JP2005501130A - メルカプタンを除去するための接触ストリッピング - Google Patents

Abstract

原料ストリームを、ストリッピングガスの存在下、メルカプタンの少なくとも一部を分解するのに十分な条件下に固定触媒床に送り、オレフィン、Ｈ_２Ｓ、オフガス、およびメルカプタン硫黄のレベルが低減された炭化水素生成物ストリームを製造し、生成物ストリームをＨ_２Ｓから分離することによって、メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリーム中の硫黄レベルを低減する。

Description

【０００１】
発明の分野
炭化水素ストリーム中の硫黄の量を低減する方法が開示される。
【０００２】
発明の背景
自動車用ガソリン（モーガス）の硫黄レベルに対する規制水準が環境問題によって推進され、２００４年までには１２０ｐｐｍＳのモーガス、２００６年までには３０ｐｐｍＳのモーガスが広く生産されるようになる。かかる硫黄レベルは多くの場合、流動接触分解（Ｆｌｕｉｄ Ｃａｔａｌｙｔｉｃ Ｃｒａｃｋｉｎｇ）で製造されたナフサ（キャットナフサ）の水素化によって達成されるが、流動接触分解はモーガスプール中の硫黄を増やす最も大きな原因となる。結果として、オクタンのような有益な物質を低減することなく、キャットナフサ中の硫黄を低減する技術が必要とされている。
【０００３】
従来の固定床水素化により、分解ナフサの硫黄レベルを非常に低いレベルにまで低減できるが、かかる水素化はまた、オレフィン含有量の大幅な減少に起因する、著しいオクタンロスをもたらす。膨大なオレフィン飽和およびオクタンロスを回避するため、最近、ＳＣＡＮファイニングなどの選択的な水素化プロセスが開発された。残念ながら、かかるプロセスにおいては、遊離したＨ_２Ｓが残留するオレフィンと反応して、戻りメルカプタン硫黄が形成される。かかるプロセスは、硫黄規制の範囲内にある生成物が生成する過酷度で行うことができるが、相当のオクタンロスも生じる。
【０００４】
炭化水素ストリームから硫黄を除去する方法はいくつかある。例えば、米国特許第３，８７６，５３２号、同第４，１４９，９６５号、同第５，４２３，９７５号および同第５，８２６，３７３号にはそれぞれ、失活または使用済み触媒を用いる水素化方法が教示される。米国特許第５，８８５，４４０号には、水素化に先立って、水素化分解油を冷却することが教示される。米国特許第３，３３８，８１９号には、粒状触媒の触媒床において、水素化分解油の製造に用いる条件と実質的に同じ条件で、水素化分解油を水素化することが教示される。
【０００５】
米国特許第５，５１０，０１６号、同第５，３０８，４７１号、同第５，３９９，２５８号、同第５，３４６，６０９号、同第５，４０９，５９６号および同第５，４１３，６９７号にはそれぞれ、水素化脱硫およびこれに続く酸性触媒による処理により、オクタンが回復されることが教示される。
【０００６】
当該技術において求められるところは、硫黄レベルを規制量の範囲内とし、生成物オクタンのロスを最少にするプロセスである。
【０００７】
発明の概要
メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームにおける硫黄レベルの低減方法であって、
メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームを、ストリッピングガスの存在下、前記メルカプタンの少なくとも一部を分解するのに十分な時間、温度および圧力条件で、ガス／液体／固体三相系よりなる固定触媒床を通過させ、オレフィン、オフガスとしてのＨ_２Ｓ、およびメルカプタン硫黄レベルが低減された炭化水素生成物ストリームを製造し、メルカプタン硫黄の量が低減された前記炭化水素生成物ストリームを、前記Ｈ_２Ｓおよび前記ストリッピングガスから分離する工程を含み、
前記ストリッピングガスが水素である場合には、前記固定触媒床は（ａ）非還元性金属酸化物または（ｂ）第ＶＩＩＩＢ族金属助触第ＶＩＢ族触媒を含み、
前記ストリッピングガスが不活性ガスである場合には、前記固定触媒床は、第ＶＩＩＩＢ族金属助触第ＶＩＢ族触媒を含む
ことを特徴とする硫黄レベルの低減方法が開示される。
【０００８】
本明細書で用いられるように、非還元性金属酸化物とは、水素気流中４００℃未満の温度においてゼロ価金属および水に還元されない金属酸化物であり、これには混合金属酸化物も含まれる。
【０００９】
