JP2005332927A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 湿式でない処理により、ビアホールの底面に露出した内層配線と、該内層配線に接続される配線との密着性を高められるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 プリント配線板の製造方法は、(a)表面に内層配線が形成された下地基板と、該内層配線を覆うように該下地基板の表面に形成された樹脂層とを有する加工対象物の、該樹脂層の一部を、反応性イオンエッチングにより除去して、底面に該内層配線が露出したビアホールを形成する工程と、(b)前記工程(a)で形成された前記ビアホールの底面を、希ガスのプラズマに晒し、該ビアホールの底面に露出した前記内層配線の表面を清浄化する工程とを有する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、プリント配線板の製造方法に関し、特に、ビアホールが形成されたプリント配線板を製造する方法に関する。
特許文献1に、以下に説明するようなプリント配線板の製造方法が開示されている。表面に内層配線が形成されたコア基板に、内層配線を覆うように層間絶縁層が形成される。層間絶縁層に、底面に内層配線が露出したビアホールが形成される。ビアホールの内部に無電解めっきにより銅を充填し、めっきにより充填された銅と、内層配線とを電気的に接触させる。ビアホールに充填された銅の表面にさらに銅を無電解めっきすることにより、配線が形成される。
同文献に、無電解めっきによりビアホールに銅を充填する前に、ビアホールの底面に露出した内層配線の表面を酸に晒して、内層配線の表面に形成された酸化被膜を除去し、内層配線の表面に銅を析出しやすくする方法が開示されている。
特開平10−247782号公報
特許文献1の方法により、内層配線の表面の酸化被膜を除去すれば、酸化被膜が残っている場合に比べて、内層配線とそれに接続される配線との密着性が高まるであろう。しかし、酸化被膜を除去する処理液は、ビアホールが小径化すると、ビアホールの内部に充分に入り込まなくなる。
本発明の一目的は、湿式でない処理により、ビアホールの底面に露出した内層配線と、該内層配線に接続される配線との密着性を高められるプリント配線板の製造方法を提供することである。
本発明の一観点によれば、(a)表面に内層配線が形成された下地基板と、該内層配線を覆うように該下地基板の表面に形成された樹脂層とを有する加工対象物の、該樹脂層の一部を、反応性イオンエッチングにより除去して、底面に該内層配線が露出したビアホールを形成する工程と、(b)前記工程(a)で形成された前記ビアホールの底面を、希ガスのプラズマに晒し、該ビアホールの底面に露出した前記内層配線の表面を清浄化する工程と
を有するプリント配線板の製造方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、(c)表面に内層配線が形成された下地基板と、該内層配線を覆うように該下地基板の表面に形成された樹脂層とを有する加工対象物に、レーザ光を照射して、該樹脂層の一部を除去し、底面に該内層配線が露出したビアホールを形成する工程と、(d)前記工程(c)で形成された前記ビアホールの底面に残留したスミアを、反応性イオンエッチングにより除去する工程と、(e)前記工程(d)でスミアが除去された前記ビアホールの底面を、希ガスのプラズマに晒し、該ビアホールの底面に露出した前記内層配線の表面を清浄化する工程とを有するプリント配線板の製造方法が提供される。
ビアホールの底面に露出した内層配線の表面が、希ガスのプラズマに晒されて清浄化される。この表面に接続するように配線を形成すれば、形成される配線と内層配線との高い密着性が得られる。
図1を参照して、本発明の第1の実施例によるプリント配線板の製造方法について説明する。図1(A)に示すように、コア基板1の表面に内層配線2が形成された下地基板Aに、樹脂付き銅箔Bが積層された加工基板Cを準備した。以下のようにして、樹脂付き銅箔Bを下地基板Aに積層した。なお、コア基板には、例えばガラスエポキシ樹脂が用いられる。
