JP2005340678A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置および回路基板に、半導体装置を回路基板に実装する時などの温度サイクルが加わった場合においても、半導体装置と回路基板との接続性を良好に保つことができる接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面および裏面に配線導体を有するインターポーザー基板4と、インターポーザー基板4の表面に電気的に接続された状態で実装される半導体素子6とを有し、半導体素子6が実装されたインターポーザー基板4が、表面に配線導体を有する回路基板28に実装されることで、インターポーザー基板4の裏面の配線導体と回路基板28とが電気的に接続される半導体装置30であって、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が、半導体素子6の熱膨張係数C6の値と回路基板28の熱膨張係数C28の値との間の大きさである。
【選択図】 図1
【解決手段】 表面および裏面に配線導体を有するインターポーザー基板4と、インターポーザー基板4の表面に電気的に接続された状態で実装される半導体素子6とを有し、半導体素子6が実装されたインターポーザー基板4が、表面に配線導体を有する回路基板28に実装されることで、インターポーザー基板4の裏面の配線導体と回路基板28とが電気的に接続される半導体装置30であって、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が、半導体素子6の熱膨張係数C6の値と回路基板28の熱膨張係数C28の値との間の大きさである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に関する。
近年では、電子機器の小型化に伴う半導体装置の小型化が加速し、接続端子数が増加する一方で、配線ピッチの微細化を満足させるため、従来の、周辺への配線引き出し型のパッケージから、半導体装置の裏面全体へ、円形電極ランドを面状に配置するエリアアレイ型のパッケージが増加している。
以下、従来の半導体装置の例を、図5を参照しながら説明する。
図5(a)に示す半導体装置1は、ワイヤーボンディング(以下、WBと記す)法により形成されており、表面および裏面に配線導体を有する、すなわち、下面に複数のはんだボール2が面状に配置され、かつ、上面に複数の配線ランド部3を有する、配線基板としての多層配線されたインターポーザー基板4と、上面に微細なピッチにて形成された電極端子パッド(図示は省略)を有し、インターポーザー基板4上に、この電極端子パッドが上面側になるように接着層5を介して実装されている半導体素子6と、インターポーザー基板4におけるそれぞれの配線ランド部3と半導体素子6におけるそれぞれの電極パッドとを電気的に接続する複数の金細線7と、半導体素子6、複数の配線ランド部3および複数の金細線7などを封止するモールド封止樹脂8とを有している。このモールド封止樹脂8は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、半導体素子6等を覆い固化することで、これらの半導体素子6等を保護している。なお、インターポーザー基板4と半導体素子6とを接着層5を介して接続することを以下では、D/B法と記す。
図5(a)に示す半導体装置1は、ワイヤーボンディング(以下、WBと記す)法により形成されており、表面および裏面に配線導体を有する、すなわち、下面に複数のはんだボール2が面状に配置され、かつ、上面に複数の配線ランド部3を有する、配線基板としての多層配線されたインターポーザー基板4と、上面に微細なピッチにて形成された電極端子パッド(図示は省略)を有し、インターポーザー基板4上に、この電極端子パッドが上面側になるように接着層5を介して実装されている半導体素子6と、インターポーザー基板4におけるそれぞれの配線ランド部3と半導体素子6におけるそれぞれの電極パッドとを電気的に接続する複数の金細線7と、半導体素子6、複数の配線ランド部3および複数の金細線7などを封止するモールド封止樹脂8とを有している。このモールド封止樹脂8は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂であり、半導体素子6等を覆い固化することで、これらの半導体素子6等を保護している。なお、インターポーザー基板4と半導体素子6とを接着層5を介して接続することを以下では、D/B法と記す。
