JP2005315797A - 輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネル - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光体パネル上における撮像領域の精度が極めて高い、高品位な輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルを提供する。
【解決手段】基板と、輝尽性蛍光体層と、枠とを少なくとも有する輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルにおいて、枠上に、剥離可能で、且つ、この枠の熱膨張に追従する柔軟性を有するマスク材を貼り付け、このマスク材により、蛍光体層の蒸着位置を決定する輝尽性蛍光体パネルの製造方法、または、基板上に枠を設ける、設けないに係らず、蛍光体層の蒸着位置を決定するマスクとして、基板との熱膨張係数差が、１×１０^−６／℃以下の材料からなるマスクを用いて蛍光体層の形成を行うことを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルにより、前記課題を解決する。
【選択図】図２

Description

本発明は、輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルの技術分野に属し、詳しくは、輝尽性蛍光体層の蒸着位置精度を向上させることにより、基板上の所定領域に高精度に輝尽性蛍光体層を形成することができ、従って、輝尽性蛍光体パネル上における撮像領域の精度が極めて高い、高品位な輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルに関する。

放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。

一例として、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層、以下、蛍光体層とする）を有する輝尽性蛍光体パネル（以下、蛍光体パネルとする（放射線像変換シートとも呼ばれている））を利用する、放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、蛍光体パネル（蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、蛍光体パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。

蛍光体パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、真空蒸着やスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルも知られている（特許文献１、特許文献２参照）。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。

真空蒸着法によって蛍光体層を形成する場合には、通常、蒸着領域を規制するマスクを用いることで、蛍光体層の蒸着領域を決定し、蒸着を実施する。例えば、特許文献３では、蛍光体層（輝尽層）の蒸着において、ステンレス板のマスクを使って蛍光体層の蒸着領域を決定して、蒸着することが開示されている。
特許第２７８９１９４号公報 特開平５−２４９２９９号公報 特許第２８８４３５６号公報

ところが、前記特許文献３に開示されているような、マスクを用いて蛍光体層の蒸着を行う方法では、蛍光体層の蒸着位置精度が不十分で、基板上の所定領域に高精度に蛍光体層を形成することができない。
蛍光体層の蒸着位置精度が低いと、蛍光体パネルにおける適正な撮像領域が所定範囲とならず、例えば、蛍光体パネルの端部に重要な部位が撮影された場合には、この部位の適正な画像を得ることができない。このような画像の低下は、医療用途では、誤診の原因ともなる重要な問題である。
また、蛍光体層の蒸着位置精度が低いと、蛍光体パネルの適正な撮像領域に対して、保障可能な画像サイズが小さくなる為、所定の画像サイズを保障するためには、蛍光体パネルの基板サイズ、ひいては装置全体のサイズを大きくせざるを得なくなるという問題もある。

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、蛍光体層の蒸着位置精度を向上させることにより、基板上の所定領域に高精度に蛍光体層を形成することができ、従って、蛍光体パネル上における撮像領域の精度が極めて高い、高品位な輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、この基板上に蒸着法により形成された輝尽性蛍光体層と、この輝尽性蛍光体層を前記基板面方向で囲む、前記基板に固定された枠とを、少なくとも有する輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、前記基板に前記枠を固定した後、この枠上に、剥離可能で、且つ、この枠の熱膨張に追従する柔軟性を有するマスク材を貼り付け、このマスク材により、前記基板上の前記輝尽性蛍光体層の蒸着位置を決定して、蒸着法によって前記輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法を提供するものである。

本発明は、さらに、前記輝尽性蛍光体層を覆って、前記枠に固定される防湿保護層を設けることが好ましい。

さらに、本発明は、前記基板上に、溝を形成し、この溝に、前記枠を挿入して前記基板に前記枠を固定することが好ましい。

さらに、本発明は、前記枠と前記基板とを、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着することが好ましい。

さらに、本発明は、前記枠と前記基板とを、溶解金属で接着することが好ましい。

さらに、前記基板と前記枠との熱膨張係数の差が１×１０^−６／℃以下であることが好ましい。

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、この基板上に蒸着法により形成された輝尽性蛍光体層とを、少なくとも有する輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、前記輝尽性蛍光体層の蒸着位置を決定するマスクとして、前記基板との熱膨張係数の差が、１×１０^−６／℃以下の材料からなるマスクを用いて前記輝尽性蛍光体層の形成を行うことを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法を提供するものである。

本発明は、さらに、前記輝尽性蛍光体層を覆う防湿保護層を設けることが好ましい。

上記目的を達成するために、本発明は、さらに、前記輝尽性蛍光体層の形成に先立ち、前記輝尽性蛍光体層を基板面方向で囲む枠を前記基板に固定する工程を有することが好ましい。

さらに、本発明は、前記基板上に、前記枠をはめ込む溝を形成し、この溝に前記枠を挿入して、前記基板に前記枠を固定することが好ましい。

さらに、本発明は、前記枠と前記基板とを、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着することが好ましい。