樹脂付き銅箔Bは、例えば厚さ12μm〜18μm程度の銅箔4の表面に、硬化させていない樹脂からなる樹脂層3が形成された材料である。銅箔4の樹脂層3が形成された表面は粗く、深さ方向の全幅が例えば2〜3μmの凹凸を有する。
樹脂付き銅箔Bの樹脂層3が、内層配線2に接するように、樹脂付き銅箔Bと下地基板Aとを重ね合わせ、圧力及び熱を加えて樹脂層3を硬化させ、樹脂付き銅箔Bと下地基板Aとを接着した。樹脂層3は、ベンゾシクロブテン(BCB)系樹脂(例えば住友ベークライト製APL−4901)からなる。樹脂付き銅箔Bの銅箔4の粗い表面の凹部に樹脂層3が食い込んでいることにより、銅箔4と樹脂層3との密着性は高い。
樹脂付き銅箔Bを下地基板Aに接着した後、銅箔4を湿式エッチングによりすべて除去し、加工基板Cの表面に樹脂層3を露出させた。露出した樹脂層3の表面は、銅箔4の粗い表面に対応した凹凸を有する。このエッチングのエッチャントとして、塩化第二鉄、塩化第二銅等を用いることができる。
樹脂層3が露出した加工基板Cを、窒素プラズマに晒し、樹脂層3の表面を改質した。この改質処理は、平行平板型プラズマ処理装置を用いて行った。処理条件は、例えば、圧力が10Pa、窒素流量が100sccm、投入パワーが0.8W/cm、処理時間が3分である。この窒素プラズマ処理により、樹脂層3の表面に後に成膜される銅層と樹脂層3との密着性が向上する。
なお、樹脂層3と銅層との密着性は、例えば以下のような理由で向上すると理解される。窒素プラズマ処理により、樹脂層3の表面に、窒素を含む官能基が導入される。導入される官能基の中に、例えばシアノ基(三重結合のCN結合)等、窒素と銅との間に配位結合を生じさせるものが含まれるであろう。樹脂層3の表面の窒素と銅との間に生じる配位結合により、樹脂層3と銅層との密着性が向上すると考えられる。なお、窒素プラズマ処理を施した樹脂層3に対し高い密着性が得られる金属は、銅に限らない。銅の他に、ニッケル、クロム等、窒素との結合力が強い金属を用いることができる。
窒素プラズマ処理の後、図1(B)に示すように、樹脂層3の表面に、厚さ0.1μmの銅層5をイオンプレーティング法により成膜した。樹脂層3の粗い表面に密着して、銅層5が形成される。次に銅層5の表面にレジストを塗布し、露光、現像を行って、開口を有するレジストパタン6を形成した。開口は、平面視において内層配線2に内包されるように配置される。開口の直径は30μmである。レジストパタン6の開口の底に露出した銅層5を、湿式エッチングにより除去して、開口の底に樹脂層3を露出させた。銅層5のエッチングは、銅箔4のエッチングと同様に行うことができる。
銅層5のエッチングに要する時間は、銅層5の厚さに依存する。銅層5が厚いほど、エッチングに要する時間が長くなる。エッチングに要する時間が長くなると、レジストパタン6の下に存在する銅層5までがエッチングされるアンダーカットが生じやすくなる。アンダーカットが生じると、銅層5に、所望の直径より大きな直径の開口が形成されてしまい、加工精度が低下する。銅層5の厚さが0.5μm以下であれば、アンダーカットは生じにくい。本実施例による方法では、銅層5が、厚さ0.5μm以下であり、短時間でエッチングされるので、アンダーカットの発生が抑制され、高い加工精度で銅層5に開口を形成できる。なお、樹脂付き銅箔Bの銅箔4を除去せず、銅層5の代わりに銅箔4を用いて、銅箔4に開口を形成しようとすると、銅箔4の厚さは例えば12μmであるので、アンダーカットが生じやすく、開口が精度良く形成できない。
銅層5のエッチングの後、レジストパタン6を剥離する。レジストパタン6を剥離した後、加工基板Cをプラズマ処理装置に移送し、以下に説明するような反応性イオンエッチング(RIE)処理と、アルゴンプラズマ処理とを行った。
図1(C)に示すように、開口が形成された銅層5をマスクとして、反応性イオンエッチングにより樹脂層3を除去し、底面に内層配線2が露出したビアホール7を形成した。この反応性イオンエッチングは、酸素と四フッ化炭素の分圧比(または流量比)が60:40である混合ガスを用い、処理チャンバ内の圧力を5Paとして行った。
