JP2005340400A - ワイヤーボンディング用キャピラリー - Google Patents
ワイヤーボンディング用キャピラリー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005340400A JP2005340400A JP2004155405A JP2004155405A JP2005340400A JP 2005340400 A JP2005340400 A JP 2005340400A JP 2004155405 A JP2004155405 A JP 2004155405A JP 2004155405 A JP2004155405 A JP 2004155405A JP 2005340400 A JP2005340400 A JP 2005340400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dlc
- capillary
- wire bonding
- face surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4845—Details of ball bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01018—Argon [Ar]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【課題】微小領域で3次元構造を示すキャピラリー先端部に密着性がよく膜厚が均一なDLC膜を得ることが困難で、DLC膜表面にシワ状の筋が発生しDLC膜が剥離しやすいという課題があった。
【解決手段】キャピラリー先端部の表面にDLC膜を含む複合膜を成膜したことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】キャピラリー先端部の表面にDLC膜を含む複合膜を成膜したことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体素子の電極と外部リードフレームとを導電性ワイヤーで結線するためのワイヤーボンディングツールであるキャピラリーに関するものである。
このワイヤーボンディング法はその先端部に導電性ワイヤーを送り出す貫通孔を有したキャピラリーによりワイヤーを結線するものである。その動作は、キャピラリーの貫通孔から送り出されてきた導電性ワイヤーの先端部を放電等によって溶融ボールを形成し、この溶融ボールを半導体素子の電極上に超音波および加熱を併用して圧着し結線するものである。つぎに導電性ワイヤーを送り出しながらキャピラリーをリードフレーム上の所定の位置に移動させ導電性ワイヤーを超音波および加熱により結線する。上記の動作を繰り返し半導体素とリードフレームの結線を形成するものである。
ところで、このワイヤーボンディング法ではキャピラリー先端部が瞬間的に500℃以上にも加熱され、しかも1分間に6万回という高速でヒートサイクルが繰り返されることになる。このことから、キャピラリー先端部には貫通孔を送り出されてくる導電性ワイヤーの金属粉が付着、溶着したり、溶融ボールを圧着することからその先端部が容易に摩耗したりしてその寿命を短くしていた。
この問題を解決するために、キャピラリー先端部にDLC(Diamond Like Carbon)
を被覆して耐摩耗性を改善した技術がある(例えば、特許文献1参照)。また、ダイヤモンド被覆膜を含む複合膜によって摩擦係数を改善した技術もある(例えば、特許文献2参照)。
ここで特許文献1のものは、基体が主にセラミックス製のキャピラリー先端部に2μ以下のDLC膜をPVD(真空蒸着)法により成膜したものであり、特許文献2のものは、超硬合金製の切削工具の切れ刃部近傍にダイヤモンド被覆膜を成膜し、次いでダイヤモンド被覆膜を含む基体表面にDLCなどの潤滑性のある保護膜を成膜したものである。
特開2003−100795号公報
特開2003−25117号公報
を被覆して耐摩耗性を改善した技術がある(例えば、特許文献1参照)。また、ダイヤモンド被覆膜を含む複合膜によって摩擦係数を改善した技術もある(例えば、特許文献2参照)。
ここで特許文献1のものは、基体が主にセラミックス製のキャピラリー先端部に2μ以下のDLC膜をPVD(真空蒸着)法により成膜したものであり、特許文献2のものは、超硬合金製の切削工具の切れ刃部近傍にダイヤモンド被覆膜を成膜し、次いでダイヤモンド被覆膜を含む基体表面にDLCなどの潤滑性のある保護膜を成膜したものである。
しかしながら、特開2003−100795号公報に記載された技術は、キャピラリー先端部に2μ以下のDLC膜が均一に成膜できれば導電性ワイヤーの金属粉が付着、溶着するのを抑えるとともに耐摩耗性を改善することができるものの、このDLC膜は非晶質であることから膜内の応力が非常に高いために基体との密着性が低く、後述するようにキャピラリー先端部の微小領域で3次元構造を示すフェイス面(直径が約100μ)と貫通孔周辺の斜面フェイス面(直径が約50μ)にそれぞれ密着性がよく膜厚が均一なDLC膜を成膜することが困難で、DLC膜表面にシワ状の筋が発生しDLC膜が剥離しやすいという課題があった。
したがって、安定した良質のDLC膜を成膜したキャピラリーを得ることが難しく、その製造コストが高くなり、その量産が容易でないという課題があった。
したがって、安定した良質のDLC膜を成膜したキャピラリーを得ることが難しく、その製造コストが高くなり、その量産が容易でないという課題があった。
