WO2009010214A1 - Verfahren zur ermittlung lithographisch relevanter maskendefekte - Google Patents

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WO2009010214A1
WO2009010214A1 PCT/EP2008/005575 EP2008005575W WO2009010214A1 WO 2009010214 A1 WO2009010214 A1 WO 2009010214A1 EP 2008005575 W EP2008005575 W EP 2008005575W WO 2009010214 A1 WO2009010214 A1 WO 2009010214A1
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WO
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defects
mask
masks
wafer
lithographic
Prior art date
Application number
PCT/EP2008/005575
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English (en)
French (fr)
Inventor
Axel Zibold
Rainer Schmid
Original Assignee
Carl Zeiss Sms Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Sms Gmbh filed Critical Carl Zeiss Sms Gmbh
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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Definitions

  • the present invention relates to a method for mask inspection in which the defects detected on the masks examined are subjected to a classification with regard to their lithographic relevance in the wafer exposure process.
  • the defects occurring during use may be, for example, crystal impurities, particles in general or electrostatic charging damage. Due to the increasing contamination and thus increasing number of defects, the masks have to be subjected to regular cleaning. However, the increasingly expensive, costly phase shift masks can only be cleaned a few times (sometimes only three times). As a result, defects affect the product yield very quickly.
  • a defect inspection machine is used to examine the masks. Depending on the sensitivity of the detectors, up to 1000 defects, increasingly even more are found. The detected defects are classified according to certain criteria, such as missing or excess material on the mask. In addition, information on reflection and transmission at the defective locations is determined during the classification, in order to determine the size of the defects found. Of crucial importance Here it is, in which areas of the mask are the defects (transparent or non-transparent area, in the areas of the edges o. ⁇ .) And what kind of defects (structural defects, impurities, o. ⁇ .) It is. However, not all defects on the mask lead to defects or defects in the wafer.
  • the information obtained from the inspection device may also be used to create rules for judging whether the mask can still be used to expose the wafers.
  • the simplest rules are based on the size and the number of defects found, with a mask being sent back to the mask manufacturer, for example, for cleaning, if more than 500 defects or at least one defect with a size of more than 800 nm has been determined (this value scaled with the technology node).
  • the process of defect detection and cleaning is repeated several times, which, however, will become increasingly critical, in particular for phase shift masks.
  • US Pat. Nos. 6,820,028 B2 and 6,892,156 B2 describe methods and arrangements for monitoring the production of integrated circuits, in particular the individual steps of circuit production, such as photolithographic exposure, etching, diffusion, ion implantation, chemical-mechanical planarization (also cf. known as chemical-mechanical polishing or "CMP") o. ⁇ ., To be monitored.
  • Integrated circuits are usually formed on or in a semiconductor substrate, commonly known as a wafer.
  • a wafer is essentially a thin slice of silicon, with diameters from 4 to 12 inches and thicknesses from a Y 2 to a% mm.
  • materials or layers are applied to or in the wafer, treated and / or patterned to form the integrated circuits.
  • the Brion Technologies Incorporation solution proposed here is intended to monitor the individual steps of the production process by introducing into the manufacturing process, instead of the wafer to be treated, a wafer-like arrangement having various sensors for monitoring and / or analyzing. Equipment in wafer ", or” EIW "for short. With the aid of these sensors, certain parameters on a processed wafer or a test wafer are measured and / or analyzed in order to ensure the corresponding specification in the production process. Among other things, it is possible to use sensors with the aid of which defect monitoring of the wafer surface or adherence to the precision of the structures on the wafer can be carried out.
  • a particularly disadvantageous effect of this solution is that a lithographic stepper arrangement must be used for carrying out the method, which is very complicated and expensive and must be in operation around the clock for amortization. By interrupting the actual manufacturing process, even checking it becomes a costly process. For economic reasons, such a solution can not be realized in a mask house.
  • Solutions for improving the alignment of inspection systems, in particular for the automatic testing of photomasks or patterned wafers are described in the patents US 6,141,038 A1, US 2003/0063190 A1 and US 2005/0254698 A1. In the method most frequently used, two allegedly identical patterns are typically compared by scanning and digitizing their images to detect defects. Another variant provides for the comparison of a sampled and digitized pattern with the image data stored in a database and representing the corresponding pattern.
  • the described solutions provide a method of first coarse alignment between a first image signal and a second image signal for a substrate on an x / y stage of a test machine, the test machine having a fixed pixel size and a pixel grid.
  • the mask is scanned in a mask by varying either the angle of a tilted mirror or the time delay of a laser in conjunction with the advancement or retraction of a scanning device.
  • the solutions described in US Pat. No. 5,563,702 A1 and US Pat. No. 5,737,072 A1 are also used for the automated testing of photomasks.
  • the solution has a transmission detector, which by the Substrate transmitted illumination and provides as a signal, as well as a reflection detector, which detects the reflected light from the substrate and the structure and provides as a signal.
  • the defects are detected by comparing the intensity values determined by the transmission and reflection detectors with the expected comparison values stored in a memory.
  • the object of the present invention is to develop a solution with which the defects detected on masks can be effectively evaluated with regard to their relevance for the wafer exposure process in order to avoid that masks are separated from the wafer manufacturing process too early and subjected to a cleaning become. According to the invention the object is solved by the features of the independent claims. Preferred developments and refinements are the subject of the dependent claims.
  • the defects detected on lithographic masks are to be investigated with regard to their relevance for the wafer exposure process.
  • Defects in the transparent as well as the non-transparent areas can be classified here.
