JP2005336391A - Si含有膜形成材料、およびその用途 - Google Patents
Si含有膜形成材料、およびその用途 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】下記一般式(1)
【化1】
(式中、R1,R2,R3は、炭素数1〜10の炭化水素基を表すか、またはR1,R2,R3は、互いに結合し、炭素数3〜20の環状構造を形成してもよい。R4は、炭素数1〜20の炭化水素基または水素原子を表す。nは1または2を表す。pは2〜10の整数を表す。)
で示される環状シロキサン化合物を含有するSi含有膜形成材料、その用途等。
【選択図】 選択図なし
Description
で示される環状シロキサン化合物を含有することを特徴とする、Si含有膜形成材料である。
なり、PECVD装置での使用が困難となる場合があり、好ましくない場合があ
る。
ル、n−ブチル、i−ブチル、sec−ブチル、tert.−ブチル、n−ペン
チル、tert.−アミル、n−ヘキシル、フェニル、n−ヘプチル、トルイル、
n−デシル、n−ウンデシルを挙げることができる。有機シラン化合物の蒸気圧
が低くなりすぎないとの点と原料調達上の点から、R4は特に好ましくは、水素原子も
しくは炭素数1乃至4の炭化水素基が好ましい。
(A)1,3,5−トリtert.−ブチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−ブチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.−ブチルシクロペンタシロキサン、
(B)1,3,5−トリtert.−アミルシクロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−アミルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.−アミルシクロペンタシロキサン
(C)1,3,5−トリアダマンチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラアダマンチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタアダマンチルシクロペンタシロキサン等があげられる。
トリシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−ブチル−1,3,5、7
−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.
−ブチル−1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、
(E)1,3,5−トリtert.−アミル−1,3,5−トリメチルシクロト
リシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−アミル−1,3,5、7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.−アミル−1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロキサン
(F)1,3,5−トリアダマンチル−1,3,5−トリメチルシクロトリシロ
キサン、1,3,5,7−テトラアダマンチル−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタアダマンチル−1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロキサン等があげられる。
トリシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−ブチル−1,3,5、7
−テトラエチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.
−ブチル−1,3,5,7,9−ペンタエチルシクロペンタシロキサン、
(H)1,3,5−トリtert.−アミル−1,3,5−トリエチルシクロト
リシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−アミル−1,3,5、7−テトラエチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.−アミル−1,3,5,7,9−ペンタエチルシクロペンタシロキサン
(I)1,3,5−トリアダマンチル−1,3,5−トリエチルシクロトリシロ
キサン、1,3,5,7−テトラアダマンチル−テトラエチルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタアダマンチル−1,3,5,7,9−ペンタエチルシクロペンタシロキサン等があげられる。
トリシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−ブチル−1,3,5、7
−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.
−ブチル−1,3,5,7,9−ペンタビニルシクロペンタシロキサン、
(K)1,3,5−トリtert.−アミル−1,3,5−トリビニルシクロト
リシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−アミル−1,3,5、7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタtert.−アミル−1,3,5,7,9−ペンタビニルシクロペンタシロキサン
(L)1,3,5−トリアダマンチル−1,3,5−トリビニルシクロトリシロ
キサン、1,3,5,7−テトラアダマンチル−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタアダマンチル−1,3,5,7,9−ペンタビニルシクロペンタシロキサン等があげられる。
クロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラtert.−ブチル−1,3,5,7−テトラi−プロピルシクロテトラシロキサン、
(N)1,1,3,3,5,5−ヘキサtert.−ブチルシクロトリシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7−オクタtert.−ブチルシクロテトラシロキサン等を挙げることができる。
tert.−ブチルジメトキシシラン、tert.−ブチルジエトキシシラン、tert.−ブチルジクロロシラン、
tert.−ブチルメチルジメトキシシラン、tert.−ブチルメチルジエ
トキシシラン、tert.−ブチルメチルジクロロシラン、
tert.−ブチルエチルジメトキシシラン、tert.−ブチルエチルジエトキシシラン、tert.−ブチルエチルジクロロシラン、
tert.−ブチルビニルジメトキシシラン、tert.−ブチルビニルジエトキシシラン、tert.−ブチルビニルジクロロシラン、
tert.−ブチル−i−プロピルジメトキシシラン、tert.−ブチル−i−プロピルジエトキシシラン、tert.−ブチル−i−プロピルジクロロシランなどがあげられる。