また、図5(b)に示す半導体装置10は、フリップチップ(以下、FCと記す)法により形成されており、半導体素子6に対応する箇所に複数の配線ランド部3を有するインターポーザー基板4と、それぞれの配線ランド部3に形成された複数のバンプ11と、表面に形成されている電極端子パッドを下に向けた状態で、配線ランド部3およびバンプ11を介してインターポーザー基板4と電気的に接続した状態で実装されている半導体素子6と、インターポーザー基板4と半導体素子6との隙間に充填されてこのインターポーザー基板4と半導体素子6とを固定するアンダーフィル樹脂12と、半導体素子6およびアンダーフィル樹脂12とを封止する封止樹脂層としてのモールド封止樹脂8とを有している。
また、上述した半導体装置1、10とは異なる構成として、近年では、同一のパッケージ内に、複数の半導体素子を搭載している半導体装置がある。その代表的な構成の一つを図5(c)に示す。なお、図5(a)および図5(b)にて説明したものと同様のものには同じ符号を付すことでその詳細な説明を省略する。
図5(c)に示す半導体装置20は、インターポーザー基板4上に、FC法にて第1の半導体素子21が実装され、この第1の半導体素子21上に、D/B法にて第2の半導体素子22が搭載され、さらに第2の半導体素子22の上に、D/B法にて第3の半導体素子23が搭載され、インターポーザー基板4に設けられている第2の配線ランド部24と第2の半導体素子22における電極端子パッドとが第1の金細線25により電気的に接続され、かつ、同じくインターポーザー基板4に設けられている第3の配線ランド部26と第3の半導体素子23における電極端子パッドとが第2の金細線27により電気的に接続された構成とされている。
図5(a)〜図5(c)に示したような半導体装置は、製造後に、電子機器の回路基板に自動はんだ付けにより接合されて使用されるが、熱サイクルを加える信頼性試験や実使用環境で加わる温度サイクル等の影響により、各部材の温度変化に対する長さ等の変化の割合である熱膨張係数の差から生じる熱膨張量の違いおよび熱ストレスなどで、半導体装置の破壊を招いてしまうおそれがある。また、1度に破壊に至らずとも、上下する温度負荷を繰り返し受けることで、半導体装置の特性が劣化するおそれがある。
このような問題に対して、いくつかの対策がなされている。そのうちの一つとして、例えば、破壊し易いはんだ接合部位が半導体装置の中心から遠いパッケージのコーナーである、すなわち、図5(a)〜図5(c)に示すような、コーナーはんだボール2aであることから、このコーナーはんだボール2aのランドを補強ランドとして大きくすることが広く行われてきた。さらに、上記のような熱膨張に起因する問題の対策として、例えば、特許文献1によれば、インターポーザー基板として低熱膨張基板を選択し、その表面に緩衝層を形成することで、各部材の変形および熱ストレスを緩和することが提案されている。
特開平2−278788号公報
上述したような問題点を、図6〜図8を参照しながら具体的に説明する。図6には、モールド封止樹脂8により樹脂封止がされていない半導体装置が、回路基板28にはんだ付けされている場合を示し、図7には、モールド封止樹脂8により樹脂封止がされている半導体装置が、回路基板28にはんだ付けされている場合を示している。また、図8は、後述するそれぞれの状況下におけるコーナーはんだボール2aの状態を示している。
図6(a)に示すような半導体装置の構成において、熱が加えられる前の状態における半導体装置のコーナーはんだボール2aは、図8(a)に示すように、インターポーザー基板4および回路基板28のそれぞれから外力を受けていないので、変形が生じていない。
しかし、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が回路基板28の熱膨張係数C28よりも大きい場合に、半導体装置および回路基板28の温度が工程処理温度の影響などにより上昇し、インターポーザー基板4と回路基板28とが熱膨張したときには、各はんだボール2に作用する応力は、図6(b)に示すように、半導体装置の中心29から離れるにつれて大きくなることから、コーナーはんだボール2aに着目すると、図8(b)に示すように、コーナーはんだボール2aには、インターポーザー基板4の熱膨張量と回路基板28の熱膨張量との差によって大きなせん断力F1が作用してしまう。
