JP2007311410A - 半導体集積回路装置及びその設計方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造歩留まりを向上出来る半導体集積回路装置とその設計方法を提供すること。
【解決手段】第1設計ルールによる最小配線間隔D1により平行に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線層2、3と、前記第1配線層2、3に接する第1コンタクトプラグ5、6と、前記第1配線層2、3と同一レベルにおいて前記第1配線層2、3のいずれかに平行且つ隣接する第2配線層4と、前記第2配線層4に接する第2コンタクトプラグ7とを具備し、前記第1コンタクトプラグ5、6と前記第2コンタクトプラグ7とは、前記第1配線層2、3及び前記第2配線層4が設けられた平面内における前記第1方向に垂直な第2方向においてオーバーラップし、前記第1配線層2、3と前記第2配線層4との間隔D2は、前記最小配線間隔D1より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満である。
【選択図】 図1
【解決手段】第1設計ルールによる最小配線間隔D1により平行に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線層2、3と、前記第1配線層2、3に接する第1コンタクトプラグ5、6と、前記第1配線層2、3と同一レベルにおいて前記第1配線層2、3のいずれかに平行且つ隣接する第2配線層4と、前記第2配線層4に接する第2コンタクトプラグ7とを具備し、前記第1コンタクトプラグ5、6と前記第2コンタクトプラグ7とは、前記第1配線層2、3及び前記第2配線層4が設けられた平面内における前記第1方向に垂直な第2方向においてオーバーラップし、前記第1配線層2、3と前記第2配線層4との間隔D2は、前記最小配線間隔D1より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満である。
【選択図】 図1
Description
この発明は半導体集積回路装置及びその設計方法に関し、例えばLSIの金属配線のレイアウト方法に関するものである。
近年、半導体装置の製造プロセスにおける微細加工技術の進展にはめざましいものがある。半導体集積回路においては、非常に多数の配線及びコンタクトプラグが密集して配置される。半導体集積回路の設計は、設計ツールを用いて行われるのが通常である。この際、従来の手法であると、配線及びコンタクトプラグは、その世代における設計ルールにより可能な最小の配線間隔で配置される(例えば特許文献1参照)。
しかしながら微細化が進むにつれて、隣接するコンタクトプラグがショートして、半導体集積回路の製造歩留まりが低下する、という問題があった。
特開2003−303885号公報
この発明は、製造歩留まりを向上出来る半導体集積回路装置及びその設計方法を提供する。
この発明の一態様に係る半導体集積回路装置は、第1設計ルールによる最小配線間隔により平行に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線層と、それぞれが、前記第1配線層の各々に接するようにして設けられた複数の第1コンタクトプラグと、前記第1配線層のいずれかに平行且つ隣接して前記第1配線層と同一レベルに設けられ、前記第1方向に延びる第2配線層と、前記第2配線層に接するようにして設けられた第2コンタクトプラグとを具備し、前記第1コンタクトプラグと前記第2コンタクトプラグとは、前記第1配線層及び前記第2配線層が設けられた平面内における前記第1方向に垂直な第2方向において、少なくとも隣接するもの同士の互いの一部がオーバーラップしており、隣接する前記第1配線層と前記第2配線層との間隔は、前記第1設計ルールによる最小配線間隔より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満である。
またこの発明の一態様に係る半導体集積回路装置の設計方法は、回路記述言語により記述された、半導体集積回路装置に関する第1設計データを論理合成して、論理回路レベルの第2設計データを得るステップと、前記第2設計データについてレイアウト設計を行い、前記第2設計データについての第1配線レイアウトデータを得るステップと、前記第1配線レイアウトデータについて、第1設計ルールにおいて可能な最小配線間隔により2本の配線層と隣接する配線層が有るか否かを判定するステップと、前記判定するステップにおいて有ると判定された場合、該配線層に設けられたコンタクトプラグと、前記隣接する2本の配線層に設けられたコンタクトプラグとが平行であるか否かを判定するステップと、前記平行であると判定された場合、該配線層と、前記隣接する2本の配線層のうちのいずれかとの間隔を、前記第1設計ルールにおける最小配線間隔より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満に拡大して、第2配線レイアウトデータを得るステップとを具備し、前記第2配線レイアウトデータを用いて前記半導体集積回路装置の製造マスクが形成される。
