JP2005325332A - 水分収着耐性を有するポリイミド組成物およびそれに関連する方法 - Google Patents

水分収着耐性を有するポリイミド組成物およびそれに関連する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005325332A
JP2005325332A JP2005002744A JP2005002744A JP2005325332A JP 2005325332 A JP2005325332 A JP 2005325332A JP 2005002744 A JP2005002744 A JP 2005002744A JP 2005002744 A JP2005002744 A JP 2005002744A JP 2005325332 A JP2005325332 A JP 2005325332A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimide
bis
solution
paste
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005002744A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005325332A5 (ja
Inventor
Thomas E Dueber
イー.デューバー トーマス
John D Summers
ディー.サマーズ ジョン
Xin Fang
ファン シン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2005325332A publication Critical patent/JP2005325332A/ja
Publication of JP2005325332A5 publication Critical patent/JP2005325332A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003Preparatory processes
    • C08G73/1007Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C08G73/1028Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines characterised by the process itself, e.g. steps, continuous
    • C08G73/1032Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines characterised by the process itself, e.g. steps, continuous characterised by the solvent(s) used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1039Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1057Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
    • C08G73/1064Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

【課題】 水分収着耐性を有するポリイミド組成物およびそれに関連する方法を提供すること。
【解決手段】 耐吸水性ポリイミドペースト(または溶液)は、電子装置のスクリーン印刷用ペーストおよびそれらのペーストでできている電子部品を作製するために特に有用である。一群の溶解性ポリイミドおよびそれらの溶媒が、特に耐吸湿性であることが発見された。これらのポリイミド溶液は、必要に応じて、架橋性モノマーおよび/または熱架橋剤も含有しているポリイミドを含有する。さらに、これらのポリイミドペーストは、場合によって、接着促進剤、ブロックされたイソシアナート、金属、金属酸化物、およびその他の無機充填材を含有していてもよい。本発明のポリイミドペースト(または溶液)は、250℃より高いガラス転移温度を持つポリイミドを有しており、2%未満の吸水率を有しており、且つ実際的な溶解性測定値を有する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、一般的には、電子回路用基板および類似タイプの用途に有用なポリイミドに関する。より具体的には、本発明のポリイミドベースの液体、溶液、懸濁液、および/またはペースト(以後、単純に「ペースト」と呼ぶ)は、(望ましくない)水分収着が比較的低い状態で、特に以下に説明する利点を有して、一般にスクリーン印刷することができるか、さもなければ、電子回路基板、パターン、またはデバイスを形成することができる。本明細書で使用する場合、「収着」とは、吸着および/または吸収を意味することを意図している。
抵抗体、キャパシタ、インダクタ、電気(または熱)伝導体、および類似タイプの電子部品またはデバイスは、溶液、懸濁液、またはペースト材料(以後、単純に「ペースト」と呼ぶ)から、多くの場合スクリーン印刷(ステンシル印刷を含む)技術と、それに続く熱および/または化学反応による固化処理により作製することができる(例えば、特許文献1参照)。このようなペーストは、i.水をわずかから全く吸収しない有用な溶媒に高度に溶けること、およびii.例えば200、190、185、180、175、170、165、160、155、または150℃より下の比較的低い温度で加工処理(例えば硬化)できることがますます要求されている。ある場合には、上記のペーストにとっては、事前の(銅の)パシベーション、例えば銀浸漬による銅のパシベーションなしで、許容できる銅への接着性を提供する必要がある。
米国特許第5,980,785号明細書、Xi他
本発明は、ポリイミド成分および有機溶媒を含むポリマー溶液を対象とする。
該ポリマー成分は、式I
Figure 2005325332
によって表され、
式中、Xは、O、S(O)、C(CF、または、O、S(O)およびC(CFの2つもしくは3つの混合物であり;
式中、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、または9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)からなる群から選択されるジアミン成分であり;
但し、
a.XがOである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、または3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)ではなく;
b.XがS(O)である場合、Yは、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく;
c.XがC(CFである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)、または3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではない。
本発明の有機溶媒は、(i.)次の数字、2.5、3.0、4.0、5.0、6.0、7.0、8.0、9.0、および10.0のいずれか2つの間および境界値を含めたハンソン極性溶解度パラメータを有しており、そして(ii.)次の温度、180、190、200、210、220、230、240、および250℃のいずれか2つの間および境界値を含めた標準沸点(normal boiling point)を有する。
そのポリイミドと溶媒は、ペーストに化合される。「ペースト」とは、溶液、懸濁液、または別の言い方をすれば2つの材料の均一または不均一な混合物を含めることを意図している。一実施形態において、ポリイミドペーストは、熱架橋剤と組み合わせることができ、またはポリイミド成分は、ポリイミド骨格中に(架橋モノマーの組み込みによって)架橋部位をさらに含むことができる。本発明の一部の実施形態においては、ポリイミドペーストは、ブロックされたイソシアナート、接着促進剤、および/または金属または金属酸化物を含めた無機充填材をさらに含むことが有益であり得る。
本発明はまた、225℃、230℃、235℃、240℃、245℃、または250℃より高いガラス転移温度を有するポリイミド、および適切な有機溶媒を含むポリイミドペースト組成物であって、該ポリイミドの液体またはペーストが、実際的な(positive)溶解度測定値を示すものを対象とする。これらのペーストはまた、場合によって、金属および金属酸化物等の無機充填材を含有していてもよい。一部の実施形態においては、金属酸化物充填材が特に好ましい。
本発明の組成物は、一般に、電子回路タイプの用途で使用することができる。特に、該組成物は、一般に、抵抗体、個別または平面キャパシタ、インダクタ、カプセル材料、導電性接着剤、ならびに電気および熱伝導体等の電子部品を製造するために使用することができる。
一実施形態において、本発明は、抵抗体材料を製造するために使用する吸水性の低い安定なポリイミドペーストを対象とする。本発明の抵抗体ペースト組成物は、埋め込み受動型抵抗体またはその他の関連する平面の(埋め込み型または非埋め込み型)電子部品を製作するための様々な基板材料に適用することができる。電子部品の1つのタイプは、ポリマー厚膜(PTF)抵抗体である。このような抵抗体は、一般的に、スクリーン印刷ができる液体またはペーストを使用して形成する。
本発明の一実施形態において、PTF抵抗体組成物は、本発明のスクリーン印刷ができる抵抗体ペースト組成物から作製する。その抵抗体ペースト組成物は、ポリイミドペーストおよび導電性材料(例えば、微細粉末の形態をした金属酸化物)から誘導される。
そのPTF抵抗体ペーストは、スクリーン印刷(ステンシル印刷を含める)またはその他の任意の類似タイプの技術を使用して適当な基板に適用することができる。乾燥過程に続いて、その印刷されたペーストは、比較的低い温度で硬化させて不要な溶媒を除去することができる。そのペーストは収縮して導電性の粒子を一緒に圧縮する傾向があり、その結果粒子間に導電性を生じる。その系の電気抵抗は、ポリマーバインダに組み込まれている材料の抵抗、それらの粒径および充填量、ならびにポリマーバインダそれ自体の性質に依存する傾向がある。
このやり方で形成されるPTF抵抗体の電気抵抗は、導電性粒子の間の間隔に非常に大きく依存する。本発明のPTF抵抗体は、高温高湿の環境に晒されたときにポリマーバインダの物理的な安定性を必要とする。このことは抵抗体の電気抵抗にかなりのまたは過度の変化がないようにするために重要である。
PTF抵抗体の安定性は、抵抗体を85℃および85%相対湿度に晒して、促進された老化を示すこと、温度サイクリング性能、ならびに半田づけ材料に晒すことに対する耐性を含めたいくつかの既知の試験測定によって測定することができる。本発明の高性能PTF抵抗体は、一般的には、これらの試験の後、たとえあったとしても抵抗の重要な変化はほとんど示さない。PTF材料はまた、ウエーブ半田およびリフロー半田操作によって、半田への複数回の暴露に遭遇するかもしれない。これらの熱偏差はまた、特に銅に直接印刷したときの、従来のPTF抵抗体にとって不安定性の原因である。
ポリイミドは、一般に、ジアンヒドリド、または対応する二酸−ジエステル、二酸ハライドエステル、または該ジアンヒドリドのテトラカルボン酸誘導体、およびジアミンから調製される。本発明の目的のためには、ジアンヒドリドの特定の群が、耐水性ポリイミドペーストの製造に特に有用であることが発見された。これらのジアンヒドリドは、4,4’−オキシジフタル酸無水物(ODPA)、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホキシドジアンヒドリド(DSDA)、および2,2−ビス−(3,4−ジカルボキシフェニル)1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンジアンヒドリド(6−FDA)である。
Figure 2005325332
本発明の目的のためには、ジアミンの特定の群が、耐水性ポリイミド溶液およびペーストの調製に特に有用であることが発見された。これらのジアミンは、m−フェニレンジアミン(MPD),3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、および9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)である。