反応性イオンエッチングでビアホール7が形成された後、処理チャンバに導入するガスをアルゴンガスに切り替え、加工基板CをアルゴンプラズマPに晒し、ビアホール7の底面に露出した内層配線2の表面の清浄化を行った。このプラズマ処理は、処理チャンバ内の圧力を0.5Paとして行った。本実施例では、反応性イオンエッチング処理を行った処理チャンバ内で、反応性イオンエッチング処理に引き続いてアルゴンプラズマ処理が行われる。両処理が共通の処理チャンバで行われるので、プラズマ処理装置の設置面積が小さくて済むと同時に、イニシャルコストが安くなる。なお、反応性イオンエッチング処理とアルゴンプラズマ処理とを、個別の処理チャンバを設けて行っても構わない。このようにすれば、両処理を同時に行うことができ、生産性の面で有利となる。
なお、ビアホール7の内径が、例えば1μm程度まで細くなっても、このアルゴンプラズマ処理により、ビアホール7の底面を清浄化することができる。なお、このプラズマ処理により、銅層5の表面も清浄化される。
図2は、上述した反応性イオンエッチング及びアルゴンプラズマ処理の双方を行うことができる平行平板型のプラズマ処理装置を概略的に示す。処理チャンバ101の内部に、2枚の平板電極102及び103が配置される。一方の電極102に接触させるように、加工基板Cが設置される。他方の電極103に、ガス導入口が形成されている。電極103は接地されている。電極102と電極103との間に、高周波電源104より高周波電圧が印加される。
電極103に形成されたガス導入口から、それぞれの処理に必要なガスが、処理チャンバ101の内部に導入される。排気管107が、処理チャンバ101とターボ分子ポンプ105の吸気口とを連通させる。排気管107に、バルブ107aが形成されている。排気管108が、ターボ分子ポンプ105の排気口とロータリーポンプ106の吸気口とを連通させる。排気管109が、処理チャンバ101と排気管108とを連通させる。排気管109に、バルブ109aが形成されている。
バルブ107aを閉じ、バルブ109aを開いた場合は、処理チャンバ101内のガスが、排気管109、108、及びロータリーポンプ106を経て排気される。バルブ109aを閉じ、バルブ107aを開いた場合は、処理チャンバ101内のガスが、排気管107、ターボ分子ポンプ105、排気管108、及びロータリーポンプ106を経て排気される。
上述した反応性イオンエッチング処理とアルゴンプラズマ処理とでは、処理に好適な圧力が互いに大きく異なる。反応性イオンエッチングに好適な処理チャンバ内の圧力は3〜20Paであり、アルゴンプラズマ処理に好適な処理チャンバ内の圧力は0.01〜2Paである。反応性イオンエッチング処理において、圧力が低過ぎると、処理チャンバ内に存在する分子数が少ないことに起因して、充分な処理速度が得られなくなる。また、圧力が高過ぎると、処理に寄与するラジカルが充分に発生しなくなる。一方、アルゴンプラズマ処理において、圧力が低過ぎるとアルゴンプラズマが発生しなくなる。また、圧力が高過ぎると、各アルゴンイオンのエネルギが低くなり、処理が充分に進まなくなる。
ロータリーポンプ106とターボ分子ポンプ105の2種のポンプを以下のように用いることにより、それぞれの処理に好適な圧力が得られる。反応性イオンエッチングを行うときは、バルブ107aを閉じ、バルブ109aを開いて、処理チャンバ101内のガスをロータリーポンプ106で排気する。
アルゴンプラズマ処理を行うときは、バルブ109aを閉じ、バルブ107aを開いて、処理チャンバ101内のガスをターボ分子ポンプ105で排気する。このとき、ロータリーポンプ106を補助ポンプとして同時に運転する。ターボ分子ポンプ105を用いると、ロータリーポンプ106のみを用いる場合に比べて、処理チャンバ101内の圧力を低くできる。このようにしてロータリーポンプ106とターボ分子ポンプ105とを用いることにより、反応性イオンエッチング及びアルゴンプラズマ処理の双方を良好に行うことができる。
なお、アルゴンプラズマ処理時に、処理チャンバ101内に導入するアルゴンガスの流量を少なくすれば、ロータリーポンプ106のみを用いても、ある程度圧力を低く保つことは可能である。しかし、このような場合、プラズマ処理により加工基板Cから除去された物質が充分に排気されず、処理チャンバ101内が汚染される。処理チャンバ101内を清浄に保つためには、ターボ分子ポンプ105を用いて処理チャンバ101内のガスを排気する必要がある。また、それに対応する量のアルゴンガスを、処理チャンバ101内に供給する必要がある。アルゴンガスは、例えば流量100〜300sccmで供給される。