さらに、本発明は、前記枠と前記基板とを、溶解金属で接着することが好ましい。

さらに、本発明は、前記基板と前記枠との熱膨張係数の差が１×１０^−６／℃以下であることが好ましい。

上記目的を達成するために、本発明は、溝が形成されている基板と、この溝に挿入されて固定される、前記溝よりも内側を完全に囲んで基板表面より突出する枠と、前記枠の内側に形成される輝尽性蛍光体層と、この枠の上面に接着され、前記輝尽性蛍光体層を封止する防湿保護層とを有する輝尽性蛍光体パネルを提供するものである。

さらに、本発明は、前記枠と前記基板とが、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着されていることが好ましい。

さらに、本発明は、前記枠と前記基板とが、溶解金属で接着されていることが好ましい。

さらに、本発明は、前記基板と前記枠との熱膨張係数の差が１×１０^−６／℃以下であることが好ましい。

本発明によれば、蛍光体パネル上における撮像領域の精度が極めて高い、高品位な輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルを、提供することができる。

以下、本発明の輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルついて、添付の図面を用いて、詳細に説明する。

図１は、本発明の製造方法で製造する蛍光体パネルの概略構成断面図を示したものである。
図１に示すように、本発明の製造方法で製造する蛍光体パネル１０は、基板１２と、この基板１２上に蒸着法により形成された輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層とする）１４と、この蛍光体層１４を基板１２面方向で囲む、基板１２に固定された枠２０とを少なくとも有し、好ましくは、蛍光体層１４を覆って封止する、蛍光体層１４の吸湿を防止するための防湿保護層１８を有する。
なお、本発明に係る蛍光体パネル１０は、上記構成が満たされていれば、蛍光体層１４の成膜以前に形成される膜を有することには、特に限定はない。例えば、基板１２の表面に輝尽発光光を反射するための反射膜、あるいはさらに、反射膜上に反射膜を保護するためのバリア膜等を有してもよいし、さらに、これらの膜を形成された基板１２の表面に、蛍光体層１４を形成しても良い。また、蛍光体層１４を封止するために、接着層１６を有しても良い。

本発明の製造方法で製造する蛍光体パネル１０において、基板１２には特に限定はなく、蛍光体パネル１０で使用されている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム； 石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックス^TM等）などから形成されるガラス板； アルミニウムシート、鉄シート、銅シート、クロムシートなどの金属シートあるいは金属酸化物の被服層を有する金属シート； 等が例示される。

本発明の製造方法で製造する蛍光体パネル１０では、蛍光体層１４の形成に先立ち、基板１２表面に、基板１２上における蛍光体層１４の形成領域（すなわち、蛍光体パネルの撮像領域）に応じて、所定の厚み、外形、幅の枠２０を設ける。
枠２０を有し、ここに蛍光体層１４の封止を行う防湿保護層１８を接着する構成とすることにより、防湿保護層１８で蛍光体層１４を封止する際に、蛍光体層１４の表面と防湿保護層１８との接着面を略同一平面上にできるため、蛍光体層１４の封止を容易に行う事ができ、且つ、封止時等における蛍光体層１４の保護も図ることができる。
枠２０の形状には、特に限定はなく、蛍光体パネル１０の撮像領域に応じて、適宜、限定すればよいが、図示例においては、一例として、上下面が開放する四角柱状のものである。
また、枠２０の形成材料にも、特に限定は無いが、基板１２との熱膨張差が１×１０^−６／℃以下の材料、例えば、基板１２と同一素材のものが好ましい。これにより、蛍光体パネル１０の温度が変化した場合の熱膨張率差による変形を低減でき、画像ムラを防ぐことができる。

枠２０を基板１２に固定する固定方法にも、特に限定はなく、接着剤を用いる方法等、公知の方法が、各種利用可能であるが、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱接着剤、もしくは、溶解金属を用いて固定するのが好ましい。これにより、蛍光体層１４の蒸着時、または、蒸着後の熱処理時に、枠２０が基板１２から剥離するのを防ぐことができる。さらに、溶解金属による固定に関しては、上記の利点に加え、基板１２と枠２０との接着部からの透湿を低減することができる。
なお、耐熱接着剤は、特に限定はなく、一例として、エポキシ接着剤が好適に例示される。また、溶解金属も、同様に、特に限定はなく、一例として、アルミ半田が好適に例示される。