Figure 2005325332
驚くべきことに、有用であることが見出された各ジアンヒドリドは、やはり有用であることが見出された各ジアミンと組み合わせたとき、必ずしも本発明の目的にとって有用なポリイミドを形成しない。実際に、これらのジアンヒドリドとジアミンの一部の組合せは、有用なポリイミドの溶液ペーストを形成しない。
例えば、ジアンヒドリドとしてODPAを選択し、ジアミンとしてMPD、BAPSまたは3,4’−ODAを選択する場合は、あまり役に立たないポリイミドが形成される。さらに、ジアンヒドリドとしてDSDAを選択する場合は、3,3’−DDSは、ほとんどの用途において有用なジアミンではない。最後に、6−FDAをジアンヒドリドとして選択する場合は、MPD、BAPS、FDA、および3,3’−DDSが、有用なジアミンではない。しかしながら、本明細書で開示するジアミンとジアンヒドリドのその他のすべての組合せは、本発明の目的にとって有用なポリイミドを形成する。
さらに、ある一定の溶媒もまた、ここで述べた有用なポリイミドと共に使用しなければならない。これらの溶媒により、ポリイミドペーストが、特にスクリーン印刷工程の間の吸湿に対する十分な抵抗を有するように形成できる。
本発明により有用であることが知られた溶媒には、(i.)当該ポリイミドがその溶媒に十分に溶解して、選択された特定の最終使用用途に依存して、許容されるペーストを形成することを条件として、次の数字、2.5、3.0、4.0、5.0、6.0、7.0、8.0、9.0、および10.0のいずれか2つの間およびその境界値を含めたハンソン極性溶解度パラメータと、(ii.)次の数字、180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、および250℃のいずれか2つの間および境界値を含めた標準沸点の両方を有する有機液体が含まれる。
本発明の一実施形態において、好ましい溶媒は、式II、式IIIおよび/または式IV
Figure 2005325332
(式中、Rは、H、CH、またはCHCHである)、
Figure 2005325332
(式中、Rは、H、CH、CHCH、またはOCHであり、Rは、H、CH、またはCHCHである)、
Figure 2005325332
(式中、Rは、CH、またはCHCHであり、Rは、H、CH、またはCHCHである)
のいずれか1つまたは任意の組合せにより表される。
スクリーン印刷は、多くの場合PTF抵抗体に対する選択方法であるので、そのペーストは、一般に、そのペーストがスクリーン上に存在している間、周囲の湿気にかなり長く晒されることに対して一般に安定であり続けなければならない。ポリイミド溶液が水分の吸収に対して安定でない場合は、そのポリイミドは沈殿することがあり得、そのペーストを不安定にして、それにより残りの傷んだペーストをスクリーンから除去するためにかなりの努力を要する。さらに、過度の水の取り込みはまた、ペーストの粘度を変動させる原因となり得、そのため印刷された抵抗体の厚さを変化させ、最終的には硬化した状態の抵抗値を変化させる。
本発明の一実施形態において、当該ポリイミドは、架橋可能な部位を有する。その架橋可能部位は、第2のジアミン、好ましくは1つまたは複数のフェノール基を含有する有機基Zを有する第2のジアミンの存在下でポリイミドを調製することにより提供することができる。1つの好ましい架橋可能なジアミンは、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)である。このジアミンは次の構造を有している。
Figure 2005325332
架橋可能なその他のジアミンは、以下の群、2,4−ジアミノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−ビフェニル、および2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンから選択される。本発明の目的のためには、架橋可能なジアミンは、全体のジアミン成分の一部として、0から2、4、6、10、15、20、25、および30モルパーセント以下までの範囲で使用することができる。
本発明の好ましい非架橋性ポリイミドおよび架橋性ポリイミドは両方とも、選択された溶媒中で、最も顕著にはポリイミド溶液が湿度の高い環境に晒された場合に比較的高い溶液安定性を示す。その溶液安定性は、言い換えると、そのポリイミドを含有する比較的高い安定性の液体またはペースト組成物ということになる。従って、その液体またはペースト組成物は、本願に記載されている様々な電子機器の用途に使用することができる。
その結果得られる、非架橋性および架橋性ポリイミドを含めた本発明のポリイミドは、250℃より高く、好ましくは290℃より高く、より好ましくは310℃より高いガラス転移温度(Tg)を有する。本発明の架橋性ポリイミドのTgは、一般に本発明の非架橋性ポリイミドより低くてもよい。これは、硬化する際に、架橋が、得られた材料をさらに安定化できるためである。架橋性ポリイミドの1つの潜在的に不利な点は、組成物に加えられた架橋剤も、溶媒および環境から水分を吸収することができ、それにより組成物をさらに不安定にすることがあり得ることである。
一実施形態において、非架橋性ポリイミドおよび架橋性ポリイミドを含めた本発明のポリイミドは、2%以下、好ましくは、1.5%以下、そしてより好ましくは、1%以下の吸水率(water absorption factor)を有する。吸水量は当業者には知られている方法であるASTM D−570により測定し、これは実施例の項でさらに説明する。
本発明の非架橋性ポリイミドおよび架橋性ポリイミドはまた、実際的な(positive)水分溶解性測定値を示す。
本明細書で記載する「実際的な水分溶解性」は、約75%の相対湿度の環境中で8時間以上安定である10%の固形分を含有するポリイミド溶液であると定義する。
水分溶解性測定は、高湿度環境中でのポリイミド溶液の安定性を測定するために出願人が用いた試験である。高湿度環境中でのポリイミド溶液の安定性は、成分の混合、3本ロールミルによる混練、およびスクリーン印刷を含む液体またはペースト組成物の加工処理が2時間から8時間までもかかり得るために重要である。この時間中、ポリイミドが液体またはペースト組成物中で沈殿しないことが重要である。
また、全部ではないとしても殆どのポリイミドは、選択した極性の有機溶媒にのみ溶解する。その極性溶媒は、スポンジのように作用し、周囲の環境から水を吸収する。しばしば、相対湿度は、組成物への水の吸収が著しいほどに十分高いことがある。その組成物およびポリイミド溶液中のその水は、ポリイミドを沈殿させることができ、それにより、本質的にその組成物を役に立たないものにしてしまう。その組成物は、廃棄しなければならず、スクリーンの穴を詰まらす、扱いにくいペーストを除去しようとしてスクリーンを損傷してしまうかもしれない。
しかしながら、ある一定のジアンヒドリドは、ある一定のジアミンと共に使用すると、他より安定なポリイミド溶液を提供する。しかし、これらのポリイミドもまた、ある一定の有機液体中で使用しなければならない。
しかしながら、ポリイミドを調製するためにどのジアンヒドリドを使用するかという選択は、ジアミンの選択およびポリイミド溶液の工業用用途に依存することを理解すべきである。むろん、一部の工業用用途では、ある一定の組成物特性が必要とされるが、一方他の用途では必要ではなく、すなわち、その特性は、その特定の用途にはそれほど重要ではない。したがって、すべての場合において6−FDAが、列挙したその他のジアンヒドリドより好ましいということはない。実際、ODPAは、一部の用途においては6−FDAより好ましい。しかしながら、ポリイミドを調製するためにどのジアミンを使用するかという選択もまた、ジアンヒドリドの選択、およびポリイミド溶液の工業用途に依存することも理解すべきである。多分、一部の工業用用途は、ある一定の組成物特性を必要とし、一方他の用途には必要ではなく、すなわち、その特性は、その特定の用途にはそれほど重要ではない。したがって、すべての場合においてTFMBが、列挙したその他のジアミンより好ましいということはない。実際、3,4−ODAは、一部の用途においてはTFMBよりも好ましい。
本発明のポリイミドは、1つまたは複数のジアンヒドリド(または、対応する二酸−ジエステル、二酸ハライドエステル、またはそれらのテトラカルボン酸)を1つまたは複数のジアミンと反応させることによって調製する。ジアンヒドリド対ジアミンのモル比は、好ましくは、0.9から1.1までである。好ましくは、約1.01から1.02のモル比となるようにジアンヒドリドの若干のモル過剰を用いる。本発明の好ましい非架橋性ポリイミドは、DSDAとTFMBから、またはODPAとTFMBから調製する。
本発明の好ましい架橋性ポリイミドは、DSDAとTFMBおよびHABを組み合わせたジアミン、ODPA、6−FDAのジアンヒドリドと3,4’−ODAおよびHABの組合せを使用して調製する。上述のジアンヒドリドとジアミンから調製したポリイミドは、約80%のRH(相対湿度)の環境で8時間以上の溶液安定性を示した(表2参照)。
本発明のポリイミドは、本明細書で別に記載するように、種々の溶媒を使用する熱的および化学的イミド化により製造することができる。そのポリイミドは、溶媒を乾燥させ、次いで本明細書で開示した溶媒に再溶解することができる。熱的方法を使用する場合、ジアンヒドリドは、次の極性溶媒、すなわちm−クレゾール、2−ピロリドン、N−メチルピロリドン(NMP)、N−エチルピロリドン、N−ビニルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、およびγ−ブチロラクトン(BLO)のいずれかの中のジアミンの溶液に加えることができる。そのポリアミン酸またはポリアミン酸エステルの調製のための反応温度は、一般的に、25℃と40℃の間である。別法では、そのジアンヒドリドをこれらの溶媒の1つに溶解し、ジアミンをそのジアンヒドリドの溶液に加えた。
ポリアミン酸(または、ポリアミン酸エステル)が生成した後、反応溶液の温度を、次にかなり上げて、脱水による閉環を完了させる。閉環を完了させるために使用する温度は、一般的に、150℃から200℃までである。高温を用いることにより、ポリアミン酸のポリアミドへの変換が確保される。
化学的な方法は、脱水、すなわち閉環を触媒するのに使用される化学イミド化剤を使用することを含む。無水酢酸、β−ピコリンのような化学イミド化剤を使用することができる。反応溶媒は、得られたポリイミドを溶解することができる限り、特に限定されない。得られたポリイミドは、次に、メタノール、エタノール、または水のような沈殿溶媒中にそのポリイミド溶液を加えることにより沈殿させる。その固体を数回その溶媒で洗浄し、その沈殿をオーブンで乾燥させる。
出願人は、ある一定の有機溶媒(または溶媒の混合物)が、本発明のポリイミドの合成、およびポリイミドの溶液およびペーストの形成の両方に特に適することを決定した。
これらの好ましい溶媒は、BLO、γ−バレロラクトン(GV)、α−メチル−γ−ブチロラクトン(MBL)、テトラヒドロフルフラールアセテート、プロピオフェノン、アセトフェノン、メチルベンゾエート、フェニルアセテート、および2−フェノキシエタノールである。
Figure 2005325332
これらのポリイミドペーストは、他の材料と組み合わされて、電子回路用途においてスクリーン印刷によって適用するためのペーストを作製することができる。適当なスクリーン印刷用溶媒に十分に溶解する本発明の一部のポリイミドを、下の実施例1〜17に列挙する。
本発明で開示する溶媒を使用する別の利点は、ある実施形態においては、ペースト組成物を扱うときにポリイミドの沈殿が、あったとしてもごくわずかで、殆ど観察されないことである。さらに、ポリアミン酸溶液の使用も避けることができる。加工処理中の後期に熱的にポリイミドにイミド化され得るポリアミン酸を使用する代わりに、既に形成されているポリイミドを使用する。これにより、低い硬化温度を使用することが可能となり、その温度は、ポリアミン酸をポリイミドにほぼ完全に変換する必要がない。要するに、その結果得られる溶液は、ポリイミドを硬化する必要のないコーティングまたはスクリーン印刷適用のための液体またはペースト組成物に直接組み込むことができる。
