JP2003318237A - 表面光起電力測定方法及び表面光起電力測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンエピタキシャルウェーハの厚さが異
なっても、ｐ型シリコンエピタキシャル層の表面におい
て、表面光起電力を精度よく測定することができる方法
を提供する。 【解決手段】 光起電力を測定する前に、ｐ型シリコン
エピタキシャル層１６の表面を、ハロゲンランプ３で輻
射加熱する。これにより、ｐ型シリコンエピタキシャル
層１６の表面部に空乏層を形成する。このとき、ｐ型シ
リコンエピタキシャル層１６の表面と対向する位置に温
度センサ４を配置しておき、ｐ型シリコンエピタキシャ
ル層１６の表面温度が直接測定できるようにする。これ
により、シリコンエピタキシャルウェーハＷの厚さが異
なる試料間で、バラツキの殆どない空乏層を形成するこ
とができ、ひいては精度のよい表面光起電力測定が行な
われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンエピタキ
シャルウェーハにおける表面光起電力の測定方法及び測
定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコン単結晶基板上に形成されるシリ
コンエピタキシャル層の電気的特性、例えば、抵抗率や
キャリアライフタイム等の評価方法として、表面光起電
力（ＳＰＶ：Surface Photovoltage）測定法が用いられ
ることがある。ＳＰＶ測定法は、シリコンエピタキシャ
ル層に励起光を照射し、生じる電子と正孔に基づく光起
電力を測定するものである。ところで、ＳＰＶ測定を行
うためには、測定前にシリコンエピタキシャル層の表面
部に、空乏層を形成する必要がある。空乏層を形成する
ことにより、励起光の照射により生じた電子と正孔と
が、空乏層の両端にそれぞれ移動し、このときの表面電
位の変化を測定することで、光起電力の測定が可能とな
る。

【０００３】例えば、ｐ型シリコンエピタキシャル層の
表面部に空乏層を形成する方法及び装置として、米国特
許公報ＵＳ−６３２５０７８号に開示されているものが
ある。この方法及び装置は、ｐ型シリコンエピタキシャ
ル層表面に、ハロゲンランプに基づく光を空気中にて照
射することで、ｐ型シリコンエピタキシャル層に空乏層
を形成するものである。具体的には、ハロゲンランプに
基づく熱線により、ｐ型シリコンエピタキシャル層表面
の温度を３００℃程度に加熱し、その温度に保った状態
で３０秒間保持する。以下、このように加熱することに
よりｐ型シリコンエピタキシャル層の表面部に空乏層を
形成する工程を加熱工程という。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記加
熱工程に基づいて空乏層を形成し、その後ＳＰＶ測定を
行う場合、ｐ型シリコンエピタキシャル層における電気
的特性、例えば抵抗率が同一でも、シリコン単結晶基板
上にシリコンエピタキシャル層を形成して製造されるシ
リコンエピタキシャルウェーハの厚さが互いに異なる試
料間では、光起電力の測定結果にバラツキが生じ、精度
のよい抵抗率測定ができない場合がある。また、シリコ
ンエピタキシャルウェーハの面内に厚さバラツキがある
と、抵抗率の面内分布を精度よく測定することができな
い場合がある。

【０００５】本発明の課題は、シリコンエピタキシャル
ウェーハの厚さが異なっても、ｐ型シリコンエピタキシ
ャル層の表面光起電力を精度よく測定することができる
方法及び装置を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記課題
を解決するために、本発明の光起電力測定方法の第一
は、基板表面上に形成されたｐ型シリコンエピタキシャ
ル層の表面を輻射加熱して、該ｐ型シリコンエピタキシ
ャル層に空乏層を形成する加熱工程を有し、該加熱工程
後にｐ型シリコンエピタキシャル層の前記表面に励起光
を照射し、該表面に生じる光起電力を測定する方法にお
いて、前記加熱工程で、ｐ型シリコンエピタキシャル層
の表面を加熱する際に、該ｐ型シリコンエピタキシャル
層の表面の温度を測定することを特徴とする。

