KR100955420B1 - 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리 - Google Patents

와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리 Download PDF

Info

Publication number
KR100955420B1
KR100955420B1 KR1020070131308A KR20070131308A KR100955420B1 KR 100955420 B1 KR100955420 B1 KR 100955420B1 KR 1020070131308 A KR1020070131308 A KR 1020070131308A KR 20070131308 A KR20070131308 A KR 20070131308A KR 100955420 B1 KR100955420 B1 KR 100955420B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capillary
dlc coating
wire bonding
deposition tank
jig
Prior art date
Application number
KR1020070131308A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090063806A (ko
Inventor
김기복
Original Assignee
주식회사 코스마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코스마 filed Critical 주식회사 코스마
Priority to KR1020070131308A priority Critical patent/KR100955420B1/ko
Publication of KR20090063806A publication Critical patent/KR20090063806A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100955420B1 publication Critical patent/KR100955420B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정의 와이어 본딩 공정에서 사용되는 캐필러리가 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되어 그를 이용한 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 이물질의 이형성을 높여 사용 수명이 연장될 수 있도록 하는 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법 및, 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되어 그를 이용한 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 이물질의 이형성이 높아져 사용 수명이 연장되는 와이어 본딩용 캐필러리에 관한 것이다.
본 발명의 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 초음파 세정기의 통 내에서 이루어지는 습식 세정단계와, 습식 세정된 상기 캐필러리를 건조하는 건조단계와, 건조된 상기 캐필러리를 증착조의 DLC 코팅용 지그에 장착한 상태로 진행되는 건식 세정단계와, 상기 DLC 코팅용 지그를 회전시키는 상태에서 상기 캐필러리의 팁부분 표면에 DLC 코팅막을 형성하는 DLC 코팅단계를 포함한다.
와이어 본딩, 캐필러리, DLC,