本発明のポリイミドは1つまたは複数のフェノール性水素を有する1つまたは複数の芳香族ジアミンを用いることにより架橋できるようにすることができる。好ましい芳香族ジアミンは、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノフェニル(HAB)である。そのフェノール性官能基が、硬化中に1つまたは複数のその他の架橋剤と反応する。硬化した材料の機械的強度の改良を提供するために必要な架橋性芳香族ジアミンは、ほんの少量である。実際に、多すぎる架橋性ジアミンを使用する場合は、得られるポリイミドは溶解性が低い傾向がある。これは、一部には、フェノール性官能基のポリイミド鎖の近くにおけるカルボニル官能基との水素結合が存在するためと考えられる。
本発明のポリイミドを含有するペースト組成物は、多数の電子装置の用途で使用することができる。一実施形態において、本発明の液体およびペースト組成物は、250℃より高く、好ましくは、290℃より高く、より好ましくは、310℃より高いガラス転移温度のポリイミドを含む。一実施形態において、その組成物はまた、2%以下、好ましくは、1.5%以下、そしてより好ましくは、1%以下の吸水率のポリイミドを含む。その組成物中に使用されるポリイミドはまた、有機溶媒中の好ましい溶解性測定値を示す。
殆どの厚膜組成物は、スクリーン印刷、ステンシル印刷、ディスペンシング(dispensing)、ドクターブレード、または当業者に知られているその他の技術により基板に適用されて、写真画像またはその他の予め形成されたパターンとなる。これらの組成物はまた、加圧成形、ラミネーション、押し出し成形、モールディングなどを含めた複合体工業で使用されるその他のいずれかの技術によっても成形することができる。しかしながら、殆どの厚膜組成物は、スクリーン印刷を用いて基板に適用する。したがって、それらは、スクリーンを容易に通過することができるように適切な粘度を有していなければならない。さらに、それらは、スクリーン印刷された後すぐにセットアップされ、それにより良好な解像度を与えるためにチキソトロピー性であるべきである。レオロジー特性は重要であるが、その有機溶媒はまた、その固体と基板の適切な濡れ性、良好な乾燥速度、および乱暴な取り扱いに耐えるのに十分なフィルム強度を提供しなければならない。
最終的なペースト組成物の硬化は、対流加熱、強制空気対流加熱、気相凝縮加熱、伝導加熱、赤外線加熱、誘導加熱、または当業者には知られているその他の技術を含めた、かなり多数の標準的な硬化方法により達成することができる。
一部の用途において、液体またはペースト組成物に架橋性ポリイミドを使用することにより、本発明の対応する非架橋性ポリイミドよりも重要な性能の利点を提供することができる。例えば、熱硬化の間に架橋剤と架橋するポリイミドの能力により、電子装置のコーティングに高められた耐熱性および耐湿性を提供することができる。その結果得られる架橋したポリイミドは、バインダマトリックスを安定化させ、Tgを上げ、耐薬品性を増し、あるいは硬化したコーティング組成物の熱安定性を高めることができる。架橋性官能基を全く含有しないポリイミドと比較して、ポリイミドの少し低いTg、またはポリイミドの少し高い吸水性を容認することができる。
本発明の別の実施形態においては、さらなる架橋性官能基を提供するために、ポリイミド配合物(一般的にはポリイミド溶液)に熱架橋剤を添加する。高度に架橋したポリマーは、熱硬化サイクルの後、電子装置のコーティングに高められた熱および湿気耐性をもたらすことができる。その熱架橋剤の効果は、硬化した最終コーティング組成物の、バインダマトリックスを安定化させ、バインダのTgを上げ、耐化学薬品性を増し、そして熱安定性を高めることである。
本発明で有用な、好ましい熱架橋剤には、(1)架橋性ポリイミド中のフェノール性官能基と反応することができるエポキシ樹脂、(2)エポキシ架橋性ポリイミドの反応から生じたものを含めたヒドロキシルと反応することができるブロックされたイソシアナート、および(3)エポキシ含有樹脂中のエポキシ官能基と反応することができるポリヒドロキシスチレンが含まれる。
その他の好ましい熱架橋剤は、ビスフェノールエポキシ樹脂、フェノールと芳香族炭化水素とのエポキシ化コポリマー、エピクロルヒドリンとフェノールホルムアルデヒドとのポリマー、および1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタントリグリシジルエーテルからなる群から選択される。
本発明の液体またはペースト組成物はまた、ヒドロキシルキャッピング剤をさらに含くことができる。ヒドロキシルキャッピング剤はさらなる溶液安定性を提供するものと考えられる。ブロックされたイソシアナート剤を、ヒドロキシルキャッピング剤として使用することができる。
電子機器コーティング用途向けの種々のコーティング組成物は、必要な、電気的、熱的、または絶縁体特性が得られる種々の機能性充填材を必要とする。抵抗体およびその他の電気伝導体用の機能性充填材には、1つまたは複数の金属または金属酸化物(例えば、その全体の開示が参照により本明細書に組み込まれている米国特許第4,814,107号明細書に記載されているルテニウム酸化物およびその他の抵抗体材料)が含まれるが、これらに限定されない。
本明細書で使用する「金属酸化物」という用語は、IIIA、IVA、VA、VIA、またはVIIA族の元素と、1つまたは複数の金属の混合物として定義される。特に、金属酸化物という用語はまた、金属炭化物、金属窒化物、および金属ホウ化物も含む。
キャパシタ用の機能性充填材としては、チタン酸バリウム、ニオブ酸鉛マグネシウム(lead magnesium niobate)、および酸化チタンが含まれるが、これらに限定されない。カプセル化材料用機能性充填材には、ヒュームドシリカ、アルミナ、および二酸化チタンが含まれるが、これらに限定されない。カプセル化材料組成物は、充填材なしで、有機バインダ系だけを使用してもよく、それは、カプセル化される成分のよりよい検査のための透明なコーティングを提供する利点を有する。熱伝導性コーティング用機能性充填材には、窒化バリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、グラファイト、酸化ベリリウム、銀、銅、およびダイヤモンドが含まれるがこれらに限定されない。
PTF材料は、幅広い市販用の製品、とりわけ、柔軟性のあるメンブレンスイッチ、タッチキーボード、自動車部品、および電気通信機器に採用されている。これらの組成物は、本発明のポリイミドにより分散された抵抗性充填物質を含有する。その組成物は、比較的低い温度、すなわち、その組成物中の溶媒を除去し、架橋性ポリイミド組成物のポリイミドバインダ系を硬化させるために必要な温度で加工することができる。得られる抵抗体にとって必要な実際の抵抗率/伝導率は、その電子機器の用途によって変化する。
抵抗素子は、通常、PTF組成物、またはインキをシート上にパターンとして印刷することにより調製する。シートの向こう側まで均一な抵抗を有することが重要である(すなわち、シートの片側の素子の抵抗は、反対側の素子のそれと同等でなければならない)。抵抗のばらつきは、歩留まりを著しく減少しかねない。
加えて、抵抗素子は、組成的にも機能的にも安定していなければならない。当然、抵抗体にとって最も重要な特性の1つは、時間経過およびある一定の環境ストレス下における抵抗体の安定性である。電子機器の、時間経過または寿命を通してのPTF抵抗体の抵抗が変化する度合いは、性能にとって重要であり得る。また、PTF抵抗体は、プリント基板の内層の積層、および多数回の半田への暴露を受けるために、熱安定性も必要である。若干の抵抗の変化は許容できるが、一般に抵抗の変化は、5%未満であることが必要である。
抵抗は、機能性充填材、すなわち硬化したPTF抵抗体中の抵抗体物質、の間隔の変化もしくは容積の変化によって変化し得る。容積変化の程度を最小にするために、ポリイミドは、硬化したポリイミドベースの材料が水分に晒されたときに膨潤しないように低い吸水性率を有するべきである。さもないと、抵抗体粒子の間隔が変化して抵抗の変化をもたらすことになる。
抵抗体は、電子装置が受ける可能性のある温度範囲の温度による抵抗の変化が殆どないことも必要である。その抵抗の温度係数(thermal coefficient)は、低くなければならず、一般に200ppm/℃未満である。
本発明のポリイミドおよびそのポリイミドを含有する組成物は、ポリマー厚膜(PTF)抵抗体を提供するのに特に適している。本発明のポリイミドおよび対応する組成物から作製されたPTF抵抗体は、非常に優れた抵抗体特性を示し、比較的高い湿度の環境においてさえ熱的に安定している。例えば、本発明のポリイミドを含有する多くの組成物は、約10%を超える抵抗の変化はない。殆どの組成物は、約5%を超える抵抗の変化はない。
熱および水分による抵抗の変化が小さいPTF抵抗体を提供するために、本発明のポリイミドは、比較的高いTgおよび比較的低い吸水率を有する。出願人は、最も安定なポリマーマトリックスは、架橋性で、高Tgのバインダであって、2%未満、好ましくは,1.5%未満、より好ましくは1%未満の吸水率も有するバインダの使用により達成されると決定した。
機能性充填材をポリイミド溶液と組み合わせる前に、表面処理剤(surface agent)(例えばオルガノシラン)でその充填材を処理するというさらなるアプローチが、役立つことが見出された。シラン剤のγ−アミノプロピルトリエトキシシランは、本発明のPTF抵抗体組成物に使用する金属酸化物の機能性充填材の処理に特に有用であった。そのシランは、酸化物の表面と反応して共有結合を形成するものと考えられ、その側鎖(pendant)アミノ基が架橋剤と反応するものと考えられる。そのシラン剤は硬化された材料中のポリマーバインダの架橋を効果的に増加し、かくしてPTF抵抗体中の粒子成分を安定化する。その結果が、熱および高湿度のエージングおよび促進試験の間の改良された性能を有するPTF抵抗体である。シラン剤による表面処理はまた、機能性充填材のポリイミド溶液中の分散も改良することができる。オルガノチタネート、ジルコネート、アルミネートもまたPTF抵抗体の特性を高める表面処理剤として使用することができる。
本発明の液体またはペースト組成物は、さらに、1つまたは複数の金属用接着剤を含むことができる。好ましい金属用接着剤は、ポリヒドロキシフェニルエーテル、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテルイミド、およびポリアミドイミドからなる群から選択される。一般的に、これらの金属用接着剤は、本発明のポリイミド溶液中に溶解される。
PTF抵抗体にとって、フェノキシ樹脂(例えば、PKHH−ポリヒドロキシフェニルエーテル)の添加が、化学的に洗浄された銅への接着を改良することが予期せずに見出された。これは、PTF抵抗体の半田への暴露および促進熱エージングに対する性能を大幅に改良することが見出された。−25℃から+125℃までの熱サイクルおよび85℃/85%RH熱サイクルの両方の性能が著しく改良された。ポリイミドとフェノキシ樹脂の組合せにより、高価な多重ステップの銅の浸漬銀処理が必要ないほどにPTF抵抗体が十分に改良された。
さらに、接着促進剤の2−メルカプトベンズイミダゾール(2−MB)が、特に機能性充填材の高い充填量での半田への暴露に対するPTF抵抗体の安定性を僅かではあるが改良することが分かった。
本発明のポリイミドはまた、溶解して溶液とし、ICおよびウェハレベルの実装において、例えば半導体応力緩衝材、相互接続誘電体、保護オーバーコート(例えば、スクラッチ保護、パシベーション、エッチマスクなど)、ボンドパッド再配線、液晶ディスプレイ用アラインメント層、ソルダーバンプのアンダーフィルとして使用することができる。本発明の予めイミド化した材料の1つの利点(ポリアミン酸タイプのペーストに対するもの)は、下流の加工処理で必要とされる硬化温度が低いことである。現行の実装は、約300℃±25℃の硬化温度を必要とする。
本発明の組成物では、ポリイミド成分は、Aがポリイミド成分であり、Bがポリイミド成分と有機溶媒との和である場合、Aが次の数字、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10、0.15、0.20、0.40、0.60、1.0,2.0、3.0、4.0、および5.0のいずれか2つの間および境界値を含み、Bが100である、A:Bの重量比で組成物中に存在することができる。また、Aは、次の数字、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、および30のいずれか2つの間および境界値を含み、Bは、100である、A:Bの重量比で組成物中に存在することもできる。