枠２０は、例えば、適切な冶具を用いて位置合わせをして、基板１２表面に固定しても良いが、好ましくは、図２に示すように、基板１２に溝２２を形成し、この溝２２に、枠２０を挿入して、基板１２上に枠２０を固定するのが特に好ましい。
このような溝２２は、機械加工等によって、非常に高い位置精度で加工することができる。従って、このような溝２２を形成し、ここに枠２０を挿入して、枠２０の位置決めを行うことにより、枠２０と基板１２との位置精度、及び、基板１２に対する蛍光体層１４の蒸着位置精度が向上し、蛍光体パネルの撮像面を適正に所定範囲とすることが可能となる。さらに、溝２２に枠２０を挿入する構成にすることにより、枠２０の厚みを、溝２２に差し込む部分の量だけ、基板１２面上に固定する場合より厚くすることができ、機械的強度の向上を図ると共に、製造上扱いやすくなり、また、枠２０の寸法精度も確保しやすくなる。
溝２２の基板１２表面からの深さは、枠２０が基板１２に適正に固定され、枠２０の強度が十分に得られる深さであれば、基板１２及び蛍光体層１４の厚さに応じて、適宜、決定されれば良いが、好ましくは、０．２ｍｍ〜５ｍｍである。
なお、枠２０と基板１２との位置精度や枠２０の取り付け時の加工性等を高くする為に、枠２０を溝２２に嵌入する構成にすることが、特に好ましい。

本発明の蛍光体パネル１０の製造方法においては、図３に示すように、このような枠２０を基板１２上に設けた後、剥離可能で、且つ、この枠２０の熱膨張に追従する柔軟性を有する、マスク材２４を貼り付ける。

前述のように、真空蒸着による蛍光体層の形成は、ステンレス等のマスクを用いて蒸着領域を決定する。ところが、このようなマスクを用いた蒸着では、熱膨張によってマスクと、基板や枠との位置関係が相対的にずれてしまうために、基板上における蒸着位置に誤差が生じてしまい、蛍光体パネル上における撮像領域が適正にならず。また、蛍光体パネル上における画像保障サイズが小さくなり、蛍光体パネルが大型化する等の問題がある。
また、後述するが、本発明においては、０．０１Ｐａ〜３Ｐａ程度の真空度（以下、中真空とする）で、抵抗加熱等を用いて真空蒸着を行うのが好ましい。ここで、抵抗加熱では、ルツボを発熱させて成膜材料を加熱蒸発するので、蒸発源からの輻射熱が非常に大きい。しかも、この程度の中真空では、成膜材料の蒸気を基板に確実に到達させるために、基板と蒸発源を通常に比して大幅に近接する必要がある。すなわち、中真空での蒸着による蛍光体層の成膜では、基板や枠、さらには、マスクは、通常に比して、より加熱され易い状態にあり、前記熱膨張による蛍光体層の蒸着位置精度の低下、すなわち、蛍光体パネルにおける撮像領域精度の低下の問題は、より大きくなる。

これに対し、本発明においては、基板１２上に枠２０を有し、この枠２０の内側に蛍光体層１４を形成する蛍光体パネル１０において、枠２０上に、枠２０の熱膨張に追従する柔軟性を有するマスク材２４を貼着し、このマスク材２４によって蛍光体層１４の蒸着領域を決定する。
このようなマスク材２４を用いることにより、枠２０や基板１２が熱膨張しても、これにマスク材２４が追従するので、基板１２や枠２０に対する蛍光体層１４の蒸着位置精度を確保することができ、基板１２上における所定領域に、高精度に蛍光体層１４を形成することができる。その結果、蛍光体パネル１０上における撮像領域の精度が極めて高い、高品位な蛍光体パネルを安定して製造することができ、また、蛍光体パネルにおける画像保障サイズの低下や蛍光体パネルの大型化を防止することができる。

マスク材２４は、上記の条件を満たしていれば、特に限定はない。一例として、耐熱性粘着剤つきカプトンテープ(カプトンは、デュポン社の登録商標）が、好適に例示される。

マスク材２４を枠２０に固定する方法には、特に限定はなく、例えば、マスク材２４を枠２０に貼り付けた後、枠２０の内側におけるマスク材２４の余剰部分を、適切な冶具を用いて切り落とす。
前記マスク材２４を貼り付けた枠２０を有する基板１２上に、前記蛍光体層１４を形成した後、マスク材２４を剥離することにより、枠２０の内側の所定領域のみに蛍光体層１４を形成することができる。

本発明の輝尽性蛍光体パネル１０の製造方法においては、マスク材２４を貼り付けた枠２０を有する基板１２上にマスク材２４によって形成領域を規制（マスキング）して、蛍光体層１４を形成する。
なお、本発明においては、蛍光体層１４の成膜前の工程には、特に限定はなく、例えば、前述のように、基板１２の表面に輝尽発光光を反射するための反射膜、あるいはさらに、反射膜上に反射膜を保護するためのバリア膜等を形成しても良いし、これらの膜を形成した基板１２上に、蛍光体膜１４を形成してもよい。

蛍光体層１４を形成する輝尽性蛍光体としては、各種のものが利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ₂ ：Ｅｒ」、および、「Ｌａ₂ Ｏ₂ Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。

特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ₂ Ｏ₃ ：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「Ｍ^IIＯ・ｘＳｉＯ₂：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^IIは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）

特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）

特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ^1-x ，Ｍ^2+x ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ²⁺は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）

特開昭５７−１４８２８５号公報に開示される、下記のいずれかの輝尽性蛍光体。
すなわち、一般式「ｘＭ₃ （ＰＯ₄ ）₂ ・ＮＸ₂ ：ｙＡ」または「Ｍ₃（ＰＯ₄ ）₂ ・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）

