-
Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Maskeninspektion,
bei dem die auf den untersuchten Masken ermittelten Defekte einer
Klassifizierung hinsichtlich ihrer lithographischen Relevanz im Waferbelichtungsprozess
unterzogen werden.
-
Die
für die Waferherstellung verwendeten Masken werden zwar
vor ihrer Auslieferung an die Chiphersteller einer entsprechenden
Fehlerkontrolle unterzogen, jedoch können auch während
des Einsatzes Defekte auftreten, die zur Massenproduktion fehlerhafter,
unbrauchbarer ICs („Integrated Circuits", integrierte Schaltelemente)
führen können. Deshalb werden die Masken bzw.
Wafer regelmäßig einer Qualitätskontrolle
unterzogen.
-
Die
während des Einsatzes auftretenden Defekte können
beispielsweise Kristallverunreinigungen, Partikel im Allgemeinen
oder elektrostatische Aufladungsschäden sein. Aufgrund
der zunehmenden Verunreinigung und damit steigender Anzahl von Defekten
müssen die Masken einer regelmäßigen Reinigung
unterzogen werden. Die dabei zunehmend im Einsatz befindlichen,
kostenintensiven Phasenschiebemasken können jedoch nur
ein paar wenige Male (manchmal nur 3-mal) gereinigt werden. Dadurch
wirken sich Defekte sehr schnell auf die Gutausbeute aus.
-
Zur
Lokalisierung von Verunreinigungen und/oder Defekten wird eine Defektinspektionsmaschine
verwendet, die die Masken untersucht. Je nach Sensitivität
der Detektoren werden dabei bis zu 1000 Defekte, zunehmend sogar
noch mehr gefunden. Die ermittelten Defekte werden nach bestimmten
Kriterien, wie beispielsweise nach fehlendem oder überschüssigem
Material auf der Maske klassifiziert. Zusätzlich werden
bei der Klassifizierung Informationen zur Reflexion und Transmission
an den schadhaften Stellen ermittelt, um daraus die Größe der
gefundenen Defekte zu bestimmen. Von entscheidender Bedeutung ist
hierbei, in welchen Bereichen der Maske sich die Defekte befinden
(transparenter oder nichttransparenter Bereich, in den Bereichen
der Kanten o. ä.) und um welche Art von Defekten (strukturbedingte
Defekte, Verunreinigungen, o. ä.) es sich handelt. Allerdings
führen nicht alle Defekte auf der Maske zu Fehlern oder
Defekten beim Wafer.
-
Die
vom Inspektionsgerät gewonnenen Informationen können
auch dazu verwendet werden, Regeln zu erstellen, anhand derer beurteilt
wird, ob die Maske weiterhin zur Belichtung der Wafer benutzt werden
kann. Dabei basieren die einfachsten Regeln auf der Größe
und der Anzahl der gefundenen Defekte, wobei eine Maske beispielsweise
zur Reinigung an den Maskenhersteller zurückgeschickt wird,
wenn mehr als 500 Defekte oder mindestens ein Defekt mit einer Größe
von mehr als 800 nm ermittelt wurden ist (dieser Wert skaliert mit
dem Technologieknoten). Um zu gewährleisten, dass nur fehlerfreie
Masken zurück in den Herstellungsprozess gelangen, wiederholt
sich der Prozess der Defektdetektion und Reinigung mehrmals, was
jedoch insbesondere für Phasenschiebemasken zunehmend kritischer
werden wird.
-
Nach
dem Stand der Technik sind einige Inspektionsmaschinen zur Kontrolle,
insbesondere von Fotomasken bekannt, bei denen die meist regelmäßig
stattfindenden Kontrollen in der Regel automatisch ablaufen. Im
Folgenden wird auf einige Lösungen näher eingegangen.
