JP2005340255A

JP2005340255A - 半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器

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Publication number: JP2005340255A
Application number: JP2004153147A
Authority: JP
Inventors: Takamasa Izukura; 孝昌伊豆倉
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2004-05-24
Filing date: 2004-05-24
Publication date: 2005-12-08

Abstract

【課題】接続端子における応力吸収能に指向性がなく、各種外部応力に対する耐性が改善された半導体装置を得る。
【解決手段】導電性基板１と、絶縁層３と、絶縁層３上に設けられた第１導電部６３と、絶縁層３上に隆起した樹脂製の突起状部材４と、突起状部材４の上面４３に設けられた第２導電部６１と、第１および第２導電部６３、６１に接続された導電層６とを備えた半導体装置１０。突起状部材４の側面４１には、突起状部材４の周方向にわたって段部４２が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、およびその製造方法、ならびにこの半導体装置を用いた電子機器に関し、特に、ウエハレベル（ＷＬ）のＣＳＰ（Chip Size/Scale Package）等の半導体装置に好適に用いられる技術に関する。

従来、半導体パッケージ、例えばデュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）やクァド・フラット・パッケージ（Quad Flat Package）では、側面部や周辺部に金属リードを配置した周辺端子配置型が主流である。この半導体パッケージでは、端子数が増加するとサイズが大きくなるという問題がある。
これに対し、チップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＣＳＰ：Chip Size/Scale Package）、特に、「ウエハレベル（ＷＬ）ＣＳＰ」と称される半導体パッケージでは、その占有面積を狭くすることができ、高密度実装が可能である（例えば、特許文献１〜３を参照）。
ＷＬＣＳＰは、半導体基板上に、絶縁層、再配線層、封止樹脂層等を形成し、再配線層上にはんだバンプを形成し、これを所定の寸法に切断することにより、パッケージ構造の半導体チップとしたものである。
この半導体チップは、はんだバンプを介して外部の回路基板に実装される。

半導体チップと外部の回路基板とでは熱膨張率が異なるため、半導体チップが外部の回路基板に実装された状態で、熱膨張率の差異に基づく応力（例えば基板に平行な方向の応力）が端子部に作用すると、はんだバンプまたはその接続部分に剥離や亀裂などの破損が生じるおそれがある。
はんだバンプまたはその接続部分に破損が生じると、電気的接続の信頼性が低下するおそれがある。

このため、樹脂からなる突起状部材（以下、樹脂ポストと呼ぶことがある）を有する構造が提案されている。
図６は、樹脂ポストを備えた半導体チップの一例を示すもので、この半導体チップ１００は、半導体基板であるウェハ１０１上に電極１０２が設けられている。
電極１０２の上面を除くウェハ１０１の表面全体は、絶縁樹脂層１０３で覆われている。絶縁樹脂層１０３の上には例えばポリイミド系の樹脂からなる樹脂ポスト１０４が配されている。
樹脂ポスト１０４は、略円錐台状に形成され、その上面１４３および側面１４１の全体が、シード層１０５を介して例えばＣｕからなる導電層１０６で覆われている。
導電層１０６は、突起状部材１０４の基部から配線１６２として絶縁樹脂層１０３上を延び、接続部１６３において電極１０２に接続されている。
この半導体チップ１００においては、突起状部材１０４の上面１４３上に形成された導電層１０６が、外部回路と接続する端子１６１とされている。端子１６１には、はんだバンプ１０８が形成されている。端子１６１を除く導電層１０６および絶縁樹脂層１０３の上には、封止樹脂層１０７が設けられている。
半導体チップ１００では、若干の可撓性を有する樹脂ポスト１０４を有するので、熱膨張率の差異に基づく応力が加えられたときに、この応力が樹脂ポスト１０４によって吸収される。
特開２００１−２１０７６０号公報特開２００１−２８４３８１号公報国際公開第９８／０２１１７０号パンフレット