本明細書で用いられるように、不活性ガスとは、不飽和有機物や、メルカプタン硫黄含有原料中の有機硫黄種と非反応性であるガスを意味する。不活性ガスは単に、生成されるＨ_２Ｓガスの除去を促進するに過ぎない。
【００１０】
発明の詳細な説明
本発明の一態様は、ストリッピングガスの存在下、三相系において、混合金属酸化物触媒によりメルカプタン硫黄含有炭化水素ストリームからメルカプタン硫黄を除去することを含む。
【００１１】
従って、硫黄含有炭化水素ストリーム、好ましくは予め水素化脱硫された炭化水素ストリーム（依然としてメルカプタン硫黄を含有する）は、固定触媒床を含む三相系に送られる。系は、触媒床が最高温度域に配置された三相系である。当業者は、例えば熱電対を用いて反応器全体の温度を読み取ることにより、触媒床が位置すべき最高温度域を容易に同定することができる。固定触媒床は、典型的には反応器系の底部に存在する。典型的には、これらの系内に触媒用のトレーが存在し、触媒は設けられたトレーに配置される。
【００１２】
固定触媒床において、メルカプタン硫黄含有炭化水素ストリームがストリッピングガスの存在下で反応し、前記硫黄含有炭化水素ストリームからＨ_２Ｓガスおよびオレフィンが製造される。ストリッピングガスは、Ｈ_２Ｓガスからの、メルカプタン硫黄レベルが低減された炭化水素生成物ストリーム（生成したオレフィンを含む）の分離を促進し、またオフガスとして除去すべきガスの三相系からの除去を可能にする。
【００１３】
本発明においては、適切ないかなる三相系を用いてもよい。例えば、最高温度域に固定触媒床を有するストリッパーを用いて、本明細書に記載される硫黄除去を達成してもよい。更に、温度が反応器内に含まれる炭化水素混合物の露点未満に保持され、その結果炭化水素原料の相当の部分が液相で保持されるような固定床反応器、例えば図３に示されるものを用いてもよい。また、当業者に知られた他の系を用いてもよい。好ましくは、このような系において、温度は露点より少なくとも約５℃、好ましくは少なくとも約１０℃低く保持される。更に、温度は約２００℃超、好ましくは約２５０℃超に保持される。相当の部分とは、少なくとも約２０％を意味する。本発明をこのように運転する際には、図３に示されるように、硫化水素を除去するための更なるストリッピング工程を用いてもよい。
【００１４】
本発明により、反応させる炭化水素ストリームのオクタンについて、有意な変化なく硫黄除去が達成される。ここで「有意な変化なく」とは、オクタン価数の変化が約０．５以下であることを意味する。
【００１５】
固定触媒床に利用可能な触媒は、水素がストリッピングガスである場合には、非還元性の金属酸化物または混合金属酸化物である。非還元性金属酸化物は、水素気流中４００℃未満の温度において、ゼロ価金属および水に還元されない金属酸化物と定義される。そのような酸化物の例には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯおよびこれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。本方法において、ストリッピングガスとして水素が用いられる場合には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３は好ましい触媒物質である。好ましくは、触媒は硫化触媒である。
【００１６】
用いられるストリッピングガスが不活性ガスまたは水素である場合には、触媒は担持第ＶＩＩＩＢ族金属助触第ＶＩＢ族触媒であり、不活性ガスは非水素添加性不活性ガスである。触媒の例には、当該技術において公知の、コバルト助触硫化モリブデンおよびニッケル助触硫化モリブデンの担持触媒およびバルク触媒、特に担持コバルト助触硫化モリブデンが含まれる。非水素添加性不活性ガスの例には、窒素、ヘリウム、アルゴン、メタン、天然ガス、加熱時に蒸発する液体中の軽質炭化水素（ライトエンド）およびこれらの混合物が含まれる。ライトエンドは、反応器の温度未満の沸点を有する炭化水素として定義される。
【００１７】