-
In
den Patentschriften
US
6,820,028 B2 und
US
6,892,156 B2 werden Verfahren und Anordnungen zur Überwachung
der Herstellung integrierter Schaltungen beschrieben, wobei insbesondere
die einzelnen Schritte der Schaltungsherstellung, wie beispielsweise
photolithographische Belichtung, Ätzung, Diffusion (Bestäubung),
Ionenimplantation, chemisch-mechanisches Ebnen (auch bekannt als chemisch-mechanisches
Polieren oder "CMP") o. ä., überwacht werden sollen.
Integrierte Schaltungen werden gewöhnlich auf oder in einem
Halbleitersubstrat gebildet, das allgemein als Wafer bekannt ist. Ein
Wafer ist im Wesentlichen eine dünne Scheibe aus Silizium,
mit Durchmessern von 4 bis 12 Zoll und Stärken von einem ½ bis
einem ¾ Millimeter. Während des Herstellungsprozesses
werden Materialien oder Schichten auf oder in den Wafer auf- bzw.
eingebracht, behandelt und/oder strukturiert, um die integrierten
Schaltungen zu bilden.
-
Da
der Herstellungsprozess gewöhnlich ein sehr komplizierter
und komplexer Prozess mit einer Vielzahl unterschiedlicher Prozessschritten
ist, der zudem noch unter Reinraumbedingungen abläuft,
ist es von großer Wichtigkeit nahezu jeden Schritt zu kontrollieren
und so den gesamten Prozess zu überwachen.
-
Mit
der hier vorgeschlagenen Lösung der Brion Technologies
Incorporation sollen die einzelnen Schritte des Herstellungsprozesses
dadurch überwacht werden, dass anstelle des zu behandelnden Wafers
eine waferähnliche Anordnung in den Herstellungsprozess
eingeführt wird, die über verschiedene Sensoren
zum Überwachen und/oder analysieren verfügt und
im Englischen als „equipment in Wafer", oder kurz als „EIW"
bezeichnet wird. Mit Hilfe dieser Sensoren werden bestimmte Parameter
auf einem verarbeiteten Wafer oder einem Testwafer gemessen und/oder
analysiert, um die entsprechenden Spezifikation im Herstellungsprozess
sicher zu stellen. Unter anderem können dabei Sensoren
verwendet werden, mit deren Hilfe eine Defektkontrolle der Waferoberfläche
oder die Einhaltung der Maßgenauigkeit der Strukturen auf
dem Wafer durchgeführt werden kann.
-
Als
besonders nachteilig wirkt sich bei dieser Lösung aus,
dass für die Durchführung des Verfahrens eine
lithographische Stepper-Anordnung verwendet werden muss, die sehr
aufwendig und teuer sind und zur Amortisation rund um die Uhr in
Betrieb sein müssen. Durch die Unterbrechung des eigentlichen
Herstellungsprozesses wird selbst dessen Überprüfung
zu einem kostspieligen Prozess. Eine solche Lösung lässt
sich zudem auch aus wirtschaftlichen Gründen nicht in einem
Maskenhaus realisieren.
-
Lösungen
zur Verbesserung der Ausrichtung von Inspektionssystemen, insbesondere
zur automatischen Prüfung von Fotomasken oder mit Mustern versehener
Wafer, werden in den Patentschriften
US 6,141,038 A1 ,
US 2003/0063190 A1 und
US 2005/0254698 A1 beschrieben.
Bei dem dabei am häufigsten benutzten Verfahren werden
typischerweise zwei angeblich identische Muster durch Abtasten und
Digitalisieren deren Abbilder verglichen, um Defekte zu detektieren.
Eine andere Variante sieht den Vergleich eines abgetasteten und
digitalisierten Musters mit den in einer Datenbank gespeicherten, das
entsprechende Muster repräsentierenden Bilddaten vor.