  • the proposed method can also be applied in mask design and mask fabrication. Even for photomasks in other areas, where they are used as replicas, e.g. in the field of LCDs or miniature devices, the method is applicable.
  • the lithographic relevance of defects is determined by illuminating the mask to be examined under lithography conditions, generating so-called "aerial images" and analyzing them accordingly, the following being used to classify the defects Rules that take into account the lithographic relevance of the defects, and thus lead to the rejection of defective masks:
  • the mask to be examined is illuminated with the conditions actually used in the scanner in terms of numerical aperture, wavelength, coherence, polarization and axis and focus position to capture the actual effects of the defects.
  • aerial images are recorded as inspection images with emulation of the lithographic conditions, with the real image of the mask being imaged on a detector instead of on a wafer.
  • the output image for the rules uses the wafer image and not the mask image.
  • the aerial image images are generated by Carl Zeiss SMS GmbH using an aerial emulator such as the AIMS TM systems and represent the "wafer image", but without the need for a real wafer print.
  • aerial images can also be determined by other means. For example, an aerial image can be calculated from measured values of the phase and the transmission at the location of the defect. If this calculation is carried out for different wavelengths, conclusions can be drawn on the relevance for the exposure wavelength.
  • a first selection of the defects takes place according to their location on the mask, defects which lie outside electrical or transparent regions being ignored as well as those already identified in previous inspections if they are within specified geometrical tolerances. This reduces the number of defects that can be measured with the AIMS TM system, which speeds up the process. For example, only defects with a certain size are classified, while the smaller defects are neglected. Depending on the process reliability, the threshold can still be shifted by using a calibration via programmed defects for process definition (see ).
  • method step 2 the lithographic relevance of the defects is determined.
  • the lithographic relevance can be expressed in different lithographic parameters. Essentially, the procedure follows the following steps:
  • the defect points of the mask to be examined are compared with corresponding mask cutouts.
  • a circuit unit of the device (“the") is compared to an adjacent "the"("to-die”).
  • the comparison of the corresponding defect locations with the design data (“die-tö-database"), whereby the wafer image is calculated from the aerial image simulation of the design and the reference locations in this calculated image are visited.
  • the lithography parameter selected to be suitable for evaluation is determined in the aerial image at the defect site and then compared to an ideal location - either a location known to be undamaged on the same mask or a location from the database for which the aerial image has been calculated ,
  • the deviation of the lithography parameter at the defect location from the reference junction is determined and if the deviation is within a threshold value, the defect is not yet lithographically relevant, the deviation is outside, the defect is considered lithographically relevant and the mask is discarded and not further production tion used. If the defect is an impurity defect, the mask is added directly to the purifier after disposal.
  • the threshold values for the various lithography parameters are determined empirically for the technology node and the production process actually used by the chip manufacturer.
  • masks with programmed defects are used, which contain the different defect types in different sizes. These masks are "printed" onto wafers with the process actually used, which makes it possible to determine which type of defect is relevant on which size from the wafer in.
  • the threshold value of the individual lithography parameters in the aerial image of the mask can then be determined for each type of defect.
  • a transmission criterion is used in the intensity plot, which represents the intensity distribution along a line selected in the two-dimensional aerial image.
  • the maximum transmission value at the defect location is compared with the maximum transmission value at a reference location, and the mask is discarded when the transmission change ⁇ T has the formula:
  • the minimum transmission value at the defect location is compared with the minimum transmission value at a reference location. dert, when the transmission change .DELTA.T according to said formula (1) exceeds a predetermined limit.
  • a contrast criterion is used in the intensity plot, which represents the intensity distribution along a line selected in the two-dimensional aerial image.
  • the examination of the contrast change is similar to the examination of the change in transmission, except that instead of the transmission T, according to (1), the corresponding values for the contrast C are used:
  • the mask is discarded in this case if the contrast change ⁇ C according to the formula (2) exceeds a predetermined limit.
  • step 2c a CD criterion is used.
  • a previously determined, lithographically relevant threshold value (also called a threshold) is applied to the intensity plot.
  • CD (of "critical dimension") defines here a critical distance, which results from the width of an intensity peak or valey (depending on whether the mask is intended for a process with positive or negative resist) at the level of the threshold A defective point is compared with the CD at a reference point If the difference between the CD values exceeds a certain limit, the mask is discarded.
  • an NILS criterion is used.
  • NILS value normalized image logarithmic slope
  • I is the intensity of the light and x is the addressed position coordinate at which the feature edge lies.
  • a high NILS value means a steep line in the intensity curve and thus a strong transition from the light to the dark region.
  • the higher the rise value the better the edge definition of the aerial image and the better the structural edge is projected onto the photoresist during the exposure process. This is very important especially for the smaller and smaller structures, as it ensures the clear imaging of the structural edges even at short distances.
  • the NILS value of a defective location is compared with the NILS value at a reference location. If the difference in the NILS values exceeds a certain limit, the mask is discarded.
  • a geometry criterion is applied.
  • the surface area of a structure element is used as a criterion in the so-called "resistimage" representation of the aerial image data.
  • the resistimage results from the application of thresholding to the intensity plot, in this case not only one-dimensional along a selected line, but applied two-dimensionally to the complete aerial image. Again, the area of a feature with defect is compared with the area of the same feature without defect, and if the difference exceeds a threshold, the mask is discarded.
  • process step 2f a process window criterion is applied.
  • a process window (the area of allowable dose and focus tolerance for the wafer process in a "dose-focus plot") is determined at a reference location and overlapped with the process window at the defect location, with the masks being discarded, with their defective structures lead to a so-called “common process window” with sufficient overlap.