ＣｏＭｏＳなどの水素添加触媒と共に、水素がストリッピングガスとして用いられる場合には、ストリッピング用水素の量を最小にすることが好ましい。これは、水素処理の速度を最小にすることによって達成することができる。水素処理速度は２５〜１０００ＳＣＦ／Ｂ（４．５〜１８０ｍ^３／ｍ^３）、より好ましくは２５〜５００ＳＣＦ／Ｂ（４．５〜９０ｍ^３／ｍ^３）、最も好ましくは２５〜２５０ＳＣＦ／Ｂ（４．５〜４５ｍ^３／ｍ^３）とすべきである。用いられる水素を、水素含有ガスストリーム（例えば、パワーフォーマーのオフガスからの水素含有ガスストリーム）の一部として供給することにより、完全に統合された精製プロセスとすることができる。特に、水素ストリッピングガスに含まれるＨ_２Ｓは、１／２モル％以下とすべきである。第ＶＩＩＩＢ族助触第ＶＩＢ族触媒と共に用いられる水素の量を制御して、有意のオクタンロスを防止しなければならないことは、当業者には容易に理解される。しかし、水素ストリームを用いることによって、メルカプタン硫黄およびチオフェン硫黄の両者を、反応させる炭化水素原料ストリームから除去することができる。
【００１８】
そこで、メルカプタン硫黄含有原料ストリームが水素化脱硫された（ＳＣＡＮファイニングされた）原料ストリームである本発明の一実施形態の例を、図２に示す。接触分解ナフサやスチーム分解ナフサなどのオレフィン性ナフサ（ストリーム１）を水素（ストリーム２）と混合し、選択的ナフサ水素精製反応器（反応器１２）において反応させる。オレフィン性ナフサ原料中の有機硫黄化合物は、主としてチオフェン類である。選択的ナフサからの気体状生成物（ストリーム３）が含む、チオフェン硫黄および硫化水素のレベルは有意に低いが、オレフィンおよびメルカプタン硫黄は依然として相当量含まれる。ストリーム３中のメルカプタンは、生成硫化水素の原料オレフィンとの反応によって生成する。次いでストリーム３を熱交換器１３で冷却し、Ｃ_５＋留分を分離ドラム１４で液化する。未反応水素および大部分の生成硫化水素を含むオーバーヘッドサワーガスストリーム（ストリーム５）をスクラバー槽１５に送り、そこで硫化水素を除去してスイート水素ストリーム（ストリーム６）を製造する。ストリーム６は、反応器１２の運転圧まで圧縮機１６で圧縮して、反応器１２で水素処理反応に用いる。分離ドラム１４からの液体生成物（ストリーム７）には、オレフィン、パラフィン、芳香族および溶存硫化水素に加えて、より低いレベルの有機硫黄が、チオフェンおよびメルカプタンの両方として含まれる。典型的なプロセスにおいては、このストリームは減圧装置（図１の１７）によって減圧され、ストリッパー（１８）に送られるが、図２のプロセスに示されるプロセスの実施形態においては、減圧工程は省略されている。ストリッパー１８においては、ストリーム７を固定触媒床において不活性ガスと接触させ、硫化水素を生成させて、ストリーム１０において、不活性ガスと共に流出させる。ストリッパー反応器は、触媒で被覆された充填物で満たされていてもよいが、触媒をバブルトレイ上に充填して、ストリッパーの反応域における滞留時間を最大にすることが好ましい。
【００１９】
本発明の他の実施形態は、図３の反応器１９として示される三相固定床反応器を用いることである。このプロセスにおいては、液化脱硫ナフサ（ストリーム７）は、触媒を含む固定床反応器において、水素または非水素添加性ストリッピングガスと反応する。この反応器の温度は、原料混合物の露点未満の温度に保持される。この反応器の生成物（ストリーム２０）は減圧され（減圧装置１７）、続いてストリッパー１８において溶解硫化水素が除去される。或いは、ストリッパーの代わりに、例えばフラッシュドラムを用いてもよい。
【００２０】
本発明の三相反応器系（上記の例においてはストリッパー）は、触媒床が配置される槽の底部の温度が、原料中の最重質成分の、槽の圧力における沸点によって定められるように、少なくとも約１１５ｐｓｉ（７９１ｋＰａ）、より好ましくは１５０ｐｓｉ（１０３４ｋＰａ）超、最も好ましくは２００ｐｓｉ超の圧力で運転される。圧力が高いほど、触媒域の温度は高い。触媒域の温度は２００℃超が好ましく、より好ましくは２２５℃超、最も好ましくは２５０℃超である。好ましくは、温度は４００℃を超えない。添加するストリッピングガスの量は、反応器の露点が、所望の運転温度におけるそれより低い温度となる量を超えるべきでない。ガス流量は、典型的には２５〜７５０ＳＣＦ／Ｂ（４．５〜１３９ｍ^３／ｍ^３）、より好ましくは２５〜５００ＳＣＦ／Ｂ（４．５〜９０ｍ^３／ｍ^３）である。選択される条件は、メルカプタン分解の動力学および熱力学に見合うものである。
【００２１】
好ましい実施形態においては、三相反応器系は並流型または向流型で運転される。向流型が好ましい。向流モードにおいては、液体とガスが互いに反対方向に移動する。典型的には、液体は槽の頂部または中間部に注入され、下方に流れて槽の底部を出る。ガスは反応器の底部に注入され、液相中を通って上方に移動し、それにより溶解されたガス状成分をストリッピングし、槽の頂部を通って出る。
【００２２】