しかしながら、上記半導体チップ１００では、樹脂ポスト１０４の側面全体が導電層１０６で覆われているため、応力が加えられたときに樹脂ポスト１０４が撓みにくいことから、必ずしも十分な応力緩和性能が得られなかった。
このため、応力緩和性能に優れ、はんだバンプまたはその接続部分が損傷を受けるのを確実に防ぐことができる半導体装置が要望されていた。
本発明は、実装状態における接続信頼性に優れた半導体装置および電子機器、ならびに前記半導体装置を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置は、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第１導電部と、前記絶縁層上に隆起した樹脂製の突起状部材と、該突起状部材の上面に設けられた第２導電部と、前記第１導電部および第２導電部に接続され、前記突起状部材の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層とを備え、前記突起状部材の側面には、該突起状部材の周方向にわたって段部が形成されていることを特徴とする。

前記段部は、前記突起状部材を周回する環状に形成することができる。
前記段部の棚部には、前記突起状部材の周方向に沿う溝を形成することができる。
前記導電層は、前記第１および第２導電部と同じ材料からなり、該第１および第２導電部に一体化されていることが好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法は、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第１導電部と、前記絶縁層上に隆起した樹脂製の突起状部材と、該突起状部材の上面に設けられた第２導電部と、前記第１導電部および第２導電部に接続され、前記突起状部材の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層とを備え、前記突起状部材の側面には、該突起状部材の周方向にわたって段部が形成された半導体装置を製造する方法であって、前記突起状部材の側面に該突起状部材の周方向にわたって段部を形成する工程Ａと、前記導電層、第１および第２導電部を一体に形成する工程Ｂと、を含むことを特徴とする。
前記工程Ｂにおいては、前記導電層、第１および第２導電部を、同じ材料で形成することが好ましい。

本発明の電子機器は、導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第１導電部と、前記絶縁層上に隆起した樹脂製の突起状部材と、該突起状部材の上面に設けられた第２導電部と、前記第１導電部および第２導電部に接続され、前記突起状部材の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層とを備え、前記突起状部材の側面には、該突起状部材の周方向にわたって段部が形成されている半導体装置を備えていることを特徴とする。

本発明の半導体装置は、突起状部材の側面に段部が形成されているので、この半導体装置を外部の回路基板に接続した状態で、熱膨張率の差異に基づく応力が加えられたときに、この応力が段部に集中して作用する。
このため、この応力が段部で吸収されることになり、はんだバンプおよびその接続部分に加えられる応力が緩和される。
従って、はんだバンプおよびその接続部分が損傷を受けるのを防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。
また、段部が突起状部材の周方向にわたって形成されているので、前記応力の方向によらず、十分な応力緩和性能が得られる。
従って、接続信頼性をさらに高めることができる。

本発明の製造方法は、導電層、第１および第２導電部を一体に形成するので、これらを別体に形成する場合に比べ、これら導電層および導電部を容易に形成することができる。
また、導電層と導電部との接続が不要となるため、構造を簡略化することができ、製造コスト低減が可能となる。

本発明の電子機器は、上記構成を備えた半導体装置を備えているので、はんだバンプおよびその接続部分が損傷を受けるのを防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。

以下、図面を参照して本発明の半導体装置の第１の例について詳細に説明する。
図１は本発明の半導体装置の第１の例の要部を示す断面図であり、図２はこの半導体装置の要部の平面図である。
半導体装置１０は、Ｓｉウェハなどの半導体基板である導電性基板１と、導電性基板１上に設けられた電極２と、導電性基板１の一面を被覆する絶縁層３と、電極２に導通可能に設けられた第１導電部６３と、絶縁層３上に隆起した樹脂ポスト４（突起状部材）と、樹脂ポスト４の上面に設けられた第２導電部６１と、樹脂ポスト４の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層６と、第２導電部６１上に設けられたはんだバンプ８とを備えている。

電極２は、集積回路（図示略）に接続されており、導電性基板１上に形成されている。
絶縁層３は、電極２を除く導電性基板１の全面を覆うように形成された絶縁性の樹脂層であり、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）により構成することができる。絶縁層３には、感光性材料を用いることもできる。
絶縁層３の厚さは、５〜５０μｍが好ましい。
第１導電部６３は、電極２を介して導電性基板１に導通できるようになっている。