-
Eine
exakte Detektion von Unterschieden zwischen zwei Mustern setzt voraus,
dass Abbilder nahezu identischer Punkte beider Abbilder verglichen
werden, wozu oftmals Ausrichtungen im Subpixelbereich notwendig
sind, um das gewünschte Maß an Genauigkeit zu
erzielen.
-
Dem
entsprechend sehen die beschriebenen Lösungen ein Verfahren
zur ersten Grobausrichtung zwischen einem ersten Bildsignal und
einem zweiten Bildsignal für ein Substrat auf einem x/y-Objekttisch einer
Prüfungsmaschine vor, wobei die Prüfungsmaschine
eine feste Pixelgröße und ein Pixelgitter hat. Nach
Ermittlung des Versatzes und entsprechender Ausrichtung der beiden
Abbilder zueinander erfolgt die streifenweise Abtastung der Maske,
indem entweder der Winkel eines gekippten Spiegels bzw. die Zeitverzögerung
eines Lasers variiert wird in Verbindung mit dem Vorrücken
oder Zurückziehen einer Scaneinrichtung.
-
Auch
die in
US 5,563,702
A1 und
US 5,737,072
A1 beschriebenen Lösungen dienen der automatisierten
Prüfung von Fotomasken. Hierbei kann zwischen Oberflächenmerkmalen
und Defekten unterschieden werden, unabhängig davon, ob
das Substrat eine strukturierte und eine unstrukturierte Oberfläche
aufweist oder nicht, wobei die Struktur aus undurchlässigem
bzw. weniger durchlässigem oder phasenschiebendem Material
auf der strukturierten besteht. Dazu verfügt die Lösung über
einen Transmissionsdetektor, der die durch das Substrat transmittierte
Beleuchtung erfasst und als Signal zur Verfügung stellt,
sowie einen Reflexionsdetektor, der die vom Substrat und der Struktur
reflektierte Beleuchtung erfasst und als Signal zur Verfügung
stellt. Die Detektion der Defekte erfolgt durch Vergleich der von
Transmissions- und Reflexionsdetektor ermittelten Intensitätswerte
mit den erwarteten, in einem Speicher hinterlegten Vergleichswerten.
-
Bei
diesen Lösungen – Marktführer ist KLA-Tencor
Corporation – wirkt sich nachteilig aus, dass die Strukturen
direkt auf der Maske untersucht und die Defekte ermittelt werden.
Deren Auswirkungen bei der Waferbelichtung bleiben dabei völlig
unberücksichtigt. Dadurch ist es möglich, dass
Masken aufgrund der ermittelten Defekte ausgesondert werden, die
im Herstellungsprozess eigentlich noch korrekten Ergebnisse liefern
oder dass die Wirkung von Defekten im Waferherstellungsprozess unterschätzt wird,
was zur Produktion fehlerhafter ICs führen kann.
-
Bei
den zuvor beschriebenen Lösungen entscheidet allein die
Anzahl und/oder die Größe der detektierten Defekte
darüber, ob eine Maske ausgesondert oder weiterhin im Herstellungsprozess
verbleibt. Dies kann zu erheblichen finanziellen Verlusten führen,
da es vorkommen kann, dass bereits weniger Defekte mit kleinerer
Größe zu Waferprints führen, die die
elektrischen Eigenschaften des Chips so beeinträchtigen,
dass er nicht verwendbar ist. Dies resultiert aus dem Fakt, dass
sich die Defekte in der lithographischen Übertragung anders
auswirken als dies durch die aufgenommen Bilder in der Inspektionsmaschine
und durch die angewandten Regeln vorhergesagt werden kann.
-
Der
vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Lösung
zu entwickeln, mit der die auf Masken detektierten Defekte hinsichtlich
ihrer Relevanz für den Waferbelichtungsprozess effektiv
bewertet werden können, um zu vermeiden, dass Masken zu
früh bzw. zu spät aus dem Waferherstellungsprozess
ausgesondert und einer Reinigung unterzogen werden.