本発明により、予め水素化脱硫された炭化水素ストリームからのメルカプタンの選択的除去または転化が容易に達成されるので、ＨＤＳ装置を運転してより高度な全硫黄レベルを達成し、それによって原料オレフィンおよびオクタンを保持し、次いで本発明のメルカプタンを除去する方法を行うことが可能であり、これにより高品質の生成物を製造するための統合プロセスが提供される。従って、ＨＤＳ工程を本明細書に開示される方法と結びつける場合には、より低過酷度のＨＤＳ条件を用いることができる。これは、ＨＤＳプロセスからのメルカプタンは、本方法において容易に低減または除去することができるからである。
【００２３】
例えば、中間キャットナフサを全硫黄６０ｗｐｐｍ（このうち約４５ｗｐｐｍの硫黄はメルカプタン硫黄）にまで水素処理することができる。この第一の生成物は、将来の３０ｗｐｐｍの硫黄規格を満足しない。次いでこの生成物を、メルカプタン硫黄含有原料ストリームとして、本明細書に開示される硫黄の除去方法によって、固定触媒床を有する三相反応器において処理する。ここで、硫黄レベルは環境規格を満たす全硫黄約２０ｗｐｐｍまで低減される。中間キャットナフサを直接２０ｗｐｐｍ（硫黄）にまで水素処理しないことにより、オレフィン飽和が２０ｗｐｐｍに直接水素処理して得られるものより少なくなる。従って、相当のオクタンが保持され、経済的で、規制において許容される生成物が提供される。
【００２４】
硫黄含有原料ストリームを、本明細書に開示される固定触媒床を有する三相反応器に送る前に水素化脱硫することが望ましい場合には、当業界で公知のいかなる水素化脱硫プロセスを用いてもよい。
【００２５】
好ましくは、三相反応器への原料ストリームは、非メルカプタン硫黄が３０ｐｐｍ未満であり、より好ましくは、原料ストリームは、３０ｐｐｍ未満の非メルカプタン硫黄および３０ｐｐｍ超のメルカプタン硫黄を有する。本明細書に開示される三相反応器プロセスの前に、かかる原料ストリームを製造可能な何らかの水素化脱硫工程を行い、得られた生成物を三相反応器に送ることができる。
【００２６】
本明細書の処理の前に、メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームを水素化脱硫して、メルカプタンを増量し、オレフィンを保持することが望まれる場合には、当業界で公知のいかなる技術を用いてもよい。例えば、水素化炭化水素ストリームを水素化脱硫して、相当量のメルカプタン硫黄と共に、非メルカプタン硫黄をモーガス規格より低いレベルで含む硫黄含有炭化水素ストリームを製造してもよい。一般にこれらの処理条件は、温度４７５〜６００゜Ｆ（２４６〜３１６℃）、全圧１５０〜５００ｐｓｉｇ（１１３６〜３５４８ｋＰａ）、水素分圧１００〜３００ｐｓｉｇ（７９１〜２１７０ｋＰａ）、水素処理ガス比１０００〜２５００ＳＣＦ／Ｂ、および１〜１０ＬＨＳＶの範囲内である。
【００２７】
事前のＨＤＳが望まれる場合に用いられる好ましい水素処理工程はＳＣＡＮファイニングである。しかし、他の選択的キャットナフサ水素化脱硫プロセス、例えばＭｉｔｓｕｂｉｓｈｉ（米国特許第５，８５３，５７０号、同第５，９０６，７３０号を参照されたい）により教示されるものなども、本明細書において同様に用いることができる。ＳＣＡＮファイニングは、Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｐｅｔｒｏｌｅｕｍ Ｒｅｆｉｎｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎの文献番号ＡＭ−９９−３１において「Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｃａｔ Ｎａｐｈｔｈａ Ｈｙｄｒｏｆｉｎｉｎｇ ｗｉｔｈ Ｍｉｎｉｍａｌ Ｏｃｔａｎｅ Ｌｏｓｓ」と題して、また米国特許第５，９８５，１３６号および同第６，０１３，５９８号（本明細書に引用して含まれる）に開示されている。キャットナフサの選択的ＨＤＳはまた、米国特許第４，２４３，５１９号および同第４，１３１，５３７号にも開示されている。
【００２８】