この発明によれば、製造歩留まりを向上出来る半導体集積回路装置及びその設計方法を提供できる。
以下、この発明の実施形態を図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施形態]
この発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るLSIにおける多層金属配線層の一部領域の平面図であり、特に第2層目の金属配線層の配線パターンを示している。
[第1の実施形態]
この発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路装置について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るLSIにおける多層金属配線層の一部領域の平面図であり、特に第2層目の金属配線層の配線パターンを示している。
図示するようにLSI1は、長手方向が第1方向に沿った少なくとも3本の金属配線層2〜4を備えている。金属配線層2〜4は、第1方向に直交する第2方向に沿って、互いに平行に配置されている。金属配線層2〜4の各々は、コンタクトプラグ5〜7によって図示せぬ下層の金属配線層に接続される。また、金属配線層2〜4の線幅W1は互いに等しく、線幅W1は、ある世代(設計ルール)において可能な最小の線幅で形成される。例えば65nm世代の場合、第2層目の金属配線層の線幅W1は100nmである。
金属配線層2と金属配線層3との間隔D1は、金属配線層3と金属配線層4との間隔D2よりも小さい。間隔D1は、ある世代において可能な最小の配線間隔で形成される。65nm世代の場合、間隔D1は例えば100nmである。金属配線層3と金属配線層4との間隔D2は、間隔D1よりも例えば20%大きい120nmである。
次に、図1に示すLSIの断面構成について図2を用いて説明する。図2は、図1におけるX1−X1’線に沿った断面図である。図示するように、半導体基板10上には層間絶縁膜11が形成される。半導体基板10上には図示せぬ半導体素子が形成され、層間絶縁膜11はこれらの半導体素子を被覆している。層間絶縁膜11上には、前記半導体素子に電気的に接続された金属配線層(第1層目の金属配線層)12〜14が形成されている。更に層間絶縁膜11上には、金属配線層12〜14を被覆するようにして層間絶縁膜15が形成されている。層間絶縁膜15上には、図1を用いて説明した第2層目の金属配線層2〜4が形成されている。そして、金属配線層2〜4は、層間絶縁膜15中に形成されたコンタクトプラグ5〜7によって、それぞれ金属配線層12〜14に接続されている。
なお3つのコンタクトプラグ5〜7は、図1に示すように互いに平行、換言すれば、金属配線層2〜4の長手方向に直交する方向(第2方向)に沿って一直線上に並んでいる。この「平行に並んでいる」の定義について図3を用いて説明する。図3は図1の拡大図であり、特にコンタクトプラグ5〜7のみを示している。
図中におけるコンタクトプラグ5とコンタクトプラグ6のように、第2方向に沿った位置が完全に一致している場合だけでなく、コンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7のように、第2方向に沿った位置がずれていても良い。この場合、許容されるずれ幅は、第2方向に沿って互いの一部がオーバーラップする程度、すなわちD3>0となる量である。
上記のように、この発明の第1の実施形態に係る半導体装置であると、半導体装置の製造歩留まりを向上出来る。本効果について、以下詳細に説明する。
従来、金属配線層の線幅及び配線間隔は、適用される設計ルールにおいて可能な最小値となるように形成されるのが通常であった。これはコンタクトプラグについても同様であり、プラグ径及びプラグ間隔は設計ルールにおいて可能な最小値で形成される。この場合、配線の微細化が進むにつれて、隣接するコンタクトプラグがショートし易くなり、製造歩留まりが低下するという問題があった。
従来、金属配線層の線幅及び配線間隔は、適用される設計ルールにおいて可能な最小値となるように形成されるのが通常であった。これはコンタクトプラグについても同様であり、プラグ径及びプラグ間隔は設計ルールにおいて可能な最小値で形成される。この場合、配線の微細化が進むにつれて、隣接するコンタクトプラグがショートし易くなり、製造歩留まりが低下するという問題があった。