Description

와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어 본딩용 캐필러리{DLC Coating Method of Capillary for Wire bonding and Capillary for Wire bonding}
본 발명은 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨(DLC:Diamond Like Carbon) 코팅방법 및 와이어 본딩용 캐필러리에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정의 와이어 본딩 공정에서 사용되는 캐필러리가 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되어 그를 이용한 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 이물질의 이형성을 높여 사용 수명이 연장될 수 있도록 하는 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법 및, 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되어 그를 이용한 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 이물질의 이형성이 높아져 사용 수명이 연장되는 와이어 본딩용 캐필러리에 관한 것이다.
반도체 패키지 제조 공정에 있어서 와이어 본딩 장치는 리드 프레임, 세라믹 회로기판, 인쇄회로기판 등과 같은 패키지의 외부 연결 통로와 반도체 칩의 입/출력 패드나 다이를 알루미늄, 금, 구리 등을 이용하여 연결시키는데 사용된다.
와이어 본딩 장치를 이용한 와이어 본딩 공정에서 캐필러리가 사용되며, 이러한 캐필러리는 와이어 본딩 장치의 필수적인 구성에 해당한다. 캐필러리의 구성 에 대해 간략하게 설명하면, 캐필러리는 원통형 몸체와 그 내부에 제공된 미세 홀로 구성된다. 미세홀 내에는 1.0 내지 1.3 밀(1 밀은 1/1000인치)의 직경을 갖는 볼 본딩 와이어가 수용된다. 미세홀은 팁으로 향할수록 그의 구경이 작아지는 원뿔 형상이며, 미세홀의 하단 끝을 챔버라 한다.
와이어 본딩 공정을 수행하기 위해, 캐필러리는 고전압 방전을 통해 와이어의 단부에 볼을 형성한다. 이 볼이 와이어 본딩 장치의 제어하에 칩의 패드에 접촉/가압되며, 초음파 에너지가 캐필러리의 하단으로 전달되고 패드에 열이 가해지면 볼이 눌리면서 패드에 1차로 본딩된다. 1차 본드로부터 캐필러리를 끌어내어 일정한 궤적의 와이어 루프를 형성하고, 이를 리드 프레임의 리드에 제 2 차 스티치 본드로 연결시킨다. 이와 같은 동작을 수회 반복하여 반도체 칩의 패드와 패키지의 외부 연결 통로를 연결시킨다.
그런데, 캐필러리는 볼이 형성되는 팁 부분이 1차 본드 및 2차 본드 시에 반도체 입/출력 패드와 리드 프레임의 리드에 접촉/가압되고 또한 고전압 방전 상태에 놓여지게 된다. 이에 따라, 캐필러리의 팁은 와이어 본딩 공정이 진행되면서 비교적 쉽게 마모되거나 훼손되며, 결과적으로 캐필러리의 본딩 성능은 비교적 빠르게 저하된다. 또한, 캐필러리의 마모된 부위나 훼손된 부위에 여러 이물질이 끼면서 캐필러리의 본딩 성능을 저하시키게 된다.
상기 이유로, 캐필러리는 그 팁을 포함한 일단의 내충격성 및 내마모성이 향상되어야 할 필요성이 요구된다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 제조 공정의 와이어 본딩 공정에서 사용되는 캐필러리가 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되어 그를 이용한 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 이물질의 이형성을 높여 사용 수명이 연장될 수 있도록 하는 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명은 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되어 그를 이용한 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 이물질의 이형성이 높아져 사용 수명의 연장이 구현되는 와이어 본딩용 캐필러리를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 캐필러리를 아세톤이 담겨진 용기에 수용된 상태로 초음파 세정기의 통 내에서 60∼120분 동안 세정한 다음, 에탄올이 담겨진 용기에 수용한 상태로 초음파 세정기의 통 내에서 60∼90분 동안 세정하고, 이어서 증류수가 담겨진 용기에 수용한 상태로 초음파 세정기의 통 내에서 30∼60분 동안 세정한 후, 증류수 샤워기에서 세정되는 습식 세정단계와, 습식 세정된 상기 캐필러리를 건조하는 건조단계와, 건조된 상기 캐필러리를 증착조의 DLC 코팅용 지그에 장착한 상태로 상기 증착조의 진공도가 3×10-6∼5×10-6(Torr)로 유지되는 상태에서 상기 DLC 코팅용 지그에 13.56㎒의 RF 