tert.−アミルジメトキシシラン、tert.−アミルジエトキシシラン、tert.−アミルジクロロシラン、
tert.−アミルメチルジメトキシシラン、tert.−アミルメチルジエ
トキシシラン、tert.−アミルメチルジクロロシラン、
tert.−アミルエチルジメトキシシラン、tert.−アミルエチルジエトキシシラン、tert.−アミルエチルジクロロシラン、
tert.−アミルビニルジメトキシシラン、tert.−アミルビニルジエトキシシラン、tert.−アミルビニルジクロロシラン、
tert.−アミル−i−プロピルジメトキシシラン、tert.−アミル−i−プロピルジエトキシシラン、tert.−アミル−i−プロピルジクロロシランなどがあげられる。
1−アダマンチルジメトキシシラン、1−アダマンチルジエトキシシラン、
1−アダマンチルジクロロシラン、
1−アダマンチルメチルジメトキシシラン、1−アダマンチルメチルジエトキ
シシラン、1−アダマンチルメチルジクロロシラン、
1−アダマンチルエチルジメトキシシラン、1−アダマンチルエチルジエトキ
シシラン、1−アダマンチルエチルジクロロシラン、
1−アダマンチルビニルジメトキシシラン、1−アダマンチルビニルジエトキ
シシラン、1−アダマンチルビニルジクロロシラン、
1−アダマンチル−i−プロピルジメトキシシラン、1−アダマンチル−i−プロピルジエトキシシラン、1−アダマンチル−i−プロピルジクロロシラン
ジ(1−アダマンチル)ジメトキシシラン、ジ(1−アダマンチル)tert.−ブチルジエトキシシラン、ジ(1−アダマンチル)ジクロロシラン
等を挙げることができる。
しては、一般式(1)で示される環状シロキサン化合物をSi含有膜形成材料として用いることにより、半導体デバイス層間絶縁膜中の低誘電率材料として、低誘電率且つ高機械的強度の材料を提供できる。また本発明では、PECVD法層間絶縁膜材料として有用な、一般式(1)で表される環状シロキサン化合物を高純度に効率よく製造することができ
る。
攪拌装置を備えた5Lの四つ口フラスコにtert.−ブチルメチルジメトキシシラン500g(3.09mol)、純水556g(30.9mol)、硫酸152g(1.55mol)、テトラヒドロフラン3.00Lを仕込み、還流条件下、1時間反応させた。反応終了後、THF及び水を留去し、得られた有機層をモレキュラーシーブで乾燥した。乾燥後、有機層から減圧蒸留により、目的物である1,3,5−トリtert.−ブチル−1,3,5−トリメチルシクロトリシロキサン231g(0.665mol)を得た。収率は、21.5%であり、tert.−ブチルメチルジメトキシシランの転換率は、64.4%であった。
1H−NMR;δ0.214〜0.220ppm(m,9H,CH3)、
δ0.990〜1.04(m,27H,tBu)
GC−MS;Mw=348、C15H36O3Si3。
H2О=11ppmであり、Li<10ppb、Na<10ppb、Na<
10ppb、K<10ppb、Mg<10ppb、Ba<10ppb、Sr<
10ppb、Cr<10ppb、Ag<10ppb、Cu<10ppb、Zn<
10ppb、Cd<10ppb、Fe<10ppb、Mn<10ppb、Co<
10ppb、Ni<10ppb、Ti<10ppb、Zr<10ppb、Al<
10ppb、Pb<10ppb、Sn<10ppb、W<10ppbであり、
絶縁膜材料として有用なものであった。
日本レーザー電子(株)社製プラズマ重合装置NL−ОP50FTを用い、放電電圧2.1kV、放電電流5.0mA、1,3,5−トリtert.−ブチル−1,3,5−トリメチルシクロトリシロキサン分圧0.7torr、室温、重合(放電)時間12分間の条件で1,3,5−トリtert.−ブチル−1,3,5−トリメチルシクロトリシロキサンをプラズマCVDし、シリコン基板上に成膜した。
成膜速度=102nm/min.
薄膜組成(XPS)C=67.1atom%、О=15.8atom%、
Si=15.4atom%
C/Si=4.35atom比、
О/Si=1.03atom比
SEM薄膜断面観察 平坦緻密膜
であり、ケイ素に対する炭素(有機置換基)の比率の高い、絶縁膜用材料として適した薄膜であった。また、モノマー中のO/Si=1.00atom比が維持され、モノマー環状構造が維持されていることを示唆した。
実施例2において重合するモノマーをジメチルジメトキシシランとしたこと以外は、実施例2と同様にしてシリコン基板上にプラズマCVD成膜を実施した。
結果は、
成膜速度=10.8nm/min.
薄膜組成(XPS)C=32.2atom%、О=40.6atom%、
Si=27.1atom%
C/Si=1.19atom比、
О/Si=1.50atom比
SEM薄膜断面観察 平坦緻密膜
であり、実施例2に比し、成膜速度が遅く、ケイ素に対する炭素(有機置換基)の比率が低く、絶縁膜用材料としては不適な薄膜しか得られなかった。
Claims (13)
- 一般式(1)で表される環状シロキサン化合物中の三級炭化水素基が、ターシャリーブチル、ターシャリーアミル、または1−アダマンチルであることを特徴とする、請求項1に記載のSi含有膜形成材料。
- 一般式(1)で示される化合物が、1,3,5−トリターシャリーブチル−1,3,5−トリメチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7−テトラターシャリーブチル−1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、または1,3,5,7,9−ペンタターシャーリーブチル−1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロキサンのいずれかであることを特徴とする、請求項1または2に記載のSi含有膜形成材料。
- ケイ素、炭素、酸素、水素以外の不純物量が10ppb未満であり、かつ含水量が50ppm未満であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のSi含有膜形成材料。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のSi含有膜形成材料を原料として用いることを特徴とする、Si含有膜の製法。
- 化学気相成長法により成膜を行うことを特徴とする、請求項5に記載の製法。
- 化学気相成長法が、プラズマ励起化学気相成長法(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)であることを特徴とする、請求項6に記載の製法。
- 請求項5〜7いずれかに記載の製法によって得られることを特徴とする、Si含有膜。
- 一般式(1)で示される環状シロキサン化合物中の環状シロキサン構造を含んでなることを特徴とする、請求項8に記載のSi含有膜。
- 請求項8または9に記載のSi含有膜を、三級炭化水素基とケイ素原子との結合が切断される温度以上で熱処理することを特徴とする、多孔質膜の製法。
- 請求項10に記載の製法によって得られることを特徴とする、多孔質膜。
- 請求項8、9または11に記載の膜を絶縁膜として用いることを特徴とする、半導体デバイス。
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