JP2005514670A - 改良された位相欠陥感度のためのデフォーカスを利用する差分検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は大きくは、位相シフトマスク内の欠陥を透過するときの光の歪みに基づいてこれら欠陥を検出することに基づく。エッチングされた領域のバンプのような欠陥を通る光は、空気を通る光とは異なる速度で移動する。欠陥から生成される信号を強調するために、本発明は実施形態において、スキャニングビームのフォーカスを検査されるフォトマスクよりも上または下のレベルに設定することで、デフォーカスされたビームを生むデフォーカスされた光検査ビームを提供する。フォトマスクによって反射または透過されるスキャニングビームからの光は、検出器によって集光され少なくとも2つの部分に分割され、そのそれぞれが信号を発生する。2つの検出器部分のそれぞれにおいて発生される信号群から作られる、結果として生じる差分信号は、欠陥がフォトマスク中に存在するかを決定するのに用いられ、ある実施形態においては、結果信号からイメージが生成される。
Description
Claims (39)
- 半導体処理フォトマスク中の位相欠陥を検出する方法であって、
光学的検査ビームのフォーカスを、半導体処理フォトマスクの表面の上または下の所定の距離に設定すること、
前記半導体処理フォトマスクから反射される、またはそれを透過する光を少なくとも2つの部分を備える検出器において集めること、
前記少なくとも2つの部分のうちの第1部分から第1信号を、および前記少なくとも2つの部分のうちの第2部分から第2信号を生成すること、
前記第1信号および前記第2信号の間の差を得ることによって欠陥が存在するかを示す結果信号を作ること
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記半導体処理フォトマスクの前記表面の上または下の前記所定の距離は、前記光学的検査ビームがデフォーカスされるように選択される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1部分は円形領域を備え、前記第2部分は前記第1部分の外側に円環状領域を備え、両方の部分は同心状である方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記第1および第2部分は、円環形状で前記第1および第2部分と同心の第3部分によって分離される方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記第1部分の直径は前記第2部分の外側直径の約0.7倍である方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記第1部分の直径は前記第2部分の外側直径の約0.7倍であり、前記第2部分の内側直径は前記第2部分の外側直径の約0.8倍である方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記検出器は、第3部分および第4部分をさらに備え、
前記第1部分および前記第3部分から前記第1信号を、前記第2部分および前記第4部分から前記第2信号を生成すること
をさらに含む方法。 - 請求項7に記載の方法であって、前記第3および第4部分のそれぞれは円環状領域であり、前記第3部分は前記第1および第2部分の間に位置し、前記第4部分は前記第2部分の外側に位置する方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記第1位置および前記第3位置は連続しない方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記第1部分および前記第3部分は、円環状分離領域によって分離される方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記第1、第2、第3、および第4部分のうちの少なくとも2つは、円環形状の分離領域によって分離される方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記第1部分および前記第3部分は連続する方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1部分および前記第2部分はほぼ同じ面積である方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記所定の距離は200から500nmの範囲にある方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記所定の距離は、前記光学的検査ビームの波長を、前記フォトマスクに向けて導かれる前記光学的検査ビームを回折させるのに用いられる対物レンズの開口数の2乗で割ったものの0.5から3倍の範囲にある方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記フォーカスを設定することおよび半導体処理フォトマスクから反射される、またはそれを透過する光を集めることは、約0.2から約0.7のシグマ値を作る対物レンズおよび集光レンズの組み合わせを用いて行われる方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記結果信号は、イメージを生成するのに用いられる方法。
- 請求項1に記載の第1モードにおいて半導体処理フォトマスク内の位相欠陥を検出する方法であって、前記方法は第2モードにおいて、
光学的検査ビームのフォーカスを前記半導体処理フォトマスクの表面に設定すること、
前記半導体処理フォトマスクから反射される、またはそれを透過する光を、第1部分および第2部分を備える検出器において集めることであって、前記第1および第2部分のそれぞれは信号を発生する、集光すること、および
前記検出器の前記第1部分からの前記信号および前記第2部分からの前記信号を加算することによって前記半導体処理フォトマスクのイメージを作ること
を含む方法。 - 半導体処理フォトマスク中の位相欠陥を検出する方法であって、
対物レンズおよび集光レンズを有する検査システムの光学的検査ビームのフォーカスを、半導体処理フォトマスクの表面の上または下の所定の距離に設定すること、
前記半導体処理フォトマスクから反射される、またはそれを透過する光を複数の部分を備える検出器において集めることであって、前記集光レンズ、対物レンズ、および検出器の構成はシグマ値に関連し、
第1部分から単独で、または前記複数の部分の1つ以上とともに第1信号を、前記複数の部分のうちの第2部分から第2信号を生成することであって、前記複数の部分のうちの1つは円形状であり、前記複数の部分のうちの残りの部分は円環形状であり、および
前記第1信号および前記第2信号の間の差を得ることによって欠陥が存在するかを示す結果信号を作ること
を含む方法。 - 請求項19に記載の方法であって、前記第1信号および前記第2信号は、前記複数の検出器部分のうちの、所定のシグマ値に対応するよう選択された部分から生成される方法。
- 請求項19に記載の方法であって、前記複数の検出器部分のうちの、前記第1および第2信号の生成のために選択された前記部分は、前記システムおいて用いられる前記対物レンズの変化を補償するよう選択される方法。
- 請求項21に記載の方法であって、前記複数の検出器部分のうちの前記部分は、前記検出器の中心近傍から選択されることによって前記対物レンズの低減されたNAのために補償する方法。
- 半導体処理フォトマスク中の位相欠陥を検出する方法であって、
半導体処理フォトマスクに向けられた検査光ビームに対向するゼルニケ位相シフト板を用いてイメージを作ること、
前記半導体処理フォトマスクから反射される、またはそれを透過する光を、第1部分および第2部分を備える検出器において集めることであって、前記第1および第2部分のそれぞれは信号を発生する、集光すること、および
