JP2005311171A - 有機半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 可撓性を有する基板10と、その基板10上に固定された有機半導体素子層20から成る有機半導体デバイスにおいて、有機半導体素子層20上に可撓性を有する被覆層30を固定し、有機半導体デバイス全体を撓ませる際の中立面がほぼ有機半導体素子層20の近傍となるように被覆層30のヤング率E3及び厚さH3を設定する。
【選択図】 図1
Description
また、このような特性の低下という問題の他に、半導体素子に応力またはひずみが与えられることにより半導体素子が物理的に劣化するという問題も当然考えられ、そのような応力またはひずみが繰り返し負荷された場合、最終的には破壊されるという可能性も考慮しなければならない。
yb:基板の下面から有機半導体素子層の中央面までの距離
E1:基板のヤング率
E2:有機半導体素子層のヤング率
E3:被覆層のヤング率
H1:基板の厚さ
H2:有機半導体素子層の厚さ
H3:被覆層の厚さ
ヤング率がE1、E2、E3、・・・Enであり、それぞれの厚さがH1、H2、H3、・・・Hnである材料が積層された積層材料を考える。積層方向をy軸方向とし、積層材料の下端をy=0としたとき、曲率半径をR、中立面の位置をybとすれば、軸方向のひずみεxは、
11…基板薄厚部
20…有機半導体素子層
30…被覆層
31…被覆層薄厚部
40…中立面
60…有機EL層
61…陽極
62…正孔輸送層
63…発光層
64…電子輸送層
65…陰極
70…封止層
Claims (5)
- 可撓性を有する基板と、基板上に固定された有機半導体素子層と、該基板又は有機半導体素子層上に固定された可撓性を有する被覆層から成る有機半導体デバイスであって、被覆層のヤング率及び厚さが、有機半導体デバイス全体を撓ませる際の中立面が有機半導体素子層の近傍となるように設定されていることを特徴とする有機半導体デバイス。
- 被覆層が封止層から成ることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体デバイス。
- 被覆層が基板と同一材料から成り、基板と同一厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体デバイス。
- 前記有機半導体デバイスの一部において基板及び被覆層の厚さが共に小さくなっており、なおかつ前記関係が保持されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機半導体デバイス。
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