JP2005322785A - 半導体集積回路のパターン生成方法および半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路のパターン生成方法および半導体集積回路 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】電源系配線と信号配線設計をした後に、空き領域に電源電位側およびグランド電位側メタルパターン(7,7,…,8,8,…)を領域的に交互に分離された電源電位側領域(2,2,…)とグランド電位側領域(3,3,…)とにそれぞれ生成し、これらのメタルパターンを電源電位側およびグランド電位側毎に各々に接続し、更に既存の電源配線とグランド配線と接続する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施の形態を、図面をもとに説明する。本発明の設計方法を示すフローチャートを図1に示す。また、本発明の第1の実施形態における半導体集積回路の基本構成の説明図を図2および図3に示す。
次に、本発明の第2の実施の形態を図6に示す。前実施の形態では、スタンダードセルの電源メタル+1層(例ではMetal2となる)は、図2 (a)に示したような生成メタル領域形状として説明してきたが、本実施の形態では、スタンダードセルの電源メタル+1層のメタル領域の平面形状は、図6(a) のように櫛形の形状を呈する事が特徴となる。櫛歯となる部分は、スタンダードセルのPower配線に対し、その直上にMetal2生成領域が重なるような構造を持つ。なお、偶数メタル層(Metal4・Meal6)を図6(b) に、奇数メタル層(Metal3・Meal5・Meal7)を図6(c) に示す。
更に、本発明の第3の実施形態を図7に示す。この実施の形態では、メタル層毎に生成メタルの電源電位側領域(42,52,62,72)およびグランド電位側領域(43,53,63,73)の領域の大きさを変えている。換言すると積層された2つのメタル層間では領域サイズが異なるようにしている事を特徴としている。この実施形態では、各層のメタル生成領域が、図7の(a) 〜(d) にmetal2〜metal5について例示するように上層メタルになるにしたがって、段々と領域の幅が広くなっていく。スタンダードセルの電源配線はメタル幅は細く、上層のメタルはメタル幅が広い。すなわち、本実施の形態の領域設定では、上層メタルから下層メタルへと順々にメタル幅が細くなっている。
2,42,52,62,72…電源電位側領域
3,43,53,63,73…グランド側領域
4,5…メタルパターン
6…ビア(via)
7,8…メタル
9…via生成可能領域
11…via生成領域
Metal1〜Metal8…メタル層
Claims (8)
- 電源配線と、グランド配線と、信号配線と、メタルパターンとを備え、前記メタルパターンが、前記電源配線または前記グランド配線のいずれか一方と電気的に接続された、上下方向に重なる複数層からなる配線構造を持つ半導体集積回路のパターン生成方法において、
前記電源配線とグランド配線と信号配線とを配線する過程と、
前記各配線の空き領域に対して、電源電位側およびグランド電位側のメタルパターンを領域的に交互に分離された電源電位側領域とグランド電位側領域とにそれぞれ生成する過程と、
生成されたメタルパターンを電源電位側およびグランド電位側毎に各々接続する過程と、
前記各々接続されたメタルパターンを、前記既存の電源配線とグランド配線メタルパターンと接続することにより、下層と上層の同電位メタルパターンを電気接続する過程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路のパターン生成方法。 - 前記電源電位側領域とグランド電位側領域が略帯状でその延在方向を信号配線時の優先配線方向に合わすように設定する事を特徴とする請求項1に記載のパターン生成方法。
- 前記電源電位側およびグランド電位側のメタルパターンは、下層の領域のうちで少なくとも1つで、櫛形の平面形状を持つ事を特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン生成方法。
- 前記電源電位側領域とグランド電位側領域は、少なくとも2つのメタルパターン層間で領域サイズが異なる事を特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン生成方法。
- 前記電源電位側およびグランド電位側のメタルパターンが、キャパシタ構造を備え持つ事を特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン生成方法。
- 前記電源電位側領域とグランド電位側領域には、前記電源電位側およびグランド電位側のメタルパターンとの接続の有無に関わらず、配置出来る限りのビア (via)を配置する事を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン生成方法。
- 前記電源電位側およびグランド電位側のメタルパターンを、所定の占有率以下となるように面積を減少させて生成する事を特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のパターン生成方法。
- 請求項1〜7のいずれかの項に記載のパターン生成方法を用いて設計・製造された電源補強された半導体集積回路。
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JP2001035853A (ja) * | 1999-05-17 | 2001-02-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001203272A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路のレイアウト設計方法 |
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