本発明の材料の利点は、以下の実施例の中で例示される。本発明のポリイミド(およびそれらのポリイミドを含有する組成物)の調製および試験で使用されるプロセスおよび試験法の手順を以下に説明する。
3本ロールによる混練
ペーストを一般に<5μの粒子粉末度(fineness of grind)(FOG)まで粉砕するために3本ロールミルを使用する。開始前にギャップを1ミルに調節する。ペーストは、一般的に、FOGが<5μになるまでロールミルに、0、50、100、150、200、250psiで3回通す。粒子粉末度は、ペーストの粒径の測定値である。ペーストの少量の試料をグラインドゲージの先端(25ミクロンのマーク)のところに置く。ペーストを金属製のスクイジーでグラインドゲージの長さ押し下げる。FOGは、x/yとして報告し、ここでxは、4つ以上の連続した筋(streaks)がグラインドゲージ上に出始めたところの粒径(ミクロン)であり、yは、ペーストの平均粒径(ミクロン)である。
スクリーン印刷
スクリーン印刷には、230または280メッシュのスクリーンと、70デュロメータのスクイジーを使用する。プリンターは、スクリーンと基板表面の間のスナップオフ間隔(snap-off distance)が、一般的に8インチ×10インチのスクリーンに対して3ミルとなるように調整する。ダウンストップ(スクイジーの上下動の機械的限界)を5ミルに前もってセットする。使用するスクイジーのスピードは、一般的には1インチ/秒であり、プリント−プリントモード(1回は前方および1回は後方のスクイジーの2回のスワイプ)を使用する。ペースト当り最低20個の試料片を印刷する。1つのペーストについて全部の基板に印刷した後、それらを最低10分間そのまま放置しておき(空気の泡を消すことができるように)、続いて強制排気オーブン中170℃で1時間硬化させる。
ソルダーフロート(solder float)
60/40のスズ/鉛の半田で、試料が室温近くまで冷却されるように半田への暴露間隔を最低3分間とって、試料を3回各10分間、ソルダーフロートを行う。
85℃/85%RH試験
カバーコートしてない最低3つの試料片を、85℃/85%RHチャンバーに入れ、85/85で125、250、375、および500時間エージングする。暴露時間に到達した後、試料をチャンバーから取り出し、ワイヤブラシで酸化物質を銅のリードから除去し、抵抗値をすぐに測定する。
熱サイクル
カバーコートしてない硬化した抵抗体の試料を、−25℃から+125℃まで、10℃/分の速度で加熱および冷却し、試料を両端の温度で30分間保持する熱サイクルを、150から200サイクル受けさせる。
ESD
硬化した抵抗体の試料を、5,000ボルトの電圧に瞬間的に5回晒す。電圧を2,000ボルトに下げ、試料を10回繰り返して晒す。抵抗の変化(抵抗体としての)を測定する。
TCR
TCR(抵抗の熱係数(thermal coefficient of resistance))は、125℃におけるホットTCR(HTCR)および−40℃におけるコールドTCR(CTCR)の両方についてppm/℃で測定し記録する。各試料、すなわちそれぞれ8個の抵抗体を含有するものについて最低3個の試料片を使用する。自動化したTCRは、結果を平均化する。
熱伝導率測定
リリースペーパー上に溶液をキャスティングして170℃で1時間乾燥することにより〜0.3mmのフィルムを調製する。直径1インチのパンチャーを用いて試料を正確な大きさに切断する。熱伝導率測定のために、レーザーフラッシュ法を用いて熱伝導率を測定する。試料は、測定中にIR検知器によりレーザーフラッシュが見られるのをブロックするために〜200Åの金の層をスパッタする。その金のコーティングに、次いでミクロン程度の微細な合成グラファイトのFluron中の分散体を3回吹き付けてコートする。そのグラファイトのコーティングは、試料のレーザー側の放射線の吸収を増し、検知器側の放射線の放出を増す。
比熱を、最初に標準(パイレックス(登録商標)7740)のそれと比較することにより測定し、次いで、金およびグラファイトのコーティングのそれを差し引いて補正する。バルク密度は、配合に基づいて計算する。cm/秒の単位の熱拡散率が、Netzshレーザーフラッシュ装置により得られる。熱伝導率は、
伝導率=(拡散率×密度×比熱)
として計算される。
温度は、Neslab循環バッチによって25℃で制御する。スキャン時間をパイレックス(登録商標)の標準に対しては、660のアンペア数の利得で200msにセットし、試料に対しては、130〜200秒と600の利得にセットする。1060nmのNd:ガラスレーザーと、15Jのパルスエネルギーおよび0.33msのパルス幅を使用する。各試料について3回のレーザーショットを用いる。
水蒸気存在下でのポリイミド溶液の安定性
ポリイミドの10%固体溶液の0.4から0.5グラムを、直径1インチの時計皿に入れ、閉じた容器中で75%から85%のRHを生じる硫酸アンモニウムの飽和水溶液を含有する直径130mmのデシケータに入れる。試料を観察し、その試料が曇りまたは不透明になる時間、あるいはポリマーが沈殿して輪になるときを記録する。ポリイミドは、時々溶液の深さが最小である外側エッジに最初は沈殿し、時間と共に沈殿は、試料全体にわたって起こる。最も長時間沈殿に耐えるポリイミド溶液は、高湿度条件に対する最長の保存寿命安定性を有するペースト組成物を生じるであろう。Extech Instrument社製の湿度計をデシケータ中に配置してRH%を監視する。
ポリイミドフィルムの吸湿試験
ASTM D570の方法を使用し、この場合、ポリイミド溶液を20ミルのドクターナイフでガラス板にコートする。ウェットコーティングを強制排気オーブン中190℃で約1時間乾燥し、2ミルの厚さのポリイミドフィルムを得た。試験法で指定されているように5ミルより大きい厚さを得るために、乾燥したポリイミドフィルムの上にさらに2層をコートし、2回目と3回目のコーティングの間に、強制排気オーブン中で190℃30分の乾燥をする。3層のコーティングを強制排気オーブン中190℃で1時間乾燥し、続いて、窒素パージつきの190℃の真空オーブン中で16時間、または一定重量が得られるまで乾燥する。ポリイミドフィルムを硝子板から取り除き、幅1インチと長さ3インチの細長い片に切断する。その細長い片を計量し、脱イオン水中に24時間浸漬する。水吸収%を計算できるように、試料を拭いて乾かし、重量の増加を測定するため計量する。
(実施例1)
ポリイミドが、DSDAジアンヒドリドとTFMBおよびHABジアミン(それぞれ0.95:0.5の比で)の組合せとから誘導されたものであるポリイミド溶液を、溶媒としてγ−ブチロラクトン(GV)を用いて調製した。
窒素導入口、機械攪拌器、ディーンスタークトラップ、およびコンデンサを備えた乾燥した3つ口丸底フラスコに、85.0グラムのγ−ブチロラクトン溶媒(GV)、8.933グラムの2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、および0.313グラムの3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)を加えた。
その溶液を室温で1時間攪拌した後、10.61グラムの3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジアンヒドリド(DSDA)を加えて、ポリアミン酸溶液を形成した。そのポリアミン酸溶液は29℃の温度に達した。その溶液を加熱なしで15時間攪拌した。
16.38グラムのトルエンをディーンスタークトラップに加えた。17.25グラムのトルエンをポリアミン酸溶液に加えた。その溶液を次に180℃に設定したオイルバス中で加熱してポリアミン酸をポリイミドに変換した。
生成した水がそれ以上トラップに集まらなくなった後(その水はイミド化反応中に形成された)、トルエンを留去した。これにより反応温度が165℃と170℃の間に上昇した。そのポリイミド溶液をこの温度範囲で4時間攪拌した。
そのポリイミド溶液を室温まで冷却し、19.9%のポリイミド固形分がGV溶媒に溶解したものが90グラム得られた。そのポリイミド溶液は116Pa×秒の粘度を有していた。
そのポリイミドポリマーの分子量は、ポリスチレン標準を使用するサイズ排除クロマトグラフィーにより得た。そのポリイミドの数平均分子量は61,300であった。重量平均分子量は、255,300であった。
そのポリイミドのガラス転移温度(Tg)は330℃と測定された。このポリマーから作製した6ミルの厚さのポリイミドフィルムの吸湿率パーセント(ASTMD570試験を使用)は、1.5%であった。
(実施例2〜17)
実施例2〜17のポリイミド溶液およびポリイミドを、対応するジアンヒドリドおよびジアミン(1つまたは複数)を下の表1から選択したこと以外は実施例1と同じ方法で調製した。いくつかの場合は、ジアミン成分の5モルパーセントはHABである。
溶液は、最初DMAc中で調製した。ポリイミドは、化学的イミド化法を用いて調製し、ポリイミドをメタノール中に沈殿させ、次いで乾燥した。そのポリイミドをBLO溶媒に再溶解した。これらのポリマー溶液はすべてBLO溶媒中に15〜20重量パーセントで溶解した。
Figure 2005325332
(実施例18〜29)
以下の実施例は、実施例2〜17に記載したポリマーから調製したポリイミド溶液である。ポリイミドをBLO溶媒に再溶解する代わりに、各ポリマーは、表2に列挙した溶媒に再溶解した。
各ポリイミド溶液は、1から10まで、10を最良とし、1を最も劣るものとして主観的に評点をつけた。ポリイミドポリマーが、その溶液を高い湿度に晒したとき溶液のまま持続した時間を沈殿までの時間として記録した。
Figure 2005325332
(実施例30)
PTF抵抗体ペースト組成物を、実施例1のポリイミド溶液を使用して調製した。これは、そのポリイミド溶液に下に列挙する追加成分を加えることにより行った。
このPTF抵抗体は、1つまたは複数の金属粉末(または金属酸化物)、追加の熱架橋剤、および接着促進性フェノキシ樹脂を含む。そのPTF抵抗体ペースト組成物は、以下の成分を周囲の環境中で攪拌しながら調製して、粗製のペースト混合物を得た。
成分 重量%
二酸化ルテニウム粉末 25.73
ルテニウム酸ビスマス粉末 18.65
銀粉末 5.98
アルミナ粉末 5.32
ポリイミド溶液 39.08
フェノキシ樹脂PKHH溶液 2.83
エポン(登録商標)828 0.75
ディスモジュール(登録商標)BL3175A溶液 1.35
2−エチル−4−メチルイミダゾール 0.05
2−MB 0.26
4.38グラムのBLO溶媒を、次いでペースト混合物の混合を円滑にするために加え、54.9重量パーセント固形分のペースト混合物を得た。
(実施例31)
実施例30のPTF抵抗体ペーストを使用して、実施例31のPTF抵抗体を調製した。
PTF抵抗体ペーストを、銀浸漬過程なしで化学的に洗浄した銅に直接印刷した。銀浸漬過程は、一般的には銅表面の前処理のために用いられる。
そのPTF抵抗体ペーストは、1ミルのギャップで、それぞれ、0、50、100、150、200、250、および300psiの圧力にセットした3本ロールミルに3回通して粉砕し、4/2の粒子粉末度を得た。そのペーストを、280メッシュのスクリーンと70デュロメータのスクイジーを用いて、プリント−プリントモードで、10psiのスクイジー圧において、化学洗浄したFR−4基板上に、40および60ミルの抵抗体パターンでスクリーン印刷した。
その試料を強制排気オーブン中170℃で1時間ベーキングした。その結果得られたPTF抵抗体の特性は、次の通り記録された。
抵抗(オーム/スクエア) 67
厚さ(ミクロン) 12
HCTR(ppm/℃) 138
CTCR(ppm/℃) −47
40ミル抵抗体の抵抗率変化:
3回の288℃、10秒間のフロート後 8.6
85℃/85%RHにおける500時間後 3.5
熱サイクル(−25℃から125℃)後 −11.6
ESD(5,000ボルトで5パルス)後 −0.17
(実施例32)
実施例32は、実施例30と類似のPTF抵抗体ペースト組成物、および実施例31と類似の抵抗体組成物に使用される高いTgの架橋性ポリイミドの使用を例示する。
ポリイミド溶液を実施例1と同様の方法で調製した。しかしながら、ポリアミン酸は、以下の方法により化学的にイミド化した。