一般式「ｎＲｅＸ₃ ・ｍＡＸ’₂ ：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ₃ ・ｍＡＸ’₂ ：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０^-4＜ｘ＜３×１０^-1であり、１×１０^-4＜ｙ＜１×１０^-1であり、さらに、１×１０^-3＜ｎ／ｍ＜７×１０^-1である。）

および、一般式「Ｍ^I Ｘ・ａＭ^IIＸ’2 ・ｂＭ^III Ｘ''₃：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^I は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ^IIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、Ｍ^III は、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０≦ｃ＜０．２である。）

特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ^1-X ，Ｍ^IIX ）Ｆ₂ ・ａＢａＸ₂ ：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^IIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０^-6≦ｙ≦２×１０^-1であり、０＜ｚ≦１×１０^-2である。）

特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「Ｍ^III ＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^III は、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）

特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ^1-x Ｍa Ｌa ＦＸ：ｙＥｕ²⁺」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０^-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）

特開平５９−７５２００号公報に開示される、一般式「Ｍ^IIＦＸ・ａＭ^I Ｘ’・ｂＭ’^IIＸ''₂ ・ｃＭ^IIIＸ₃ ・ｘＡ：ｙＥｕ²⁺」で示される輝尽性蛍光体。（上記式において、Ｍ^IIは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、Ｍ^Iは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’^IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、Ｍ^IIIは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０^-2であり、０≦ｃ≦１×１０^-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０^-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）

特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５７−１４８２８５号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、Ｍ^I が、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。

蛍光体層１４は、このような輝尽性蛍光体からなり、形成方法には、特に限定はなく、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)等の各種の真空成膜法で得られるものが利用可能である。
中でも、生産性等の点で真空蒸着により形成された蛍光体層１４が好ましく、特に、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により形成された蛍光体層１４が好ましい。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」の蛍光体層１４であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ_x（ｘは、通常、２〜３））を、それぞれ用いて、別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により形成されることが好ましい。
真空蒸着における加熱方法にも、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、又は、抵抗加熱で形成されたものでもよい。さらに、多元の真空蒸着による形成される場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発して形成されてもよい。

蛍光体層１４は、特に限定された成膜条件はなく、成膜方法や形成する蛍光体層１４の組成等に応じて、適宜、決定された成膜条件によって形成され、得られる蛍光体層１４であればよい。一例として、真空蒸着であれば、１×１０^-5Ｐａ〜１×１０^-2Ｐａの真空度で、０．０５μｍ／ｍｉｎ〜３００μｍ／ｍｉｎの成膜速度で成膜し、得られる蛍光体層１４が好ましい。なお、多元の真空蒸着により形成される場合には、母体成分と付活剤成分の量比が目的範囲となるように、両材料の蒸発速度が制御される。
また、本件出願人の検討によれば、前述した各種の蓄積性蛍光体、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕを真空蒸着で成膜する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．０１Ｐａ〜３Ｐａ、特に、０．５Ｐａ〜１．５Ｐａ程度の中真空度とし、この中真空下で抵抗加熱等による真空蒸着を行うことにより、蛍光体層１４を形成するのが好ましい。前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層１４は、柱状結晶構造を有するが、このような中真空下で成膜して得られる蛍光体層１４は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
また、基板１２の加熱等によって、成膜中に、形成された蛍光体層１４を３００℃以下、好ましくは２００℃以下で加熱してもよい。
さらに、厚さにも、限定はないが、５０μｍ以上、特に、２００μｍ以上の蛍光体層１４が好ましい。

このようにして形成された蛍光体層１４は、輝尽発光特性を良好に発現させ、かつ、輝尽発光特性を向上させるために、熱処理（アニーリング）が施される。
蛍光体層１４の熱処理条件には、特に限定はないが、一例として、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下で、５０℃〜６００℃、特に、１００℃〜３００℃で、１０分〜１０時間、特に、３０分〜３時間行うのが好ましい。
蛍光体層１４の加熱処理は、焼成炉を用いる方法等の公知の方法で実施すればよく、また、基板１２の加熱手段を有する真空蒸着装置であれば、これを利用して加熱処理を実施してもよい。

蒸着による蛍光体層１４は、吸湿性が高く、吸湿によって容易に特性が劣化してしまう。そのため、本発明の蛍光体パネル１０の製造方法においては、以上の構成に加え、蛍光体層１４の吸湿を防止するために、下記に詳述する防湿保護層１８で蛍光体層１４を覆って、蛍光体層１４を封止して、吸湿を防止することが好ましい。

防湿保護層１８は、十分な防湿性を有するものであれば、各種のものが利用可能であり、特に限定はない。一例として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ_２膜とＳｉＯ_２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ_２膜との３層を形成してなる防湿保護層１８が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。なお、前記ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ_２膜／ＳｉＯ_２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ_２膜の３層を形成した防湿保護層１８において、例えば、ＳｉＯ_２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ_２とＰＶＡとのハイブリット層は、ＰＶＡとＳｉＯ_２の比率が１：１となるようにゾルゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。