そこでDLC膜の密着性を改善するために、特開2003−25117号公報に記載された技術は、超硬合金製の切削工具表面に先ずダイヤモンド皮膜部を形成し、その表面にDLC膜などを成膜したもので、ダイヤモンド皮膜部に耐摩耗性を保持させたままDLC膜には潤滑性を保持させようとしているが、ここでも安定したダイヤモンド皮膜部の形成は容易でなく、その後に改めてDLC膜を成膜することで先に形成したダイヤモンド皮膜部がダメージを受けることが予測され、ダメージを受けたダイヤモンド皮膜部の影響を受けたDLC膜はその平滑性、密着性など、安定した膜の成膜が困難であるという課題があった。
したがって、ここでも安定した良質のDLC膜を得るためにコストが高くなり、その量産が容易でないという課題があった。
したがって、ここでも安定した良質のDLC膜を得るためにコストが高くなり、その量産が容易でないという課題があった。
上記課題を解決するために本発明は、略円柱状のセラミックス製基体の中心部に両端に貫通する貫通孔を設け、片端の先端部に設けたリング状のフェイス面と、フェイス面内の貫通孔に向かって傾斜面を設けた斜面フェイス面とを備え、フェイス面と斜面フェイス面には表面にDLC膜を含む複合膜をそれぞれ成膜したことを特徴とする。
また、複合膜にはアルミニュウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、タングステン、ケイ素などの1種または2種以上を含有することを特徴とする。
さらに、複合膜には酸化アルミニュウム、酸化チタン、炭化チタン、酸化クロム、炭化クロム、酸化鉄、酸化タングステン、炭化タングステン、酸化ケイ素、炭化ケイ素などの1種または2種以上を含有することを特徴とする。
また、複合膜が真空容器内で直流放電プラズマを発生させることによって成膜されたことを特徴とする。
また、複合膜にはアルミニュウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、タングステン、ケイ素などの1種または2種以上を含有することを特徴とする。
さらに、複合膜には酸化アルミニュウム、酸化チタン、炭化チタン、酸化クロム、炭化クロム、酸化鉄、酸化タングステン、炭化タングステン、酸化ケイ素、炭化ケイ素などの1種または2種以上を含有することを特徴とする。
また、複合膜が真空容器内で直流放電プラズマを発生させることによって成膜されたことを特徴とする。
このように本発明のワイヤーボンディング用キャピラリーは、フェイス面と斜面フェイス面には表面にDLC膜を含む複合膜をそれぞれ成膜したことから、微小領域で3次元構造を示すキャピラリー先端部に良質なDLC膜を均一に成膜することが容易で、耐摩耗性、耐久性および潤滑性に優れ、導電性ワイヤーの金属粉が付着、溶着することがなく、ワイヤーボンディング回数を飛躍的に向上させることができる。
同時に、安定したDLC膜が成膜できることから、ワイヤーボンディング用キャピラリーの量産が容易になって製造コストを抑えることができる。
同時に、安定したDLC膜が成膜できることから、ワイヤーボンディング用キャピラリーの量産が容易になって製造コストを抑えることができる。
また、複合膜にはアルミニュウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、タングステン、ケイ素などの1種または2種以上を含有することから、微小領域で3次元構造を示すキャピラリー先端部にセラミックス製基体との密着性に優れた良質なDLC膜を均一に容易に成膜することができ、耐摩耗性、耐久性および潤滑性に優れたワイヤーボンディング用キャピラリーを容易に得ることができる。
さらに、複合膜には酸化アルミニュウム、酸化チタン、炭化チタン、酸化クロム、炭化クロム、酸化鉄、酸化タングステン、炭化タングステン、酸化ケイ素、炭化ケイ素などの1種または2種以上を含有することから、キャピラリー先端部にセラミックス製基体との密着性に優れた良質なDLC膜をさらに均一に容易に成膜することができ、耐摩耗性、耐久性および潤滑性にさらに優れたワイヤーボンディング用キャピラリーを容易に得ることができる。
また、複合膜が真空容器内で直流放電プラズマを発生させることによって成膜されたことから、セラミックス製基体表面の加熱清浄化処理とプラズマ清浄化処理と複合膜を成膜するプロセスとを連続して処理することができ、微小領域で3次元構造を示すキャピラリー先端部にセラミックス製基体との密着性に優れた良質なDLC膜を均一に容易に成膜するとともに、耐摩耗性、耐久性および潤滑性に優れたワイヤーボンディング用キャピラリーを容易に得ることができ、量産が容易になって製造コストを抑えることも可能になる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図1は本発明によるワイヤーボンディング用キャピラリーの部分断面図で、図2は本発明によるDLC複合膜の膜質評価のためのボールボンドの外観形状の変化を示し、図3は本発明によるワイヤーボンディング用キャピラリーの10万回テスト後の先端部の外観形状を示す。図1において、1はセラミックス製基体で、主にアルミニュウムやジルコニュウムの酸化物や窒化物、さらにはルビーなどで構成され、高密度で表面が平滑に加工されたものが用いられる。2はセラミックス製基体1の中心部に設けその両端に貫通する貫通孔で、その直径は60μ程度と小さく、この貫通孔2を通ってワイヤーボンディングされる導電性ワイヤーが高速で送り出されてくる。つぎに3は先端部に設けたフェイス面で断面がリング状に形成されその外径はおおよそ100〜200μである。また4は、フェイス面3内の貫通孔2に向かって傾斜面を設けた斜面フェイス面である。このようにワイヤーボンディング用キャピラリーの先端部は微小な3次元構造を有しており、ワイヤーボンディング動作中はそのフェイス面3および斜面フェイス面4が瞬間的に500℃以上にも加熱され、しかも1分間に6万回という高速でヒートサイクルが繰り返されることになる。