窒素導入口、機械攪拌器、およびコンデンサを備えた乾燥した3つ口丸底フラスコに、850グラムのDMAC、79.75グラムの3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジアンヒドリド(DSDA)、および2.408グラムの3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)を加えた。
室温で攪拌したその溶液に、67.67グラムの2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)を一部ずつ(60分以上かけて)加えた。
そのポリアミン酸溶液は、33℃の温度に達した。それを加熱なしで16時間攪拌した。90.9グラムの無水酢酸を加え、続いて83.95グラムの3−ピコリンを加えた。その溶液を1時間80℃に加熱した。
その溶液を室温まで冷却し、ブレンダ中の過剰のメタノール中に生成物のポリイミドを沈殿させた。その固形分を濾過して集めた。その固形分をメタノール中に再ブレンドすることによって、その固体を3回洗浄した。
そのポリマーを、窒素パージ付きの真空オーブン中、190℃で4時間乾燥し、数平均分子量56,800、重量平均分子量140,700を有する138.4グラムのポリイミドを得た。そのポリイミドのTgは、330℃であった。その吸湿率は、1.5%と測定された。
そのポリイミドをBLO溶媒に再溶解し、約20重量パーセントのポリイミド溶液を形成した。
PTF抵抗体ペーストを、下に列挙した成分を加えて調製した。
成分 重量%
二酸化ルテニウム粉末 18.20
ルテニウム酸ガドリニウムビスマスル粉末 22.96
銀粉末 5.39
アルミナ粉末 4.82
ポリイミド溶液 42.90
フェノキシ樹脂PKHH溶液 3.10
エポン(登録商標)828 0.83
ディスモジュール(登録商標)BL3175A溶液 1.51
2−エチル−4−メチルイミダゾール 0.05
2−MB 0.24
そのPTF抵抗体ペーストを4.38グラムのBLOを加えて希釈し、54.9重量パーセントの固形分とした。
そのペーストは、1ミルのギャップで、それぞれ、0、50、100、150、200、250、および300psiで、3回通しのロールミルにかけ、5/2ミクロン未満の粒子粉末度を得た。
その抵抗体ペーストを、化学的に洗浄した銅に直接印刷した。優れた抵抗体特性を与えることを示した。
この場合もやはり、優れた特性を有しておりかつ約1kオーム/スクエアを有するPTF抵抗体を提供するために浸漬銀前処理は必要としなかった。そのペーストを、280メッシュのスクリーンと70デュロメータのスクイジーを用いて、プリント−プリントモードで、10psi(6.98kPa)のスクイジー圧において、40および60ミルの抵抗体パターンにより、化学的に洗浄したFR−4基板上にスクリーン印刷した。その試料を強制排気オーブン中170℃で1時間ベーキングした。
硬化したPTF抵抗体の特性は次の通りであった。
抵抗(オーム/スクエア) 1,260
厚さ(ミクロン) 11.4
HCTR(ppm/℃) −120
CTCR(ppm/℃) −283
40ミル抵抗体の抵抗率変化:
3回の288℃、10秒間のフロート後 0.5
ESD(5,000ボルトで5パルス)後 2.4
(実施例33)
この例は、シラン処理コーティング法を用いて製造された充填材の使用について説明する。これらの充填材抵抗体材料は、本発明の架橋性ポリイミドPTF抵抗体組成物において有用である。
ポリイミドを、実施例1の方法と同様にして調製した。しかしながら、ポリアミン酸は、以下の方法により化学的にイミド化した。
窒素導入口、機械攪拌器、およびコンデンサを備えた乾燥した3つ口丸底フラスコに、850グラムのDMAc、79.8グラムの3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジアンヒドリド(DSDA)、および2.404グラムの3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)を加えた。
室温で攪拌したその溶液に、67.82グラムの2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)を一部ずつ70分以上かけて加えた。そのポリアミン酸溶液は、33℃の温度に達し、それを加熱なしで18時間攪拌した。91.02グラムの無水酢酸を加え、続いて83.03グラムの3−ピコリンを加え、その溶液を1時間80℃に加熱した。
そのポリイミド溶液を室温まで冷却し、その溶液をブレンダ中の過剰のメタノール中に加えて、生成物のポリイミドを沈殿させた。その固体を濾過して集めた。その固体をメタノール中に再ブレンドして、その固体を3回洗浄した。
生成物を、窒素パージ付きの真空オーブン中、190℃で4時間乾燥し、数平均分子量73,900、重量平均分子量229,000を有する139.0グラムの生成物を得た。そのポリイミドのTgは、330℃であった。その吸湿率は、1.5%であった。そのポリイミドをBLO溶媒に再溶解し、〜20重量パーセントのポリイミド溶液を形成した。
無機抵抗体材料を、抵抗体ペーストを作製する前にA1110アミノプロピルトリエトキシシランにより前処理をした。1.5グラムのA1110を50グラムの95/5のエタノール/脱イオン水中に振蕩して溶解した。10分以内にこれを乳鉢中で150グラムの無機抵抗体材料に塗布した。湿った粉体をシランがよく分散するまですりつぶした。その粉体を一晩60℃で乾燥した。
ポリイミド溶液に下に列挙した成分を加えることにより、PTF抵抗体ペーストを調製した。
成分 重量%
酸化ルテニウム粉末 23.15
ルテニウム酸ビスマス粉末 16.83
銀粉末 5.36
アルミナ粉末 4.82
ポリイミド溶液 42.87
フェノキシ樹脂PKHH溶液 3.75
エポン(登録商標)828 1.61
ディスモジュール(登録商標)BL3175A溶液 1.50
2−エチル−4−メチルイミダゾール 0.11
そのPTF抵抗体ペーストに4.38グラムのBLOを加えて希釈し、54.9重量パーセントの固形分とした。その混合物は、1ミルのギャップで、それぞれ、0、50、100、150、200、250、および300psiで、3回通しのロールミルにかけ、7/4の粒子粉末度を得た。
そのペーストを、280メッシュのスクリーンと70デュロメータのスクイジーを用いて、プリント−プリントモードで、40および60ミルの抵抗体パターンにより、FR−4基板上に10psiのスクイジー圧においてスクリーン印刷した。その抵抗体ペーストは、スクリーン印刷のまえに化学的に洗浄していないFR−4銅抵抗体パターンに直接印刷した。その試料を強制排気オーブン中170℃で1時間ベーキングした。優れた抵抗体特性を与えることを示した。優れた熱性能を示したその抵抗体の特性は次の通りであった。
抵抗(オーム/スクエア) 216
厚さ(ミクロン) 9.3
HCTR(ppm/℃) 96
CTCR(ppm/℃) −116
40ミル抵抗体の抵抗率変化:
3回の288℃、10秒間のフロート後 −3.1
85℃/85%RHにおける200時間後 −1.8
熱サイクル(25℃から125℃、
200サイクル)後 −2.3
(実施例34)
この実施例は、PTFキャパシタ組成物を調製するための低吸湿率を有するポリイミド配合物を使用する有用性を例示する。
熱的にイミド化したポリイミドを実施例1の方法と同様に調製したが、ポリアミン酸は、以下の方法により化学的にイミド化した。
窒素導入口、機械攪拌器、およびコンデンサを備えた乾燥した3つ口丸底フラスコに、700グラムのDMAcを加えた。次いで、45.98グラムの3,4’−オキシジアニリンをそのフラスコに加え、緩やかに室温で攪拌することによりDMAc中に溶解した。完全に溶媒和したのち、100グラムの2,2’−ビス−(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンジアンヒドリド(6FDA)を攪拌中の溶液に一部ずつ10分間かけて加えた。若干の発熱反応が観察された。
このポリアミン酸の溶液を加熱なしで2時間攪拌した。この時点で、90.9グラムの無水酢酸を粘稠な溶液に加え、続いて83.95グラムの3−ピコリンを加え、その溶液を1時間80℃に加熱した。
この時間中、溶液の色が淡黄色からオレンジ色に変化するのが観察された。形成されたポリイミドの溶液を室温まで冷却し、その溶液をブレンダ中の過剰のメタノール中に加えて生成物のポリイミドを沈殿させた。
繊維状の固体を濾過して集めた。その固体は、その固体をメタノール中に再ブレンドして3回洗浄された。その生成物を窒素パージ付きの真空オーブン中、190℃で4時間乾燥し、275℃のTg、および0.6%の吸水率を持つポリイミド110グラムを得た。
次の成分からキャパシタペーストを形成した。
成分 重量%
チタン酸バリウム粉末 45.45
ポリイミド粉末 8.00
BLO溶媒 46.55
ポリイミド粉末を、BLO溶媒中に、60℃に加熱して再溶解した。
そのペーストを8/5の粒子粉末度までロールミルにかけた。そのペーストをパターン化した銅FR−4パターンにスクリーン印刷し、160℃で1時間硬化した。銅ベースの導体ペーストを硬化した誘電体上に印刷し、150℃で30分間硬化して以下の特性をもつキャパシタを得た。
特性 数値
静電容量 12.3nF/in
厚さ 15.3ミクロン
実効誘電率 33.6
損失率 1.5%
絶縁破壊電圧 15ミクロンで>1000
85℃/85%RH200時間
静電容量ドリフト% 6.8
288℃ソルダーフロート3×10秒
静電容量ドリフト% −4.7
(実施例35)
この例は、PTF熱伝導組成物を得るためのフェノキシ樹脂の添加による低吸湿性の高Tgポリイミドを使用を例示する。
化学的にイミド化したポリイミド溶液を、実施例1の方法と同様にして調製した。
窒素導入口、機械攪拌器、ディーンスタークトラップ、およびコンデンサを備えた乾燥した3つ口丸底フラスコに、360.2グラムのγ−ブチロラクトン、40.96グラムのγ−バレロラクトン(GV)、44.7グラムの2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)、および1.6グラムの3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)を加えた。
室温で攪拌したその溶液に、53.09グラムの3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸ジアンヒドリド(DSDA)を60分以上かけて一部ずつ加えた。
そのポリアミン酸溶液は30℃の温度に達した。それを加熱なしで20時間攪拌した。
19.07グラムのトルエンをディーンスタークトラップに加え、21.2グラムのトルエンと、10滴のイソキノリンをそのポリアミン酸溶液に加えた。その溶液を次に180℃に調整したオイルバス中で加熱してポリアミン酸をポリイミドに変換した。
生成した水がそれ以上トラップに集まらなくなった後トルエンを留去し、反応温度を169℃まで上昇させ、その溶液をこの温度で4時間攪拌した。そのポリイミド溶液を室温まで冷却し、10rpmで60Pa×秒の粘度を有する19.6%固形分の溶液470グラムを得た。
そのポリイミドポリマーの分子量は、ポリスチレン標準を使用するサイズ排除クロマトグラフィーにより得た。そのポリイミドの数平均分子量は36,600であり、重量平均分子量は、141,500であった。そのポリイミドのガラス転移温度(Tg)は330℃であり、吸湿率は、1.5%であった。
PTF熱伝導組成物ペーストを、次の成分を組み合わせることにより形成した。
成分 重量%
窒化アルミニウム粉末 47.63
ポリイミド溶液 42.26
フェノキシ樹脂PKHH溶液 3.02
エポン(登録商標)828 0.81
ディスモジュール(登録商標)BL3175A溶液 1.47
2−エチル−4−メチルイミダゾール 0.05
BLO/GV(90/10) 4.76
熱拡散率、ハーフタイム(t50)を含めた結果を次の表に示す。
Figure 2005325332
(比較例1〜7)
湿った環境中で安定であるものと信じられていた下に列挙した溶媒中のポリイミド溶液が、意外にも、スクリーン印刷の用途に対しては十分な溶解性を有していないことが発見された。これらの組成物を下の比較例1〜7の欄内に示す。
これらの比較例のポリイミドは、実施例2〜17で説明した方法を用いて調製した。