-
Erfindungsgemäß wird
die Aufgabe durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche
gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
-
Mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung
lithographisch relevanter Maskendefekte sollen insbesondere die
auf Lithographie-Masken detektierten Defekte hinsichtlich ihrer
Relevanz für den Waferbelichtungsprozess untersucht werden.
Hierbei können sowohl Defekte in den transparenten als auch
den nichttransparenten Bereichen (fehlendes oder überschüssiges
Material) klassifiziert werden. Allerdings kann das vorgeschlagene
Verfahren auch im Maskendesign und der Maskenfertigung angewendet
werden. Selbst für Photomasken in anderen Bereichen, wo
diese als Repliken verwendet werden, wie z. B. im Bereich von LCD's
oder Miniaturbauelementen, ist das Verfahren anwendbar.
-
Die
Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen
näher beschrieben.
-
Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung
lithographisch relevanter Maskendefekte wird die lithografische
Relevanz von Defekten ermittelt, in dem die zu untersuchende Maske
unter Lithographiebedingungen beleuchtet, so genannte „Aerial Images"
(„Luftbilder") erzeugt und entsprechend analysiert werden,
wobei zur Klassifizierung der Defekte folgende Regeln, die die lithografische
Relevanz der Defekte berücksichtigen, angewendet werden
und so zur Aussonderung defekter Masken führen:
- 1) Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf
der Maske
- 2) Bestimmung der lithographischen Relevanz von Defekten im
Waferbild
a) durch Anwendung eines Transmissionskriteriums
b)
durch Anwendung eines Kontrastkriteriums
c) durch Anwendung
eines CD-Kriteriums
d) durch Anwendung eines NILS-Kriteriums
e)
durch Anwendung eines Geometriekriteriums
f) durch Anwendung
eines Prozessfensterkriteriums
g) durch Anwendung eines Phasenkriteriums.
-
Hierbei
wird die zu untersuchende Maske mit den tatsächlich im
Scanner verwendeten Bedingungen hinsichtlich numerischer Apertur,
Wellenlänge, Kohärenz, Polarisation sowie Achs-
und Fokuslage beleuchtet, um die tatsächlichen Wirkungen
der Defekte zu erfassen. Bei dem verwendeten System werden Aerial
Images als Inspektionsbilder unter Emulation der lithographischen
Bedingungen aufgenommen, wobei das reale Abbild der Maske statt
auf einem Wafer auf einem Detektor abgebildet wird.
-
Im
Gegensatz zu den im Stand der Technik beschriebenen Verfahren wird
als Ausgangsinformation für die Regeln das Waferbild und
nicht das Maskenbild benutzt. Die Aerial Image-Bilder werden mittels
eines Luftbild-Emulators wie die AIMSTM-Systeme
von der Carl Zeiss SMS GmbH erzeugt und stellen das „Waferbild"
dar, jedoch ohne dass dafür ein realer Wafer-Print stattfindet.
-
Außer
durch Verwendung eines AIMSTM-Systems der
Carl Zeiss SMS GmbH können Aerial Images auch auf anderen
Wegen ermittelt werden. So kann ein Aerial Image beispielsweise
aus Messwerten der Phase und der Transmission am Ort des Defektes
errechnet werden. Erfolgen diese Berechnung für verschiedene
Wellenlängen, so können daraus Rückschlüsse
auf die Relevanz für die Belichtungswellenlänge
gezogen werden.
-
1) Selektion der Defekte nach ihrem Ort
auf der Maske
-
Gemäß dem
Verfahrensschritt 1) erfolgt bei dem vorgeschlagenen Verfahren eine
erste Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf der Maske, wobei
Defekte die außerhalb elektrischer oder transparenter Bereiche
liegen ignoriert werden genauso wie solche, die in früheren
Inspektionen bereits ermittelt wurden, wenn sie innerhalb festgelegter
geometrischer Toleranzen liegen. Dadurch kann die Anzahl der Defekte,
die mit dem AIMSTM-Systems zu messen sind
reduziert werden, was zu einer Beschleunigung des Verfahrens führt.