なお、プラズマ処理装置に用いられるポンプは上述のものに限られない。所定の圧力が得られるものであれば、他のポンプを用いてもよい。例えば、ロータリーポンプの代わりにドライポンプを用い、ターボ分子ポンプの代わりに油拡散ポンプを用いることができる。
図1に戻って説明を続ける。アルゴンプラズマ処理が終了した後、図1(D)に示すように、ビアホール7の底面と側壁、及び銅層5を覆うように、銅からなり厚さ0.5μmのシード層8を、イオンプレーティング法により成膜した。シード層8により、内層配線2と銅層5とが、電気的に接触する。
反応性イオンエッチングの終了時、ビアホール7の底面に露出した内層配線2の表面には、反応性イオンエッチングに用いた混合ガスに由来するフッ素、炭素、酸素等を成分に含む膜が形成されている。そのような膜が形成された状態で、内層配線2の表面にシード層8を形成すれば、内層配線2とシード層8との密着性を確保できない。密着性が確保されないと、内層配線2からシード層8が剥がれる不具合が起こり、両者の電気的接触が不良となる。反応性イオンエッチングの終了後に、内層配線2をアルゴンプラズマPに晒すことにより、内層配線2の表面に形成された膜が除去され、内層配線2の表面が清浄化される。これにより、内層配線2とシード層8との密着性が確保され、両者の電気的接触が良好になる。なお、アルゴンプラズマ処理により、銅層5の表面も同様に清浄化されるので、銅層5とシード層8との密着性が確保される。
次に図1(E)に示すように、シード層8の表面にレジストを塗布し、露光、現像を行って、配線パタンに対応する溝を有するレジストパタン9を形成した。次いで、レジストパタン9の溝に電解めっきにより銅を充填した。銅の電解めっきの後、レジストパタン9を剥離した。レジストパタン9を剥離した後、フラッシュエッチングと呼ばれる湿式エッチングを行った。このエッチングにより、レジストパタン9に対応する領域のシード層8及び銅層5を除去した。このようにして、レジストパタン9が有する溝に対応するように、配線10が形成される。配線10の、樹脂層3の上面に形成された部分は、銅層5、シード層8、及び電解めっきされた銅の3層が積層した構造を有する。なお、銅層5とシード層8とが積層された層をまとめて、セミアディティブ法で配線10を形成する際のシード層と捉えることもできる。
なお、配線10の形成の際、レジストパタン9に対応する領域のシード層8及び銅層5がエッチングされるのと同時に、レジストパタン9の溝に電解めっきにより充填された銅の表層もエッチングされる。シード層8と銅層5とが積層された銅膜が薄いほど、電解めっきで充填された銅の表層がエッチングされる量は少なくなり、配線10が精度良く形成される。配線10の加工精度を良くするため、シード層8と銅層5とが積層された銅膜の膜厚は1.0μm以下にすることが好ましい。
樹脂層3の上面に形成された配線10の下面は、樹脂層3の粗い表面の凹部に食い込むように形成されている。さらに、樹脂層3の表面は窒素プラズマ処理されている。これにより、配線10と樹脂層3との高い密着性が確保される。なお、窒素プラズマ処理を施さなくても、樹脂層3が粗い表面を有していることにより、配線10と樹脂層3との密着性をある程度高くできる。
本実施例による方法では、樹脂付き銅箔Bが有する樹脂層3の粗い表面に配線10を形成するので、樹脂層3に粗化処理を施すことなく、樹脂層3と配線10との密着性を確保できる。
なお、銅層5及びシード層8をイオンプレーティング法により成膜したが、銅層5及びシード層8の成膜には例えばスパッタ法等、その他の乾式の成膜方法を用いることも可能である。なお、銅層5及びシード層8を、それぞれ異なる成膜方法で成膜しても構わない。なお、銅層5及びシード層8を同一の成膜方法で成膜するとき、両層を同一の成膜装置で成膜することができる。なお、銅層5やシード層8を湿式の成膜方法(例えば無電解めっき)で形成すると、膜質の良い銅膜が得られない。なお、無電解めっきで形成される銅膜は、通常0.5〜1μm程度の厚さである。乾式の成膜方法では、例えば0.05μm程度の薄い銅膜も容易に成膜できる。