特に、図6(c)に示すように、例えば、半導体素子6(シリコン)の熱膨張係数C6が3〔ppm/℃〕、回路基板28(ガラスエポキシ基板)の熱膨張係数C28が16〔ppm/℃〕であって、インターポーザー基板4がビルドアップ基板など、その熱膨張係数C4が回路基板28の熱膨張係数C28よりも高い値、例えば、20〔ppm/℃〕である場合においては、インターポーザー基板4および半導体素子6の熱膨張係数C4、C6の大小関係から、インターポーザー基板4の熱膨張量が半導体素子6の熱膨張量よりも大きくなるので、インターポーザー基板4は、半導体素子6の影響を受けて、図6(a)に示すように、下に凸になるように熱膨張しようとする。さらにこのとき、回路基板28の熱膨張量がインターポーザー基板4の熱膨張量よりも小さいことから、回路基板28は、インターポーザー基板4の影響を受けて、上に凸になるように熱膨張しようとする。
その結果、図8(c)に示すように、インターポーザー基板4は下に凸になるように熱膨張し、回路基板28は上に凸になるように熱膨張するので、コーナーはんだボール2aには、上述したようなせん断力F1に加え、このコーナーはんだボール2aをへき開するような、上下方向の強いへき開力F2が作用する。その結果、特に、コーナーはんだボール2aにおける接合状態の信頼性が低下するおそれがある。
また、図7(a)に示すような構成の半導体装置において、図7(b)に示すように、例えば、半導体素子6の熱膨張係数C6が3〔ppm/℃〕、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8が15〔ppm/℃〕、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が9〔ppm/℃〕、回路基板28の熱膨張係数C28が16〔ppm/℃〕で、半導体装置および回路基板28の温度が上昇した場合、図7(a)に示すように、半導体素子6の熱膨張係数C6とインターポーザー基板4の熱膨張係数C4との大小関係から、インターポーザー基板4の熱膨張量は半導体素子6の熱膨張量よりも大きくなる。これにより、インターポーザー基板4に半導体素子6が実装されている箇所において、インターポーザー基板4は半導体素子6の影響を受けて下に凸になるように熱膨張しようとする。また、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4とモールド封止樹脂8の熱膨張係数C8との大小関係から、モールド封止樹脂8の熱膨張量はインターポーザー基板4の熱膨張量よりも大きくなる。これにより、インターポーザー基板4にモールド封止樹脂8が接続されている箇所において、インターポーザー基板4はモールド封止樹脂8の影響を受けて上に凸になるように熱膨張しようとする。さらに、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4と回路基板28の熱膨張係数C28との大小関係から、回路基板28の熱膨張量はインターポーザー基板4の熱膨張量よりも大きくなる。これにより、回路基板28にインターポーザー基板4が実装されている箇所において、回路基板28はインターポーザー基板4の影響を受けて下に凸になるように熱膨張しようとする。
以上のことから、図7(c)に示すように、コーナーはんだボール2aに対応するインターポーザー基板4の部分は、上に凸になるように熱膨張し、同じくコーナーはんだボール2aに対応する回路基板28の部分は、下に凸になるように熱膨張する。このとき、インターポーザー基板4と回路基板28との変形の方向が逆になるので、その結果、コーナーはんだボール2aは、変形したインターポーザー基板4と回路基板28とに挟まれる。これにより、コーナーはんだボール2aがつぶれるように変形してしまう。
このような問題が生じる中、近年の動向では、はんだを接続する接続部の接続ピッチが1.00mm、0.8mmから0.5mm以下へと徐々に狭くなりつつある。このことにより、はんだを接続するランドの面積は必然的に小さくなり、はんだボールに作用する応力はさらに大きくなってしまう。
また、近年の環境問題への配慮から、はんだ接合は、鉛フリーはんだを用いた接続へと移行している。鉛フリーはんだは、従来のSnPbはんだより融点が15℃〜30℃程度高いため、はんだ付け工程温度が高くなる。
したがって、はんだ付け工程温度から常温へ戻したときに、半導体装置および回路基板の各部材における熱膨張の影響により、はんだボールにかかるストレスはさらに大きくなり、結果、信頼性が低下するおそれがある。