【０００７】本発明者は、ｐ型シリコンエピタキシャル
層の抵抗率が同一であって、シリコンエピタキシャルウ
ェーハ（以下、単にウェーハとも記載する）全体の厚さ
が異なるものにおいて、米国特許公報ＵＳ−６３２５０
７８号に開示されているように、ハロゲンランプを用い
てエピタキシャル層表面を輻射加熱して当該表面部に空
乏層を形成した後、表面光起電力測定を行ってｐ型シリ
コンエピタキシャル層の抵抗率を測定した。具体的に
は、加熱工程として、厚さ７４０μｍと８３８μｍの２
種類のシリコンエピタキシャルウェーハについてその温
度を測定しつつ、ハロゲンランプに基づく近赤外の範囲
の波長を有する光を照射し、ウェーハ温度が略３００℃
となる状態で３０秒間保持する加熱工程を複数回行い、
その都度、表面光起電力（ＳＰＶ）測定によりシリコン
エピタキシャル層の抵抗率を測定した。すると、図６の
ように、実際の抵抗率が同一の試料であるにもかかわら
ず、厚さの異なるシリコンエピタキシャルウェーハで
は、異なる値の抵抗率が測定された。また、加熱工程を
行う度に抵抗率の値が減少した。さらに、最終的に到達
する抵抗率の値はウェーハの厚さにかかわらず略同一と
なる。

【０００８】このことから、ｐ型シリコンエピタキシャ
ル層の表面における上記加熱工程により形成される空乏
層は、過渡状態に過ぎないことがわかる。一方、前述の
加熱工程を繰り返し行って最終状態の空乏層を形成する
のでは時間がかかりすぎるので、加熱工程の時間を短縮
しつつ、表面光起電力の測定を安定して行えることが望
ましい。

【０００９】本発明者は、図６のようにウェーハ厚さに
より抵抗率にバラツキが生じるのは、ｐ型シリコンエピ
タキシャル層の表面部に空乏層を形成するために加熱す
る際に、シリコンエピタキシャルウェーハの温度を、ｐ
型シリコンエピタキシャル層とは反対側、つまり、ｐ型
シリコンエピタキシャル層が形成されている基板の裏面
側から測定しているためであるとの見解に至った。シリ
コンエピタキシャルウェーハの厚さが厚くなるほど、ｐ
型シリコンエピタキシャル層の表面の熱が基板の裏面に
至るまでの時間が長くなるので、基板の裏面側にて測定
される温度が同一（例えば、３００℃）でも、ｐ型シリ
コンエピタキシャル層表面の実際の温度は、ウェーハの
厚さが厚いほど高くなる。したがって、シリコンエピタ
キシャルウェーハの裏面の温度を測定し、その温度を目
安として前述の加熱工程を行うと、ウェーハの厚さが厚
いほど、ｐ型シリコンエピタキシャル層の表面に対し
て、より高温で長時間の加熱工程が行なわれることにな
る。その結果、ウェーハの厚さが厚いものと薄いもので
は、空乏層の形成状態が異なるため、ＳＰＶ測定を行っ
ても、同じ値が得られないのである。

【００１０】そこで本発明においては、ｐ型シリコンエ
ピタキシャル層の表面を加熱する際、その表面の温度を
直接測定する。これにより、シリコンエピタキシャルウ
ェーハの厚さに関係なく、ｐ型シリコンエピタキシャル
層表面の実際の温度を目安にして、加熱工程が行なわれ
るので、ウェーハの厚さが異なる場合にも形成される空
乏層の状態にバラツキが生じず、ＳＰＶ測定において、
精度のよい測定結果を得ることが可能となる。

【００１１】なお、シリコンエピタキシャルウェーハ
は、基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたも
のであり、本発明においては、シリコンエピタキシャル
層の表面は、シリコンエピタキシャルウェーハの主表面
と同一の面（以下、単に主表面とする）とされ、基板の
裏面は、シリコンエピタキシャルウェーハの裏面と同一
の面（以下、単に裏面とする）とされる。

【００１２】また、本発明の表面光起電力測定方法の第
二は、基板表面上に形成されたｐ型シリコンエピタキシ
ャル層の表面を輻射加熱して、該ｐ型シリコンエピタキ
シャル層に空乏層を形成する加熱工程を有し、該加熱工
程後にｐ型シリコンエピタキシャル層の表面に励起光を
照射し、該表面に生じる光起電力を測定する方法におい
て、前記加熱工程で、ｐ型シリコンエピタキシャル層の
表面を加熱する際に、基板の裏面の温度を測定するとと
もに、該裏面の温度をｐ型シリコンエピタキシャル層の
表面の温度と対応する温度に補正する温度補正処理を行
うことを特徴とする。