反応性イオンエッチングにおいて、酸素ガスと四フッ化炭素との混合ガスを用いる例を説明したが、例えば酸素ガス等、プラズマエッチングに用いられる種々のガスを用いることができる。内層配線を清浄化するプラズマ処理を、アルゴンガスを用いて行ったが、このプラズマ処理は、他の希ガスを用いて行うことも可能である。
なお、樹脂層3の素材が、ベンゾシクロブテン系樹脂である場合を説明したが、樹脂層3の素材として、例えば、シアネート系樹脂、エポキシ系樹脂、テフロン(登録商標)系樹脂等、プリント配線板の製造に用いられる他の樹脂を用いることもできる。なお、樹脂層3の表面に、銅層5の代わりに、ニッケル、クロム及びチタンのいずれかからなる金属層を形成しても構わない。
次に、図3を参照して、第2の実施例によるプリント配線板の製造方法について説明する。図3(A)に示すように、樹脂付き銅箔Baを下地基板Aaに積層した加工基板Caを準備した。樹脂付き銅箔Baの下地基板Aaへの積層は、第1の実施例で樹脂付き銅箔Bを下地基板Aに積層したのと同様に行った。樹脂付き銅箔Baが有する樹脂層3aは、シアネート系樹脂(例えば住友ベークライト製APL−4601)からなる。銅箔4aを湿式エッチングにより除去し、樹脂層3aを露出させた後、加工基板Caを窒素プラズマに晒し、樹脂層3aの表面を改質した。この窒素プラズマ処理は、第1の実施例における窒素プラズマ処理と同様に行った。
次に図3(B)に示すように、樹脂層3aの表面に、厚さ0.3μmの銅層5aをイオンプレーティング法により成膜した。銅層5aの表面にレジストパタン6aを形成した後、レジストパタン6aの開口の底に露出した銅層5aを、湿式エッチングにより除去して、開口の底に樹脂層3aを露出させた。開口の直径は25μmである。銅層5aの厚さが0.5μm以下であるので、銅層5aに精度良く開口を形成できる。銅層5aのエッチングの後、レジストパタン6aを剥離する。
図3(C)に示すように、レジストパタン6aを剥離した後、開口が形成された銅層5aをマスクとして、酸素ガスを用いたプラズマエッチングにより、樹脂層3aに、底面に内層配線2aが露出したビアホール7aを形成した。このプラズマエッチングは、圧力10Paで行った。
図3(D)に示すように、プラズマエッチングでビアホール7aが形成された後、マスクとして使用した銅層5aを湿式エッチングによりすべて除去した。銅層5aを除去した後に、加工基板CaをアルゴンプラズマPに晒し、ビアホール7aの底面に露出した内層配線2aの表面の清浄化を行った。このアルゴンプラズマ処理は、圧力0.5Paで行った。ビアホール7aを形成するプラズマエッチングとビアホール7aの底面を清浄化するアルゴンプラズマ処理とは、ともに、図2に示したプラズマ処理装置で行うことができる。
次に図3(E)に示すように、ビアホール7aの底面と側壁、樹脂層3aの上面を覆うように、銅からなり厚さ0.5μmのシード層8aをイオンプレーティング法により成膜した。アルゴンプラズマ処理により、ビアホール7aの底面に露出した内層配線2aの表面が清浄化されているので、シード層8aと内層配線2aとの密着性が高い。その後、図3(F)に示すように、第1の実施例で説明したのと同様な方法(セミアディティブ法)で、配線10aを形成した。樹脂層3aの表面が粗いので、配線10aと樹脂層3aとの密着性が高い。
なお、以下のような理由により、プラズマエッチングでビアホール7aを形成した後に、銅層5aを除去した。プラズマエッチングでビアホール7aを形成したとき、銅層5aの開口近傍で、横方向(加工基板の表面に平行な方向)へのエッチングが発生し、銅層5aの下側の樹脂層3aが一部除去された。銅層5aを残したままシード層8aを成膜すると、ビアホール7aの側壁の、銅層5aの下側に位置する部分に、シード層8aが良好に成膜されない可能性があった。また、この部分にシード層8aが良好に成膜されたとしても、後に配線10aを形成する際に、この部分にめっき液が充分に回らない可能性があった。そのため、プラズマエッチングによるビアホール7aの形成後に、銅層5aを除去し、その後にシード層8aを成膜した。