そこで本発明はこのような問題を解決するもので、半導体装置および回路基板に、半導体装置を回路基板に実装する時などの温度サイクルが加わった場合においても、半導体装置と回路基板との接続性を良好に保つことができる接続信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明は、表面および裏面に配線導体を有する配線基板と、前記配線基板の表面に電気的に接続された状態で実装される半導体素子とを有し、前記半導体素子が実装された前記配線基板が、表面に配線導体を有する回路基板に実装されることで、前記配線基板の裏面の配線導体と前記回路基板とが電気的に接続される半導体装置であって、前記配線基板の熱膨張係数が、前記半導体素子の熱膨張係数の値と前記回路基板の熱膨張係数の値との間の大きさであるものである。
このような構成によれば、工程処理中などに半導体装置および回路基板の温度が上昇した場合に、半導体素子の熱膨張係数、配線基板の熱膨張係数および回路基板の熱膨張係数の大小関係から、半導体素子、配線基板および回路基板同じ方向に湾曲するようにして熱膨張する。このように、半導体素子、配線基板および回路基板を同じ方向に向けて熱膨張させることで、配線基板の熱膨張量と回路基板の熱膨張量との差は、外周側の長さと内周側の長さとの差として吸収される。これにより、配線基板の下面と回路基板との間にせん断力が作用しないようにすることができる。また、配線基板の下面と回路基板との間を広げようとするへき開力も、配線基板と回路基板とを同方向に湾曲させることから、例えば、従来のように、配線基板と回路基板とが逆方向に湾曲する場合に比べて極めて小さくすることができる。
以上のように本発明によれば、半導体装置および回路基板に、半導体装置を回路基板に実装する時などの温度サイクルが加わった場合においても、半導体装置と回路基板との接続性を良好に保つことができる接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体装置の実施形態の例を、図1〜図4を参照しながら説明する。なお、図5〜図8を用いて説明したものと同様のものには、同じ符号を付すことで、その詳細な説明を省略する。
(実施の形態1)
図1に示すように、本発明の実施の形態1の半導体装置30は、図6(a)に示したような、封止樹脂層としてのモールド封止樹脂8により樹脂封止がされていない半導体装置と同様の構成であるが、半導体素子6の熱膨張係数C6、配線基板としてのインターポーザー基板4の熱膨張係数C4および回路基板28の熱膨張係数C28の大小関係が、図6(a)に示した半導体装置および回路基板とは異なる。
(実施の形態1)
図1に示すように、本発明の実施の形態1の半導体装置30は、図6(a)に示したような、封止樹脂層としてのモールド封止樹脂8により樹脂封止がされていない半導体装置と同様の構成であるが、半導体素子6の熱膨張係数C6、配線基板としてのインターポーザー基板4の熱膨張係数C4および回路基板28の熱膨張係数C28の大小関係が、図6(a)に示した半導体装置および回路基板とは異なる。
すなわち、本実施の形態1における半導体装置30を構成する半導体素子6およびインターポーザー基板4と、回路基板28とにおけるそれぞれの熱膨張係数の関係は、例えば、図1(b)に示すように、半導体素子6の熱膨張係数C6よりもインターポーザー基板4の熱膨張係数C4のほうが大きくなるように、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4よりも回路基板28の熱膨張係数C28のほうが大きくなるようにされている。
このように設定することで、半導体装置30および回路基板28の温度が、工程処理温度の影響などにより上昇した場合に、半導体素子6の熱膨張係数C6とインターポーザー基板4の熱膨張係数C4との大小関係から、インターポーザー基板4の熱膨張量が半導体素子6の熱膨張量よりも大きくなるので、図1(a)に示すように、インターポーザー基板4は、半導体素子6の影響を受けて、下に凸になるように熱膨張する。さらに、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4と回路基板28の熱膨張係数C28との大小関係から、回路基板28の熱膨張量がインターポーザー基板4の熱膨張量よりも大きくなるので、回路基板28は、インターポーザー基板4の影響を受けて、インターポーザー基板4と同様に、下に凸になるように熱膨張する。なお、図1(a)中の、ΔL6は、半導体素子6の熱膨張量、ΔL4は、インターポーザー基板4の熱膨張量、ΔL28は、回路基板28熱膨張量を表している。また、このとき、これらの各部材が同心円状に熱膨張するように、あらかじめ、各部材の長さや熱膨張係数を調整しておく。