파워공급장치에 의한 25∼100(W)의 RF 파워가 인가되는 조건에서 아르곤(Ar) 이온을 주입하여 세정하는 건식 세정단계와, 상기 증착조의 내측으로 메탄가스, 수소가스, 질소가스를 주입하는 동시에 상기 증착조의 압력 9×10-3∼6×10-2(Torr), 상기 증착조의 온도 30∼100℃, 상기 RF 파워 공급장치의 상기 DLC 코팅용 지그에 대한 RF 파워 25∼100(W)의 조건에서 상기 건식 세정단계를 거친 상기 캐필러리의 팁부분 표면에 DLC를 합성하는 DLC 코팅단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 DLC 코팅단계는 상기 DLC 코팅용 지그의 회전에 의해 상기 캐필러리가 회전되는 상태에서 이루어지는 것일 수 있다. 여기서, 상기 DLC 코팅용 지그의 회전은 상기 증착조에 설치되어 상기 DLC 코팅용 지그를 장착시키는 테이블의 회전에 의해 이루어지는 것일 수 있다.
또한, 상기 DLC 코팅단계는 상기 증착조의 압력이 6×10-2(Torr), 상기 증착조의 온도가 70℃, 상기 RF 파워 공급장치의 상기 DLC 코팅용 지그에 대한 RF 파워가 25(W), 상기 DLC 코팅용 지그의 회전 rpm이 10, 상기 증착조에 주입되는 가스의 비율이 메탄가스 80％, 수소가스 10％, 질소가스 10％인 조건에서 이루어지는 것일 수 있다.
또한, 상기 DLC 코팅단계 이전에, 상기 증착조로 SiH4 가스를 주입하는 동시에 상기 증착조의 진공도가 2×10-2∼5×10-2(Torr)로 유지되는 상태에서 상기 DLC 코팅용 지그에 13.56㎒의 RF 파워공급장치에 의한 10∼30(W)의 RF 파워가 인가되는 조건을 1분간 유지시켜 상기 캐필러리의 팁부분 표면에 비정질 실리콘(Si)층인 접착력 증진층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것일 수 있다. 여기서, 상기 접착력 증진층인 비정질 실리콘층을 30㎚ 이하의 두께로 형성하는 것일 수 있다.
또한, 상기 건조단계는 상기 캐필러리가 진공건조기에 수용되어 100∼200℃의 온도에서 2∼5시간 동안 이루어지는 것일 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 와이어 본딩용 캐필러리는 반도체 제조공정의 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정에서 칩과 리드프레임의 로드를 와이어로 연결시키는 캐필러리에 있어서, 상기 칩이나 리드프레임의 방향으로 위치되는 팁부분의 표면에 DLC 코팅막이 코팅되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 DLC 코팅막은 0.5∼1(㎛)의 두께로 형성된 것일 수 있다.
상기 팁부분과 상기 DLC 코팅막의 사이에 비정질 실리콘층이 더 포함되는 것일 수 있다. 여기서, 상기 비정질 실리콘층은 30㎚ 이하의 두께로 형성된 것일 수 있다.
본 발명에 의해 와이어 본딩 공정에 사용되는 캐필러리가 내마모성, 이형성, 윤활성이 향상되는 것이므로, 와이어 본딩 작업시 본딩 조건이 안정되는 동시에 캐필러리의 수명이 연장되는 효과가 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조 하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법의 작업공정도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅장치의 개략적인 구성도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 구성을 보인 단면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법에 의해 형성된 DLC 코팅막을 보인 도면이다. 도 5는 통상의 DLC 코팅방법에 의해 형성된 DLC 코팅막을 보인 도면이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 DLC 코팅막이 형성된 와이어 본딩용 캐필러리의 조도를 보인 그래프이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 DLC 코팅막이 형성되기 전의 와이어 본딩용 캐필러리의 조도를 보인 그래프이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 DLC 코팅막이 형성된 와이어 본딩용 캐필러리의 본딩 결과를 보인 그래프이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 습식 세정단계(S10), 건조단계(S20), 건식 세정단계(S30), DLC 코팅단계(S40)를 포함하여 이루어진다.