次に、図4を参照して、第3の実施例によるプリント配線板の製造方法について説明する。図4(A)に示すように、樹脂付き銅箔Bbを下地基板Abに積層した加工基板Cbを準備した。樹脂付き銅箔Bbの下地基板Abへの積層は、第1の実施例で樹脂付き銅箔Bを下地基板Aに積層したのと同様に行った。ただし、本実施例で用いる樹脂付き銅箔Bbは、銅箔4bの樹脂層3bが形成された表面が平坦である。樹脂層3bは、ベンゾシクロブテン(BCB)系樹脂(例えば住友ベークライト製APL−4901)からなる。
銅箔4bを湿式エッチングにより除去し、樹脂層3bを露出させた。露出した樹脂層3bの表面は平坦である。樹脂層3bが露出した加工基板Cbを窒素プラズマに晒し、樹脂層3bの表面を改質した。この窒素プラズマ処理は、第1の実施例における窒素プラズマ処理と同様に行った。
次に図4(B)に示すように、樹脂層3bの表面に、ニッケルからなる厚さ0.01μmの中間層5b1をスパッタ法により成膜し、次いで中間層5b1の表面に、厚さ0.3μmの銅層5bをスパッタ法により成膜した。次に、銅層5bの表面の所望の位置に開口を有するレジストパタン6bを形成した。開口の直径は20μmである。その後、レジストパタン6bの開口に対応する領域の銅層5b及び中間層5b1を、湿式エッチングにより除去して、開口の底に樹脂層3bを露出させた。銅層5b及び中間層5b1が積層された層は非常に薄いので、この層に精度良く開口を形成できる。銅層5b及び中間層5b1のエッチングの後、レジストパタン6bを剥離した。
次に図4(C)に示すように、レジストパタン6bを剥離した後、反応性イオンエッチングによりビアホール7bを形成し、ビアホール7bの底面に露出した内層配線2bの表面を、アルゴンプラズマPに晒して清浄化した。これらの反応性イオンエッチング及びアルゴンプラズマ処理はそれぞれ、第1の実施例における反応性イオンエッチング及びアルゴンプラズマ処理と同様に行った。
次に図4(D)に示すように、ビアホール7bの底面と側壁、及び銅層5bを覆うように、銅からなり厚さ0.5μmのシード層8bをイオンプレーティング法により成膜した。アルゴンプラズマ処理により、ビアホール7bの底面及び銅層5bの表面が清浄化されているので、シード層8bとビアホール7bの底面及び銅層5bとの密着性が高い。その後、図4(E)に示すように、第1の実施例で説明したのと同様な方法(セミアディティブ法)で、配線10bを形成した。
本実施例による方法では、樹脂層3bの表面にニッケルからなる中間層5b1を形成することにより、樹脂層3bの表面が平坦であっても、配線10bと樹脂層3bとの密着性が高められる。なお、このように樹脂層と銅層との間にニッケルからなる中間層を成膜し、樹脂層と銅層との密着性を高める方法は、特開2003−347725号公報に開示されている。なお、中間層をニッケルで形成する例を説明したが、クロムまたはチタンで形成してもよい。中間層と銅層との間に、さらに他の金属層を形成しても構わない。なお、第1の実施例で用いたような凹凸を有する樹脂層の表面に中間層を形成し、その上に銅層を形成するようにしても構わない。
次に、図5を参照して、第4の実施例によるプリント配線板の製造方法について説明する。図5(A)に示すように、樹脂付き銅箔Bcを下地基板Acに積層した加工基板Ccを準備した。樹脂付き銅箔Bcの下地基板Acへの積層は、第1の実施例で樹脂付き銅箔Bを下地基板Aに積層したのと同様に行った。
樹脂付き銅箔Bcの有する樹脂層3cの、銅箔4cと接する表面は、第1の実施例の樹脂層3が銅箔4と接する表面と同様に粗い。樹脂層3cは、ベンゾシクロブテン(BCB)系樹脂(例えば住友ベークライト製APL−4901)からなる。銅箔4cを湿式エッチングにより除去して、樹脂層3cを露出させた後、加工基板Ccを窒素プラズマに晒し、樹脂層3cの表面を改質した。この窒素プラズマ処理は、第1の実施例における窒素プラズマ処理と同様に行った。
図5(B)に示すように、樹脂層3cの表面に、厚さ0.1μmの銅層5cをイオンプレーティング法により成膜した後、図5(C)に示すように、銅層5cの表面の所望の位置に、紫外レーザ光(例えば、YAGレーザの第3高調波)を照射し、光照射位置の銅層5c及び樹脂層3cを除去して、底面に内層配線2cが露出したビアホール7cを形成した。ビアホール7cの内径は30μmである。