樹脂ポスト４は、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂（シリコーン等）により構成することができる。
樹脂ポスト４は、略円錐台状とされている。なお、樹脂ポスト４の形状は円錐台状に限らず、略角錐台状、略円柱状、略角柱状などとすることもできる。
樹脂ポスト４の高さは特に限定されないが、２５〜１００μｍとすることが好ましい。

樹脂ポスト４の側面４１には、樹脂ポスト４の周方向にわたる凹凸（凹部および／または凸部）によって、段部４２が形成されている。
段部４２は、主側面４０に比べ傾斜角度（水平面に対する傾斜角度）が小さい棚部４４を有する。
図示例では、段部４２は、樹脂ポスト４を周回する環状に形成された凹部４２ａによって形成され、棚部４４は、水平面（基板１に沿う面）に沿って形成されている。

導電層６は、Ｃｕなどからなり、樹脂ポスト４の側面４１をシード層５を介して被覆するように形成されている。
導電層６は、第１導電部６３および第２導電部６１に接続されている。
導電層６は、突起状部材４の基部から配線６２として絶縁層３上を延び、第１導電部６３を介して電極２に接続されている。
導電層６は、第１および第２導電部６３、６１と同じ材料からなり、第１および第２導電部６３、６１に一体化されていることが好ましい。
導電層６、第１および第２導電部６３、６１の厚さは、１０〜５０μｍとするのが好ましい。
第１導電部６３、導電層６、絶縁層３の上には、封止樹脂層７が設けられている。
はんだバンプ８に用いられるはんだとしては、共晶タイプ、鉛を含まないタイプのものを挙げることができる。

次に、半導体装置１０の製造方法の第１の例を説明する。
図３（ａ）に示すように、電極２上の一部分を除いて導電性基板１の全面に、スピンコート法、キャスティング法、印刷法（スクリーン印刷法等）などにより、ポリイミド系樹脂等からなる液状樹脂を塗布し、絶縁層３とする。
図３（ｂ）に示すように、絶縁層３上に、スピンコート法、キャスティング法などにより、感光性材料であるポリイミド系樹脂等からなる液状樹脂を塗布し、樹脂層４Ｌを形成する。
次いで、ステッパを用い、樹脂ポスト４に相当する領域をマスクＭ１で覆った状態で、樹脂層４Ｌに対し第１回の露光を行う。

図３（ｃ）に示すように、これによって、露光された部分の樹脂層４Ｌが除去され、突起状（図示例では円錐台状）の樹脂ポスト母形４Ｍが形成される。
次いで、ステッパを用い、樹脂ポスト４の上面４３となる領域（中央領域）を、前記マスクＭ１より小さいマスクＭ２で覆って第２回の露光を行う。この際、露光量は、第１回の露光時の露光量に比べ少なくする。
図３（ｄ）に示すように、これによって、露光された周縁部分の樹脂ポスト母形４Ｍは厚さ方向の中間位置まで除去されるため、側面４１に環状の段部４２を有する樹脂ポスト４が形成される（工程Ａ）。

図３（ｅ）に示すように、絶縁層３および樹脂ポスト４の上に、スパッタ法、蒸着法等によりシード層５を形成する。シード層５は、密着層上に給電層を有する２層構造とすることができる。密着層の厚さは１０〜１００ｎｍが好ましく、給電層の厚さは１００〜５００ｎｍが好ましい。
密着層には、クロム、ニッケル、チタン、チタン−タングステン合金等を用いるのが好ましい。給電層には、銅、クロム、アルミニウム、チタン、チタン−タングステン合金、金等を用いるのが好ましい。

次いで、シード層５上にレジストを形成する。レジストは、第１および第２導電部６３、６１、導電層６を形成するべき位置以外の領域に形成する。
メッキ法によって、レジストが形成されていない位置に、第１導電部６３、第２導電部６１、導電層６を一体に形成する。
第１導電部６３、第２導電部６１、導電層６は、同じ材料（例えばＣｕ）を用いて形成することが好ましい。メッキ法としては、電解メッキ法、無電解メッキ法を採用できる（工程Ｂ）。