しかし本実施形態に係る構成であると、コンタクトプラグが平行に配置されたLSIにおいて、ある金属配線層に対して隣接する2本の金属配線層のうち、いずれか一方との配線間隔を最小値よりも大きくしている。すなわち、図1において金属配線層3には金属配線層2と金属配線層4とが隣接している。そこで、金属配線層3と金属配線層2との間隔D1は、ある設計ルールにおいて可能な最小値D1とし、金属配線層3と金属配線層4との間隔D2は、D1よりも大きい値とする。通常、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて配線を加工する際、最小値D1で隣接する金属配線層が2本までであればショートは発生し難い。従って、コンタクトプラグ6とコンタクトプラグ5との間、及びコンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7との間でショートが発生することを抑制出来る。なおこの際、配線間隔D2の値を、当該世代よりも1世代前の設計ルールにより可能な最小値未満にすることで、配線間隔を拡げたことによる影響を最小限とすることが出来る。
[第2の実施形態]
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路装置について説明する。本実施形態は、配線間隔を拡げることなくコンタクトプラグのショートを防止する構成に関するものである。図4は、本実施形態に係るLSIにおける多層金属配線層の一部領域の平面図であり、特に第2層目の金属配線層の配線パターンを示している。
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路装置について説明する。本実施形態は、配線間隔を拡げることなくコンタクトプラグのショートを防止する構成に関するものである。図4は、本実施形態に係るLSIにおける多層金属配線層の一部領域の平面図であり、特に第2層目の金属配線層の配線パターンを示している。
図示するように、本実施形態に係るLSI1は、上記第1の実施形態で説明した図1の構成において、金属配線層3と金属配線層4との間隔D2を、金属配線層2と金属配線層3との間隔D1と等しくしたものである。そして、コンタクトプラグ5とコンタクトプラグ6とを平行に配置し、コンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7とを非平行に配置したものである。非平行の意味は、上記第1の実施形態において図3を用いて説明したように、D3≦0の条件を満たす場合である。この際、コンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7との間隔D4は、図4に示すようにD1よりも大きくされる。つまり、間隔D1と間隔D4との間には、第1の実施形態で説明した間隔D1と間隔D2との関係と同様の関係がある。すなわち、間隔D1は、ある世代において可能な最小の配線間隔で形成される。65nm世代の場合、間隔D1は例えば100nmである。これに対して間隔D4は、間隔D1よりも例えば20%大きい120nmである。
図4におけるX2−X2’線に沿った方向の断面構成は、第1の実施形態で説明した図2の構成と同様である。
上記のように、この発明の第2の実施形態であると、第1の実施形態と同様に、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。本実施形態に係る構成であると、第1の実施形態のように金属配線層の間隔を拡げる代わりに、コンタクトプラグの位置を、隣接するものに対して平行な位置からずらしている。これにより、コンタクトプラグの隣接間隔を大きくしている。
すなわち、図4においてコンタクトプラグ5とコンタクトプラグ6とは平行に配置され、その間隔D1はある設計ルールにおいて可能な最小値である。これに対してコンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7との間隔D4は、D1よりも大きい値とする。これにより、コンタクトプラグ6とコンタクトプラグ5との間、及びコンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7との間でショートが発生することを抑制出来る。
また、第1の実施形態と異なり、本実施形態ではコンタクトプラグを平行な位置からずらすことによって隣接間隔を大きくしている。従って、配線間隔D2と配線間隔D1とを等しくできる。すなわち、配線間隔D2もその設計ルールにおいて可能な最小値で形成できる。そのため、LSIのサイズの増加を抑制しつつ、製造歩留まりを向上できる。
なお、配線間隔D4の値を、当該世代よりも1世代前の設計ルールにより可能な最小値未満にすることが望ましい。なぜなら、コンタクトプラグを平行な位置からずらすことによるコンタクトプラグの配置の規則性のずれを最小限にできるからである。
[第3の実施形態]
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路装置について説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において金属配線層に与える電圧関係に関するものである。図5は本実施形態に係るLSI1の平面図である。