상기 습식 세정단계(S10)는 3차에 걸쳐 진행되는 것으로서, 1차 습식세정은 지그에 장착된 복수의 캐필러리(100)를 아세톤이 담겨진 용기에 수용한 후, 이러한 용기를 초음파 세정용기 내에서 60∼120분 동안 초음파 세정을 한다. 아세톤을 사용하는 1차 습식세정에서 캐필러리(100)의 유기물 및 큰 이물질들이 제거된다. 2차 습식세정은 1차 습식세정에서 세정된 캐필러리(100)를 에탄올이 담겨진 용기에 수 용한 후, 초음파 세정용기 내에서 60∼90분 동안 초음파 세정을 하며, 여기서 캐필러리(100)는 1차 습식세정에서와 같이 지그에 복수로 장착된 상태에서 2차 습식세정이 진행된다. 에탄올을 사용하는 2차 습식세정에서 캐필러리(100)의 아세톤 성분 및 미세 이물질이 제거된다. 3차 습식세정은 2차 습식세정에서 세정된 캐필러리(100)를 증류수가 담겨진 용기에 수용한 후, 초음파 세정용기 내에서 30∼60분 동안 초음파 세정을 하며, 여기서 캐필러리(100)는 1차 및 2차 습식세정에서와 같이 지그에 복수로 장착된 상태에서 3차 습식세정이 진행된다. 증류수를 사용하는 3차 습식세정에서 캐필러리(100)의 아세톤 및 에탄올의 잔유물이 증류수에 용융된다. 그리고, 3차에 걸쳐 습식 세정된 캐필러리(100)는 증류수 샤워기에 넣어져 잔류 이물질이 제거된다.
상기 건조단계(S20)는 습식 세정단계(S10)를 거친 캐필러리(100)를 건조하는 단계이다. 여기서 건조단계(S20)는 습식 세정단계(S20)에서 세정된 캐필러리(100)를 진공건조기 내에 수용한 후, 상기 진공건조기의 내부 온도가 100∼200℃인 상태에서 2∼5시간 건조하는 과정으로 이루어질 수 있다.
상기 건식 세정단계(S30)와 DLC 코팅단계(S40)는 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅장치의 증착조(10) 내측에서 이루어진다.
본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 증착조(10), 회전 테이블(20), DLC 코팅용 지그(30), 오일 확산펌프(40), RF 파워 공급장치(50), 냉각수 공급장치(60), MFC(70), 체크 밸브(80) 등을 포함하여 이루어진다. 그리고, RF 파워 공급장치는 13.56㎒의 RF 파워(RF Power:51), RF 매칭 박 스(RF Matching box:52), MSC(Moving stage controller:53)를 포함하여 이루어진다.
회전 테이블(20)은 증착조(10)에 회전 가능한 상태로 장착되어 상기 DLC 코팅단계(S40)에서 회전 동작하며, 이에 따라 회전 테이블(20)에 장착되는 DLC 코팅용 지그(30) 역시 DLC 코팅단계(S40)에서 회전 동작한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅장치는 상기와 같이 회전 테이블(20)을 구비하는 점에서 통상의 PE(plasma enhanced)-CVD법에 사용되는 DLC 코팅장치와 다르며, 그 밖의 구성은 통상의 PE(plasma enhanced)-CVD법에 사용되는 DLC 코팅장치와 크게 다르지 않으므로, 본 실시예에서 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 실시예에서는 캐필러리(100)가 장착되는 DLC 코팅용 지그(30)의 회전을 위해 증착조(10)의 테이블을 회전 테이블(20)로 구성하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 증착조의 테이블은 고정된 상태에서, DLC 코팅용 지그가 테이블에 회전 가능한 형태로 장착되어 DLC 코팅단계에서 회전하는 것일 수 있다. 그리고, 회전 테이블이나 DLC 코팅용 지그의 회전은 통상의 기술을 통해 다양하게 구현할 수 있으며, 따라서 본 실시예에서 이에 대한 상세한 설명과 도시는 생략한다. 그리고, DLC 코팅용 지그는 스테인레스강(SUS)으로 이루어지는 것일 수 있다.
상기와 같이 구성되는 DLC 코팅장치를 통해 상기 건식 세정단계(S30)와 DLC 코팅단계(S40)가 이루어지며, 이에 대해 설명한다.
상기 건식 세정단계(S30)는 상기 건조단계(S20)에서 건조된 캐필러리(100)를 DLC 코팅용 지그(30)에 장착하며, 증착조(10) 내부는 3×10-6∼5×10-6(Torr)의 진공도를 유지한다. 그리고, DLC 코팅용 지그(30)의 음극에 13.56㎒의 알에프 파워 공급장치(50)를 통해 25∼100(W)의 RF 파워가 인가되는 상태로 아르곤(Ar) 이온을 주입하여 캐필러리(100)를 세정한다.
상기 DLC 코팅단계(S40)는 증착조(10)의 내측으로 메탄가스, 수소가스, 질소가스를 주입하는 동시에, 증착조(10)의 압력이 9×10-3∼6×10-2(Torr)이고, 증착조(10)의 온도가 30∼100℃이며, RF 파워 공급장치(50)의 DLC 코팅용 지그(30)에 대한 RF 파워가 25∼100(W)의 조건에서 이루어진다. 또한, 상술한 바와 같이, DLC 코팅단계(S40)에서 회전 테이블(20)은 회전하며, 이에 따라 DLC 코팅용 지그(30) 및 이러한 DLC 코팅용 지그(30)에 장착된 캐필러리(100) 역시 회전되면서 캐필러리(100)의 팁부분(130) 표면에 DLC 코팅막(140)이 형성된다. 이는, 캐필러리(100)가 매우 작은 부피를 가지므로, 캐필러리(100)의 팁부분(130) 표면에 DLC 코팅막(140)이 균일하게 형성될 수 있도록 하는 동시에, 캐필러리(100)의 팁부분(130) 표면에 형성되는 DLC 코팅막(140)에 핀홀 발생이 최대한 억제되도록 하기 위함이다.