【００１３】本発明の第二によれば、基板の裏面側の温
度を測定しても、その裏面における温度を実際の主表面
温度と対応する温度に補正する温度補正処理を行い、そ
の補正されて得られる温度を目安とすることで、あたか
も実際に主表面の温度を直接測定するがごとく、加熱工
程を行うことができる。例えば、厚さの異なる複数のシ
リコンエピタキシャルウェーハに対し同一条件で輻射加
熱して、シリコンエピタキシャルウェーハの主表面温度
と裏面温度との関係を、ウェーハの厚さ毎に予め決定し
ておいて、その関係に基づき上記温度補正処理を行うこ
とができる。

【００１４】さらに、本発明の表面光起電力測定装置
は、基板表面上に形成されたｐ型シリコンエピタキシャ
ル層の表面を輻射加熱する輻射体と、ｐ型シリコンエピ
タキシャル層の表面と対向するように配置され、該ｐ型
シリコンエピタキシャル層表面の温度を測定する温度セ
ンサと、を有する加熱処理部と、輻射加熱後のｐ型シリ
コンエピタキシャル層に対して、励起光を照射し表面光
起電力の測定を行う測定部とを有し、加熱処理部と測定
部との間は、ｐ型シリコンエピタキシャル層が外部雰囲
気に晒されることなく搬送されるように連結されている
ことを特徴とする。

【００１５】本発明にかかる表面光起電力測定装置は、
表面処理部と、測定部とが連結されており、これらの間
で測定対象となるシリコンエピタキシャルウェーハが、
装置の外部に晒されることなく搬送されるようになって
いる。そのため、表面処理部において、ｐ型シリコンエ
ピタキシャル層を加熱して、表面部に空乏層が形成され
たそのままの状態で、測定部に搬送され易くなる。した
がって、ｐ型シリコンエピタキシャル層の表面部の性質
が変化しにくいので、測定部における表面光起電力の測
定がより一層精度よく行なわれる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を用いて本発明
の実施の形態について述べる。図１は、ｐ型シリコンエ
ピタキシャル層１６の表面部に空乏層を形成するために
加熱を行う表面処理装置１を示すものである。図１を用
いて、本発明にかかる加熱工程について説明する。ｐ型
シリコン単結晶基板１５上にｐ型シリコンエピタキシャ
ル層１６が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハ
Ｗ（以下、単にウェーハＷとする）を、断熱体にてなる
ピン５により、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６を上
側に向けるかたちで、チャンバー１９内に保持する。チ
ャンバー１９内には、該ウェーハＷのｐ型シリコンエピ
タキシャル層１６表面に対向するように、輻射加熱のた
めの輻射体として、複数のランプ３が配置されている。
そして、ランプ３の隙間に、ｐ型シリコンエピタキシャ
ル層１６の表面温度を測定するための温度センサ４が配
置されている。なお、チャンバ１９内は、ランプ３から
の光を反射させるための反射材２、１７、１８により覆
われており、ランプ３は上部反射材２に固定されてい
る。これら反射材２、１７、１８は、ランプ３の輻射加
熱を、チャンバー１９内において均一にするために配置
される。

【００１７】ランプ３は、波長が５００〜１５００ｎｍ
の光を主に発するハロゲンランプ３であり、該ハロゲン
ランプ３からの輻射により、ｐ型シリコンエピタキシャ
ル層１６の表面を加熱する。このとき、温度センサ４に
より、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６の表面温度を
直接測定する。なお、該温度センサ４は、ランプ３の隙
間に設けられているので、ランプ３からの、ｐ型シリコ
ンエピタキシャル層１６に対する光の照射を妨げない。
さらに具体的には、該温度センサ４は、上部反射材２に
形成されている貫通孔２’に挿入され、ランプ３の下端
から、該温度センサ４の先端が突出しないように配置さ
れる。温度センサ４は、ランプパワーコントローラーと
接続されており、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６の
表面温度の測定結果に基づいて、ランプ３からの輻射強
度が調整される。これにより、シリコンエピタキシャル
ウェーハＷの厚さが異なる試料であっても、ｐ型シリコ
ンエピタキシャル層１６の表面の温度に基づいて加熱工
程が行なわれるので、ｐ型シリコンエピタキシャル層１
６に形成される空乏層の状態を、ウェーハＷの厚さに拘
わらず略同一とすることが可能となる。

