JP2005353743A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板10と、半導体基板10に形成されたメモリ素子12と、メモリ素子12の上方に形成された層間絶縁層26と、層間絶縁層26の上方に、メモリ素子12とオーバーラップして形成された遮光層28と、遮光層28よりも下方に形成された反射防止層32と、を含む。反射防止層32の外縁は、遮光層28の外縁よりも外側に位置している。
【選択図】 図2
Description
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたメモリ素子と、
前記メモリ素子の上方に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に、前記メモリ素子とオーバーラップして形成された遮光層と、
前記遮光層よりも下方に形成された反射防止層と、
を含み、
前記反射防止層の外縁は、前記遮光層の外縁よりも外側に位置している。
前記反射防止層は、前記遮光層とオーバーラップして形成されていてもよい。
前記反射防止層は、前記メモリ素子の周辺領域に形成されていてもよい。
前記反射防止層は、前記メモリ素子を囲むリング形状をなし、
前記反射防止層の外側の外縁の全周は、前記遮光層の外縁よりも外側に位置し、
前記反射防止層の内側の外縁の全周は、前記遮光層の外縁よりも内側に位置していてもよい。
前記半導体基板に形成された素子分離領域をさらに含み、
前記反射防止層は、前記素子分離領域の表面に形成されていてもよい。
前記メモリ素子は、フローティングゲートを含んでいてもよい。
28…遮光層 32…反射防止層 100…半導体装置
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたメモリ素子と、
前記メモリ素子の上方に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に、前記メモリ素子とオーバーラップして形成された遮光層と、
前記遮光層よりも下方に形成された反射防止層と、
を含み、
前記反射防止層の外縁は、前記遮光層の外縁よりも外側に位置している、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記反射防止層は、前記遮光層とオーバーラップして形成されている、半導体装置。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置において、
前記反射防止層は、前記メモリ素子の周辺領域に形成されている、半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記反射防止層は、前記メモリ素子を囲むリング形状をなし、
前記反射防止層の外側の外縁の全周は、前記遮光層の外縁よりも外側に位置し、
前記反射防止層の内側の外縁の全周は、前記遮光層の外縁よりも内側に位置している、半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板に形成された素子分離領域をさらに含み、
前記反射防止層は、前記素子分離領域の表面に形成されている、半導体装置。 - 請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記メモリ素子は、フローティングゲートを有する、半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPS6414969A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Nec Corp | Light-shielding type uprom |
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