前記検出器の前記第1部分からの前記信号および前記第2部分からの前記信号の間の差を得ることによって欠陥が存在するかを示す結果信号作ること
を含む方法。 - 請求項23に記載の方法であって、前記第1部分は円形領域を備え、前記第2部分は前記第1部分の外側に円環状領域を備え、両方の部分は同心状である方法。
- 請求項24に記載の方法であって、前記第1および第2部分は、円環形状で前記第1および第2部分と同心の第3部分によって分離される方法。
- 請求項23に記載の方法であって、前記第1部分および前記第2部分はほぼ同じ面積である方法。
- 請求項24に記載の方法であって、前記第1部分の前記直径は前記第2部分の外側直径の約0.7倍である方法。
- 請求項25に記載の方法であって、前記第1部分の直径は前記第2部分の外側直径の約0.3倍であり、前記第2部分の内側直径は前記第2部分の外側直径の約0.8倍である方法。
- 請求項23に記載の方法であって、前記結果信号はイメージを生成するために用いられる方法。
- 半導体処理フォトマスク中の位相欠陥を検出するよう構成されるスキャニング光学顕微鏡システムであって、
前記半導体処理フォトマスクの表面に向けて光ビームを導く光ビーム発生器、
第1部分および第2部分を備える検出器であって、前記第1部分および前記第2部分のそれぞれは半導体処理フォトマスクから集光された光から信号を生成する検出器、
前記光ビームのフォーカスを、半導体処理フォトマスクの表面の上または下の所定の距離に設定するコントローラ、および
前記検出器の前記第1部分および前記第2部分からの前記信号群の差を得るように構成される分析器
を備えるスキャニング光学顕微鏡システム。 - 請求項30に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記第1部分は円形領域を備え、前記第2部分は前記第1部分の外側に円環状領域を備え、両方の部分は同心状であるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 請求項30に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記第1および第2部分は、円環形状で前記第1および第2部分と同心の第3部分によって分離されるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 請求項30に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記第1部分および前記第2部分はほぼ同じ面積であるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 請求項31に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記第1部分の前記直径は前記第2部分の外側直径の約0.7倍であるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 請求項31に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記第1部分の直径は前記第2部分の外側直径の約0.3倍であり、前記第2部分の内側直径は前記第2部分の外側直径の約0.8倍であるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 請求項31に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記結果信号を用いてイメージを生成するイメージ発生器をさらに備えるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 請求項30に記載のスキャニング光学顕微鏡システムであって、前記コントローラは、前記光ビームの前記フォーカスを前記半導体処理フォトマスクの表面に設定するようさらに構成され、前記分析器は、前記検出器の前記第1部分および前記第2部分からの前記信号群の和を選択的に得るようさらに構成されるスキャニング光学顕微鏡システム。
- 半導体処理フォトマスク中の位相欠陥を検出するよう構成されるスキャニング光学顕微鏡システムであって、
前記半導体処理フォトマスクの表面に向けて光ビームを導く光ビーム発生器、
第1部分および第2部分を備える検出器であって、前記第1部分および前記第2部分のそれぞれは半導体処理フォトマスクから集光された光から信号を生成する検出器、
前記入射平面上に位置し、デフォーカスされたイメージを生成する複素振幅板、および
前記検出器の前記第1部分および前記第2部分からの前記信号群の差を得るように構成される分析器
を備えるスキャニング光学顕微鏡システム。 - 請求項38に記載のシステムであって、前記複素振幅板はゼルニケ板であるシステム。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008262148A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-10-30 | Kla-Tencor Technologies Corp | リソグラフィマスク用の検査方法及び装置 |
JP2012531042A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
JP2013539866A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-10-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 焦点補正値汚染検査 |
US8986913B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for inspecting a mask substrate for defects, method of manufacturing a photomask, and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2017527841A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 基板上の欠陥の場所を特定する方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110129545A1 (en) * | 2001-12-20 | 2011-06-02 | Frank Miele | Method of protecting vascular plants against pathogens |
DE102005041203A1 (de) | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken |
DE102007025688A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Wellenlängen- oder polarisationssensitiver optischer Aufbau und dessen Verwendung |
DE102007032958A1 (de) * | 2007-07-14 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte |
US9448343B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Kla-Tencor Corporation | Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same |