このことから、キャピラリー先端部には貫通孔2を送り出されてくる導電性ワイヤーの金属粉が付着、溶着したりすることや、導電性ワイヤーの溶融ボールを圧着することからその先端部が容易に摩耗したりする。したがって、このフェイス面3および斜面フェイス面4に均質なDLC膜を成膜することで、耐摩耗性、耐久性および潤滑性に優れたワイヤーボンディング用キャピラリーを得ることができる。しかし上述したように先端部は微小な3次元構造を有しており、これらの面に均質なDLC膜を成膜したワイヤーボンディング用キャピラリーを連続的に製造することは困難であった。そこで本発明は均質でセラミックス製基体1との密着性に優れたDLC膜の成膜について種々検討した結果生み出されたもので、従来のDLC単層膜に替えてDLC複合膜を成膜したことを特徴としている。
ここで、5はフェイス面3および斜面フェイス面4に均質に成膜されたDLC複合膜を示す。このDLC複合膜5はセラミックス製基体1の先端部の表面に先ず下層膜として金属や金属酸化物さらには金属炭化物の薄膜(膜厚が約0.5μ)を成膜し、ついでその表面にDLC膜(膜厚が約2μ)を成膜したものである。このようにすることで、DLC膜内に内在する応力を分散させることができ、微小な3次元構造を有する先端部へ均質で密着性の高い成膜が可能となる。ここで比較例としてDLC単層膜を成膜したが、斜面フェイス面4への均質な成膜は困難で、その表面にシワ状の筋が発生するなどの問題があり、均質で密着性の高い成膜は得られなかった。
つぎにこのDLC複合膜5の成膜について詳細に説明する。先ずセラミックス製基体1を真空容器内で直流放電プラズマを発生させることができる成膜装置の所定の位置に配置し、セラミックス製基体1の表面の加熱清浄化処理を行う。ついでプラズマを発生させてプラズマ清浄化処理を連続して行う。つぎに予め成膜装置内に配置したアルミニュウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、タングステン、ケイ素などの1種または2種以上、または酸化アルミニュウム、酸化チタン、炭化チタン、酸化クロム、炭化クロム、酸化鉄、酸化タングステン、炭化タングステン、酸化ケイ素、炭化ケイ素などの1種または2種以上を含有する下層膜用材料をプラズマ中でイオン化させ負電圧にバイアスされたフェイス面3および斜面フェイス面4に下層膜を成膜する。つぎに成膜装置内に炭化水素ガスが導入されプラズマ放電中で発生した炭化水素イオンや励起されたラジカルが、下層膜の成膜されたフェイス面3および斜面フェイス面4に衝突して固体化しDLC複合膜5が成膜される。
ここで得られた複合DLC膜5は、非晶質成分を含み、ナノ硬さが1500kgf/mm2で、アルゴンレーザーによるラマン分光波形が少なくとも1330cm−1と1580cm−1付近にブロードなピークを有していた。
ここで得られた複合DLC膜5は、非晶質成分を含み、ナノ硬さが1500kgf/mm2で、アルゴンレーザーによるラマン分光波形が少なくとも1330cm−1と1580cm−1付近にブロードなピークを有していた。
このようにしてDLC複合膜5が成膜されたワイヤーボンディング用キャピラリーのSEM観察結果とスクラッチ試験法による密着性評価の結果を表1に示す。なおここでは酸化アルミニュウム基体面にチタン膜厚が0.5μとDLC膜厚が2μのDLC複合膜5を成膜したものを供した。ここで比較のために供したDLC単層膜は同じく酸化アルミニュウム基体面に2μのDLC単層膜が成膜されたものである。
つぎに、ワイヤーボンディング用キャピラリーの実装ボンディング試験結果について説明する。なおここでは酸化チタン膜厚が0.7μとDLC膜厚が2.3μのDLC複合膜5を使用した。使用した導電性ワイヤーは20μの金線で、リードフレームは銅箔に銀メッキを施したものである。ボンディング温度は300℃とし、ボンディング回数は10万回とした。耐久性はボールボンド(直径80μ)の外観形状を光学顕微鏡で観察し、ボンディング成形性により評価した。また実装ボンディング試験後にフェイス面3および斜面フェイス面4のSEM観察により導電性ワイヤーの金属粉の付着、溶着の程度を評価した。その結果を表2に示す。なお、比較のために供したDLC単層膜は表1で供したものと同じである。
また、表2で評価したボールボンドの外観写真を従来のDLC単層膜のものと比較して図2に示す。図中でaからdはDLC単層膜のものをそれぞれ2、5、10万回の実装試験後に評価したボールボンド(直径80μ)外観形状で、eからhは本発明によるDLC複合膜のものである。これから明らかなように、キャピラリーの先端部で成形されたボールボンドの成形性はそのフェイス面3および斜面フェイス面4の平滑度を反映するものであり、従来のDLC単層膜に比べて本発明によるDLC複合膜の耐久性は顕著である。さらに、図3には表2で評価したDLC複合膜の金属の付着・溶着の状態を示す。これからも明らかなように、フェイス面3の一部が変形しているものの斜面フェイス面4は初期状態が保たれており、金属の付着・溶着は観察できない。
以上の結果から、本発明によるDLC複合膜を成膜したワイヤーボンディング用キャピラリーは従来品に比べて耐摩耗性、耐久性および潤滑性に優れていることがわかる。