次いで、レジストを除去するとともに、導電部６３、６１および導電層６を除く領域に形成されたシード層をエッチングにより除去する。
次いで、樹脂ポスト４の上面４３を除く領域に封止樹脂層７を形成する。
次いで、はんだペースト印刷法によって、はんだペーストを電極パッド８上に載せ、リフロー処理で溶融させ、はんだバンプ９とする。
なお、はんだバンプ９を形成するには、はんだボール搭載法を採用することもできる。
以上の過程を経て、図１に示す半導体装置１０を得る。

半導体装置１０は、次に示す効果を奏する。
（１）樹脂ポスト４の側面４１に、段部４２が形成されているので、外部の回路基板にはんだバンプ８を介して接続した状態で、熱膨張率の差異に基づく応力（例えば基板１に平行な方向の応力）が加えられたときには、この応力が段部４２に集中して作用する。
このため、この応力が段部４２で吸収されることになり、はんだバンプ８およびその接続部分に加えられる応力が緩和される。
従って、はんだバンプ８およびその接続部分が損傷を受けるのを防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。
（２）段部４２が樹脂ポスト４の周方向にわたって形成されているので、前記応力の方向によらず、十分な応力緩和性能が得られる。
従って、接続信頼性をさらに高めることができる。
（３）導電層６が、第１および第２導電部６３、６１と同じ材料からなり、第１および第２導電部６３、６１に一体化されているので、メッキ法によって、導電層６、第１および第２導電部６３、６１を同時に形成することができる。
従って、導電層６と導電部６３、６１とを別体に形成する場合に比べ、これら導電層６および導電部６３、６１を容易に形成することができる。
また、導電層６と導電部６３、６１との接続が不要となるため、構造を簡略化する事ができ、製造コスト低減が可能となる。

上記製造方法は、次に示す効果を奏する。
（１）導電層６、第１および第２導電部６３、６１を一体に形成するので、導電層６と導電部６３、６１とを別体に形成する場合に比べ、これら導電層６および導電部６３、６１を容易に形成することができる。
また、導電層６と導電部６３、６１とが一体にされるため、構造を簡略化することができ、製造コスト低減が可能となる。
（２）導電層６、導電部６３、６１を同じ材料で形成することによって、工程数を少なくし、これら導電層６、導電部６３、６１を容易に形成することができる。

次に、半導体装置１０の製造方法の第２の例を説明する。
第１の例の製造方法では、レジストを用いてメッキ法により第１導電部６３、第２導電部６１、導電層６を形成したが、レジストを用いずにこれらを形成することもできる。
すなわち、シード層５を形成した後、第１導電部６３、第２導電部６１、導電層６を形成するべき位置を除く領域のシード層５をレーザ光の照射により酸化したのち、メッキを行う。
レーザ光の照射には、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザを用いることができる。
レーザ光により酸化された領域にはメッキによる金属付着が起こらないため、レーザ光が照射されなかった位置に第１導電部６３、第２導電部６１、導電層６が形成される。

次に、本発明の半導体装置の他の例を説明する。
図４は、本発明の半導体装置の第２の例の樹脂ポストを示す側面図である。
ここに示す樹脂ポスト２０は、略円錐台状に形成され、その側面２１には、高さが異なる２つの段部２２、２３が形成されている。段部２２、２３は、樹脂ポスト２０を周回する環状に形成されている。符号２４は樹脂ポスト２０の上面を示し、符号２５、２６は段部２２、２３の棚部を示す。
なお、段部は、３つ以上形成することもできる。

樹脂ポスト２０は、例えば次に示す方法で形成することができる。
図３（ｃ）に示す樹脂ポスト母形４Ｍを形成した後、マスクで樹脂ポスト母形４Ｍの上面を覆って樹脂ポスト母形４Ｍを露光する処理を２回行う。
２回目の露光では、１回目の露光に比べ、小さいマスクを使用するとともに、露光量を少なくする。これによって、高さが異なる２つの段部２２、２３を有する樹脂ポスト２０を形成することができる。