防湿保護層１８で、蛍光体層１４を封止する方法は、特に限定はない。一例として、接着層１６によって、防湿保護層１８を枠２０上面に接着する方法が例示される。なお、本発明においては、防湿保護層１８と枠２０上面のみと接着しても良いが、より耐久性に優れた蛍光体パネル１０を得るために、防湿保護層１８は枠２０上面のみならず蛍光体層１４表面とも接着するのが好ましい。
接着層１６は、防湿性に優れた接着剤で形成されたものであれば、特に限定はない。一例として、ポリエステル系接着剤が好適に例示される。さらに、蛍光体層１４表面も防湿保護層１８と接着する際には、放射線の入射及び輝尽発光光の出射を妨げない光学特性を有するものであるのが好ましい。
形成方法、および、形成条件においても、特に限定はない。一例として、塗布形成が例示される。
前記接着層１６を設けた後、防湿保護層１８を蛍光体層１４に被せ、防湿保護層１８と枠２０あるいはさらに蛍光体層１４とを封止接着する。この封止接着方法には特に限定はないが、例えば、熱ラミネーションが例示される。
また、接着層１６で防湿保護層１８と枠２０上面とを接着するときの接着強度を向上し、良好な接着強度が得られるように、防湿保護層１８による蛍光体層１４の封止に先立ち、封止部（防湿保護層１８と枠２０との接着箇所）および蛍光体層１４の加熱を、例えば基板１２の加熱等によって行っても良い。

ここで、前述のように、本発明の製造方法では、枠２０を、基板１２に形成された溝２２に挿入して、基板１２上に固定するのが好ましく、これにより、図４に示すような、本発明の蛍光体パネルを得ることができる。
本発明の蛍光体パネル３０は、基板１２に溝２２を有する以外は、図１に示す蛍光体パネル１０と同様であるので、同一部材には、同一の番号を付し、詳細な説明は省略する。また、製造方法も、基本的に本発明の製造方法で製造される蛍光体パネル１０と同様でよいか、蛍光体層１４の形成時におけるマスキング方法は、前記方法に限定されず、後述する基板１２との熱膨張係数の差が、１×１０^−６／℃以下の材料からなるマスクを用いるものであってもよく、あるいは、通常のマスキング方法を用いて、蛍光体層１４を形成してもよい。

前述のように、本発明の蛍光体パネルの製造方法においては、蛍光体層１４の封止後の工程にも、特に、限定はない。

次に、図５に、本発明の製造方法の別の態様の一例を示す。なお、この製造方法で製造される蛍光体パネル１０は、図１に示す蛍光体パネル１０と同様の構造を有するので、同一部材には、同一の番号を付し、製造方法も基本的に同様であるため、異なる工程の説明を主に行う。

先の蛍光体パネル１０の製造方法は、位置精度の高い蛍光体層１４を形成するために、枠２０に貼着するマスク材２４を用いたが、本態様では、蒸着領域以外を覆うマスク２６を用いる。
ここで、本態様においては、マスク２６は、基板１２との熱膨張係数差が、１×１０^−６／℃以下の材料からなるものを用いる。このようなマスク２６を用いることにより、蒸着時の加熱によってマスク２６が膨張しても、基板１２の膨張率とマスク２６の膨張率とが近いため、基板１２の熱膨張にマスク２６が追従する。その結果、基板１２に対する蛍光体層１４の蒸着位置精度を確保することができ、基板１２上における所定領域に、高精度に蛍光体層１４を形成することができる。
マスク２６は、上述の条件を満たす材料からなるものであれば、特に限定はない。一例として、基板１２と同一素材のマスク２６が好適に例示される。

図５に示す例においても、先の例と同様、まず、基板１２上に枠２０を固定する。枠２０及び枠２０の固定方法に関しては、先の例と同様でよい。
なお、ここでも、先の例と同様に、枠２０を基板１２上に固定する方法として、枠２０を、基板１２に形成された溝２２に挿入して、基板１２上に固定する方法を用いた本発明の製造方法で製造することにより、図４に示すような、本発明の蛍光体パネルを得ることができる。
次いで、基板１２上おける蛍光体層１４の形成領域に応じて、冶具等を用いてマスク２６を固定した後、先の例と同様にして蛍光体層１４を形成する。蛍光体層１４の形成後、マスク２６を除去することにより枠２０の内側の所定領域のみに蛍光体層１４を形成することができる。
さらに、先の例と同様に、防湿保護層１８で蛍光体層１４を封止する。

なお、図示例では、好ましい形態として枠２０を有しているが、本態様においては、枠２０は、必須ではない。枠２０を有さない場合には、蛍光体層１４を封止する防湿保護層１８を基板１２上、あるいはさらに、蛍光体層１４表面とに接着すればよい。

以上、本発明の輝尽性蛍光体パネルの製造方法及び輝尽性蛍光体パネルについて説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。