본 실시예에 따른 습식 세정단계(S10), 건조단계(S20), 건식 세정단계(S30), DLC 코팅단계(S40)의 일련의 과정을 통해 캐필러리(100)의 팁부분(130) 표면에 0.5∼1(㎛) 두께를 유지하면서 핀홀(pin-hole)을 발생하지 않은 DLC 코팅막(140)을 형성할 수 있었다. 여기서, 0.5∼1(㎛)의 수치범위는 캐필러리(100)의 각 부위별 스 펙(SPEC)이 공차범위를 벗어나지 않을 수 있는 정도를 기준으로 정한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐필러리를 도시한 것이다. 캐필러리(100)는 반도체 제조공정의 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정에서 칩과 리드프레임의 로드를 와이어로 연결시키는 기능을 한다. 이러한 캐필러리(100)는 도시된 바와 같이, 몸체(110)의 일단에 팁부분(130)이 형성되어 상기 팁부분(130)이 상기 칩이나 리드프레임 방향으로 위치되고, 몸체(110)와 팁부분(130)의 중앙에 홀(120)이 관통되는 형태이다. 다시 말해, 캐필러리(100)의 구성은 통상의 구성에 해당하며, 이에 따라 본 실시예에서 그에 대한 상세 설명은 생략한다.
이러한 캐필러리(100)에 DLC 코팅막(140)이 형성되는 것으로서, 상기 DLC 코팅막(140)은 캐필러리(100)의 팁부분(130) 표면에 형성된다. 여기서, DLC 코팅막(140)은 0.5∼1(㎛) 두께로 형성된다.
이와 같이 캐필러리(100)의 팁부분(130) 표면에 DLC 코팅막(140)이 형성됨에 따라, 캐필러리(100)의 팁부분(140)은 내마모성, 내충격성, 윤활성 등이 크게 향상된다.
도 4는 DLC 코팅단계(S40)의 조건을 증착조(10)의 내부에 주입되는 가스의 비율을 메탄가스 80％, 수소가스 10％, 질소가스 10％로 하며, 증착조(10)의 압력(Working Pressure)이 6×10-2(Torr)이고, RF 파워 공급장치(50)의 DLC 코팅용 지그(30)에 대한 RF 파워가 25(W)이며, 증착조(10)의 온도 70℃이고, 회전 테이블(20)은 10rpm으로 회전하는 상태의 조건하에서 캐필러리에 형성되는 DLC 코팅막 을 보인 도면이다. 도시된 바와 같이, 캐필러리에 형성된 DLC 코팅막에 핀홀이 발생하지 않음을 알 수 있다.
도 5는 캐필러리에 통상의 DLC 코팅방법을 통해 DLC 코팅막을 형성한 경우에 대한 예시도로서, 도시된 바와 같이 캐필러리의 DLC 코팅막에 많은 핀홀(G)이 발생한 상태를 확인할 수 있다.
그리고, 도 6은 도 4에 따른 DLC 코팅막의 조도(稠度)를 보인 도면이고, 도 7은 DLC 코팅막을 형성하지 않은 캐필러리의 조도를 보인 도면이다.
도 6 및 도 7에서 Ra, Rt, Rz의 수치가 낮을수록 캐필러리 표면의 거친 정도가 덜한 것으로서, 상기 Ra, Rt, Rz의 수치 중, 최근에는 조도의 최대값에 해당하는 Rt값이 중요시되는 경향을 보이고 있다. 즉, 도 6에서와 같이 도 4에 따른 DLC 코팅막이 형성된 캐필러리의 Rt값은 0.5273(㎛)이고, 도 7에서와 같이 DLC 코팅막이 형성되지 않은 캐필러리의 Rt값은 0.8294(㎛)로써, 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 표면에 DLC 코팅막이 형성된 캐필러리는 그 표면의 조도값 중 최대값에 해당하는 Rt 수치가 감소되는 결과를 확인할 수 있다.
또한, 도 8은 도 4의 DLC 코팅막이 형성된 캐필러리를 사용해 와이어본딩을 한 경우와, 통상의 DLC 코팅막을 형성하지 않은 캐필러리를 사용해 와이어본딩을 한 경우를 비교한 그래프이다.
도면에서 X축 방향은 단일의 캐필러리에 의해 와이어본딩되는 횟수를 나타내고, Y축 방향은 단일의 캐필러리에 의해 와이어본딩된 와이어를 당기는 실험에서, 와이어를 당기는 힘을 g 단위로 표시한 것이다. 여기서, Y축의 수치가 낮을수록 와 이어본딩된 본딩 부위에서 분리 현상이 잘 발생한다는 의미이다. 따라서, 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 표면에 DLC 코팅막이 형성된 캐필러리의 Y축 수치가 DLC 코팅막을 형성하지 않은 캐필러리의 Y축 수치에 비해 큰 것을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 표면에 DLC 코팅막이 형성된 캐필러리로 와이어본딩을 하는 경우 본딩된 부위가 더 견고하게 된다.