図５は、本発明の半導体装置の第３の例の樹脂ポストを示す断面図である。
ここに示す樹脂ポスト３０は、略円錐台状に形成され、その側面３１には、高さが異なる２つの環状の段部３２、３３が形成されている。符号３４は樹脂ポスト３０の上面を示す。
段部３２、３３の棚部３５、３６には、それぞれ周方向に沿う溝３７、３８が形成されている。

樹脂ポスト３０は、例えば次に示す方法で形成することができる。
図４に示す樹脂ポスト２０と同じ形状の樹脂ポストを形成した後、段部３２、３３の棚部３５、３６に、レーザ加工などによって溝３７、３８を形成する。

溝３７、３８の形成によって、応力が加えられたときに、この応力が段部３２、３３で吸収されやすくなるため、はんだバンプ８およびその接続部分に加えられる応力がさらに緩和される。
従って、はんだバンプ８およびその接続部分が損傷を受けるのを確実に防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。

（実施例１）
図１に示す半導体装置１０を次のようにして製造した。
２ｍｍ×３ｍｍの半導体チップを有する６インチの導電性基板１に、スピンコート法によりポリイミド系樹脂を塗布することによって絶縁層３（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
図３に示すように、絶縁層３上に、感光性のポリイミド系樹脂を塗布することによって樹脂層４Ｌ（厚さ３０±１μｍ）を形成した。
次いで、ステッパを用いて、樹脂ポスト４に相当する領域をマスクＭ１で覆って樹脂層４Ｌを露光することによって（露光量：１０００ｍＪ／ｃｍ^２）、樹脂ポスト母形４Ｍを形成した。
次いで、ステッパを用いて、樹脂ポスト４の上面４３となる領域をマスクＭ２で覆って再び露光を行うことによって（露光量：５００ｍＪ／ｃｍ^２）、段部４２を形成した。
次いで、絶縁層３および樹脂ポスト４の上に、スパッタ法によりシード層５を形成した。
シード層５は、Ｃｒからなる密着層（厚さ３０±１５ｎｍ）上にＣｕからなる給電層（厚さ３００±１５０ｎｍ）を有する２層構造とした。
次いで、感光性レジストを、導電層６、導電部６３、６１を形成するべき位置を除く領域のシード層５に、電解メッキ法によって、導電層６、導電部６３、６１を形成した。これらの厚さは１５±１μｍとした。
次いで、第２導電部６１（直径３００±５μｍ）を除く領域に封止樹脂層７（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、はんだペースト印刷法によって、鉛を含まないはんだペーストを第２導電部６１上に載せ、リフロー処理（処理温度２６０℃）で溶融させ、はんだバンプ８とし、半導体装置１０を得た。

（実施例２）
図１に示す半導体装置１０を次のようにして製造した。
１．３ｍｍ×２ｍｍの半導体チップを有する８インチの導電性基板１に、スクリーン印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布することによって絶縁層３（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
図３に示すように、絶縁層３上に、感光性のポリイミド系樹脂を塗布することによって樹脂層４Ｌ（厚さ５０±１μｍ）を形成した。
次いで、ステッパを用いて、樹脂ポスト４に相当する領域をマスクＭ１で覆って樹脂層４Ｌを露光することによって（露光量：２０００ｍＪ／ｃｍ^２）、樹脂ポスト母形４Ｍを形成した。
次いで、ステッパを用いて、樹脂ポスト４の上面４３となる領域をマスクＭ２で覆って再び露光を行うことによって（露光量：１０００ｍＪ／ｃｍ^２）、段部４２を形成した。
次いで、絶縁層３および樹脂ポスト４の上に、スパッタ法によりシード層５を形成した。
シード層５は、ＴｉＷからなる密着層（厚さ５０±１５ｎｍ）上にＣｕからなる給電層（厚さ３００±１５０ｎｍ）を有する２層構造とした。
次いで、感光性レジストを、導電層６、導電部６３、６１を形成するべき位置を除く領域のシード層５に、電解メッキ法によって、導電層６、導電部６３、６１を形成した。これらの厚さは１５±１μｍとした。
次いで、第２導電部６１（直径２５０±５μｍ）を除く領域に封止樹脂層７（厚さ１５±１μｍ）を形成した。
次いで、はんだボール搭載法によって、共晶タイプのはんだペーストを第２導電部６１上に載せ、リフロー処理（処理温度２６０℃）で溶融させ、はんだバンプ８とし、半導体装置１０を得た。