銅層5cの厚さが0.5μm以下であれば、樹脂層に穴を開ける加工で通常照射するレーザ光の強度と同程度の強度のレーザ光で、銅層5c及び樹脂層3cに穴を開けることができる。本実施例の方法では、銅層5cの厚さが0.5μm以下であるので、このような加工ができた。なお、銅層5cの厚さが0.5μmより厚くなると、銅層5cに穴を形成する加工と、樹脂層3cに穴を形成する加工とで、照射するレーザ光の強度を別々に設定する必要が生じる。なお、このように銅層5cと樹脂層3cとを別々の強度で加工するとき、樹脂層3cに形成されるビアホール7cの内径を深さ方向に関して一定とすることが困難となり、ビアホール7cの内壁が樽状になりやすい。
紫外レーザ光の照射により形成されたビアホール7cの底面には、スミアが残留する。ビアホール7cの底面に残留したスミアを、反応性イオンエッチングにより除去した。この反応性イオンエッチングは、酸素と四フッ化炭素の分圧比(または流量比)が80:20である混合ガスを用い、処理チャンバ内の圧力を10Paとして行った。なお、この反応性イオンエッチングの際、銅層5cが保護層(マスク)として働き、銅層5cに覆われた樹脂層3cの表面がエッチングされない。銅層5cの厚さが0.1μm以上であれば、この反応性イオンエッチングの際に、銅層5cが樹脂層3cの保護層として機能する。
反応性イオンエッチングによりスミアを除去した後、加工基板CcをアルゴンプラズマPに晒し、ビアホール7cの底面の清浄化を行った。このアルゴンプラズマ処理は、圧力0.5Paで行った。スミアを除去する反応性イオンエッチングと、ビアホール7cの底面を清浄化するアルゴンプラズマ処理とは、ともに図2に示したプラズマ処理装置で行うことができる。反応性イオンエッチング処理を行った処理チャンバ内で、反応性イオンエッチング処理に引き続いてとアルゴンプラズマ処理が行われるので、両処理の間に、加工基板Ccが大気に晒されない。これにより、加工基板Ccが、大気に含まれる各種ガスや水分で汚染されない。
次に図5(D)に示すように、ビアホール7cの底面と側壁、及び銅層5cを覆うように、銅からなり厚さ0.5μmのシード層8cをイオンプレーティング法により成膜した。アルゴンプラズマ処理により、ビアホール7cの底面及び銅層5cの表面が清浄化されているので、シード層8cとビアホール7cの底面及び銅層5cとの密着性が高い。その後、図5(E)に示すように、第1の実施例で説明したのと同様な方法(セミアディティブ法)で、配線10cを形成した。樹脂層3cの表面が粗いので、配線10cと樹脂層3cとの密着性が高い。なお、第3の実施例で説明したようなニッケル等の中間層を形成した場合にも、レーザ光によりビアホールを形成しても構わない。
なお、以上の実施例において、下地基板に樹脂付き銅箔を積層し、樹脂付き銅箔の銅箔をエッチングで除去することにより、下地基板に樹脂層が積層された加工基板を作製したが、下地基板に、フィルム状の樹脂を積層する方法や、液状の樹脂を塗布する方法によって、下地基板に樹脂層が積層された加工基板を作製しても構わない。この場合でも、例えば、樹脂層の表面に窒素プラズマ処理を施すことによって、配線層と樹脂層との密着性を確保できる。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
図1(A)〜図1(E)は、本発明の第1の実施例によるプリント配線板の製造方法を説明するための加工基板の断面図である。 実施例によるプリント配線板の製造方法で用いられるプラズマ処理装置の概略図である。 図3(A)〜図3(F)は、第2の実施例によるプリント配線板の製造方法を説明するための加工基板の断面図である。 図4(A)〜図4(E)は、第3の実施例によるプリント配線板の製造方法を説明するための加工基板の断面図である。 図5(A)〜図5(E)は、第4の実施例によるプリント配線板の製造方法を説明するための加工基板の断面図である。
符号の説明
1 コア基板
2 内層配線
3 樹脂層
4 銅箔
5 銅層
6 レジストパタン
7 ビアホール
8 シード層
9 レジストパタン
10 配線層
P アルゴンプラズマ
100 プラズマ処理装置
101 処理チャンバ
102、103 電極
104 高周波電源
105 ターボ分子ポンプ
106 ロータリーポンプ
107、108、109 排気管