다음은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법에 대하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법의 작업공정도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 습식 세정단계(S10), 건조단계(S20), 건식 세정단계(S30), 접착력 증진층 형성단계(S50), DLC 코팅단계(S40)를 포함하여 이루어진다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 도 1의 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법과 비교해 상기 접착력 증진층 형성단계(50)를 더 포함한다. 따라서, 이하에서 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 접착력 증진층 형성단계(S50)를 중심으로 설명한다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법은 도 2의 실시예에 따른 DLC 코팅장치를 통해 이루어진다.
상기 접착력 증진층 형성단계(S50)는 상기 DLC 코팅단계 이전에 이루어지는 것으로서, 다시 말해 접착력 증진층 형성단계(S50)는 건식 세정단계(S30) 이후에 이루어진다. 이러한 접착력 증진층 형성단계(S50)에서는 증착조(10) 내측에 SiH4가스를 주입하는 동시에, 증착조(10)의 진공도가 2×10-2∼5×10-2(Torr)로 유지되는 상태에서 DLC 코팅용 지그(30)에 13.56㎒의 RF 파워 공급장치(50)에 의한 10∼30(W)의 RF 파워가 인가되는 조건을 1분간 유지시켜 캐필러리(200)의 팁부분(230) 표면에 비정질 실리콘층(250)을 형성한다.
그리고, 이러한 접착력 증진층 형성단계(S50) 이후에 DLC 코팅단계(S40)가 이루어지며, 이에 따라 캐필러리(200)의 표면에 형성된 비정질 실리콘층(250)에 DLC 코팅막(240)이 덧씌워지게 된다.
도 10은 표면에 접착력 증진층인 비정질 실리콘층 및 비정질 실리콘층에 DLC코팅층이 덧씌워진 형태로 이루어진 캐필러리를 예시한 것이다. 여기서, 본 실시예의 캐필러리(200)는 도 3의 실시예에 따른 캐필러리(100)와 비교해 비정질 실리콘층(250)을 더 포함하는 점에서 다르다.
도시된 바와 같이, 본 실시예의 캐필러리(200)는 팁부분(230)의 표면과 DLC 코팅막(240)의 사이에 상기 비정질 실리콘층(230)이 형성된 형태이다. 상기 비정질 실리콘층(230)은 DLC 코팅막(240)이 캐필러리(200)에 보다 견고히 접합되도록 하는 용도이다. 부연 설명하면, DLC 코팅막(240)은 마모되거나 코팅면 자체에 손상이 가서 그 기능을 정상적으로 하지 못할 경우는 흔치 않고, 통상 약한 접합력에 코팅 대상물로부터 분리되는 경우가 더 많다. 이에 따라, 캐필러리(200)의 표면과 DLC 코팅막(240)의 사이에 DLC 코팅막(240)과 친화력이 우수한 비정질 실리콘층(250)을 형성함으로써, DLC 코팅막(240)이 캐필러리(200)의 표면에 보다 강하게 접착되도록 한 것이다.
미설명부호 210은 캐필러리(200)의 몸체를 나타내고, 220은 캐필러리(200)의 중앙에 형성되는 홀을 나타낸다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법 및 와이어 본딩용 캐필러리를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법의 작업공정도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅장치의 개략적인 구성도
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 구성을 보인 단면도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법에 의해 형성된 DLC 코팅막을 보인 도면
도 5는 통상의 DLC 코팅방법에 의해 형성된 DLC 코팅막을 보인 도면
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 DLC 코팅막이 형성된 와이어 본딩용 캐필러리의 조도를 보인 그래프
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 DLC 코팅막이 형성되기 전의 와이어 본딩용 캐필러리의 조도를 보인 그래프
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 코팅방법에 의해 DLC 코팅막이 형성된 와이어 본딩용 캐필러리의 본딩 결과를 보인 그래프
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법의 작업공정도
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩용 캐필러리의 구성을 보인 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 증착조 20 : 회전 테이블
20 : DLC 코팅용 지그 40 : 오일 확산 펌프
50 : RF 파워 공급장치 51 : RF 파워
52 : RF 매칭 박스 53 : MSC
60 : 냉각수 공급장치 70 : MFC
80 : 체크 밸브 100,200 : 캐필러리
110,220 : 몸체 120,220 : 홀
130,230 : 팁부분 140,240 : DLC 코팅막
250 : 비정질 실리콘층