  • step 2g a phase criterion is applied.
  • the phase is locally determined and compared at a defective location and at a reference location, wherein the masks are discarded, in which the phase difference achieves too high a value.
  • the discarded masks are first subjected to cleaning. This usually happens as soon as a defect on the mask:
  • a transmission change to a reference is greater than a certain value
  • aerial images which are produced by exposure under emulation of the lithography conditions in a scanner, wherein instead of the wafer a detector, e.g. a camera, or aerial images, which are calculated from phase and transmission measurement data of the mask taking into account lithographic parameters such as numerical aperture, wavelength, coherence, polarization and axis and focus position.
  • lithographic parameters such as numerical aperture, wavelength, coherence, polarization and axis and focus position.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Maskeninspektion, bei dem die auf den untersuchten Masken ermittelten Defekte einer Klassifizierung hinsichtlich ihrer lithographischen Relevanz im Waferbelichtungsprozess unterzogen werden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte wird die lithografische Relevanz von Defekten ermittelt, in dem Aerial Images erzeugt und analysiert werden, wobei die Aerial Images entweder durch die Beleuchtung und Abbilden der Masken unter Lithographiebedingungen und direktes Messen in der Waferebene oder durch Messen der Transmission und Phase an der Maskenoberfläche und Berechnen des Aerial Images für bestimmte Lithographieeinstellungen erzeugt werden und zur Klassifizierung der Defekte verschiedene Regeln, die die lithografische Relevanz der Defekte berücksichtigen, angewandt und so defekte Masken ausgesondert werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sollen insbesondere die auf Lithographie-Masken detektierten Defekte hinsichtlich ihrer Relevanz für den Waferbelichtungsprozess untersucht werden. Hierbei können sowohl Defekte in den transparenten als auch den nichttransparenten Bereichen klassifiziert werden.

Description

Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Maskeninspektion, bei dem die auf den untersuchten Masken ermittelten Defekte einer Klassifizierung hinsichtlich ihrer lithographischen Relevanz im Waferbelichtungsprozess unterzogen werden.
Die für die Waferherstellung verwendeten Masken werden zwar vor ihrer Auslieferung an die Chiphersteller einer entsprechenden Fehlerkontrolle unterzogen, jedoch können auch während des Einsatzes Defekte auftreten, die zur Massenproduktion fehlerhafter, unbrauchbarer ICs („Integrated Circuits", integrierte Schaltelemente) führen können. Deshalb werden die Masken bzw. Wafer regelmäßig einer Qualitätskontrolle unterzogen.
Die während des Einsatzes auftretenden Defekte können beispielsweise Kristallverunreinigungen, Partikel im Allgemeinen oder elektrostatische Aufladungsschäden sein. Aufgrund der zunehmenden Verunreinigung und damit steigender Anzahl von Defekten müssen die Masken einer regelmäßigen Reinigung unterzogen werden. Die dabei zunehmend im Einsatz befindlichen, kostenintensiven Phasenschiebemasken können jedoch nur ein paar wenige Male (manchmal nur 3-mal) gereinigt werden. Dadurch wirken sich Defekte sehr schnell auf die Gutausbeute aus.
Zur Lokalisierung von Verunreinigungen und/oder Defekten wird eine Defektinspektionsmaschine verwendet, die die Masken untersucht. Je nach Sensitivität der Detektoren werden dabei bis zu 1000 Defekte, zunehmend sogar noch mehr gefunden. Die ermittelten Defekte werden nach bestimmten Kriterien, wie beispielsweise nach fehlendem oder überschüssigem Material auf der Maske klassifiziert. Zusätzlich werden bei der Klassifizierung Informationen zur Reflexion und Transmission an den schadhaften Stellen ermittelt, um daraus die Größe der gefundenen Defekte zu bestimmen. Von entscheidender Bedeutung ist hierbei, in welchen Bereichen der Maske sich die Defekte befinden (transparenter oder nichttransparenter Bereich, in den Bereichen der Kanten o. ä.) und um welche Art von Defekten (strukturbedingte Defekte, Verunreinigungen, o. ä.) es sich handelt. Allerdings führen nicht alle Defekte auf der Maske zu Fehlern oder Defekten beim Wafer.
Die vom Inspektionsgerät gewonnenen Informationen können auch dazu verwendet werden, Regeln zu erstellen, anhand derer beurteilt wird, ob die Maske weiterhin zur Belichtung der Wafer benutzt werden kann. Dabei basieren die einfachsten Regeln auf der Größe und der Anzahl der gefundenen Defekte, wobei eine Maske beispielsweise zur Reinigung an den Maskenhersteller zurückgeschickt wird, wenn mehr als 500 Defekte oder mindestens ein Defekt mit einer Größe von mehr als 800 nm ermittelt wurden ist (dieser Wert skaliert mit dem Technologieknoten). Um zu gewährleisten, dass nur fehlerfreie Masken zurück in den Herstellungsprozess gelangen, wiederholt sich der Prozess der Defektdetektion und Reinigung mehrmals, was jedoch insbesondere für Pha- senschiebemasken zunehmend kritischer werden wird.
Nach dem Stand der Technik sind einige Inspektionsmaschinen zur Kontrolle, insbesondere von Fotomasken bekannt, bei denen die meist regelmäßig stattfindenden Kontrollen in der Regel automatisch ablaufen. Im Folgenden wird auf einige Lösungen näher eingegangen.
