 (en) | Method of testing an electronic circuit and apparatus thereof | |
JP2008515226A (ja) | 半導体ウエハ中の欠陥および/又は不純物の密度を測定するための方法及び装置 | |
JP3717241B2 (ja) | 基板検査方法及び装置 | |
JP3804046B2 (ja) | 回路基板の検査装置および検査方法 | |
JPS6253944B2 (ja) | ||
JP2003318237A (ja) | 表面光起電力測定方法及び表面光起電力測定装置 | |
Avram et al. | Characterization of miniature near field probes for IC's radiation measurements | |
US7224173B2 (en) | Electrical bias electrical test apparatus and method |