【００１８】具体的には、温度センサ４により検出され
るｐ型シリコンエピタキシャル層１６の表面の温度が１
００〜６００℃、特に３００℃程度となるように、輻射
強度を調節し、その状態で１〜３００秒、特に３０秒程
度保持する。この加熱工程により、表面光起電力（ＳＰ
Ｖ）測定を行うのに十分な空乏層をｐ型シリコンエピタ
キシャル層１６の表面部（表面近傍）に形成することが
できる。

【００１９】温度センサ４としては、ｐ型シリコンエピ
タキシャル層１６の表面側から放射される赤外線を検出
する赤外線（ＩＲ）センサとすることができる。このよ
うな温度センサ４により、ｐ型シリコンエピタキシャル
層１６の表面温度を精度よく測定するためには、ランプ
３から照射される光（特に、赤外線）を、温度センサ４
にて検出しないようにする必要がある。そのためには、
赤外線センサとして、ランプ３からの光を検出しないよ
うに、検出感度に波長依存性のあるものを使用するのが
よい。具体的には、ランプ３としてハロゲンランプ３を
使用する場合、５００〜１５００ｎｍの波長の光を検出
しない赤外線センサを使用する。また、波長依存性のな
い赤外線センサを使用する場合には、ランプ３からの光
を遮断し、かつ、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６か
ら放射される赤外線は透過させるフィルタを、温度セン
サ４を覆う形で配置するようにしてもよい。

【００２０】また、本発明にかかる加熱工程は、図２に
示す表面処理装置２０によっても行うことができる。該
表面処理装置２０においては、シリコンエピタキシャル
ウェーハＷの裏面側に、該ウェーハＷの裏面温度を測定
する温度センサ４’が配置されている。そして、該温度
センサ４’は、温度補正機構２１を介してランプコント
ローラーに電気的に接続されている。温度センサ４’に
より測定されたシリコンエピタキシャルウェーハＷの裏
面温度は、温度補正機構２１により、シリコンエピタキ
シャルウェーハＷの主表面、つまり、ｐ型シリコンエピ
タキシャル層１６の表面の温度と対応する温度に補正さ
れる。このとき、シリコンエピタキシャルウェーハＷの
厚さに応じて、ある条件（例えば３００℃、３０秒）で
輻射加熱したときのシリコンエピタキシャルウェーハＷ
の裏面温度と表面温度との関係を予め求めておき、温度
センサ４’の測定結果とシリコンエピタキシャルウェー
ハＷの厚さから、シリコンエピタキシャルウェーハＷの
表面温度を推定する。そして、裏面温度の測定結果を、
推定された表面温度に補正する。温度補正機構２１によ
る補正後の温度に基づく信号が、温度補正機構２１から
ランプパワーコントローラーに送られ、推定された表面
温度を目安として、ランプ３における輻射強度が調整さ
れることになる。なお、温度補正機構２１は、ランプパ
ワーコントローラに含まれる形としてもよい。

【００２１】なお、温度センサ４’は、シリコンエピタ
キシャルウェーハＷを、ピン５を介して保持する下方側
の反射材（下部反射材）１８に囲まれる形態で配置され
る。より具体的には、下部反射材１８に形成される貫通
孔１８’に、温度センサ４’を挿入する形態で配置する
ことができる。また、温度センサ４’としては、図１の
表面処理装置１に使用される温度センサ４と、同様のも
のを使用することができる。