下の表3に記載したポリイミド溶液は、カラム1の中のジアンヒドリド(1つまたは複数)およびジアミン(1つまたは複数)、カラム2の中の溶媒、カラム3の中の主観的評点、およびカラム4の中の湿った環境中で測定した沈殿までの時間を有する。
Figure 2005325332
(比較例8〜20)
溶解するものと期待されたが、それに反してスクリーン印刷用には十分な溶解性を有していないことが分かった非架橋性および架橋性ポリイミドを下に示す。そのポリイミドは、DMAc溶媒中で製造し、その後乾燥した。
ポリイミドは、続いてBLO溶媒に15〜20重量パーセントで再溶解し、スクリーン印刷可能なペーストの溶液(例えば抵抗体ペーストを作製する成分)としてそれらを評価した。
驚くべきことに、これらのポリマーは、スクリーン印刷用ペーストの用途のための十分な溶解性がなかった。各溶液の沈殿までの時間は、1時間未満であった。これらの比較例は、実施例1〜17に従って調製した。そして、そのポリイミドを調製するために使用したジアンヒドリドおよびジアミンを、以下に列挙する。
Figure 2005325332
(比較例21)
市販のアサヒPTF抵抗体ペーストTU−100−8を、化学的に洗浄した銅に実施例31のようにスクリーン印刷し、170℃で1時間硬化した。その結果得られた硬化した抵抗体の特性は次の通りであった。
抵抗(オーム/スクエア) 50
厚さ(ミクロン) 30
HCTR(ppm/℃) −359
CTCR(ppm/℃) −172
40ミル抵抗体の低効率変化:
3回の288℃、10秒間のフロート後 −10.2
85℃/85%RHにおける500時間後 62
熱サイクル(−25℃から125℃)後 4.0
ESD(5,000ボルトで5パルス)後 −2.6
用語の解説
以下の用語集は、使用した各成分の名前および省略形を含む。
フェノキシ樹脂PKHH溶液 InChem Corp.社製ポリヒドロキシフェニルエーテルを、23.89%の固形分で70/30のDowanol(登録商標)/ジエチレングリコールエチルエーテルアセテートに溶解したもの
エポン(登録商標)828 Shell社製ビスフェノールA/エピクロロヒドリンベースのエポキシ樹脂
ディスモジュール(登録商標)BL3175A溶液 Bayer Polymer LLC社製ブロックされたイソシアナートのAR100中75%固形分
2−エチル−4−メチルイミダゾール Aldrich社製エポキシ反応用触媒
2−メルカプトベンズイミダゾール(2−MB) Aldrich社製接着促進剤
二酸化ルテニウム(P2456) DuPont Microcircuit Materials社で作製されている抵抗体材料;表面積12m/g
ルテニウム酸ビスマス(p2280) DuPont Microcircuit Materials社で作製されている抵抗体材料;表面積9〜10m/g
ルテニウム酸ガドリニウムビスマス(P2271) DuPont Microcircuit Materials社で作製されている抵抗体材料;表面積2〜2.7m/g
銀(P3023) DuPont Microcircuit Materials社で作製されている抵抗体材料;表面積2.2〜2.8m/g
アルミナ(R0127) 非電気伝導性充填材;表面積7.4〜10.5m/g
チタン酸バリウム(Z9500) Ferro社製キャパシタ材料;表面積3.6m/g、平均粒径1.2ミクロン
窒化アルミニウム Alfa Aesar社製熱伝導材料;<4ミクロンの平均粒径
ヒュームドシリカ(R972) Degussa社製粘度改質剤;表面積90〜130m/g

Claims (13)

  1. ポリイミド成分および有機溶媒を含むポリイミドベースの組成物であって、前記ポリイミド成分が、式I
    Figure 2005325332
    によって表され、
    式中、Xは、O、S(O)、C(CF、またはO、S(O)、およびC(CFの2つまたは3つの混合物であり;
    式中、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、または9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)からなる群から選択されるジアミン成分であり;
    但し、
    i.XがOである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、および3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)ではなく;
    ii.XがS(O)である場合、Yは、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく;
    iii.XがC(CFである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)、および3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく;
    前記有機溶媒は、
    i.前記ポリイミドを懸濁または溶解することができる液体であり、
    ii.以下の数字、2.5、3.0、4.0、5.0、6.0、7.0、8.0、9.0、および10.0のいずれか2つの間およびその境界値を含むハンソン極性溶解度パラメータを有しており、
    iii.以下の数字、180、190、200、210、220、230、240、および250℃のいずれか2つの間およびその境界値を含む標準沸点を有する
    ことを特徴とする組成物。
  2. 前記有機溶媒は、式II
    Figure 2005325332
    により表され、
    式中、Rが、H、CH、またはCHCHである液体を含むことを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  3. 前記有機溶媒は、式III
    Figure 2005325332
    により表され、
    式中、Rが、H、CH、CHCH、またはOCHであり、Rが、H、CH、またはCHCHである液体であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  4. 前記有機溶媒は、式IV
    Figure 2005325332
    により表され、
    式中、Rが、CHまたはCHCHであり、Rが、H、CH、またはCHCHである液体であることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  5. 前記有機溶媒は、2−フェノキシエタノールおよびテトラヒドロフルフラールアセテートからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  6. 前記ポリイミド成分は、Aがポリイミド成分であり、Bがポリイミド成分と有機溶媒との和であり、Aが次の数字、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10、0.15、0.20、0.40、0.60、1.0,2.0、3.0、4.0、および5.0のいずれか2つの間およびその境界値を含むものであり、Bが100である、A:Bの重量比で組成物中に存在することを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  7. Aは、次の数字、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、および30のいずれか2つの間およびその境界値を含むものであり、Bは100であることを特徴とする請求項6に記載の組成物。
  8. 前記ジアミン成分の0から30モルパーセントまでは、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(HAB)、2,4−ジアミノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシ−ビフェニル、および2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の組成物。
  9. ポリイミド溶液を製造する成分として有用なポリイミドであって、前記ポリイミド溶液は、電子回路パッケージを製造するのに有用であり、前記ポリイミドは、式I
    Figure 2005325332
    により表され、
    式中、Xは、O、S(O)、C(CF、またはO、S(O)、およびC(CFの2つまたは3つの混合物であり;
    式中、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、および9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)からなる群から選択されるジアミン成分であり;
    但し、XがOである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、および3,4’−ジアミノジフェニルエーテル(3,4’−ODA)ではなく;
    但し、Xが、S(O)である場合、Yは、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく;
    但し、Xが、C(CFである場合、Yは、m−フェニレンジアミン(MPD)、ビス−[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン(FDA)、および3,3’−ジアミノジフェニルスルホン(3,3’−DDS)ではなく;
    前記ポリイミドは、250℃より高いガラス転移温度を有しており、前記ポリイミドは、2%以下の吸水率を有する
    ことを特徴とするポリイミド。
  10. 前記ポリイミドは、290℃より高いガラス転移温度を有しており、1%以下の吸水率を有することを特徴とする請求項9に記載のポリイミド。
  11. 前記ポリイミドは、実際的な水分溶解性測定値を有することを特徴とする請求項9に記載のポリイミド。
  12. 前記ポリイミドは、ウェハレベルの実装において、半導体応力緩衝材、相互接続誘電体、保護オーバーコート、ボンドパッドリディストリビュータ、またはソルダーバンプのアンダーフィルとして使用されることを特徴とする請求項9に記載のポリイミド。
  13. 前記ポリイミドは、ポリマー厚膜(PTF)抵抗体のポリマーバインダ、個別キャパシタ、平面キャパシタ、カプセル材料、または導電性接着剤として使用されることを特徴とする請求項9に記載のポリイミド。

JP2005002744A 2004-01-09 2005-01-07 水分収着耐性を有するポリイミド組成物およびそれに関連する方法 Withdrawn JP2005325332A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53545304P 2004-01-09 2004-01-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005325332A true JP2005325332A (ja) 2005-11-24
JP2005325332A5 JP2005325332A5 (ja) 2008-02-07

Family

ID=35471921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005002744A Withdrawn JP2005325332A (ja) 2004-01-09 2005-01-07 水分収着耐性を有するポリイミド組成物およびそれに関連する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7348373B2 (ja)
EP (1) EP1553134B1 (ja)
JP (1) JP2005325332A (ja)
DE (1) DE602004024758D1 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006080119A1 (ja) * 2005-01-28 2006-08-03 Sony Chemical & Information Device Corporation ポリイミド化合物及びフレキシブル配線板
JP2009540104A (ja) * 2006-06-15 2009-11-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用の疎水性組成物