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 캐필러리를 아세톤이 담겨진 용기에 수용된 상태로 초음파 세정기의 통 내에서 60∼120분 동안 세정한 다음, 에탄올이 담겨진 용기에 수용한 상태로 초음파 세정기의 통 내에서 60∼90분 동안 세정하고, 이어서 증류수가 담겨진 용기에 수용한 상태로 초음파 세정기의 통 내에서 30∼60분 동안 세정한 후, 증류수 샤워기에서 세정하는 습식 세정단계;
    습식 세정된 상기 캐필러리를 건조하는 건조단계;
    건조된 상기 캐필러리를 증착조의 DLC 코팅용 지그에 장착한 상태로 상기 증착조의 진공도가 3×10-6∼5×10-6(Torr)로 유지되는 상태에서 상기 DLC 코팅용 지그에 13.56㎒의 RF 파워공급장치에 의한 25∼100(W)의 RF 파워가 인가되는 조건에서 아르곤(Ar) 이온을 주입하여 세정하는 건식 세정단계;
    상기 증착조의 내측으로 메탄가스, 수소가스, 질소가스를 주입하는 동시에 상기 증착조의 압력 9×10-3∼6×10-2(Torr), 상기 증착조의 온도 30∼100℃, 상기 RF 파워 공급장치의 상기 DLC 코팅용 지그에 대한 RF 파워 25∼100(W)의 조건에서 상기 건식 세정단계를 거친 상기 캐필러리의 팁부분 표면에 DLC를 합성하는 DLC 코팅단계를 포함하고,
    상기 DLC 코팅단계는, 상기 DLC 코팅용 지그의 회전에 의해 상기 캐필러리가 회전되는 상태에서 이루어지는 것과, 상기 DLC 코팅용 지그의 회전은 상기 증착조에 설치되어 상기 DLC 코팅용 지그를 장착시키는 테이블의 회전에 의해 이루어지는 것 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지고,
    상기 DLC 코팅단계 이전에, 상기 증착조로 SiH4 가스를 주입하는 동시에 상기 증착조의 진공도가 2×10-2∼5×10-2(Torr)로 유지되는 상태에서 상기 DLC 코팅용 지그에 13.56㎒의 RF 파워공급장치에 의한 10∼30(W)의 RF 파워가 인가되는 조건을 1분간 유지시켜 상기 캐필러리의 팁부분 표면에 비정질 실리콘(Si)층인 접착력 증진층을 형성하는 단계가 더 포함되고,
    상기 접착력 증진층인 비정질 실리콘층을 30㎚ 이하의 두께로 형성하며,
    상기 건조단계는 상기 캐필러리가 진공건조기에 수용되어 100∼200℃의 온도에서 2∼5시간 동안 이루어지고,
    상기 DLC 코팅단계는, 상기 DLC 코팅막을 0.5∼1(㎛)의 두께로 형성하기 위하여 상기 증착조의 압력이 6×10-2(Torr), 상기 증착조의 온도가 70℃, 상기 RF 파워 공급장치의 상기 DLC 코팅용 지그에 대한 RF 파워가 25(W), 상기 DLC 코팅용 지그의 회전 rpm이 10, 상기 증착조에 주입되는 가스의 비율이 메탄가스 80％, 수소가스 10％, 질소가스 10％인 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩용 캐필러리의 DLC 코팅방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
KR1020070131308A 2007-12-14 2007-12-14 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리 KR100955420B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070131308A KR100955420B1 (ko) 2007-12-14 2007-12-14 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070131308A KR100955420B1 (ko) 2007-12-14 2007-12-14 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090063806A KR20090063806A (ko) 2009-06-18
KR100955420B1 true KR100955420B1 (ko) 2010-05-04