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路装置について説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において金属配線層に与える電圧関係に関するものである。図5は本実施形態に係るLSI1の平面図である。
図示するように、本実施形態に係るLSI1は、上記第1の実施形態で説明した図1の構成において、更に第1電源回路20及び第2電源回路21を備えている。第1電源回路20は金属配線層2、3に接続され、金属配線層2、3に対して電圧V1を与える。また第2電源回路21は金属配線層4に接続され、金属配線層4に対して電圧V1と異なる電圧V2を与える。
上記構成であると、第1の実施形態で説明した通り、コンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7との間でショートが発生することを防止できる。すなわち、互いに異なる電位が与えられるコンタクトプラグ間でのショートを防止できる。従って、半導体集積回路の信頼性を向上できる。
なお、本実施形態は第2の実施形態にも適用可能である。図6は本実施形態の変形例に係るLSIの平面図である。図示するようにLSI1は、上記第2の実施形態で説明した図4の構成において、更に第1電源回路20及び第2電源回路21を備えている。第1電源回路20は金属配線層2、3に接続され、金属配線層2、3に対して電圧V1を与える。また第2電源回路21は金属配線層4に接続され、金属配線層4に対して電圧V1と異なる電圧V2を与える。
本構成によっても、互いに異なる電位が与えられるコンタクトプラグ6とコンタクトプラグ7との間でのショートを防止できる。従って、半導体集積回路の信頼性を向上できる。
[第4の実施形態]
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路装置について説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において、第3の実施形態と異なる電圧関係に関するものである。図7は本実施形態に係るLSI1の平面図である。
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路装置について説明する。本実施形態は、上記第1の実施形態において、第3の実施形態と異なる電圧関係に関するものである。図7は本実施形態に係るLSI1の平面図である。
図示するように、本実施形態に係るLSI1は、上記第1の実施形態で説明した図1の構成において、更に第1電源回路20及び第2電源回路21を備えている。第1電源回路20は金属配線層2に接続され、金属配線層2に対して電圧V1を与える。また第2電源回路21は金属配線層3、4に接続され、金属配線層3、4に対して電圧V1と異なる電圧V2を与える。
上記構成であると、第1の実施形態で説明した通り、コンタクトプラグ5とコンタクトプラグ6との間でショートが発生することを防止できる。すなわち、互いに異なる電位が与えられるコンタクトプラグ間でのショートを防止できる。従って、半導体集積回路の信頼性を向上できる。
なお、本実施形態は第2の実施形態にも適用可能である。図8は本実施形態の変形例に係るLSIの平面図である。図示するようにLSI1は、上記第2の実施形態で説明した図4の構成において、更に第1電源回路20及び第2電源回路21を備えている。第1電源回路20は金属配線層2に接続され、金属配線層2に対して電圧V1を与える。また第2電源回路21は金属配線層3、4に接続され、金属配線層3、4に対して電圧V1と異なる電圧V2を与える。
本構成によっても、互いに異なる電位が与えられるコンタクトプラグ5とコンタクトプラグ6との間でのショートを防止できる。従って、半導体集積回路の信頼性を向上できる。
[第5の実施形態]
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体集積回路装置の設計方法について説明する。本実施形態は、上記第1、第2の実施形態で説明した半導体集積回路装置の設計方法に関するものである。図9は、本実施形態に係るLSIの設計方法のフローチャートである。
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体集積回路装置の設計方法について説明する。本実施形態は、上記第1、第2の実施形態で説明した半導体集積回路装置の設計方法に関するものである。図9は、本実施形態に係るLSIの設計方法のフローチャートである。
図示するように、まず設計すべきLSI1のシステム仕様が決定される(ステップS10)。そして、その仕様を満たすように、ハードウェア記述言語による設計が行われ(ステップS11)、その結果としてRTL(Register-Transfer Level)記述30が得られる。勿論、ハードウェア記述言語の代わりに、より抽象度の高い例えばC言語等により設計を行い、得られた機能記述を動作合成することによりRTL記述30を得ても良い。