JP2010155895A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Asahi Kasei E-Materials Corp 組成物、組成物からなる塗膜、塗膜を含む積層体、及び積層体を組み込んだ電子機器
KR101455760B1 (ko) 2010-12-16 2014-10-28 주식회사 엘지화학 회로 기판용 금속 적층체 및 이의 제조 방법
JP2015504951A (ja) * 2012-01-09 2015-02-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company バインダー溶液
WO2016129506A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 日産化学工業株式会社 液晶配向剤
JP2017510978A (ja) * 2014-02-07 2017-04-13 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 熱伝導性電子基板およびそれに関連する方法
JP2017115147A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company ポリイミド系ポリマー厚膜組成物
JP2017538794A (ja) * 2014-10-10 2017-12-28 サビック グローバル テクノロジーズ ベスローテン フェンノートシャップ ポリエーテルイミドワニス組成物、その製造方法およびそれから製造される物品
WO2018062296A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 住友化学株式会社 ポリイミド系高分子ワニスの製造方法、ポリイミド系高分子フィルムの製造方法、及び、透明ポリイミド系高分子フィルム
KR20180060259A (ko) * 2016-11-28 2018-06-07 한국생산기술연구원 전하 이동 복합체를 이용한 자동차용 스크래치 자기치유 클리어코트 조성물, 이를 포함하는 클리어코트 및 이의 제조방법
JP2018525789A (ja) * 2015-08-13 2018-09-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2018525494A (ja) * 2015-08-12 2018-09-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのプロセス
JP2018529001A (ja) * 2015-08-13 2018-10-04 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company はんだ付け可能ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2018529802A (ja) * 2015-08-12 2018-10-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのペースト及びプロセス
JP2018184595A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 味の素株式会社 樹脂組成物
KR20210018747A (ko) * 2019-08-08 2021-02-18 다싱 차이리아오 구펀요우시엔공쓰 임시 본딩 조성물, 임시 본딩 필름, 복합재 필름, 공작물을 임시 본딩하는 방법 및 반도체 웨이퍼 팩키징

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7169330B2 (en) * 2004-02-25 2007-01-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composition of conductive paste
US7745516B2 (en) * 2005-10-12 2010-06-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composition of polyimide and sterically-hindered hydrophobic epoxy
US20080035567A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 Sabottke Craig Y Enhanced membrane separation system
US7604754B2 (en) * 2006-11-17 2009-10-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resistor compositions for electronic circuitry applications
TW200839811A (en) * 2006-12-12 2008-10-01 Du Pont Crystalline encapsulants
WO2008073409A2 (en) * 2006-12-12 2008-06-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composite organic encapsulants
US20090111948A1 (en) * 2007-10-25 2009-04-30 Thomas Eugene Dueber Compositions comprising polyimide and hydrophobic epoxy and phenolic resins, and methods relating thereto
CN102604584B (zh) * 2012-03-28 2013-08-21 黑龙江省科学院石油化学研究院 一种高剥离聚酰亚胺胶粘剂及其制备方法
CN107722270B (zh) * 2014-05-30 2021-04-20 株式会社Lg化学 聚酰亚胺基液体和使用其制备的聚酰亚胺基膜
WO2016100629A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company High temperature conductive thick film pastes polyimide for heater
TWI683837B (zh) * 2015-06-26 2020-02-01 南韓商可隆股份有限公司 聚醯胺醯亞胺前驅物組成物、聚醯胺醯亞胺薄膜及顯示裝置
CN105001778B (zh) * 2015-07-10 2018-01-02 东华大学 一种含氟聚酰亚胺湿敏电容及其制备方法
CN105086424B (zh) * 2015-09-02 2018-06-22 东华大学 一种耐高温bahpfp型覆铜箔板及其制备方法
CN105111927B (zh) * 2015-09-02 2017-04-05 东华大学 一种耐高温bahpfp型漆包线漆及其制备方法
EP3368491B1 (en) * 2015-10-30 2022-04-13 Corning Incorporated Glass articles with mixed polymer and metal oxide coatings
CN105924649B (zh) * 2016-05-19 2019-06-18 航天材料及工艺研究所 一种聚酰亚胺泡沫材料及其制备方法
EP3488663B1 (en) 2016-07-22 2020-09-30 DuPont Electronics, Inc. Thin-film heating device
US20190098703A1 (en) * 2017-09-26 2019-03-28 E I Du Pont De Nemours And Company Heating elements and heating devices
JPWO2021085321A1 (ja) * 2019-10-29 2021-05-06
CN113322714B (zh) * 2020-02-28 2022-12-02 中国科学院成都有机化学有限公司 一种聚酰亚胺复配型抗高温老化助剂及其绝缘纸和制备方法
CN111849399A (zh) * 2020-06-16 2020-10-30 廖铁仙 一种半导体装置的散热组合物及其制备方法
WO2022261654A1 (en) * 2021-06-10 2022-12-15 Zymergen Inc. Optically transparent polyimide

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY104429A (en) 1988-04-15 1994-03-31 Du Pont Encapsulant composition
US5093036A (en) 1988-09-20 1992-03-03 Raychem Corporation Conductive polymer composition
US5302412A (en) * 1989-02-03 1994-04-12 The Boc Group, Inc. Single atmosphere for firing compatible thick film material
US5071997A (en) * 1989-07-20 1991-12-10 University Of Akron Polyimides comprising substituted benzidines
JPH03129701A (ja) * 1989-09-19 1991-06-03 Mitsubishi Electric Corp 抵抗体装置
JPH0461703A (ja) 1990-06-27 1992-02-27 Haisoole Kk 印刷用導電性ペースト
US5202412A (en) * 1990-10-02 1993-04-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide copolymer precursors
US5275750A (en) * 1991-07-18 1994-01-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a solid polymer electrolyte
US5268497A (en) * 1992-02-24 1993-12-07 The Boc Group, Inc. Process for the production of nitriles
AU2466092A (en) 1992-07-22 1994-02-14 Michael F. Lucey Highly filled polymeric compositions
EP0588136B1 (en) 1992-09-15 1996-11-13 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polymer thick film resistor compositions
DE4335323A1 (de) * 1993-10-18 1995-04-20 Basf Lacke & Farben Lösungen von polyimidbildenden Substanzen und deren Verwendung
JP3117175B2 (ja) 1994-02-09 2000-12-11 アルプス電気株式会社 抵抗体
US5426071A (en) * 1994-03-04 1995-06-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide copolymer film for lift-off metallization
JPH09118825A (ja) * 1995-10-24 1997-05-06 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリイミド樹脂組成物
DE69822918T2 (de) * 1997-04-30 2005-03-31 Jsr Corp. Elektronisches Teil und Verfahren zu seiner Herstellung