実施例１および実施例２の半導体装置１０（半導体チップ）を、はんだバンプを介して外部の回路基板に実装して、−４０℃〜１２５℃のヒートサイクル耐性試験に供した。
比較のため、樹脂ポストに段部を形成しないこと以外は実施例１の半導体装置１０と同様の構成の半導体装置を作成した（比較例）。比較例の半導体装置をヒートサイクル耐性試験に供した。
ヒートサイクル試験では、サンプルに−４０℃〜１２５℃のヒートサイクルを負荷しながら、第２導電部とはんだバンプとの間の電気的接続を調べ、抵抗増大などの異常が発生した時点のヒートサイクル回数をヒートサイクル耐性として記録した。
試験結果を表１に示す。ヒートサイクル回数が１８００回に達しても異常発生が見られなかった場合には、ヒートサイクル耐性を「１８００＜」とした。
なお、実施例および比較例の半導体装置を、外部の回路基板に実装していない状態でヒートサイクル試験に供したところ、ヒートサイクル回数が１８００回に達しても異常発生は見られなかった。

表１の結果より、実施例１、２の半導体装置１０は、実装した状態における耐久性に優れていることがわかる。

本発明の半導体装置は、外部の回路基板などに実装したときの電気的接続の信頼性が高いため、各種フレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circit）などの回路基板に歩留まりよく実装できる。
このため、本発明の半導体装置は、例えばＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、光送受信機器などのように、半導体装置が実装された回路基板を備えた各種電子機器に有利に適用できる。

本発明の半導体装置の第１の例を示す断面図である。図１に示す半導体装置の要部を示す平面図である。図１に示す半導体装置の製造工程を示す工程図である。本発明の半導体装置の第２の例における樹脂ポスト（突起状部材）を示す側面図である。本発明の半導体装置の第３の例における樹脂ポスト（突起状部材）を示す断面図である。従来の半導体装置の一例を示す断面図である。

符号の説明

１…導電性基板、２…電極、３…絶縁層、４…樹脂ポスト（突起状部材）、４１…側面、４２…段部、４３…上面、６…導電層、６１…第２導電部、６３…第１導電部。

Claims

導電性基板と、
前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、
前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第１導電部と、
前記絶縁層上に隆起した樹脂製の突起状部材と、
該突起状部材の上面に設けられた第２導電部と、
前記第１導電部および第２導電部に接続され、前記突起状部材の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層とを備えた半導体装置であって、
前記突起状部材の側面には、該突起状部材の周方向にわたって段部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
前記段部は、前記突起状部材を周回する環状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
前記段部の棚部には、前記突起状部材の周方向に沿う溝が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
前記導電層は、前記第１および第２導電部と同じ材料からなり、該第１および第２導電部に一体化されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第１導電部と、前記絶縁層上に隆起した樹脂製の突起状部材と、該突起状部材の上面に設けられた第２導電部と、前記第１導電部および第２導電部に接続され、前記突起状部材の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層とを備え、前記突起状部材の側面には、該突起状部材の周方向にわたって段部が形成された半導体装置を製造する方法であって、
前記突起状部材の側面に該突起状部材の周方向にわたって段部を形成する工程Ａと、
前記導電層、第１および第２導電部を一体に形成する工程Ｂと、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記工程Ｂにおいて、前記導電層、第１および第２導電部を、同じ材料で形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
導電性基板と、前記導電性基板の一面を被覆する絶縁層と、前記導電性基板の一面と導通可能に設けられた第１導電部と、前記絶縁層上に隆起した樹脂製の突起状部材と、該突起状部材の上面に設けられた第２導電部と、前記第１導電部および第２導電部に接続され、前記突起状部材の側面をほぼ全面にわたって被覆する導電層とを備え、前記突起状部材の側面には、該突起状部材の周方向にわたって段部が形成されている半導体装置を備えていることを特徴とする電子機器。