In den Patentschriften US 6,820,028 B2 und US 6,892,156 B2 werden Verfahren und Anordnungen zur Überwachung der Herstellung integrierter Schaltungen beschrieben, wobei insbesondere die einzelnen Schritte der Schaltungsherstellung, wie beispielsweise photolithographische Belichtung, Ätzung, Diffusion (Bestäubung), Ionenimplantation, chemisch-mechanisches Ebnen (auch bekannt als chemisch-mechanisches Polieren oder "CMP") o. ä., überwacht werden sollen. Integrierte Schaltungen werden gewöhnlich auf oder in einem Halbleitersubstrat gebildet, das allgemein als Wafer bekannt ist. Ein Wafer ist im Wesentlichen eine dünne Scheibe aus Silizium, mit Durchmessern von 4 bis 12 Zoll und Stärken von einem Y2 bis einem % Millimeter. Während des Herstellungsprozesses werden Materialien oder Schichten auf oder in den Wafer auf- bzw. eingebracht, behandelt und/oder strukturiert, um die integrierten Schaltungen zu bilden.
Da der Herstellungsprozess gewöhnlich ein sehr komplizierter und komplexer Prozess mit einer Vielzahl unterschiedlicher Prozessschritten ist, der zudem noch unter Reinraumbedingungen abläuft, ist es von großer Wichtigkeit nahezu jeden Schritt zu kontrollieren und so den gesamten Prozess zu überwachen.
Mit der hier vorgeschlagenen Lösung der Brion Technologies Incorporation sollen die einzelnen Schritte des Herstellungsprozesses dadurch überwacht werden, dass anstelle des zu behandelnden Wafers eine waferähnliche Anordnung in den Herstellungsprozess eingeführt wird, die über verschiedene Sensoren zum Überwachen und/oder analysieren verfügt und im Englischen als „equip- ment in wafer", oder kurz als „EIW" bezeichnet wird. Mit Hilfe dieser Sensoren werden bestimmte Parameter auf einem verarbeiteten Wafer oder einem Testwafer gemessen und/oder analysiert, um die entsprechenden Spezifikation im Herstellungsprozess sicher zu stellen. Unter anderem können dabei Sensoren verwendet werden, mit deren Hilfe eine Defektkontrolle der Waferoberflä- che oder die Einhaltung der Maligenauigkeit der Strukturen auf dem Wafer durchgeführt werden kann.
Als besonders nachteilig wirkt sich bei dieser Lösung aus, dass für die Durchführung des Verfahrens eine lithographische Stepper-Anordnung verwendet werden muss, die sehr aufwendig und teuer sind und zur Amortisation rund um die Uhr in Betrieb sein müssen. Durch die Unterbrechung des eigentlichen Herstellungsprozesses wird selbst dessen Überprüfung zu einem kostspieligen Prozess. Eine solche Lösung lässt sich zudem auch aus wirtschaftlichen Gründen nicht in einem Maskenhaus realisieren. Lösungen zur Verbesserung der Ausrichtung von Inspektionssystemen, insbesondere zur automatischen Prüfung von Fotomasken oder mit Mustern versehener Wafer, werden in den Patentschriften US 6,141 ,038 A1 , US 2003/ 0063190 A1 und US 2005/0254698 A1 beschrieben. Bei dem dabei am häufigsten benutzten Verfahren werden typischerweise zwei angeblich identische Muster durch Abtasten und Digitalisieren deren Abbilder verglichen, um Defekte zu detektieren. Eine andere Variante sieht den Vergleich eines abgetasteten und digitalisierten Musters mit den in einer Datenbank gespeicherten, das entsprechende Muster repräsentierenden Bilddaten vor.
Eine exakte Detektion von Unterschieden zwischen zwei Mustern setzt voraus, dass Abbilder nahezu identischer Punkte beider Abbilder verglichen werden, wozu oftmals Ausrichtungen im Subpixelbereich notwendig sind, um das gewünschte Maß an Genauigkeit zu erzielen.
Dem entsprechend sehen die beschriebenen Lösungen ein Verfahren zur ersten Grobausrichtung zwischen einem ersten Bildsignal und einem zweiten Bildsignal für ein Substrat auf einem x/y-Objekttisch einer Prüfungsmaschine vor, wobei die Prüfungsmaschine eine feste Pixelgröße und ein Pixelgitter hat. Nach Ermittlung des Versatzes und entsprechender Ausrichtung der beiden Abbilder zueinander erfolgt die streifenweise Abtastung der Maske, indem entweder der Winkel eines gekippten Spiegels bzw. die Zeitverzögerung eines Lasers variiert wird in Verbindung mit dem Vorrücken oder Zurückziehen einer Scaneinrichtung.
Auch die in US 5,563,702 A1 und US 5,737,072 A1 beschriebenen Lösungen dienen der automatisierten Prüfung von Fotomasken. Hierbei kann zwischen Oberflächenmerkmalen und Defekten unterschieden werden, unabhängig davon, ob das Substrat eine strukturierte und eine unstrukturierte Oberfläche aufweist oder nicht, wobei die Struktur aus undurchlässigem bzw. weniger durchlässigem oder phasenschiebendem Material auf der strukturierten besteht. Dazu verfügt die Lösung über einen Transmissionsdetektor, der die durch das Substrat transmittierte Beleuchtung erfasst und als Signal zur Verfügung stellt, sowie einen Reflexionsdetektor, der die vom Substrat und der Struktur reflektierte Beleuchtung erfasst und als Signal zur Verfügung stellt. Die Detektion der Defekte erfolgt durch Vergleich der von Transmissions- und Reflexionsdetektor ermittelten Intensitätswerte mit den erwarteten, in einem Speicher hinterlegten Vergleichswerten.