So werden beispielsweise erst Defekte mit einer bestimmten Größe
klassifiziert, während die kleineren Defekte vernachlässigt
werden. Je nach Prozesssicherheit kann die Schwelle noch verschoben
werden, in dem eine Kalibrierung über programmierte Defekte
zur Prozessdefinition herangezogen wird (siehe...).
-
2) Bestimmung der lithographischen Relevanz
von Defekten
-
Im
Verfahrensschritt 2) wird die lithographische Relevanz der Defekte
bestimmt. Die lithographische Relevanz kann in verschiedenen Lithographieparametern
ausgedrückt werden. Im Wesentlichen läuft die
Vorgehensweise nach folgenden Schritten ab:
In diesem Verfahrensschritt
werden die zu untersuchenden Defektstellen der Maske mit korrespondierenden
Maskenausschnitten verglichen. In der Regel wird zum Auffinden der
Referenzstellen eine Schaltkreiseinheit des Bauelementes (englisch „die")
mit einem benachbarten „die" verglichen („die-to-die").
Für den Fall, dass auf der Maske nur ein Schaltkreis abgebildet
ist, erfolgt der Vergleich der entsprechende Defektstellen mit den
Designdaten („die-to-database"), wobei aus der Aerial Image-Simulation
des Designs das Waferbild errechnet wird und die Referenzstellen
in diesem errechneten Bild aufgesucht werden. Der zur Bewertung
als geeignet ausgewählte Lithographieparameter wird im
Aerial Image an der Defektstelle bestimmt und dann mit einer idealen
Stelle – entweder eine als nicht geschädigt bekannte
Stelle auf der selben Maske oder eine Stelle aus der Datenbank,
für die das Aerial Image berechnet worden ist – verglichen.
Die Abweichung des Lithographieparameters an der Defektstelle von
der Vergleichsstelle wird bestimmt und wenn die Abweichung innerhalb eines
Schwellwertes liegt, ist der Defekt noch nicht lithographisch relevant,
liegt die Abweichung außerhalb, wird der Defekt als lithographisch
relevant bewertet und die Maske wird ausgesondert und nicht zur
weiteren Produk tion verwendet. Wenn es sich bei dem Defekt um einen
Verunreinigungsdefekt handelt, wird die Maske nach der Aussonderung
direkt zur Reinigung gegeben. Die Schwellwerte für die
verschiedenen Lithographieparameter werden jeweils empirisch für
den Technologieknoten und den vom Chiphersteller konkret verwendeten
Produktionsprozess bestimmt. Dazu werden Masken mit programmierten
Defekten verwendet, die die verschiedenen Defekttypen in verschiedenen
Größen beinhalten. Diese Masken werden mit dem
konkret verwendeten Prozess auf Wafer „geprintet", wodurch
festgestellt werden kann, welcher Defekttyp ab welcher Größe auf
dem Wafer relevant ist. Im Rückschluss können dann
der Schwellwert der einzelnen Lithographieparameter im Aerial Image
der Maske für jeden Defekttyp bestimmt werden.
-
Im
Verfahrensschritt 2a) wird im Intensitätsplot, der die
Intensitätsverteilung entlang einer im zweidimensionalen
Aerial Image ausgewählten Linie darstellt, ein Transmissionskriterium
angewandt.
-
Zur
Untersuchung der Transmissionsänderung an einem „Peak"
wird der maximale Transmissionswert an der Defektstelle mit dem
maximalen Transmissionswert an einer Referenzstelle verglichen.
Die Maske wird ausgesondert, wenn die Transmissionsänderung ΔT
nach der Formel: ΔT = ITReferenz – TDefektI/TReferenz (1)einen
vorgegebenen Grenzwert überschreitet, wobei
- TReferenz
- – den Transmissionswert
an der Referenzstelle und
- TDefekt
- – den Transmissionswert
an der Defektstelle darstellen.