このように、半導体素子6、インターポーザー基板4および回路基板28を同じ方向に向けて、かつ、同心円状に熱膨張させることで、湾曲しているインターポーザー基板4が、湾曲している半導体素子6に対して外側に位置することから、半導体素子6の熱膨張量とインターポーザー基板4の熱膨張量との差は、外周長さと内周長さとの差として吸収される。また、湾曲している回路基板28が、湾曲しているインターポーザー基板4に対して外側に位置することから、インターポーザー基板4の熱膨張量と回路基板28の熱膨張量との差は、外周長さと内周長さとの差として吸収される。したがって、図1(c)に示すように、コーナーはんだボール2aにせん断力が作用しないようにすることができる。また、コーナーはんだボール2aに作用するへき開力F2も、インターポーザー基板4と回路基板28とが同方向に湾曲することから、図8(c)に示した場合に比べて、極めて小さくすることができる。
これにより、コーナーはんだボール2aにかかる熱ストレスなどを極めて小さくすることができ、この熱ストレスが原因で、コーナーはんだボール2aが破壊したり、コーナーはんだボール2aの特性が劣化したりするのを防止することができ、半導体装置30と回路基板28とのはんだ付け部の接続性を良好に保ち、接続信頼性の高いエリアアレイ型の半導体装置を提供することができる。
なお、コーナーはんだボール2aに作用するへき開力F2は、インターポーザー基板4の剛性に応じているので、インターポーザー基板4は、従来セラミックのような200〔GPa〕以上もある剛性の高い材料の代わりに、アラミド繊維基板など20〔MPa〕程度の柔らかい基材が望ましい。このようにしておくことで、コーナーはんだボール2aに作用するへき開力F2をさらに小さくすることができる。また、インターポーザー基板4の厚みを薄くしてもそれに近い効果が得られる。この場合、例えば、従来は、0.6〜1.0〔mm〕であったものを0.4〔mm〕以下とするのが望ましい。
(実施の形態2)
図2(a)に示す、本発明の実施の形態2の半導体装置40は、図7(a)に示したような、モールド封止樹脂8により樹脂封止がされている半導体装置1と同様の構成であるが、半導体素子6の熱膨張係数C6、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4および回路基板28の熱膨張係数C28の大小関係が、図7(a)に示した半導体装置および回路基板28とは異なる。
(実施の形態2)
図2(a)に示す、本発明の実施の形態2の半導体装置40は、図7(a)に示したような、モールド封止樹脂8により樹脂封止がされている半導体装置1と同様の構成であるが、半導体素子6の熱膨張係数C6、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4および回路基板28の熱膨張係数C28の大小関係が、図7(a)に示した半導体装置および回路基板28とは異なる。
すなわち、本実施の形態2における半導体装置40を構成する半導体素子6、モールド封止樹脂8およびインターポーザー基板4と、回路基板28とにおけるそれぞれの熱膨張係数の大小関係は、例えば、図2(b)に示すように、半導体素子6の熱膨張係数C6よりもモールド封止樹脂8の熱膨張係数C8が大きくなるように、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8よりもインターポーザー基板4の熱膨張係数C4のほうが大きくなるように、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4よりも回路基板28の熱膨張係数C28のほうが大きくなるようにされている。特に、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が9〜20〔ppm/℃〕くらいであれば、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8は、それ以下の、例えば、3〜9〔ppm/℃〕くらいが望ましい。
以上のように、各部材の熱膨張係数を、図2(b)に示したように設定することで、半導体装置40および回路基板28の温度が、工程処理温度の影響などにより上昇した場合に、半導体素子6の熱膨張係数C6、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4との大小関係から、インターポーザー基板4の熱膨張量が半導体素子6およびモールド封止樹脂8の熱膨張量よりも大きくなるので、図2(a)に示すように、インターポーザー基板4は、半導体素子6およびモールド封止樹脂8の影響を受けて、下に凸になるように熱膨張する。さらに、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4と回路基板28の熱膨張係数C28との大小関係から、回路基板28の熱膨張量がインターポーザー基板4の熱膨張量よりも大きくなるので、回路基板28は、インターポーザー基板4の影響を受けて、インターポーザー基板4と同様に、下に凸になるように熱膨張する。なお、このとき、これらの各部材が同心円状に熱膨張するように、あらかじめ、各部材の長さや熱膨張係数を調整しておく。