Bei diesen Lösungen - Marktführer ist KLA-Tencor Corporation - wirkt sich nachteilig aus, dass die Strukturen direkt auf der Maske untersucht und die Defekte ermittelt werden. Deren Auswirkungen bei der Waferbelichtung bleiben dabei völlig unberücksichtigt. Dadurch ist es möglich, dass Masken aufgrund der ermittelten Defekte ausgesondert werden, die im Herstellungsprozess eigentlich noch korrekten Ergebnisse liefern oder dass die Wirkung von Defekten im Waferherstellungsprozess unterschätzt wird, was zur Produktion fehlerhafter ICs führen kann.
Bei den zuvor beschriebenen Lösungen entscheidet allein die Anzahl und/oder die Größe der detektierten Defekte darüber, ob eine Maske ausgesondert oder weiterhin im Herstellungsprozess verbleibt. Dies kann zu erheblichen finanziellen Verlusten führen, da es vorkommen kann, dass bereits weniger Defekte mit kleinerer Größe zu Waferprints führen, die die elektrischen Eigenschaften des Chips so beeinträchtigen, dass er nicht verwendbar ist. Dies resultiert aus dem Fakt, dass sich die Defekte in der lithographischen Übertragung anders auswirken als dies durch die aufgenommen Bilder in der Inspektionsmaschine und durch die angewandten Regeln vorhergesagt werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine Lösung zu entwickeln, mit der die auf Masken detektierten Defekte hinsichtlich ihrer Relevanz für den Waferbelichtungsprozess effektiv bewertet werden können, um zu vermeiden, dass Masken zu früh bzw. zu spät aus dem Waferherstellungsprozess ausgesondert und einer Reinigung unterzogen werden. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte sollen insbesondere die auf Lithographie-Masken detektierten Defekte hinsichtlich ihrer Relevanz für den Waferbelichtungsprozess untersucht werden. Hierbei können sowohl Defekte in den transparenten als auch den nichttransparenten Bereichen (fehlendes oder überschüssiges Material) klassifiziert werden. Allerdings kann das vorgeschlagene Verfahren auch im Maskendesign und der Maskenfertigung angewendet werden. Selbst für Photomasken in anderen Bereichen, wo diese als Repliken verwendet werden, wie z.B. im Bereich von LCD's oder Miniaturbauelementen, ist das Verfahren anwendbar.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte wird die lithografische Relevanz von Defekten ermittelt, in dem die zu untersuchende Maske unter Lithographiebedingungen beleuchtet, so genannte „Aerial Images" („Luftbilder") erzeugt und entsprechend analysiert werden, wobei zur Klassifizierung der Defekte folgende Regeln, die die lithografische Relevanz der Defekte berücksichtigen, angewendet werden und so zur Aussonderung defekter Masken führen:
1 ) Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf der Maske
2) Bestimmung der lithographischen Relevanz von Defekten im Waferbild
a) durch Anwendung eines Transmissionskriteriums b) durch Anwendung eines Kontrastkriteriums c) durch Anwendung eines CD-Kriteriums d) durch Anwendung eines NILS-Kriteriums e) durch Anwendung eines Geometriekriteriums f) durch Anwendung eines Prozessfensterkriteriums g) durch Anwendung eines Phasenkriteriums.
Hierbei wird die zu untersuchende Maske mit den tatsächlich im Scanner verwendeten Bedingungen hinsichtlich numerischer Apertur, Wellenlänge, Kohärenz, Polarisation sowie Achs- und Fokuslage beleuchtet, um die tatsächlichen Wirkungen der Defekte zu erfassen. Bei dem verwendeten System werden Ae- rial Images als Inspektionsbilder unter Emulation der lithographischen Bedingungen aufgenommen, wobei das reale Abbild der Maske statt auf einem Wa- fer auf einem Detektor abgebildet wird.
Im Gegensatz zu den im Stand der Technik beschriebenen Verfahren wird als Ausgangsinformation für die Regeln das Waferbild und nicht das Maskenbild benutzt. Die Aerial Image-Bilder werden mittels eines Luftbild-Emulators wie die AIMS™-Systeme von der Carl Zeiss SMS GmbH erzeugt und stellen das „Waferbild" dar, jedoch ohne dass dafür ein realer Wafer-Print stattfindet.
Außer durch Verwendung eines AIMS™-Systems der Carl Zeiss SMS GmbH können Aerial Images auch auf anderen Wegen ermittelt werden. So kann ein Aerial Image beispielsweise aus Messwerten der Phase und der Transmission am Ort des Defektes errechnet werden. Erfolgen diese Berechnung für verschiedene Wellenlängen, so können daraus Rückschlüsse auf die Relevanz für die Belichtungswellenlänge gezogen werden.
1 ) Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf der Maske
Gemäß dem Verfahrensschritt 1) erfolgt bei dem vorgeschlagenen Verfahren eine erste Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf der Maske, wobei Defekte die außerhalb elektrischer oder transparenter Bereiche liegen ignoriert werden genauso wie solche, die in früheren Inspektionen bereits ermittelt wurden, wenn sie innerhalb festgelegter geometrischer Toleranzen liegen. Dadurch kann die Anzahl der Defekte, die mit dem AIMS™-Systems zu messen sind reduziert werden, was zu einer Beschleunigung des Verfahrens führt. So werden beispielsweise erst Defekte mit einer bestimmten Größe klassifiziert, während die kleineren Defekte vernachlässigt werden. Je nach Prozesssicherheit kann die Schwelle noch verschoben werden, in dem eine Kalibrierung über programmierte Defekte zur Prozessdefinition herangezogen wird (siehe ...).