-
Zur
Untersuchung der Transmissionsänderung an einem „Valley"
wird der minimale Transmissionswert an der Defektstelle mit dem
minimalen Transmissionswert an einer Referenzstelle verglichen.
Hierbei wird die Maske ausgeson dert, wenn die Transmissionsänderung ΔT
nach der genannten Formel (1) einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.
-
Im
Verfahrensschritt 2b) wird im Intensitätsplot, der die
Intensitätsverteilung entlang einer im zweidimensionalen
Aerial Image ausgewählten Linie darstellt, ein Kontrastkriterium
angewandt.
-
Die
Untersuchung der Kontraständerung erfolgt ähnlich
der Untersuchung der Transmissionsänderung, nur dass hier
anstelle der Transmission T, gemäß (1) die entsprechenden
Werte für den Kontrast C eingesetzt werden: ΔC = ½(ICReferenz– CDefektI/CReferenz) (2), wobei CReferenz = (Imax,Referenz – Imin,Referenz)/(Imax,Referenz + Imin, Referenz) (3) CDefekt = (Imax,Defekt – Imin,Defekt)/(Imax,Defekt +
Imin,Defekt) (4),mit
- Imax
- = Intensitätsmaxiumum
(an der Referenz- bzw. Defektstelle) und
- Imin
- = Intensitätsminimum
(an der Referenz- bzw. Defektstelle).
-
Die
Maske wird hierbei ausgesondert, wenn die Kontraständerung ΔC
nach der Formel (2) einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.
-
Im
Verfahrensschritt 2c) wird ein CD-Kriterium angewandt.
-
Zur
Untersuchung eines CD-Kriteriums wird ein zuvor bestimmter, lithographisch
relevanter Schwellwert (auch Threshold genannt) auf den Intensitätsplot
angewandt. CD (von „critical dimension") definiert hierbei
einen kritischen Abstand. Diese ergibt sich aus der Breite eines
Intensitätspeaks bzw. -valleys (je nachdem ob die Maske
für einen Prozess mit positivem oder negativem Resist vorgesehen
ist) auf Höhe des Schwellwerts. Die CD einer defekten Stelle
wir mit der CD an einer Referenzstelle verglichen. Überschreitet
die Differenz der CD-Werte einen bestimmten Grenzwert, wird die
Maske ausgesondert.
-
Im
Verfahrensschritt 2d) wird ein NILS-Kriterium angewandt.
-
Der
sogenannte NILS-Wert („normalized image logarithmic slope")
bewertet das Aerial Image an der Strukturkante, also an der Position,
an dem das Bild von hell zu dunkel übergeht, und liefert
einen Anstiegswert an dieser Stelle. Er ist von der Lichtintensität
und von der Position abhängig und ist wie folgt definiert: NILS = w·[dln(I)/dx] (5)wobei
- I
- die Intensität
des Lichtes und
- x
- die angesprochene
Positionskoordinate, bei welcher die Strukturkante liegt, definiert.
-
Ein
hoher NILS-Wert bedeutet einen steilen Linienverlauf der Intensitätskurve
und somit einen starken Übergang von der hellen zur dunklen
Region. Je höher hierbei der Anstiegswert, desto besser
ist die Randdefinition des Aerial Images und umso besser wird die
Strukturkante beim Belichtungsprozess auf den Photoresist projiziert.
Dies ist vor allem bei den immer kleineren Strukturen von sehr großer
Bedeutung, da somit die deutliche Abbildung der Strukturkanten auch
bei geringen Abständen gewährleistet wird. Der
NILS-Wert einer defekten Stelle wird mit dem NILS-Wert an einer
Referenzstelle verglichen. Überschreitet die Differenz
der NILS-Werte einen bestimmten Grenzwert, wird die Maske ausgesondert.