このように、半導体素子6、モールド封止樹脂8、インターポーザー基板4および回路基板28を同じ方向に向けて、かつ、同心円状に熱膨張させることで、半導体素子6とインターポーザー基板4との熱膨張量の差、およびインターポーザー基板4と回路基板28の熱膨張量との差は、実施の形態1の場合と同様、各部材が湾曲して変形した時の外周長さと内周長さとの差として吸収されるため、図1(c)に示した場合と同様に、コーナーはんだボール2aにせん断力が作用しないようにすることができる。また、図示は省略するが、コーナーはんだボール2aに作用するへき開力F2も、インターポーザー基板4と回路基板28とが同方向に湾曲することから、図8(c)に示した場合に比べて、極めて小さくすることができる。
これにより、コーナーはんだボール2aにかかる熱ストレスなどを極めて小さくすることができ、この熱ストレスが原因で、コーナーはんだボール2aが破壊したり、コーナーはんだボール2aの特性が劣化したりするのを防止することができ、半導体装置40と回路基板28とのはんだ付け部の接続性を良好に保ち、接続信頼性の高いエリアアレイ型の半導体装置を提供することができる。
なお、上記のように、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が半導体素子6の熱膨張係数C6より大きい場合には、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8が、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4よりも小さくなるようにする。また、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4が半導体素子6の熱膨張係数C6より小さい場合には、モールド封止樹脂8の熱膨張係数C8が、インターポーザー基板4の熱膨張係数C4よりも大きくなるようにし、かつ、回路基板28の熱膨張係数C28をインターポーザー基板4の熱膨張係数C4よりも小さく設定する。これにより、半導体素子6、モールド封止樹脂8、インターポーザー基板4および回路基板28が同じ方向に向けて変形するようにできる。
(実施の形態3)
図3に示す、本発明の実施の形態3の半導体装置50は、図5(b)に示した半導体装置10と同様の構成であるが、本実施の形態3の半導体装置50は、インターポーザー基板4の替わりに、半導体素子6側である上面51a側から回路基板28側である下面51b側にかけて徐々に熱膨張係数が大きくなるように構成されているインターポーザー基板51を用いており、この点において、図5(b)に示した半導体装置10と異なる。
(実施の形態3)
図3に示す、本発明の実施の形態3の半導体装置50は、図5(b)に示した半導体装置10と同様の構成であるが、本実施の形態3の半導体装置50は、インターポーザー基板4の替わりに、半導体素子6側である上面51a側から回路基板28側である下面51b側にかけて徐々に熱膨張係数が大きくなるように構成されているインターポーザー基板51を用いており、この点において、図5(b)に示した半導体装置10と異なる。
本実施の形態3の場合、半導体素子6およびモールド封止樹脂8のそれぞれの熱膨張係数C6、C8よりも回路基板28の熱膨張係数C28のほうが大きいとすると、このインターポーザー基板51の上面51aの熱膨張係数C51aが半導体素子6およびモールド封止樹脂8のそれぞれの熱膨張係数C6、C8よりも大きく設定されており、かつ、下面51bの熱膨張係数C51bが回路基板28の熱膨張係数C28よりも小さくなるように設定されている。なお、図中のΔL51は、インターポーザー基板51の熱膨張量を示している。