以下、本発明の具体的実施例を挙げ、さらに、添付の図を用いて、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。

［実施例１］
厚さ１０ｍｍ、面積４５０ｍｍ×４５０ｍｍサイズのアルミ合金（滑川軽銅製：ＭＩＣ−６、熱膨張係数：２４×１０^−６／Ｋ）製の基板１２の表面に、厚さ０．７ｍｍ、外形４１０ｍｍ×４１０ｍｍ、幅５ｍｍで基板１２と同一素材のアルミ製の枠２０を、中央を一致して、エポキシ接着剤（セメダイン製：ＥＰ００１）を用いて接着した。
次いで、図５に示すように、基板１２と同一素材のマスク２６を、蛍光体層１４の形成領域に応じて位置合わせして固定した。なお、マスク２６の固定は、冶具を用いて行った。

付活剤の形成材料として臭化ユーロピウムを、蛍光体の形成材料として臭化セシウムをそれぞれ用いる二元の真空蒸着によって、基板１２の表面にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１４を形成した。
両膜形成材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力６ｋＷのＤＣ電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。
真空蒸着装置（真空チャンバ）の基板ホルダにアルミ製の基板（以下、基板とする。）１２をセットし、また、各所定位置に各膜形成材料をセットした後、真空チャンバを閉鎖し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。
真空度が８×１０^−４Ｐａとなった時点で、真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して真空度を０．５Ｐａとし、次いで、ＤＣ電源を駆動して成膜材料を充填したルツボに通電し、基板１２の表面に抵抗加熱による蛍光体層１４の成膜を行った。
なお、蛍光体層１４におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００３：１、かつ、成膜速度が８μｍ／ｍｍとなるように、両ルツボのＤＣ電源の出力を調整した。
また、膜形成中は、ハロゲンランプを用いて基板１２表面を直接加熱した。
蛍光体層１４の膜厚が約７１０μｍとなった時点で、膜形成を終了し、真空チャンバから基板１２を取り出した。なお、膜厚は、予め行った実験により制御した。
次いで、膜形成を終了した基板１２に、窒素雰囲気下で、温度１４０℃で４時間の熱処理を行った。

他方、６μｍ厚みのＰＥＴフィルム上に、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ_２膜をｌ００ｎｍ形成し、その上に、ＰＶＡとＳｉＯ_２との比率が１：１となるように、ゾル・ゲル法を用いてＰＶＡとＳｉＯ_２とのハイブリット層を６００ｎｍ形成し、ハイブリット層上に、スパッタリング法を用いてＳｉＯ_２膜を１００ｎｍ形成し、防湿保護層１８とした。次に、前記防湿保護層１８（ＳｉＯ_２層表面）の全面に、ポリエステル系樹脂（東洋防：バイロン３００）を塗布し、厚み１．２μｍの接着層１６を形成した。

最後に、蛍光体層１４を形成した基板１２を１００℃に予熱し、４２０ｍｍ×４２０ｍｍサイズに裁断した防湿保護層１８を、接着層１６側が蛍光体層１４と対向するように、蛍光体層１４に被せ、熱ラミネーションにより、防湿保護層１８と、枠２０の上面及び蛍光体層１４の表面を封止接着して、図１に示す蛍光体パネル１０を得た。

［比較例１］
マスク２６として、ステンレス（ＳＵＳ４３０、熱膨張係数：１１×１０^−６／Ｋ）製のものを使用した以外は、実施例１と全く同様にして蛍光体パネル１０を得た。

［実施例２］
実施例１と同様にして、基板１２上に、枠２０を接着固定した。
次いで、枠２０の上面に、マスク材２４として耐熱粘着剤付きのカプトンテープ（３Ｍ製：スコッチカプトンテープ５４１３）を貼り付け、枠２０の内側の余剰部分を切り落とし、図３に示すようにマスキングをした。
次いで、マスク２６を用いず、マスク材２４でマスキングをした以外は、実施例１と同様にして、基板１２上に蛍光体層１４を形成した。
蛍光体層１４を形成した後、カプトンテープを剥離した。これ以降は、実施例１と全く同様にして、熱処理、および、防湿保護層１８による蛍光体層１４の封止を行い、蛍光体パネル１０を得た。

［実施例３］
実施例１と同様の基板１２に、外形４１０．１ｍｍ×４１０．１ｍｍ、幅５．２ｍｍ、深さ１．３ｍｍの図２に示すような溝２２を形成した。
次いで、基板１２と同一素材の、厚さ２ｍｍ、外形４１０ｍｍ×４１０ｍｍ、幅５ｍｍの枠２０を、前記溝２２に挿入し、実施例１と同様の接着剤を用いてアルミ枠２０を固定した。
これ以降は、実施例２と全く同様にして、マスク材２４によるマスキング、蛍光体層１４の形成、マスク材２４の剥離、熱処理、および、防湿保護層１８による蛍光体層１４の封止を行い、本発明の蛍光体パネルを得た。なお、この蛍光体パネルは、本発明の蛍光体パネル３０である。