-
Im
Verfahrensschritt 2e) wird ein Geometriekriterium angewandt.
-
In
diesem Verfahrensschritt wird der Flächeninhalt eines Strukturelements
in der so genannten „Resistimage"-Darstellung der Aerial
Image-Daten als Kriterium herangezogen. Das Resistimage erfolgt
aus der Anwendung des Thresholds auf den Intensitätsplot,
in diesem Fall allerdings nicht nur eindimensional entlang einer
ausgewählten Linie, sondern zweidimensional angewandt auf
das komplette Aerial Image. Es wird wiederum der Flächeninhalt
eines Strukturelements mit Defekt mit dem Flächeninhalt
des gleichen Strukturelements ohne Defekt verglichen und wenn die
Differenz einen Schwellwert überschreitet wird die Maske
ausgesondert.
-
Im
Verfahrensschritt 2f) wird ein Prozessfensterkriterium angewandt.
-
In
diesem Verfahrensschritt wird ein Prozessfenster (das Gebiet zulässiger
Dosis- und Fokustoleranz für den Waferprozess in einem „Dosis-Fokus-Plot")
an einer Referenzstelle bestimmt und mit dem Prozessfenster an der
Defektstelle überlappt, wobei die Masken ausgesondert werden,
deren defektbehaftete Strukturen mit einer Referenzstelle zu keinem
so genannten „gemeinsamen Prozessfenster" mit ausreichender Überlappung
führen.
-
Im
Verfahrensschritt 2g) wird ein Phasenkriterium angewandt.
-
In
diesem Verfahrensschritt wird lokal die Phase an einer defekten
Stelle und an einer Referenzstelle bestimmt und verglichen, wobei
die Masken ausgesondert werden, bei denen der Phasenunterschied
einen zu hohen Wert erzielt.
-
Bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die ausgesonderten
Masken als erstes einer Reinigung unterzogen. Dies erfolgt in der
Regel, sobald eine Defektstelle auf der Maske:
- • eine
Transmissionsänderung zu einer Referenz größer
als ein bestimmter Wert ist,
- • eine CD-Abweichung zur Referenz größer
als ein bestimmter Wert ist,
- • eine Kontrast-Abweichung zur Referenz größer als
ein bestimmter Wert ist,
- • eine NILS-Abweichung zur Referenz größer
als ein bestimmter Wert ist,
- • eine größere Abweichung der Flächenintegration
als erlaubt im Vergleich zu einer Referenzstelle aufweist
- • mit einer Vergleichsstelle zu keinem gemeinsamen
Prozessfenster mit ausreichender Überlappung führt
- • oder eine größere Phasenabweichung
als erlaubt im Vergleich zu einer Referenzstelle aufweist.
-
Mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung
lithographisch relevanter Maskendefekte wird eine technische Lösung
vorgeschlagen, mit der eine sichere Bestimmung der lithografischen
Relevanz von Defekten möglich ist.
-
Die
auf dem vorgeschlagenen Verfahren basierenden Regeln werden hierbei
auf Aerial Images angewendet, die durch Belichtung unter Emulation der
Lithographiebedingungen in einem Scanners erzeugt werden, wobei
an Stelle des Wafers ein Detektor, z. B. eine Kamera, angeordnet
wird oder auf Aerial Images, die aus Phasen- und Transmissionsmessdaten
der Maske unter Berücksichtigung von Lithographieparametern
wie numerischer Apertur, Wellenlänge, Kohärenz,
Polarisation sowie Achs- und Fokuslage berechnet werden.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Patentliteratur
-
- - US 6820028
B2 [0007]
- - US 6892156 B2 [0007]
- - US 6141038 A1 [0011]
- - US 2003/0063190 A1 [0011]
- - US 2005/0254698 A1 [0011]
- - US 5563702 A1 [0014]
- - US 5737072 A1 [0014]