次に、合成ツールを用いてRTL記述30についてシミュレーション合成を行う(ステップS12)。すなわち、RTL記述30についての論理合成及び論理シミュレーションを行う。その結果、RTL記述30はゲートレベルの論理回路(ネットリスト)31に変換される。
その後、ゲートレベル論理回路31について第1のレイアウト設計を行い(ステップS13)、レイアウトデータ32が得られる。また、ゲートレベル論理回路31につきテスト生成を行い(ステップS14)、テストベクタ33を得る。次に、第2のレイアウト設計を行い(ステップS15)、マスクレイアウトデータ34を得る。ステップS15の詳細については後述する。以上によりLSIの設計は終了する。
その後、マスクレイアウトデータ34を用いてマスクが製造され(ステップS16)、このマスクを用いてLSI1が製造される(ステップS17)。そして、製造されたLSI1につき、テストベクタ33を用いてテストが行われる(ステップS18)。
上記ステップS15において行われる処理の詳細について図10を用いて説明する。図10は、ステップS15のフローチャートである。まず、ステップS13で得られたレイアウトデータ32において、金属配線層の疎密を判定する(ステップS20)。通常、合成ツールを用いて設計を行った場合、金属配線層が密に配置されている領域では、その配線間隔はその世代における設計ルールにより可能な最小配線間隔Dminで配置される。従って、3本以上の金属配線層が少なくとも最小配線間隔Dminにより平行に配置されている領域を、密な領域と判定する。図11はLSI1の平面図であり、金属配線層40の疎密の様子を示している。密な領域での配線間隔は、最小配線間隔Dminに限らず、最小配線間隔Dminから例えば最小配線間隔の140%未満と定義しても良い。
次に、ステップS20において密な領域があると判定された場合(ステップS21、YES)、コンタクトプラグの位置関係を判定する(ステップS22)。ステップS22においてコンタクトプラグが平行に配置されていると判定された場合(ステップS23、YES)には、第1の実施形態で説明したように配線間隔を拡げる、または第2の実施形態で説明したようにコンタクトプラグを平行な位置からずらす(ステップS24)。このステップS24における処理により、図1または図4で説明したレイアウトが得られる。
以上のような設計方法により、上記第1乃至第4の実施形態で説明した半導体集積回路装置が得られる。
以上のような設計方法により、上記第1乃至第4の実施形態で説明した半導体集積回路装置が得られる。
上記のように、この発明の実施形態に係る半導体集積回路装置及びその設計方法であると、金属配線層が密に配置され、且つコンタクトプラグが互いに平行に配置された領域において、半導体集積回路装置を製造する際に使用する設計ルールで可能な最小配線間隔で隣接される金属配線層は2本までに制限される。すなわち、ある金属配線層に対して平行に隣接する2本の金属配線層が存在し、それらに設けられたコンタクトプラグが互いに平行に配置された場合、いずれか1本の金属配線層との配線間隔のみが最小配線間隔とされる。そしていずれか他方の金属配線層との配線間隔は、最小配線間隔より大きく、且つひとつ前の世代における設計ルールで可能な最小配線間隔よりも小さくされる。すると、金属配線層を最小配線間隔で配置した場合、2本までであるとコンタクトプラグのショートを防止できるので、上記いずれか一方の金属配線層に設けられたコンタクトプラグとのショートを防止出来る。また上記いずれか他方の金属配線層に設けられたコンタクトプラグとのショートは、配線間隔を拡げたことによって防止出来る。その結果、半導体集積回路装置の製造歩留まりを向上出来る。
また、この発明の実施形態に係る半導体集積回路装置及びその設計方法であると、金属配線層が密に配置された領域において、半導体集積回路装置を製造する際に使用する設計ルールで可能な最小配線間隔で平行に隣接されるコンタクトプラグは2つまでに制限される。すなわち、あるコンタクトプラグに対して平行に隣接する2つのコンタクトプラグが存在し、それらが設けられる金属配線層が最小配線間隔で配置された場合、平行に配置されるコンタクトプラグはいずれか一方のみある。そしていずれか他方のコンタクトプラグは非平行に配置される。すると、コンタクトプラグを最小配線間隔で配置した場合、2つまでであるとコンタクトプラグのショートを防止できるので、上記いずれか一方のコンタクトプラグとのショートを防止出来る。また上記いずれか他方のコンタクトプラグとのショートは、非平行に配置することで隣接間隔が拡げられることによって防止出来る。その結果、半導体集積回路装置の製造歩留まりを向上出来る。