2) Bestimmung der lithographischen Relevanz von Defekten
Im Verfahrensschritt 2) wird die lithographische Relevanz der Defekte bestimmt. Die lithographische Relevanz kann in verschiedenen Lithographieparametern ausgedrückt werden. Im Wesentlichen läuft die Vorgehensweise nach folgenden Schritten ab:
In diesem Verfahrensschritt werden die zu untersuchenden Defektstellen der Maske mit korrespondierenden Maskenausschnitten verglichen. In der Regel wird zum Auffinden der Referenzstellen eine Schaltkreiseinheit des Bauelementes (englisch „die") mit einem benachbarten „die" verglichen („die-to-die"). Für den Fall, dass auf der Maske nur ein Schaltkreis abgebildet ist, erfolgt der Vergleich der entsprechende Defektstellen mit den Designdaten („die-tö- database"), wobei aus der Aerial Image-Simulation des Designs das Waferbild errechnet wird und die Referenzstellen in diesem errechneten Bild aufgesucht werden. Der zur Bewertung als geeignet ausgewählte Lithographieparameter wird im Aerial Image an der Defektstelle bestimmt und dann mit einer idealen Stelle - entweder eine als nicht geschädigt bekannte Stelle auf der selben Maske oder eine Stelle aus der Datenbank, für die das Aerial Image berechnet worden ist - verglichen. Die Abweichung des Lithographieparameters an der Defektstelle von der Vergleichsstelle wird bestimmt und wenn die Abweichung innerhalb eines Schwellwertes liegt, ist der Defekt noch nicht lithographisch relevant, liegt die Abweichung außerhalb, wird der Defekt als lithographisch relevant bewertet und die Maske wird ausgesondert und nicht zur weiteren Produk- tion verwendet. Wenn es sich bei dem Defekt um einen Verunreinigungsdefekt handelt, wird die Maske nach der Aussonderung direkt zur Reinigung gegeben. Die Schwellwerte für die verschiedenen Lithographieparameter werden jeweils empirisch für den Technologieknoten und den vom Chiphersteller konkret verwendeten Produktionsprozess bestimmt. Dazu werden Masken mit programmierten Defekten verwendet, die die verschiedenen Defekttypen in verschiedenen Größen beinhalten. Diese Masken werden mit dem konkret verwendeten Prozess auf Wafer „geprintet", wodurch festgestellt werden kann, welcher Defekttyp ab welcher Größe auf dem Wafer relevant ist. Im Rückschluss können dann der Schwellwert der einzelnen Lithographieparameter im Aerial Image der Maske für jeden Defekttyp bestimmt werden.
Im Verfahrensschritt 2a) wird im Intensitätsplot, der die Intensitätsverteilung entlang einer im zweidimensionalen Aerial Image ausgewählten Linie darstellt, ein Transmissionskriterium angewandt.
Zur Untersuchung der Transmissionsänderung an einem „Peak" wird der maximale Transmissionswert an der Defektstelle mit dem maximalen Transmissionswert an einer Referenzstelle verglichen. Die Maske wird ausgesondert, wenn die Transmissionsänderung ΔT nach der Formel:
ΔT= iTReferenz — Toefektl / TReferenz (1 )
einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet, wobei
TReferenz - den Transmissionswert an der Referenzstelle und TDefekt - den Transmissionswert an der Defektstelle darstellen.
Zur Untersuchung der Transmissionsänderung an einem „Valley" wird der minimale Transmissionswert an der Defektstelle mit dem minimalen Transmissionswert an einer Referenzstelle verglichen. Hierbei wird die Maske ausgeson- dert, wenn die Transmissionsänderung ΔT nach der genannten Formel (1) einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.
Im Verfahrensschritt 2b) wird im Intensitätsplot, der die Intensitätsverteilung entlang einer im zweidimensionalen Aerial Image ausgewählten Linie darstellt, ein Kontrastkriterium angewandt.
Die Untersuchung der Kontraständerung erfolgt ähnlich der Untersuchung der Transmissionsänderung, nur dass hier anstelle der Transmission T, gemäß (1 ) die entsprechenden Werte für den Kontrast C eingesetzt werden:
ΔC= ΛA (ICReferenz - Coefektl / CReferenz) (2), WObβi
CReferenz = ('max, Referenz ~ 'min, Referenz) ' ('max, Referenz + 'min, Referenz) (3)
C-Defekt = ('rnax, Defekt " Imin, Defekt) / ( Imax, Defekt + 'min, Defekt) (4),
mit Im3x= Intensitätsmaxiumum (an der Referenz- bzw. Defektstelle) und lmin= Intensitätsminimum (an der Referenz- bzw. Defektstelle).
Die Maske wird hierbei ausgesondert, wenn die Kontraständerung ΔC nach der Formel (2) einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.
Im Verfahrensschritt 2c) wird ein CD-Kriterium angewandt.
Zur Untersuchung eines CD-Kriteriums wird ein zuvor bestimmter, lithographisch relevanter Schwellwert (auch Threshold genannt) auf den Intensitätsplot angewandt. CD (von „critical dimension") definiert hierbei einen kritischen Abstand. Diese ergibt sich aus der Breite eines Intensitätspeaks bzw. -Valleys (je nachdem ob die Maske für einen Prozess mit positivem oder negativem Resist vorgesehen ist) auf Höhe des Schwellwerts. Die CD einer defekten Stelle wir mit der CD an einer Referenzstelle verglichen. Überschreitet die Differenz der CD-Werte einen bestimmten Grenzwert, wird die Maske ausgesondert. Im Verfahrensschritt 2d) wird ein NILS-Kriterium angewandt.