【００２２】上記のような加熱工程の後、公知の方法に
よりｐ型シリコンエピタキシャル層１６において表面光
起電力（ＳＰＶ）測定を行う。図３及び図４を用いて、
該ＳＰＶ測定について簡単に説明する。前述の加熱工程
により空乏層が形成されたｐ型シリコンエピタキシャル
層１６に、励起光Ｌを照射した状態でのバンド構造を図
３に示す。加熱工程により、ｐ型シリコンエピタキシャ
ル層１６の表面が正に帯電し、表面近傍において、ある
障壁高さでバンドが実線で示すように曲がる。この状態
で、光起電力を測定するための励起光Ｌをｐ型シリコン
エピタキシャル層１６に照射すると、該励起光Ｌにより
電子ｅと正孔ｈとが形成される。このとき、発生した電
子ｅがｐ型シリコンエピタキシャル層１６の表面側に移
動し、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６の表面の電位
が、点線で示すようにΔＶだけ変位する。このΔＶの値
を測定する。測定されたΔＶにより、ｐ型シリコンエピ
タキシャル層１６の抵抗率やキャリアのライフタイム等
の評価を行うことができる。

【００２３】より具体的には、図４のように行なわれ
る。例えば、光源９からの励起光Ｌを光導管７により、
ｐ型シリコンエピタキシャル層１６表面に照射する。光
導管７の直径は約２ｍｍであり、ｐ型シリコンエピタキ
シャル層１６の表面部の微小領域において光起電力の測
定が行われる。励起光Ｌは、チョッパーによりチョッピ
ングされた断続光であり、そのチョッピング周波数は１
Ｈｚ〜５０ｋＨｚとされる。そして、励起光Ｌに求めら
れる作用から、励起光Ｌとして、Ｓｉのバンドギャップ
以上のエネルギーを有するものを使用する必要があり、
また、抵抗率を簡便に測定するためには、励起光Ｌによ
って発生する過剰キャリアを空乏層内に発生する内部電
界によってのみ移動させる必要がある。このためには、
空乏層内において、電子と正孔とを形成しなければなら
ないので、励起光の侵入深さは、空乏層の幅よりも小さ
くする必要がある。そのため、励起光Ｌの波長を２００
〜７００ｎｍ、例えば４５０ｎｍとするのがよい。シリ
コンエピタキシャルウェーハＷは、例えば断熱体にて構
成されるピンによりグランド電極１０上に配置され、ｐ
型シリコンエピタキシャル層１６と光導管７との間に
は、透明電極６が配置されている。この透明電極６によ
り、ｐ型シリコンエピタキシャル層１６の表面電位が電
位差計により測定され、励起光Ｌの照射に基づく表面電
位の差（ΔＶ）を測定する。なお、光導管７はシリコン
エピタキシャルウェーハＷの表面内を面内方向に走査す
ることが可能であって、ΔＶの面内分布、ひいては抵抗
率の面内分布が測定可能である。

【００２４】さらに、前記したような加熱工程は、図５
に示す表面光起電力測定装置２５に取り付けられた表面
処理装置１又は２０にて行うことができる、具体的に
は、表面光起電力測定装置２５は、表面光起電力を測定
するための表面光起電力測定部（測定部）２３と、加熱
工程を行うための表面処理装置１又は２０にて構成され
る表面処理部１’、２０’とを有する。光起電力測定部
２３内には、図４に示すように、表面光起電力測定に必
要な励起光Ｌの光源９や、断続的な励起光Ｌを得るため
のチョッパー８、励起光Ｌを導通する光導管７、シリコ
ンエピタキシャルウェーハＷの表面電位を測定するグラ
ンド電極１０及び透明電極６等がそれぞれ所定位置に配
置される。表面処理部１’、２０’は、図１及び図２に
示すものと同様の構造を有する。これらの表面光起電力
測定部２３及び表面処理部１’、２０’は、連結部２４
を介して連結されており、表面処理部１’、２０’にシ
リコンエピタキシャルウェーハＷが搬入され、加熱工程
が終了すると、シリコンエピタキシャルウェーハＷは、
表面光起電力測定装置２５の外部に取り出されることな
く、連結部２４を介して表面光起電力測定部（測定部）
２３に搬送される。これによれば、ｐ型シリコンエピタ
キシャル層１６に形成される空乏層の状態が、表面光起
電力測定を行うまでの間に変動しにくいので、表面光起
電力を測定する前に、空乏層の状態にバラツキが生じに
くくなり、ひいては、光起電力の測定結果のバラツキを
抑制できる。そして、表面光起電力測定部２３における
表面光起電力測定が終了すると、該表面光起電力測定部
２３から搬出される。