Family

ID=40992701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070131308A KR100955420B1 (ko) 2007-12-14 2007-12-14 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100955420B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190029140A (ko) 2017-09-12 2019-03-20 주식회사 페코텍 고강도 및 고경도 와이어본딩용 캐필러리 및 그 제조방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013088956A1 (ja) 2011-12-12 2013-06-20 岡山県 植物のアミノ酸含量を高めるための化合物およびその利用
KR20170002206U (ko) 2015-12-14 2017-06-22 대우조선해양 주식회사 해상 보급기능을 갖는 군수 지원함용 크레인 및 이를 갖는 군수 지원함

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960017510A (ko) * 1994-11-23 1996-06-17 박원배 플라스틱 표면보호용 다이아몬드성 탄소막 증착방법
JP2001223237A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Shuwa Kogyo Kk 半導体装置の製造工程におけるワイヤボンディング工程用の導線接続工具
KR20010111100A (ko) * 2000-06-07 2001-12-17 전영하 다이아몬드상카본 필름이 코팅된 정보기록 디스크 성형용스탬퍼지지금형 및 그 제조방법
JP2005340400A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Hideki Ichijo ワイヤーボンディング用キャピラリー

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960017510A (ko) * 1994-11-23 1996-06-17 박원배 플라스틱 표면보호용 다이아몬드성 탄소막 증착방법
JP2001223237A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Shuwa Kogyo Kk 半導体装置の製造工程におけるワイヤボンディング工程用の導線接続工具
KR20010111100A (ko) * 2000-06-07 2001-12-17 전영하 다이아몬드상카본 필름이 코팅된 정보기록 디스크 성형용스탬퍼지지금형 및 그 제조방법
JP2005340400A (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Hideki Ichijo ワイヤーボンディング用キャピラリー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190029140A (ko) 2017-09-12 2019-03-20 주식회사 페코텍 고강도 및 고경도 와이어본딩용 캐필러리 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090063806A (ko) 2009-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100731851B1 (ko) 구리를 기본으로 한 본드패드에 종래의 와이어를 결합시킬 수 있는 방법
KR101016588B1 (ko) 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US20060037700A1 (en) Method and apparatus for removing material from a substrate surface
JP2004523899A (ja) ボンディングツール、およびその製造方法
KR100955420B1 (ko) 와이어 본딩용 캐필러리의 디엘씨 코팅방법 및 와이어본딩용 캐필러리
US8704366B2 (en) Ultra thin bumped wafer with under-film
US7411297B2 (en) Microfeature devices and methods for manufacturing microfeature devices
US20080062612A1 (en) Electrostatic chuck
WO2010082606A1 (ja) 静電チャックおよび静電チャックの製造方法
CN106340483B (zh) 卡盘工作台和清洗装置
JP5453902B2 (ja) 静電チャックおよび静電チャックの製造方法
KR20180120601A (ko) 정전 흡착 척, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US20140263584A1 (en) Wire bonding apparatus and method
KR20100138864A (ko) 표면 처리 방법, 샤워 헤드부, 처리 용기 및 이들을 이용한 처리 장치
KR20100009752A (ko) 자기장을 이용한 무전해 도금 장치 및 방법
CN1304280A (zh) 电路基片的制造方法及其制造装置
JP2008066601A (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置
KR100505512B1 (ko) 지지볼을 접촉면으로 하는 정전척, 기판지지대,기판고정용 클램프 및 그 제조방법
KR101559699B1 (ko) 플라즈마 표면처리를 이용한 led 패키지의 제조방법
US20170345780A1 (en) Surface Conditioning And Material Modification In A Semiconductor Device
US7645636B2 (en) Semiconductor device and method for producing it, and use of an electrospinning method
KR100580293B1 (ko) 경질 입자를 이용한 평탄화 방법
Hagen et al. Reliable BGA assembly using plasma chemical cleaning
US20070251832A1 (en) Method and apparatus for electrochemical mechanical polishing of cu with higher liner velocity for better surface finish and higher removal rate during clearance
US20070092993A1 (en) Semiconductor device packaging for avoiding metal contamination

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130410

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140410

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160408

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170410

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180410

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190409

Year of fee payment: 10