107a、109a バルブ

Claims (10)

  1. (a)表面に内層配線が形成された下地基板と、該内層配線を覆うように該下地基板の表面に形成された樹脂層とを有する加工対象物の、該樹脂層の一部を、反応性イオンエッチングにより除去して、底面に該内層配線が露出したビアホールを形成する工程と、
    (b)前記工程(a)で形成された前記ビアホールの底面を、希ガスのプラズマに晒し、該ビアホールの底面に露出した前記内層配線の表面を清浄化する工程と
    を有するプリント配線板の製造方法。
  2. 前記工程(a)における反応性イオンエッチング処理を、処理室内の圧力を3〜20Paとして行い、前記工程(b)におけるプラズマ処理を、処理室内の圧力を0.01〜2Paとして行う請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。
  3. 前記工程(a)の後、前記ビアホールが形成された基板に対し、該工程(a)の反応性イオンエッチングで用いた処理室と同一の処理室において、前記工程(b)のプラズマ処理を行う請求項1または2に記載のプリント配線板の製造方法。
  4. 第1のポンプはロータリーポンプまたはドライポンプであり、第2のポンプはターボ分子ポンプまたは油拡散ポンプであり、前記工程(b)におけるプラズマ処理を行うときは、補助ポンプとして該第1のポンプを用いた該第2のポンプにより処理室内のガスを排気し、前記工程(a)における反応性イオンエッチング処理を行うときは、該第2のポンプの吸気口と処理室とを連通させる排気管を閉じ、該工程(b)で用いた該第1のポンプを処理室に連結して処理室内のガスを排気する請求項3に記載のプリント配線板の製造方法。
  5. 前記工程(a)における反応性イオンエッチング処理に、酸素ガスまたは酸素ガスを含む混合ガスを用い、前記工程(b)におけるプラズマ処理に、アルゴンガスを用いる請求項1〜4のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  6. (c)表面に内層配線が形成された下地基板と、該内層配線を覆うように該下地基板の表面に形成された樹脂層とを有する加工対象物に、レーザ光を照射して、該樹脂層の一部を除去し、底面に該内層配線が露出したビアホールを形成する工程と、
    (d)前記工程(c)で形成された前記ビアホールの底面に残留したスミアを、反応性イオンエッチングにより除去する工程と、
    (e)前記工程(d)でスミアが除去された前記ビアホールの底面を、希ガスのプラズマに晒し、該ビアホールの底面に露出した前記内層配線の表面を清浄化する工程と
    を有するプリント配線板の製造方法。
  7. 前記工程(d)における反応性イオンエッチング処理を、処理室内の圧力を3〜20Paとして行い、前記工程(e)におけるプラズマ処理を、処理室内の圧力を0.01〜2Paとして行う請求項6に記載のプリント配線板の製造方法。
  8. 前記工程(d)の後、前記ビアホールが形成された基板に対し、該工程(d)の反応性イオンエッチングで用いた処理室と同一の処理室において、前記工程(e)のプラズマ処理を行う請求項6または7に記載のプリント配線板の製造方法。
  9. 第1のポンプはロータリーポンプまたはドライポンプであり、第2のポンプはターボ分子ポンプまたは油拡散ポンプであり、前記工程(e)におけるプラズマ処理を行うときは、補助ポンプとして該第1のポンプを用いた該第2のポンプにより処理室内のガスを排気し、前記工程(d)における反応性イオンエッチング処理を行うときは、該第2のポンプの吸気口と処理室とを連通させる排気管を閉じ、該工程(e)で用いた該第1のポンプを処理室に連結して処理室内のガスを排気する請求項8に記載のプリント配線板の製造方法。
  10. 前記工程(d)における反応性イオンエッチング処理に、酸素ガスまたは酸素ガスを含む混合ガスを用い、前記工程(e)におけるプラズマ処理に、アルゴンガスを用いる請求項6〜9のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
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