このような構成によれば、半導体装置50および回路基板28の温度が、工程処理温度の影響などにより上昇した場合に、半導体素子6、モールド封止樹脂8、インターポーザー基板51の上面51a側、下面51b側、回路基板28のそれぞれの熱膨張係数の大小関係から、インターポーザー基板51の上面51a側の熱膨張量が半導体素子6およびモールド封止樹脂8の熱膨張量よりも大きくなるので、図3に示すように、インターポーザー基板51は、半導体素子6およびモールド封止樹脂8の影響を受けて、下に凸になるように熱膨張する。さらに、回路基板28の熱膨張量がインターポーザー基板51の下面51b側の熱膨張量よりも大きくなるので、回路基板28は、インターポーザー基板51の影響を受けて、インターポーザー基板51と同様に、下に凸になるように熱膨張する。なお、このとき、これらの各部材が同心円状に熱膨張するように、あらかじめ、各部材の長さや熱膨張係数を調整しておく。
このように、半導体素子6、モールド封止樹脂8、インターポーザー基板51および回路基板28を同じ方向に向けて、かつ、同心円状に熱膨張させることで、インターポーザー基板51と回路基板28の熱膨張量との差は、実施の形態1、2の場合と同様、各部材が湾曲して変形した時の外周長さと内周長さとの差として吸収されるため、図1(c)に示した場合と同様に、コーナーはんだボール2aにせん断力が作用しないようにすることができる。また、図示は省略するが、コーナーはんだボール2aに作用するへき開力F2も、インターポーザー基板51と回路基板28とが同方向に湾曲することから、図8(c)に示した場合に比べて、極めて小さくすることができる。
これにより、コーナーはんだボール2aにかかる熱ストレスなどを極めて小さくすることができ、この熱ストレスが原因で、コーナーはんだボール2aが破壊したり、コーナーはんだボール2aの特性が劣化したりするのを防止することができ、半導体装置50と回路基板28とのはんだ付け部の接続性を良好に保ち、接続信頼性の高いエリアアレイ型の半導体装置を提供することができる。
(実施の形態4)
図4に示す、本発明の実施の形態4の半導体装置60は、図3に示した半導体装置50と同様の構成であるが、本実施の形態4の半導体装置60は、インターポーザー基板51の替わりに、内部が多層構造、例えば、4層の非導体基板層からなるインターポーザー基板61を用いており、この点において、図3に示した半導体装置50と異なる。
(実施の形態4)
図4に示す、本発明の実施の形態4の半導体装置60は、図3に示した半導体装置50と同様の構成であるが、本実施の形態4の半導体装置60は、インターポーザー基板51の替わりに、内部が多層構造、例えば、4層の非導体基板層からなるインターポーザー基板61を用いており、この点において、図3に示した半導体装置50と異なる。
このインターポーザー基板61は、下方側から第1の基板61a、第2の基板61b、第3の基板61c、第4の基板61dが積層されて構成されており、半導体素子6およびモールド封止樹脂8のそれぞれの熱膨張係数C6、C8よりも回路基板28の熱膨張係数C28のほうが大きいとすると、このインターポーザー基板61における第1〜第4の基板のそれぞれの基板における熱膨張係数C61a、C61b、C61c、C61dの大小関係は、第1の基板61aの熱膨張係数C61aより第2の基板61bの熱膨張係数C61bのほうが小さく、第2の基板61bの熱膨張係数C61bより第3の基板61cの熱膨張係数C61cのほうが小さく、第3の基板61cの熱膨張係数C61cより第4の基板61dの熱膨張係数C61dのほうが小さくなるように、すなわち、第4の基板61dから第1の基板61にかけて、各基板の熱膨張係数が段階的に大きくなるように設定されている。そして、第4の基板61dの熱膨張係数C61dは、半導体素子6およびモールド封止樹脂8のそれぞれの熱膨張係数C6、C8よりも大きく、また、第1の基板61aの熱膨張係数C61aは、回路基板28の熱膨張係数C28よりも小さくなるように設定されている。なお、図中のΔL61は、インターポーザー基板61の熱膨張量を示している。
このような構成によれば、半導体装置60および回路基板28の温度が、工程処理温度の影響などにより上昇した場合に、半導体素子6、モールド封止樹脂8、インターポーザー基板61における各基板、回路基板28のそれぞれの熱膨張係数の大小関係から、インターポーザー基板61における第4の基板61d、第3の基板61c、第2の基板61b、第1の基板61aは、下に凸になるように熱膨張し、回路基板28も同様に、下に凸になるように熱膨張する。なお、このとき、これらの各部材が同心円状に熱膨張するように、あらかじめ、各部材の長さや熱膨張係数を調整しておく。