典型的なＳＣＡＮファイニングの条件には、ナフサ原料を水素化脱硫するための一段および二段プロセスが含まれる。これは、第一の反応段において、前記原料材を、約１〜１０重量％のＭｏＯ_３および約０．１〜５重量％のＣｏＯからなり；原子比（Ｃｏ／Ｍｏ）が約０．１〜１．０であり；中間細孔径が約６０〜２００Åであり；ＭｏＯ_３表面濃度が約０．５×１０^−４〜３×１０^−４ｇＭｏＯ_３／ｍ^２であり；且つ約２．０ｍｍ未満の平均粒子サイズ直径を有する触媒と、水素化脱硫条件下で接触させて反応させる工程；および任意に、第一段の反応生成物を、これも水素化脱硫条件下で運転される第二段に送り、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも一種の第ＶＩＩＩ族金属、並びにＭｏおよびＷからなる群から選択される少なくとも一種の第ＶＩ族金属（より好ましくはＭｏ）が、アルミナなどの無機酸化物担体物質上に担持されてなる触媒と接触させる工程を含む。
【００２９】
ＳＣＡＮファイニング反応器は、全有機硫黄（Ｘ−線吸着によって測定される）とメルカプタン硫黄（ＡＳＴＭ３２２７電位差試験によって測定される）の差が所望の（目標とする）規格以下（典型的には、非メルカプタン硫黄が３０ｐｐｍ）となるのに十分な条件で運転することができる。次いでこのストリームを本明細書に記載される三相系に送り、メルカプタンを除去する。
【００３０】
本明細書に記載される三相系の方法は、特に≧Ｃ_５＋メルカプタン硫黄を除去することが可能である。
【００３１】
本方法からの生成物は、≦３０ｐｐｍの範囲という硫黄規格を満たすモーターガソリン調製のための混合に適する。
【００３２】
次の実施例（これらは例証であり、これらに限定されるものではない）は、選択的水素精製プロセスの運転を行い、全硫黄およびメルカプタン硫黄を種々のレベルにした具体的な例を示すことによって、本発明の潜在的な利点を説明するものである。これらのケースを参照すると、これらの選択的水素化を、続くメルカプタン除去技術と結合することにより、オレフィンおよびオクタンのロスが低減された、低硫黄の生成物を製造する能力が向上されることが明らかである。
【００３３】
次の実施例は例証であり、これらに限定されることを意味するものではない。
【００３４】
実施例１
流動触媒試験を行って、接触ストリッピング反応器の触媒物質およびストリッピングガスを試験した。市販γ−Ａｌ_２Ｏ_３、または市販コバルト助触硫化モリブデン水素化触媒（ＣｏＭｏＳ）のいずれかを固定床反応器に５ｃｃ充填した。コバルト助触モリブデン触媒は、硫化水素を用いて予備硫化した。これらの二つの触媒により、先に水素化した中間キャットナフサ原料を、温度２６０℃、圧力２３５ｐｓｉａ（１６２０ｋＰａ）、ＬＨＳＶ２．０および水素または窒素のいずれかを６７５ＳＣＦ／Ｂ（１２２ｍ^３／ｍ^３）の条件下で反応させた。かかる条件は、高圧ストリッピング反応器の底部におけると類似のものとなるように選択された。水素化中間キャットナフサは、全硫黄６０ｗｐｐｍ、メルカプタン硫黄含有量４３ｗｐｐｍおよび臭素価２０を有した。次の表からわかるように、ストリッピングガスとしての水素と共にアルミナを用いると、オレフィンの飽和なしに、メルカプタン硫黄転化率５６％が得られる。ストリッピングガスとして窒素を用いると、アルミナは急速に不活性化され、転化は殆ど認められない。水素と共にＣｏＭｏＳ触媒を用いると、殆ど全ての硫黄（若干の非メルカプタン硫黄を含む）が除去されるが、望ましくないオレフィンの飽和が認められる。ストリッピングガスとして窒素を用いると、ＣｏＭｏＳによりメルカプタン硫黄の約９５％が除去され、望ましくないオレフィン飽和は全く認められない。ストリッピングガスとして窒素を用いるとき、ＣｏＭｏＳは見かけ上不活性化を全く示さない。
【００３５】
【表１】

【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、典型的なＳＣＡＮファイニングプロセスを示す。
【図２】
図２は、本発明の実行可能な一実施形態を示す。便宜的に、典型的なＳＣＡＮファイニングプロセスの流れ図が含まれているが、本発明においては、処理されるストリームが予め水素化脱硫されていさえすればよい。従って図には、ストリッピングガス（８）及び硫化水素と共に固定触媒床を有する三相反応器（１８）に入る、メルカプタン硫黄を含む予め水素化脱硫された（ＳＣＡＮファイニングされた）原料ストリーム（７）、（１０）から出るガス及び（９）から出る脱硫生成物が示されている。
【図３】
図３もまた、本発明の実行可能な一実施形態を示すもので、ＳＣＡＮファイニング工程を、単に便宜的に含んでいる。予め水素化脱硫された原料ストリーム（７）とストリッピングガス（２１）が三相反応器（１９）に入る。次いで、反応器（１９）からの生成物が、脱圧工程（１７）に付された後ストリッパー（１８）に入り、そこでガス（１０）と生成物（９）が回収される。この図式においては、もっと小さな三相反応器を用い、また所望により、後続の工程で、硫化水素を更にストリッピングすることが可能である。かかる流れ図は、本発明を並流反応器で行う場合に有利である。