【００２５】以上、本発明にかかる加熱工程において、
ｐ型シリコンエピタキシャル層の表面温度に基づいて測
定されたΔＶ、ひいては抵抗率は、ｐ型シリコンエピタ
キシャル層１６の電気的特性が同一であれば、シリコン
エピタキシャルウェーハＷ間の厚さにバラツキがあって
も、略同一の測定結果が得られる。さらに、面内に厚さ
のバラツキがあるシリコンエピタキシャルウェーハＷで
あっても、電気的特性の面内分布を精度よく得ることが
できる。さらに、図５に示すような本発明にかかる表面
光起電力測定装置２５によれば、厚さの異なるシリコン
エピタキシャルウェーハ間での測定結果のバラツキを抑
えるとともに、加熱工程の後から表面光起電力の測定ま
でに、空乏層の形成状態が変化しにくいので、より一層
精度のよい測定を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる加熱工程を行う表面処理装置の
一例を説明する図。

【図２】本発明にかかる加熱工程を行う表面処理装置の
他の一例を説明する図。

【図３】表面光起電力測定の原理説明図。

【図４】表面光起電力測定方法の概略を説明する図。

【図５】表面光起電力測定装置の概略を示す図。

【図６】シリコンエピタキシャルウェーハの厚さの相違
による抵抗率測定結果のバラツキを示すグラフ。

【符号の説明】 １、２０ 表面処理装置 １’、２０’ 表面処理部 ２、１７、１８ 反射板 ３ ランプ（輻射体） ４、４’ 温度センサ ５ ピン １５ シリコン単結晶基板（基板） １６ ｐ型シリコンエピタキシャル層 ２３ 表面光起電力測定部（測定部） ２５ 表面光起電力測定装置 Ｗ シリコンエピタキシャルウェーハ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板表面上に形成されたｐ型シリコンエ
   ピタキシャル層の表面を輻射加熱して、該ｐ型シリコン
   エピタキシャル層に空乏層を形成する加熱工程を有し、
   該加熱工程後に、前記ｐ型シリコンエピタキシャル層の
   前記表面に励起光を照射し、該表面に生じる光起電力を
   測定する方法において、 前記加熱工程で、前記ｐ型シリコンエピタキシャル層の
   表面を加熱する際に、該ｐ型シリコンエピタキシャル層
   の表面の温度を測定することを特徴とする表面光起電力
   測定方法。
2. 【請求項２】 前記輻射加熱のための輻射体を、前記ｐ
   型シリコンエピタキシャル層の表面に対向するように複
   数配置して、前記輻射体の隙間に、前記ｐ型シリコンエ
   ピタキシャル層の表面温度を測定するための温度センサ
   を設けることを特徴とする請求項１に記載の表面光起電
   力測定方法。
3. 【請求項３】 基板表面上に形成されたｐ型シリコンエ
   ピタキシャル層の表面を輻射加熱して、該ｐ型シリコン
   エピタキシャル層に空乏層を形成する加熱工程を有し、
   該加熱工程後に、前記ｐ型シリコンエピタキシャル層の
   表面に励起光を照射し、該表面に生じる光起電力を測定
   する方法において、 前記加熱工程で前記ｐ型シリコンエピタキシャル層の表
   面を加熱する際に、前記基板の裏面の温度を測定すると
   ともに、該裏面の温度をｐ型シリコンエピタキシャル層
   の表面の温度と対応する温度に補正する温度補正処理を
   行うことを特徴とする表面光起電力測定方法。
4. 【請求項４】 基板表面上に形成されたｐ型シリコンエ
   ピタキシャル層の表面を輻射加熱する輻射体と、前記ｐ
   型シリコンエピタキシャル層の表面と対向するように配
   置され、該ｐ型シリコンエピタキシャル層表面の温度を
   測定する温度センサと、を有する加熱処理部と、 前記輻射加熱後の前記ｐ型シリコンエピタキシャル層に
   対して、励起光を照射し表面光起電力の測定を行う測定
   部とを有し、 前記加熱処理部と前記測定部との間は、前記ｐ型シリコ
   ンエピタキシャル層が外部雰囲気に晒されることなく搬
   送されるように連結されていることを特徴とする表面光
   起電力測定装置。