［実施例４］
枠２０の基板１２への接着を耐熱エポキシ接着剤（オーデック製：アレムコボンド５２６Ｎ：耐熱温度３００℃）で行い、また、熱処理を２００℃で２時間とした以外は、実施例３と全く同様にして、本発明の蛍光体パネルを得た。なお、この蛍光体パネルは、本発明の蛍光体パネル３０である。

［実施例５］
枠２０の基板１２上への接着をアルミ半田（日本アルミット製：アルミットＡＭ−０２２）で行い、熱処理を２００℃で２時間とした以外は、実施例３と全く同様にして、本発明の蛍光体パネルを得た。なお、この蛍光体パネルは、本発明の蛍光体パネル３０である。

得られた各種の蛍光体パネルについて、下記のようにして、枠と基板との位置精度、枠寸法精度、蛍光体層の蒸着位置精度、封止部透湿度を調べた。これらの結果と枠２０の厚み、枠の接着手段、マスク方式、及び蛍光体層の熱処理時間をまとめたものを表１に示す。

［枠／基板の位置精度］
基板１２の直交する２辺を基準（基準辺Ａ、基準辺Ｂ）として、基準辺から枠２０内側までの距離を被接触３次元測定器（ミツトヨ製）を用いて測定した。図６に示すように、基準辺Ａから、基準辺Ａに近い枠２０の内側までの距離をａ−１とし、基準辺Ａから基準辺Ａから遠い枠２０の内側までの距離をａ−２とした。同様に、基準辺Ｂについても、近い側までの距離をｂ−１、遠い側までの距離をｂ−２とした。
各実施例、及び、比較例当たり、サンプルを５枚を作成し、上記測定を実施し、測定した全８０データの設計中心値からの最大ズレ量を、位置精度とした。
結果を表１に示す。

［枠寸法精度］
枠２０の直交する２辺を基準（基準辺Ｃ、基準辺Ｄ）として、基準辺から枠２０内側までの距離を被接触３次元測定器（ミツトヨ製）を用いて測定した。図７に示すように、基準辺Ｃから基準辺Ｃに近い枠２０の内側までの距離をｃ−１とし、基準辺Ｃから基準辺Ｃに遠い枠２０の内側までの距離をｃ−２とした。同様に、基準辺Ｄについても、近い側までの距離をｄ−１、遠い側までの距離をｄ−２とした。
各実施例、及び、比較例当たり、サンプルを５枚作成し、上記測定を実施し、測定した全８０データの設計中心地からの最大のズレ量を、枠寸法精度とした。
結果を表１に併記する。

［蒸着位置精度］
基板１２の２辺を基準（基準辺Ｅ、基準辺Ｆ）として、基準辺から蒸着領域外辺までの距離を被接触３次元測定器（ミツトヨ製）を用いて測定した。図８に示すように、基準辺Ｅから基準辺Ｅに近い蒸着領域外辺までの距離をｅ−１とし、基準辺Ｅから基準辺Ｅから遠い蒸着領域外辺までの距離をｅ−２とした。同様に、基準辺Ｆについても、近い側までの距離をｆ−１、遠い側までの距離をｆ−２とした。
各実施例、及び、比較例当たり、サンプル５枚を作成し、上記測定を実施し、測定した全データ８０データの設計中心値からの最大ズレ量を、蒸着位置精度とした。
結果を表１に併記する。

［封止部透湿度］
初めに、防湿フィルムの透湿度を４０℃、湿度９０％の条件下で、イリノイインスツルメンツ製：水蒸気透過率測定装置Ｍｏｄｅｌ７０００により測定した。このときの透湿度＝α（ｇ／ｍ^２・ｄａｙ）とした。
各々の実施例と同一形状のアルミ基板を厚さのみ３ｍｍとして作成した。透湿量を重量変化で測定するため、厚み１０ｍｍの基板では基板重量が重く、吸湿による重量増加が測定可能となるまでに時間がかかるため、薄い基板とした。薄い基板では蛍光体層表面の平面精度が低くなり画像評価には適さないが、透湿量は何ら変わることは無い。
このアルミ基板上に、各々の実施例と同様に防湿層の接着までを実施し、サンプルを完成させた。このサンプルの重量をメトラー製：ＰＧ２００２−２で測定し、この時の重量値を初期重量＝β（ｇ）とした。
その後、サンプルを４０℃、湿度９０％の高温槽に投入し、１００日間経時させた。経時後の重量を測定し、この時の重量値を経時後重量＝γ（ｇ）とした。
サンプルの重量増加と、防湿フィルムの透湿度から、封止部からの透湿量を計算により求めた。封止部からの透湿量＝Ｔ（ｇ／ｄａｙ）とした。防湿保護層の面積をＳ（ｍ^２）と表わすと、封止部からの透湿量は、以下の式で表わされる。
Ｔ＝（γ−β）／１００−（α×Ｓ）
結果を表１に併記する。

