JP2005354107A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ｎ型窒化物半導体からなり、かつ凹凸加工がされていない基板と、
   前記基板の上に形成され、マグネシウム（Mg）を含む窒化物半導体からなる半導体層と、
   前記半導体層の上に形成され、ｎ型窒化物半導体からなる第１のクラッド層と、
   前記第１のクラッド層の上に形成された活性層と、
   前記活性層の上に形成され、ｐ型窒化物半導体からなる第２のクラッド層と、を備える窒化物半導体レーザ素子。
2. 前記半導体層の厚さが5nm以上200nm以下である、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
3. 前記半導体層が窒化ガリウム（GaN）からなる、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
4. 前記基板がGaNからなる、請求項３に記載の窒化物半導体レーザ素子。
5. 前記基板の下に形成された第１の電極と、
   第２のクラッド層の上に形成された第２の電極と、を備える請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
6. 前記半導体層が前記基板の上面に接するように形成されている、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
7. 前記半導体層がさらにシリコン（Si）を含む窒化物半導体からなる、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
8. 前記半導体層がさらに炭素（C）を含む窒化物半導体からなる、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
9. 前記半導体層がさらにSi及びCを含む窒化物半導体からなる、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
10. 前記半導体層がGaNからなる、請求項７乃至９いずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
11. 前記基板がGaNからなる、請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ素子。
12. 前記半導体層が複数形成されている、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。