Claims (14)

1. メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームにおける硫黄レベルの低減方法であって、
   メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームを、ストリッピングガスの存在下、前記メルカプタンの少なくとも一部を分解するのに十分な時間、温度および圧力条件で、ガス／液体／固体三相系よりなる固定触媒床を通過させ、オレフィン、オフガスとしてのＨ_２Ｓ、およびメルカプタン硫黄レベルが低減された炭化水素生成物ストリームを製造し、メルカプタン硫黄の量が低減された前記炭化水素生成物ストリームを、前記Ｈ_２Ｓおよび前記ストリッピングガスから分離する工程を含み、
   前記ストリッピングガスは水素であり、
   前記固定触媒床は（ａ）非還元性金属酸化物または（ｂ）第ＶＩＩＩＢ族金属助触第ＶＩＢ族触媒を含み、
   前記ストリッピングガスが不活性ガスまたは水素である場合には、前記固定触媒床は、第ＶＩＩＩＢ族金属助触第ＶＩＢ族触媒を含む
   ことを特徴とする硫黄レベルの低減方法。
2. 前記不活性ガスは、ヘリウム、窒素、アルゴン、メタン、天然ガス、ライトエンドおよびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
3. 前記非還元性金属酸化物触媒は、アルミナ、シリカ−アルミナ、酸化マグネシウムおよびこれらの混合物からなる群から選択され、前記第ＶＩＩＩＢ族助触第ＶＩＢ族触媒は、コバルト助触モリブデン触媒およびニッケル助触モリブデン触媒からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
4. 前記ストリッピングガスは、前記ストリッピングガスが水素を含むガスであり且つ前記触媒が第ＶＩＩＩＢ族助触第ＶＩＢ族触媒である場合、１／２モル％以下の硫化水素および５０モル％以下の水素を含むことを特徴とする請求項２に記載の硫黄レベルの低減方法。
5. 前記メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームは、水素化脱硫された原料ストリームであることを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
6. 前記メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームを製造する水素化脱硫工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
7. 前記水素化脱硫工程は、ＳＣＡＮファイニングであることを特徴とする請求項６に記載の硫黄レベルの低減方法。
8. 前記メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームは、Ｃ_５ ^＋メルカプタン含有原料ストリームであることを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
9. 前記三相系は、向流系であることを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
10. 前記三相系は、並流系であることを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
11. 前記触媒は、硫化触媒であることを特徴とする請求項３に記載の硫黄レベルの低減方法。
12. 前記メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームは、３０ｐｐｍ未満の非メルカプタン硫黄を含むことを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
13. 前記メルカプタン硫黄含有炭化水素原料ストリームは、３０ｐｐｍ未満の非メルカプタン硫黄、および３０ｐｐｍ超のメルカプタン硫黄を含むことを特徴とする請求項１に記載の硫黄レベルの低減方法。
14. 前記メルカプタン硫黄含有原料ストリームは、水素化脱硫プロセスから製造されることを特徴とする請求項１３に記載の硫黄レベルの低減方法。

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