US5993698A (en) 1997-11-06 1999-11-30 Acheson Industries, Inc. Electrical device containing positive temperature coefficient resistor composition and method of manufacturing the device
JP2000164403A (ja) 1998-11-24 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 耐熱抵抗体ペーストおよび耐熱抵抗体と耐熱抵抗体の製造方法
US6030553A (en) * 1999-04-01 2000-02-29 Industrial Technology Research Institute Polymer thick film resistor pastes
US7018776B2 (en) * 2002-12-12 2006-03-28 Arch Specialty Chemicals, Inc. Stable non-photosensitive polyimide precursor compositions for use in bilayer imaging systems

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006080119A1 (ja) * 2005-01-28 2006-08-03 Sony Chemical & Information Device Corporation ポリイミド化合物及びフレキシブル配線板
JP2006206756A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Sony Chem Corp ポリイミド化合物及びフレキシブル配線板
US7629091B2 (en) 2005-01-28 2009-12-08 Sony Corporation Polyimide compound and flexible wiring board
JP2009540104A (ja) * 2006-06-15 2009-11-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用の疎水性組成物
JP2010155895A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Asahi Kasei E-Materials Corp 組成物、組成物からなる塗膜、塗膜を含む積層体、及び積層体を組み込んだ電子機器
KR101455760B1 (ko) 2010-12-16 2014-10-28 주식회사 엘지화학 회로 기판용 금속 적층체 및 이의 제조 방법
JP2015504951A (ja) * 2012-01-09 2015-02-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company バインダー溶液
JP2016138292A (ja) * 2012-01-09 2016-08-04 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company バインダー溶液
JP2017510978A (ja) * 2014-02-07 2017-04-13 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company 熱伝導性電子基板およびそれに関連する方法
JP2017538794A (ja) * 2014-10-10 2017-12-28 サビック グローバル テクノロジーズ ベスローテン フェンノートシャップ ポリエーテルイミドワニス組成物、その製造方法およびそれから製造される物品
WO2016129506A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 日産化学工業株式会社 液晶配向剤
TWI699400B (zh) * 2015-02-12 2020-07-21 日商日產化學工業股份有限公司 液晶配向劑
JPWO2016129506A1 (ja) * 2015-02-12 2017-11-24 日産化学工業株式会社 液晶配向剤
JP2018525494A (ja) * 2015-08-12 2018-09-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのプロセス
JP2018529802A (ja) * 2015-08-12 2018-10-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company はんだ付け可能なポリイミド系ポリマー厚膜導電体を形成するためのペースト及びプロセス
JP2018525789A (ja) * 2015-08-13 2018-09-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2018529001A (ja) * 2015-08-13 2018-10-04 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company はんだ付け可能ポリマー厚膜銅導体組成物の光焼結
JP2017115147A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company ポリイミド系ポリマー厚膜組成物
JP7186617B2 (ja) 2016-09-30 2022-12-09 住友化学株式会社 ポリイミド系高分子ワニスの製造方法、ポリイミド系高分子フィルムの製造方法、及び、透明ポリイミド系高分子フィルム
WO2018062296A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 住友化学株式会社 ポリイミド系高分子ワニスの製造方法、ポリイミド系高分子フィルムの製造方法、及び、透明ポリイミド系高分子フィルム
JPWO2018062296A1 (ja) * 2016-09-30 2019-07-18 住友化学株式会社 ポリイミド系高分子ワニスの製造方法、ポリイミド系高分子フィルムの製造方法、及び、透明ポリイミド系高分子フィルム
KR20180060259A (ko) * 2016-11-28 2018-06-07 한국생산기술연구원 전하 이동 복합체를 이용한 자동차용 스크래치 자기치유 클리어코트 조성물, 이를 포함하는 클리어코트 및 이의 제조방법
JP2018184595A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 味の素株式会社 樹脂組成物
JP7354525B2 (ja) 2017-04-24 2023-10-03 味の素株式会社 樹脂組成物
KR20210018747A (ko) * 2019-08-08 2021-02-18 다싱 차이리아오 구펀요우시엔공쓰 임시 본딩 조성물, 임시 본딩 필름, 복합재 필름, 공작물을 임시 본딩하는 방법 및 반도체 웨이퍼 팩키징
JP2021119233A (ja) * 2019-08-08 2021-08-12 達興材料股▲ふん▼有限公司Daxin Materials Corporation 仮貼組成物、仮貼膜、複合膜、及び、半導体ウエハーパッケージ
KR102303743B1 (ko) * 2019-08-08 2021-09-23 다싱 차이리아오 구펀요우시엔공쓰 공작물을 임시 본딩하는 방법
KR102414132B1 (ko) * 2019-08-08 2022-06-28 다싱 차이리아오 구펀요우시엔공쓰 임시 본딩 조성물, 임시 본딩 필름, 복합재 필름 및 반도체 웨이퍼 팩키징
JP7134291B2 (ja) 2019-08-08 2022-09-09 達興材料股▲ふん▼有限公司 仮貼組成物、仮貼膜、複合膜、及び、半導体ウエハーパッケージ
KR20210081320A (ko) * 2019-08-08 2021-07-01 다싱 차이리아오 구펀요우시엔공쓰 임시 본딩 조성물, 임시 본딩 필름, 복합재 필름 및 반도체 웨이퍼 팩키징
JP2021025026A (ja) * 2019-08-08 2021-02-22 達興材料股▲ふん▼有限公司Daxin Materials Corporation 仮貼組成物、仮貼膜、複合膜、被加工物の仮貼方法、及び、半導体ウエハーパッケージ
US12043770B2 (en) 2019-08-08 2024-07-23 Daxin Materials Corporation Temporary bonding composition, temporary bonding film, composite film, temporary bonding method and semiconductor wafer package

Also Published As

Publication number Publication date
US20050154181A1 (en) 2005-07-14
US7348373B2 (en) 2008-03-25
DE602004024758D1 (de) 2010-02-04
EP1553134A2 (en) 2005-07-13
EP1553134A3 (en) 2005-09-21
EP1553134B1 (en) 2009-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005325332A (ja) 水分収着耐性を有するポリイミド組成物およびそれに関連する方法
US7745516B2 (en) Composition of polyimide and sterically-hindered hydrophobic epoxy
US7604754B2 (en) Resistor compositions for electronic circuitry applications
KR100674075B1 (ko) 고분자를 포함하는 첨단재료용 조성물
JP7168701B2 (ja) ポリイミド系ポリマー厚膜組成物
US20090111948A1 (en) Compositions comprising polyimide and hydrophobic epoxy and phenolic resins, and methods relating thereto
JP2009540104A (ja) 電子用途用の疎水性組成物
CN101473706A (zh) 用于保护电子元件的基于杂环聚合物的有机密封剂组合物
JP2009117836A (ja) 表面不動態化コーティングを有するフィラーを含有する誘電性組成物
CN101044189B (zh) 耐热性树脂
JP6542783B2 (ja) 熱伝導性電子基板およびそれに関連する方法
US10153075B2 (en) Polyimide-based polymer thick film resistor composition
JP2003113338A (ja) スクリーン印刷用の耐熱性ブロック共重合ポリイミド組成物及びそのポリイミドを用いるインキの組成と塗膜の形成方法
US20080185361A1 (en) Compositions for electronic circuitry applications and methods relating thereto
TW200822152A (en) Low temperature coefficient of resistivity polymeric resistors based on metal carbides and nitrides
JP3819057B2 (ja) 印刷用樹脂組成物
CN115505261B (zh) 高分子薄膜及其制造方法
US10508217B2 (en) Polyimide-based polymer thick film resistor composition
JPH11209734A (ja) 液状接合部材

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071217

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20101014