以上の結果から、本発明によるDLC複合膜を成膜したワイヤーボンディング用キャピラリーは従来品に比べて耐摩耗性、耐久性および潤滑性に優れていることがわかる。
つぎに、下層膜の材料を替えた各種DLC複合膜5の実装ボンディング試験結果を比較して表3に示す。DLC複合膜5の成膜条件および試験方法は表2と同じとした。
つぎにDLC複合膜5の成膜方法について説明する。このDLC複合膜5は真空容器内でスパッタリング法により下層膜の成膜を行い、つづいて直流放電プラズマを発生させることによってDLC膜を成膜するが、その方法にはプラズマを利用した化学蒸着を意味するCVD法と呼ばれるものや、物理蒸着を意味するPVDと称されるものなどがある。ここでは下層膜の種類や組み合わせ、成膜の容易さ、量産性、コスト、DLC複合膜5の均質さなどを考慮して最適な成膜方法と成膜装置を採用することが望ましい。
なお、以上の説明ではワイヤーボンディング用キャピラリーの外観形状に限定されるものでなく、これ以外のものにも効果を有するのは明らかである。また、下層膜の膜厚とDLC複合膜5の膜厚も以上の実施例に限定されるものでなく、使用状況に応じて最適に設定することも本発明の範囲に含まれるものである。
1 セラミックス製基体
2 貫通孔
3 フェイス面
4 斜面フェイス面
5 DLC複合膜
2 貫通孔
3 フェイス面
4 斜面フェイス面
5 DLC複合膜
Claims (4)
- 略円柱状のセラミック基体の中心部に両端に貫通する貫通孔を設け、片側の先端部に設けたリング状のフェイス面と、前記フェイス面内の貫通孔に向かって傾斜面を設けた斜面フェイス面とを備え、前記フェイス面と前記斜面フェイス面には表面にDLC膜を含む複合膜をそれぞれ形成したことを特徴とするワイヤーボンディング用キャピラリー。
- 前記複合膜にはアルミニュウム、チタン、クロム、鉄、ニッケル、タングステン、ケイ素などの1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項1記載のワイヤーボンディング用キャピラリー。
- 前記複合膜には酸化アルミニュウム、酸化チタン、炭化チタン、酸化クロム、炭化クロム、酸化鉄、酸化タングステン、炭化タングステン、酸化ケイ素、炭化ケイ素などの1種または2種以上を含有することを特徴とする請求項1記載のワイヤーボンディング用キャピラリー。
- 前記複合膜が真空容器内で直流放電プラズマを発生させることによって形成されたことを特徴とするワイヤーボンディング用キャピラリー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004155405A JP2005340400A (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | ワイヤーボンディング用キャピラリー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004155405A JP2005340400A (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | ワイヤーボンディング用キャピラリー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005340400A true JP2005340400A (ja) | 2005-12-08 |
Family
ID=35493632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004155405A Pending JP2005340400A (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | ワイヤーボンディング用キャピラリー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005340400A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100955420B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-05-04 | 주식회사 코스마 | 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리 |
CN106995308A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-08-01 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种陶瓷劈刀材料及其制备方法 |
KR20190029140A (ko) | 2017-09-12 | 2019-03-20 | 주식회사 페코텍 | 고강도 및 고경도 와이어본딩용 캐필러리 및 그 제조방법 |
CN109650705A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-19 | 东南大学 | 一种玻璃微针的制备方法 |
CN114262211A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-01 | 深圳市盛元半导体有限公司 | 一种铝线键合用劈刀及其生产工艺 |