Der sogenannte NILS-Wert („normalized image logarithmic slope") bewertet das Aerial Image an der Strukturkante, also an der Position, an dem das Bild von hell zu dunkel übergeht, und liefert einen Anstiegswert an dieser Stelle. Er ist von der Lichtintensität und von der Position abhängig und ist wie folgt definiert:
NILS = w - [dln(l) / dx] (5)
wobei I die Intensität des Lichtes und x die angesprochene Positionskoordinate, bei welcher die Strukturkante liegt, definiert.
Ein hoher NILS-Wert bedeutet einen steilen Linienverlauf der Intensitätskurve und somit einen starken Übergang von der hellen zur dunklen Region. Je höher hierbei der Anstiegswert, desto besser ist die Randdefinition des Aerial Images und umso besser wird die Strukturkante beim Belichtungsprozess auf den Pho- toresist projiziert. Dies ist vor allem bei den immer kleineren Strukturen von sehr großer Bedeutung, da somit die deutliche Abbildung der Strukturkanten auch bei geringen Abständen gewährleistet wird. Der NILS-Wert einer defekten Stelle wird mit dem NILS-Wert an einer Referenzstelle verglichen. Überschreitet die Differenz der NILS-Werte einen bestimmten Grenzwert, wird die Maske ausgesondert.
Im Verfahrensschritt 2e) wird ein Geometriekriterium angewandt.
In diesem Verfahrensschritt wird der Flächeninhalt eines Strukturelements in der so genannten „Resistimage"-Darstellung der Aerial Image-Daten als Kriterium herangezogen. Das Resistimage erfolgt aus der Anwendung des Thres- holds auf den Intensitätsplot, in diesem Fall allerdings nicht nur eindimensional entlang einer ausgewählten Linie, sondern zweidimensional angewandt auf das komplette Aerial Image. Es wird wiederum der Flächeninhalt eines Strukturelements mit Defekt mit dem Flächeninhalt des gleichen Strukturelements ohne Defekt verglichen und wenn die Differenz einen Schwellwert überschreitet wird die Maske ausgesondert.
Im Verfahrensschritt 2f) wird ein Prozessfensterkriterium angewandt.
In diesem Verfahrensschritt wird ein Prozessfenster (das Gebiet zulässiger Dosis- und Fokustoleranz für den Waferprozess in einem „Dosis-Fokus-Plot") an einer Referenzstelle bestimmt und mit dem Prozessfenster an der Defektstelle überlappt, wobei die Masken ausgesondert werden, deren defektbehaftete Strukturen mit einer Referenzstelle zu keinem so genannten „gemeinsamen Prozessfenster" mit ausreichender Überlappung führen.
Im Verfahrensschritt 2g) wird ein Phasenkriterium angewandt.
In diesem Verfahrensschritt wird lokal die Phase an einer defekten Stelle und an einer Referenzstelle bestimmt und verglichen, wobei die Masken ausgesondert werden, bei denen der Phasenunterschied einen zu hohen Wert erzielt.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die ausgesonderten Masken als erstes einer Reinigung unterzogen. Dies erfolgt in der Regel, sobald eine Defektstelle auf der Maske:
• eine Transmissionsänderung zu einer Referenz größer als ein bestimmter Wert ist,
• eine CD-Abweichung zur Referenz größer als ein bestimmter Wert ist,
• eine Kontrast-Abweichung zur Referenz größer als ein bestimmter Wert ist, • eine NILS-Abweichung zur Referenz größer als ein bestimmter Wert ist,
• eine größere Abweichung der Flächenintegration als erlaubt im Vergleich zu einer Referenzstelle aufweist
• mit einer Vergleichsstelle zu keinem gemeinsamen Prozessfenster mit ausreichender Überlappung führt
• oder eine größere Phasenabweichung als erlaubt im Vergleich zu einer Referenzstelle aufweist.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte wird eine technische Lösung vorgeschlagen, mit der eine sichere Bestimmung der lithografischen Relevanz von Defekten möglich ist.
Die auf dem vorgeschlagenen Verfahren basierenden Regeln werden hierbei auf Aerial Images angewendet, die durch Belichtung unter Emulation der Lithographiebedingungen in einem Scanners erzeugt werden, wobei an Stelle des Wafers ein Detektor, z.B. eine Kamera, angeordnet wird oder auf Aerial Images, die aus Phasen- und Transmissionsmessdaten der Maske unter Berücksichtigung von Lithographieparametern wie numerischer Apertur, Wellenlänge, Kohärenz, Polarisation sowie Achs- und Fokuslage berechnet werden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Ermittlung lithographisch relevanter Maskendefekte, bei dem die lithografische Relevanz von Defekten ermittelt wird, in dem Aerial Images erzeugt und entsprechend analysiert werden, wobei die Aerial Images entweder durch die Beleuchtung und Abbilden der Masken unter Lithographiebedingungen und direktes Messen des Aerial Images durch Anbringen eines Detektors in der Waferebene oder durch Messen der Transmission und Phase an der Maskenoberfläche und Berechnen des Aerial Images für bestimmte Lithographieeinstellungen erzeugt werden und zur Klassifizierung der Defekte folgende Regeln, die die lithografische Relevanz der Defekte berücksichtigen, angewandt und so defekte Masken ausgesondert werden:
• Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf der Maske und
• Bestimmung der lithographischen Relevanz von Defekten im Waferbild a) durch Anwendung eines Transmissionskriteriums b) durch Anwendung eines Kontrastkriteriums c) durch Anwendung eines CD-Kriteriums d) durch Anwendung eines NILS-Kriteriums e) durch Anwendung eines Geometriekriteriums f) durch Anwendung eines Prozessfensterkriteriums g) durch Anwendung eines Phasenkriteriums.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , bei dem die zu untersuchende Maske mit den tatsächlich im Scanner verwendeten Bedingungen hinsichtlich numerischer Apertur, Wellenlänge, Kohärenz, Polarisation sowie Achs- und Fokuslage beleuchtet wird, um die tatsächlichen Wirkungen der Defekte zu erfassen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, bei dem Aerial Images als Inspektionsbilder durch lithographische Simulation mit Hilfe eines Scanners aufgenommen werden, wobei das reale Abbild der Maske statt auf einem Wafer auf einem Detektor abgebildet wird.
4. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem die Selektion der Defekte nach ihrem Ort auf der Maske erfolgt, wobei Defekte die außerhalb elektrischer oder transparenter Bereiche liegen ignoriert werden, genauso wie solche, die in früheren Inspektionen bereits ermittelt wurden, wenn sie innerhalb festgelegter geometrischer Toleranzen liegen.
5. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem die Kalibrierung eines Schwellwertes für die Anzahl der Defekte erfolgt, indem auf einen Wafer Strukturen mit programmierten Defekten geschrieben werden und anhand dieser Strukturen ermittelt wird, ab welcher Anzahl von Defekten und/oder Größe die Defekte zu relevanten Fehlern auf dem Wafer führen.
6. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem der kalibrierte Schwellwert für die Auswertung einer Transmissions- oder Kontraständerung bzw. einer CD-, oder NILS-Abweichung genutzt wird und die Maske bei Überschreitung des kalibrierten Schwellwertes ausgesondert wird.
7. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem die Maske durch Auslesen entlang einer Linie bzw. vollflächiges Auslesen inspiziert wird.
8. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem zur Geometrieauswertung entsprechende Referenzflächen auf der Maske ermittelt werden, wobei die Masken ausgesondert werden, deren Wert der Flächenintegration in Abhängigkeit davon, ob es sich um einen „hellen" oder „dunklen" Defekt handelt, größer bzw. kleiner ist als der der Referenzfläche.
9. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem ein Prozessfenster für Strukturen mit jeweils einem Defekt festgelegt wird, wobei die Masken ausgesondert werden, deren defektbehaftete Strukturen mit einer Referenzstelle zu keinem gemeinsamen Prozessfenster mit ausreichender Überlappung führen.
10. Verfahren nach mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem die ausgesonderten Masken als erstes einer Reinigung unterzogen werden.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109952502A (zh) * 2016-11-21 2019-06-28 科磊股份有限公司 用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4805123A (en) * 1986-07-14 1989-02-14 Kla Instruments Corporation Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US20020164065A1 (en) * 2001-03-20 2002-11-07 Numerical Technologies System and method of providing mask defect printability analysis
WO2003058681A2 (en) * 2001-12-28 2003-07-17 Kla-Tencor Corporation Differential detector coupled with defocus for improved phase defect sensitivity
US20030162105A1 (en) * 2002-02-28 2003-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask
EP1480083A2 (de) * 2001-06-13 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US20040232313A1 (en) * 2002-06-07 2004-11-25 Jun Ye System and method for lithography process monitoring and control
US20060036979A1 (en) * 2004-07-21 2006-02-16 Zurbrick Larry S Computer-implemented methods for generating input for a simulation program or generating a simulated image of a reticle
US7027143B1 (en) * 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US20070130557A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Synopsys, Inc. Approximating wafer intensity change to provide fast mask defect scoring

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563702A (en) * 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
EP0853856B1 (de) * 1995-10-02 2004-12-22 KLA-Tencor Corporation Verbesserung der ausrichtung von inspektionsystemen vor der bildaufnahme
US6807503B2 (en) 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US9002497B2 (en) * 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4805123A (en) * 1986-07-14 1989-02-14 Kla Instruments Corporation Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US4805123B1 (en) * 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US20020164065A1 (en) * 2001-03-20 2002-11-07 Numerical Technologies System and method of providing mask defect printability analysis
EP1480083A2 (de) * 2001-06-13 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
WO2003058681A2 (en) * 2001-12-28 2003-07-17 Kla-Tencor Corporation Differential detector coupled with defocus for improved phase defect sensitivity
US20030162105A1 (en) * 2002-02-28 2003-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask
US20040232313A1 (en) * 2002-06-07 2004-11-25 Jun Ye System and method for lithography process monitoring and control
US7027143B1 (en) * 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US20060036979A1 (en) * 2004-07-21 2006-02-16 Zurbrick Larry S Computer-implemented methods for generating input for a simulation program or generating a simulated image of a reticle
US20070130557A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Synopsys, Inc. Approximating wafer intensity change to provide fast mask defect scoring

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109952502A (zh) * 2016-11-21 2019-06-28 科磊股份有限公司 用于调谐经调制晶片的敏感度及确定用于经调制晶片的工艺窗的系统、方法及非暂时性计算机可读媒体
US11139216B2 (en) 2016-11-21 2021-10-05 Kla-Tencor Corporation System, method and non-transitory computer readable medium for tuning sensitivities of, and determining a process window for, a modulated wafer

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