US10495446B2 (en) | 2015-06-29 | 2019-12-03 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for measuring height on a semiconductor wafer |
US10634623B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-04-28 | Kla-Tencor Corporation | Phase contrast monitoring for extreme ultra-violet (EUV) masks defect inspection |
US11698549B2 (en) * | 2020-03-13 | 2023-07-11 | Misapplied Sciences, Inc. | Multi-view display panel |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS545750A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting method |
JPH04328549A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nikon Corp | フォトマスクの検査方法および装置 |
JPH05165197A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-06-29 | Nippon Steel Corp | 位相シフタマスクの欠陥検出方法 |
JPH06273916A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクの検査方法とその装置 |
JPH09230247A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 位相差顕微鏡 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05312549A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-11-22 | Hitachi Ltd | パターン検出方法及びその装置 |
US6134014A (en) * | 1999-02-08 | 2000-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Apparatus and method of inspecting phase shift masks using comparison of a mask die image to the mask image database |
US6327033B1 (en) * | 1999-06-21 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Detection of phase defects on photomasks by differential imaging |
US6268093B1 (en) * | 1999-10-13 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method for reticle inspection using aerial imaging |
-
2002
- 2002-03-07 US US10/094,305 patent/US6646281B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-24 JP JP2003558900A patent/JP4666919B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-24 WO PCT/US2002/041364 patent/WO2003058681A2/en active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS545750A (en) * | 1977-06-15 | 1979-01-17 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting method |
JPH04328549A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nikon Corp | フォトマスクの検査方法および装置 |
JPH05165197A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-06-29 | Nippon Steel Corp | 位相シフタマスクの欠陥検出方法 |
JPH06273916A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクの検査方法とその装置 |
JPH09230247A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 位相差顕微鏡 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008262148A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-10-30 | Kla-Tencor Technologies Corp | リソグラフィマスク用の検査方法及び装置 |
JP2012531042A (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
US8711346B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and methods for detecting defects on extreme ultraviolet mask blanks |
JP2016145989A (ja) * | 2009-06-19 | 2016-08-12 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation | 極紫外線マスクブランクの欠陥検出のための検査システム及び方法 |
JP2013539866A (ja) * | 2010-10-12 | 2013-10-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 焦点補正値汚染検査 |
US8986913B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for inspecting a mask substrate for defects, method of manufacturing a photomask, and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2017527841A (ja) * | 2014-07-08 | 2017-09-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 基板上の欠陥の場所を特定する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6646281B1 (en) | 2003-11-11 |
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