なお、上記第1乃至第4の実施形態では、65nm世代の設計ルールを用いた第2層目の金属配線層の場合を例に挙げて説明したが、この場合に限られないのは言うまでもない。すなわち、第1層目の金属配線層や、第3層目以上の金属配線層であっても良い。また配線及び配線間隔の数値は一例に過ぎない。そしてこれらの数値は、何層目の金属配線層であるか、及び世代によって変化する。第1層目及び第2層目の金属配線層の、各世代において可能な最小の配線間隔の一例は次の通りである。第2層目の金属配線層の場合は、45nm世代では70nm、65nm世代では100nm、90nm世代では140nm、0.13μm世代では200nm、0.18μm世代では220nm、0.25μm世代では400nmである。第1層目の金属配線層の場合は、45nm世代では64〜66nm、65nm世代では90nm、90nm世代では120nm、0.13μm世代では160〜180nm、0.18μm世代では220nm、0.25μm世代では320nmである。従って、図1において45nm世代プロセスを用いる場合には、間隔D1は70nmであり、間隔D2は70nmより大きく100nm未満とされる。
また、第1の実施形態の場合において、配線間隔D2に対する製造歩留まりの変化につき図12を用いて説明する。図12は、縦軸に製造歩留まりを示し、横軸に配線間隔D2及びD2のD1に対する割合を示したグラフである。なお、65nm世代の製造プロセスを用いた第2層目の金属配線層の場合について示している。図示するように、65nm世代の製造プロセスにおいて可能な最小配線間隔は100nmである。また65nmよりも一世代前の90nm世代の製造プロセスにおいて可能な最小配線間隔は140nmである。すると、配線間隔D2が130〜140nmであると、製造歩留まりはほぼ“1”、すなわち、殆ど不良は発生しない。これに対し、配線間隔D2が130nmより小さくなり始めると製造歩留まりも悪化し、D2=100nmでは製造歩留まりは限りなく“0”、すなわち殆ど良品が製造出来なくなる。
従って、本実施形態のように配線間隔D2を、D1よりも大きくし、且つ一世代前の製造プロセスにおいて可能な最小配線間隔よりも小さくすることで、チップサイズの増大を抑制しつつ、コンタクトプラグがショートすることを防止出来る。なお、配線間隔D2が少なくともD1より大きければ効果があるが、製造歩留まりの観点からは、配線間隔D2はD1の120%以上且つ140%未満(1.2D1≦D2<1.4D1)とすることが望ましい。
また、上記実施形態では金属配線層が3本のみの場合を例に説明した。しかし、3本以上の場合にも適用できるのは言うまでもなく、そのような場合の方が一般的である。図13は金属配線層の平面図であり、最小配線間隔で配置された多数の金属配線層について、上記第1、第2の実施形態を適用した様子を示している。図示するように、第1の実施形態を適用する場合には、それぞれの金属配線層について、最小値で隣接する金属配線層が1本だけになるように配置する。また第2の実施形態を適用する場合には、それぞれのコンタクトプラグについて、平行して隣接するコンタクトプラグが1つだけになるように配置する。
また、半導体集積回路装置内には、金属配線層の密度の高い領域と低い領域とが混在することが通常であり、上記実施形態は密度の高い領域に対して適用される。例えばシステムLSI等において、DRAMやSRAM等の半導体メモリが配置される領域などが該当する。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
1…LSI、2〜4、12〜14、40…金属配線層、5〜7…コンタクトプラグ、10…半導体基板、11、15…層間絶縁膜、20、21…電源回路、30…RTL記述、31…ネットリスト、32…レイアウトデータ、33…テストベクタ、34…マスクデータ
Claims (5)
- 第1設計ルールによる最小配線間隔により平行に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線層と、
それぞれが、前記第1配線層の各々に接するようにして設けられた複数の第1コンタクトプラグと、
前記第1配線層のいずれかに平行且つ隣接して前記第1配線層と同一レベルに設けられ、前記第1方向に延びる第2配線層と、
前記第2配線層に接するようにして設けられた第2コンタクトプラグと
を具備し、前記第1コンタクトプラグと前記第2コンタクトプラグとは、前記第1配線層及び前記第2配線層が設けられた平面内における前記第1方向に垂直な第2方向において、少なくとも隣接するもの同士の互いの一部がオーバーラップしており、
隣接する前記第1配線層と前記第2配線層との間隔は、前記第1設計ルールによる最小配線間隔より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満である
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1設計ルールによる最小配線間隔により平行に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線層と、