このように、インターポーザー基板61および回路基板28を同じ方向に向けて、かつ、同心円状に熱膨張させることで、インターポーザー基板61と回路基板28の熱膨張量との差は、実施の形態1〜3の場合と同様、各部材が湾曲して変形した時の外周長さと内周長さとの差として吸収されるため、図1(c)に示した場合と同様に、コーナーはんだボール2aにせん断力が作用しないようにすることができる。また、図示は省略するが、コーナーはんだボール2aに作用するへき開力F2も、インターポーザー基板61と回路基板28とが同方向に湾曲することから、図8(c)に示した場合に比べて、極めて小さくすることができる。
これにより、コーナーはんだボール2aにかかる熱ストレスなどを極めて小さくすることができ、この熱ストレスが原因で、コーナーはんだボール2aが破壊したり、コーナーはんだボール2aの特性が劣化したりするのを防止することができ、半導体装置60と回路基板28とのはんだ付け部の接続性を良好に保ち、接続信頼性の高いエリアアレイ型の半導体装置を提供することができる。
本発明にかかる半導体装置は、電極パッドの直下領域におけるプローブ電極の移動方向の終点付近の強度を向上することができ、プローブ電極検査でのビアホール埋め込みプラグの破壊を防止でき、携帯電話をはじめとする携帯情報端末やコンピューター、情報通信機器、事務用電子機器、またDVD、デジタルTVなど家庭電器製品等に用いられる半導体装置として有用である。さらに、半導体素子チップとしては、メモリー、LSI等を問わず応用できる。また素子、たとえば、レーザー部品、半導体レーザーや、発光素子、ディスプレイ素子等薄膜ないし多層構造となったものについては広く有効である。
4 インターポーザー基板
6 半導体素子
28 回路基板
30 半導体装置
6 半導体素子
28 回路基板
30 半導体装置
Claims (5)
- 表面および裏面に配線導体を有する配線基板と、前記配線基板の表面に電気的に接続された状態で実装される半導体素子とを有し、前記半導体素子が実装された前記配線基板が、表面に配線導体を有する回路基板に実装されることで、前記配線基板の裏面の配線導体と前記回路基板とが電気的に接続される半導体装置であって、前記配線基板の熱膨張係数が、前記半導体素子の熱膨張係数の値と前記回路基板の熱膨張係数の値との間の大きさであることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子および配線基板の表面を覆って樹脂封止する封止樹脂層を有し、前記配線基板の熱膨張係数が、前記半導体素子および前記封止樹脂層の熱膨張係数の値と回路基板の熱膨張係数の値との間の大きさであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 配線基板における熱膨張係数の大きさが、前記配線基板における半導体素子側部分から前記配線基盤における回路基板側部分にかけて連続的に変化していることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 配線基板が複数の基板が積層された構成とされ、前記配線基板における半導体素子側の基板から前記配線基板における回路基板側の基板にかけて、それぞれの基板の熱膨張係数が段階的に変化するように、前記複数の基板が積層されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 配線基板における半導体素子側の熱膨張係数が、前記配線基板における回路基板側の熱膨張係数よりも半導体素子の熱膨張係数に近い値を有し、前記配線基板における回路基板側の熱膨張係数が回路基板の熱膨張係数に近い値を有していることを特徴とする請求項3または4記載の半導体装置。
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JP2004160379A JP2005340678A (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 半導体装置 |
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2009293943A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Advantest Corp | プローブ、電子部品試験装置及びプローブの製造方法 |
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-
2004
- 2004-05-31 JP JP2004160379A patent/JP2005340678A/ja not_active Withdrawn
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