表１の結果より、蛍光体層１４の蒸着の際に、基板１２（アルミの熱膨張係数：２４×１０^−６／Ｋ）との熱膨張係数差が１×１０^−６以下の材料（アルミ）からなるマスク２６を用いた実施例１、及び、基板１２上に設けられた枠２０の熱膨張に追従する柔軟性を有するマスク材２２を用いた実施例２〜４は、ステンレス（熱膨張係数：１１×１０−６／Ｋ）マスクを用いた比較例１と比較して、蒸着位置精度が非常に向上している。
さらに、枠２０と基板１２との位置合わせを、溝２２はめ込みで行った実施例３〜５は、冶具を用いて実施した比較例１と比較して、枠２０と基板１２との位置精度も枠２０の寸法精度も向上している。
また、枠２０の接着に、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤を用いた実施例４では、蛍光体層１４の熱処理時間を短くできる。さらに、溶解金属を用いた実施例５では、蛍光体層１４の熱処理時間を短くできることに加え、蛍光体パネル完成品の枠部透湿が０．０００２以下となり、極めて防湿性に優れたものを得られることが明らかになった。

本発明の製造方法で製造する蛍光体パネルの概略構成断面図である。 本発明の製造方法の一例を説明するための概略断面図である。 本発明の製造方法の一例を説明するための概略断面図である。 本発明の蛍光体パネルの概略断面図である。 本発明の製造方法の一例を説明するための概略断面図である。 枠と基板との位置精度を測定するための図である。 枠の寸法精度を測定するための図である。 蛍光体層の蒸着位置精度を測定するための図である。

符号の説明

１０ ３０ 蛍光体パネル
１２ 基板
１４ 輝尽性蛍光体層
１６ 接着層
１８ 防湿保護層
２０ 枠
２２ 溝
２４ マスク材
２６ マスク

Claims (17)

1. 基板と、この基板上に蒸着法により形成された輝尽性蛍光体層と、この輝尽性蛍光体層を前記基板面方向で囲む、前記基板に固定された枠とを、少なくとも有する輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、
   前記基板に前記枠を固定した後、この枠上に、剥離可能で、且つ、この枠の熱膨張に追従する柔軟性を有するマスク材を貼り付け、このマスク材により、前記基板上の前記輝尽性蛍光体層の蒸着位置を決定して、蒸着法によって前記輝尽性蛍光体層を形成することを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
2. さらに、前記輝尽性蛍光体層を覆って、前記枠に固定される防湿保護層を設けることを特徴とする請求項１に記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
3. 前記基板上に、溝を形成し、この溝に、前記枠を挿入して前記基板に前記枠を固定することを特徴とする請求項１または２に記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
4. 前記枠と前記基板とを、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
5. 前記枠と前記基板とを、溶解金属で接着することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
6. 前記基板と前記枠との熱膨張係数の差が１×１０^−６／℃以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
7. 基板と、この基板上に蒸着法により形成された輝尽性蛍光体層とを、少なくとも有する輝尽性蛍光体パネルの製造方法において、
   前記輝尽性蛍光体層の蒸着位置を決定するマスクとして、前記基板との熱膨張係数の差が、１×１０^−６／℃以下の材料からなるマスクを用いて前記輝尽性蛍光体層の形成を行うことを特徴とする輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
8. さらに、前記輝尽性蛍光体層を覆う防湿保護層を設けることを特徴とする請求項７に記載の蛍光体パネルの製造方法。
9. さらに、前記輝尽性蛍光体層の形成に先立ち、前記輝尽性蛍光体層を前記基板面方向で囲む枠を前記基板に固定する工程を有することを特徴とする請求項７または８に記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
10. 前記基板上に、前記枠をはめ込む溝を形成し、この溝に前記枠を挿入して、前記基板に前記枠を固定することを特徴とする請求項９に記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
11. 前記枠と前記基板とを、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着することを特徴とする請求項９または１０に記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
12. 前記枠と前記基板とを、溶解金属で接着することを特徴とする請求項９または１０記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
13. 前記基板と前記枠との熱膨張係数の差が１×１０^−６／℃以下であることを特徴とする請求項９から１２のいずれかに記載の輝尽性蛍光体パネルの製造方法。
14. 溝が形成されている基板と、この溝に挿入されて固定される、前記溝よりも内側を完全に囲んで基板表面より突出する枠と、前記枠の内側に形成される輝尽性蛍光体層と、この枠の上面に接着され、前記輝尽性蛍光体層を封止する防湿保護層とを有する輝尽性蛍光体パネル。
15. 前記枠と前記基板とが、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱性接着剤で接着されていることを特徴とする請求項１４に記載の輝尽性蛍光体パネル。
16. 前記枠と前記基板とが、溶解金属で接着されていることを特徴とする請求項１４に記載の輝尽性蛍光体パネル。
17. 前記基板と前記枠との熱膨張係数の差が１×１０^−６／℃以下であることを特徴とする請求項１４から１６のいずれかに記載の輝尽性蛍光体パネル。

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