それぞれが、前記第1配線層の各々に接するようにして設けられた複数の第1コンタクトプラグと、
前記第1配線層のいずれかに平行且つ隣接して前記第1配線層と同一レベルに設けられ、前記第1方向に延びる第2配線層と、
前記第2配線層に接するようにして設けられた第2コンタクトプラグと
具備し、前記第2配線層と、該第2配線層に隣接する前記第1配線層とは、前記第1設計ルールによる最小配線間隔により配置され、
前記第1コンタクトプラグ同士は、前記第1配線層及び前記第2配線層が設けられた平面内における前記第1方向に垂直な第2方向において、少なくとも隣接するもの同士の互いの一部がオーバーラップしており、
前記第1コンタクトプラグと前記第2コンタクトプラグとは、前記第2方向においてずれた位置にあり、
前記第1コンタクトプラグと前記第2コンタクトプラグとの距離は、前記第1設計ルールによる最小配線間隔より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満である
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 複数の前記第1配線層には互いに等しい電圧が印加され、
前記第2配線層には第1配線層と異なる電圧が印加される
ことを特徴とする請求項1または2記載の半導体集積回路装置。 - 隣接する前記第1配線層には互いに異なる電圧が印加され、
前記第2配線層と、該第2配線層に隣接する前記第1配線層とには、互いに等しい電圧が印加される
ことを特徴とする請求項1または2記載の半導体集積回路装置。 - 回路記述言語により記述された、半導体集積回路装置に関する第1設計データを論理合成して、論理回路レベルの第2設計データを得るステップと、
前記第2設計データについてレイアウト設計を行い、前記第2設計データについての第1配線レイアウトデータを得るステップと、
前記第1配線レイアウトデータについて、第1設計ルールにおいて可能な最小配線間隔により2本の配線層と隣接する配線層が有るか否かを判定するステップと、
前記判定するステップにおいて有ると判定された場合、該配線層に設けられたコンタクトプラグと、前記隣接する2本の配線層に設けられたコンタクトプラグとが平行であるか否かを判定するステップと、
前記平行であると判定された場合、該配線層と、前記隣接する2本の配線層のうちのいずれかとの間隔を、前記第1設計ルールにおける最小配線間隔より大きく、且つ前記第1設計ルールより一世代前の第2設計ルールによる最小配線間隔未満に拡大して、第2配線レイアウトデータを得るステップと
を具備し、前記第2配線レイアウトデータを用いて前記半導体集積回路装置の製造マスクが形成される
ことを特徴とする半導体集積回路装置の設計方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006136615A JP2007311410A (ja) | 2006-05-16 | 2006-05-16 | 半導体集積回路装置及びその設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006136615A JP2007311410A (ja) | 2006-05-16 | 2006-05-16 | 半導体集積回路装置及びその設計方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007311410A true JP2007311410A (ja) | 2007-11-29 |
Family
ID=38844029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006136615A Pending JP2007311410A (ja) | 2006-05-16 | 2006-05-16 | 半導体集積回路装置及びその設計方法 |
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JP (1) | JP2007311410A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014149458A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Renesas Electronics Corp | フォトマスクの設計方法および半導体装置の製造方法 |
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2006
- 2006-05-16 JP JP2006136615A patent/JP2007311410A/ja active Pending
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