WO2023211676A1 (en) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Wire bonding tools, and related methods of providing the same |
-
2004
- 2004-05-26 JP JP2004155405A patent/JP2005340400A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100955420B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-05-04 | 주식회사 코스마 | 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리 |
CN106995308A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-08-01 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种陶瓷劈刀材料及其制备方法 |
CN106995308B (zh) * | 2017-04-21 | 2020-05-05 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种陶瓷劈刀材料及其制备方法 |
KR20190029140A (ko) | 2017-09-12 | 2019-03-20 | 주식회사 페코텍 | 고강도 및 고경도 와이어본딩용 캐필러리 및 그 제조방법 |
CN109650705A (zh) * | 2018-12-24 | 2019-04-19 | 东南大学 | 一种玻璃微针的制备方法 |
CN114262211A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-01 | 深圳市盛元半导体有限公司 | 一种铝线键合用劈刀及其生产工艺 |
WO2023211676A1 (en) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Wire bonding tools, and related methods of providing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180327924A1 (en) | Method for processing at least one carbon fiber, method for fabricating a carbon copper composite, and carbon copper composite | |
CN113186493B (zh) | 一种金刚石/金属碳化物复合耐磨涂层的制备方法 | |
JP2009167512A (ja) | 摺動部品用ダイヤモンドライクカーボン皮膜およびその製造方法 | |
JPH05148068A (ja) | ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素被覆硬質材料 | |
JP3031719B2 (ja) | 無電解めっきニッケル層へのダイヤモンド膜蒸着法 | |
JP2005340400A (ja) | ワイヤーボンディング用キャピラリー | |
US20070004325A1 (en) | Method for manufacturing diamond film | |
TW201002488A (en) | Cutting wheel with surface modification and method for manufacturing the same | |
JP6546953B2 (ja) | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 | |
JP2004137541A (ja) | Dlc傾斜構造硬質被膜及びその製造方法 | |
CN102465258A (zh) | 镀膜件及其制备方法 | |
JPH04157157A (ja) | 人工ダイヤモンド被覆材の製造方法 | |
JP5853543B2 (ja) | 被覆回転ツール | |
JP5745437B2 (ja) | ペレット製造用のダイ | |
JP6871614B2 (ja) | 導電体の製造方法 | |
JP3262285B2 (ja) | 装飾材料工芸材料高耐蝕性材料用金類金属被覆材及びその製造方法 | |
JPS61266189A (ja) | ア−ク溶接用セラミツクコンタクトチツプおよびその製造方法 | |
JPWO2020012821A1 (ja) | 複合部材 | |
TWM449059U (zh) | 單晶鑽石工具 | |
JP4962964B2 (ja) | ガラスレンズ用成形型及びその製造方法 | |
JPH04331798A (ja) | ダイヤモンド膜形成方法 | |
JPH0766930B2 (ja) | ボンディングツール | |
JP4922855B2 (ja) | ガラス成形型 | |
KR100665586B1 (ko) | 도트 플랜티드 방식의 방전가공용 전극선 | |
JP2007254266A (ja) | ガラス成形型 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20051201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060220 |