JP2005310454A - 電解質及び電解質膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る電解質は、イオン伝導性を持つメタロキサンポリマと、該メタロキサンポリマを補強する補強材とを備えている。この場合、前記メタロキサンポリマは、M1−O−M2結合(M1、M2は、金属元素)を有し、かつ、3次元架橋構造を有する高分子鎖と、該高分子鎖に第1の有機基を介して結合している酸基と、その一端が前記高分子鎖に結合している第2の有機基とを備えているものが好ましい。また、本発明に係る電解質膜は、本発明に係る電解質からなる1又は2以上の第1の層を備えている。
【選択図】 図1
Description
また、酸基としては、具体的には、スルホン酸基(−SO3H)、カルボン酸基(−COOH)、ホスホン酸基(−PO3H2)等が挙げられる。
(1)−M1−O−M2(C6H4SO3H)−、
(2)−M1−O−M2(C6H4COOH)−、
(3)−M1−O−M2(C6H4PO3H2)−、
(4)−M1−O−M2(CnH2nSO3H)−、
(5)−M1−O−M2(CnH2nCOOH)−、
(6)−M1−O−M2(CnH2nPO3H2)−
(但し、(M1、M2)=(Si、Si)、(Ti、Ti)、(Zr、Zr)、
(Si、Ti)、(Si、Zr)、(Ti、Zr)、
(Ti、Si)、(Zr、Si)、(Zr、Ti)等)
(1)四フッ化エチレン樹脂多孔質膜、ポリエチレン多孔膜、ポリイミド多孔膜等の多孔材料、
(2)ガラス繊維紙等の繊維材料、
(3)フィブリル繊維等の短繊維材料
が挙げられる。
(1)パーフルオロカーボンスルホン酸ポリマ(例えば、ナフィオン(登録商標)等)、エチレンテトラフルオロエチレン−g−スチレンスルホン酸系ポリマ、ポリスルホンスルホン酸、ポリベンズイミダゾールアルキルスルホン酸等の各種フッ素系又は炭化水素系固体高分子電解質、
(2)ポリテトラフルオロエチレン等の各種高分子材料、等が挙げられる。
電解質に占める第3成分の割合は、特に限定されるものではなく、第3成分の種類、電解質の用途、要求特性等に応じて、最適な割合を選択すればよい。
まず、第1の有機基を備えた第1のメタロキサンモノマと、第2の有機基を備えた第2のメタロキサンモノマとを含む溶液を調整する(溶液調整工程)。
R1−M−(OR)3 ・・・(1)
ここで、R1は、フェニル基(−C6H5)、アルキル基(−CnH2n+1、nは1以上20以下の整数)、それらの誘導体等の第1の有機基、又は、これらに含まれる水素原子がスルホン酸基(−SO3H)、カルボン酸基(−COOH)、ホスホン酸基(−PO3H2)等の酸基で置換されたもの、
Mは、Si、Ti、Zr等の4価の金属元素、
ORは、メトキシ基(−OCH3)、エトキシ基(−OC2H5)、プロポキシ基(−OC3H7)、ブトキシ基(−OC4H9)等のアルコキシ基、又は、水酸基(−OH)である。
第2のメタロキサンモノマは、具体的には、次の(2)式に示すものが好適である。
R2−M−(OR)3 ・・・(2)
ここで、R2は、アルキル基(−CnH2n+1、nは3以上20以下の整数)、部分フッ素化アルキル基(−CnH2nCmF2m+1)、それらの誘導体等の第2の有機基、
Mは、Si、Ti、Zr等の4価の金属元素、
ORは、上述したアルコキシ基又は水酸基である。
(R3)m−M−(OR)4−m ・・・(3)
ここで、R3は、アルキル基(−CnH2n+1、nは0以上6以下の整数)、部分フッ素化アルキル基(−CnH2nCm'F2m'+1、n=0以上2以下、m’=0以上4以下)、又は、それらの誘導体等の第3の有機基、
Mは、Si、Ti、Zr等の4価の金属元素、
ORは、上述したアルコキシ基又は水酸基、
mは、0以上3以下の整数である。
なお、mが2又は3である場合、第3のメタロキサンモノマに含まれる2つ又は3つのR3は、互いに同一であっても良く、あるいは、異なっていても良い。
(1)テトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4)、メチルトリエトキシシラン(CH3Si(OC2H5)3)、ジメチルジエトキシシラン((CH3)2Si(OC2H5)2)等のSi系モノマ、
(2)チタニウムイソブトキシド(Ti(iOC4H9)4)、チタニウムジイソプロポキシドビス(エチルアセトアセテート)等のTi系モノマ、
(3)ジルコニウムn−ブトキシド(Zr(OC4H9)4)等のZr系モノマ、
等が挙げられる。
また、第2のメタロキサンモノマに含まれる第2の有機基の炭素数が多くなるほど、成膜性、柔軟性に優れた電解質が得られる。さらに、第3のメタロキサンモノマを用いる場合において、第3のメタロキサンモノマに含まれる第3の有機基の数が多くなるほど、成膜性、柔軟性に優れた電解質が得られる。
また、第1のメタロキサンモノマ及び第2のメタロキサンモノマに加えて、第3のメタロキサンモノマを用いる場合において、メタロキサン結合の形成を容易化するためには、第1のメタロキサンモノマ1モルに対する第3のメタロキサンモノマのモル比は、0.01以上0.8以下が好ましく、さらに好ましくは、0.05以上0.5以下、さらに好ましくは、0.1以上0.4以下である。
(1)メタロキサンモノマを含む溶液を室温で放置、又は、相対的に低温で所定時間加熱し、溶媒を除去した後、所定の温度で所定時間加熱する方法、
(2)メタロキサンモノマを含む溶液を所定の温度で所定時間、加熱する方法、
等がある。放置や加熱時、真空乾燥を行ってもよい。本発明においては、いずれの方法を用いても良い。
また、例えば、第1の有機基がフェニル基である場合において、酸基がカルボン酸基であるときには、有機リチウムと二酸化炭素と反応させた後、酸でプロトン交換することにより、フェニル基にカルボン酸基を導入することができる。
また、例えば、第1の有機基がメルカプトアルキル基である場合において、酸基がスルホン酸基であるときには、過酸化水素と反応することにより、第1の有機基にスルホン酸基を導入することができる。
また、例えば、第1の有機基がハロゲン化アルキル基である場合において、酸基がカルボン酸基であるときには、有機金属試薬、次に二酸化炭素と反応させ、酸でプロトン交換することにより、第1の有機基にカルボン酸基を導入することができる。
また、例えば、第1の有機基がアルキルホスホン酸ジエステル基である場合において、酸基がホスホン酸基であるときには、アルカリ加水分解、酸加水分解することにより、第1の有機基にホスホン酸基を導入することができる。
例えば、補強材として、多孔材料あるいは自立した繊維材料を用いる場合、補強材にメタロキサンモノマを含む溶液を含浸させる。次いで、補強材の内部でメタロキサンモノマを重縮合させると、複合体が得られる。
また、例えば、補強材として、自立していない繊維材料を用いる場合、メタロキサンモノマを含む溶液に所定量の補強材を添加し、均一に分散させる。次いで、この溶液を適当な型内に入れ、あるいは、適当な基板表面に塗布し、メタロキサンモノマを重縮合させると、複合体が得られる。
(1)強度及び耐熱性に優れたメタロキサンポリマ(例えば、相対的に架橋密度の高いもの、第2の有機基の炭素数が相対的に少ないもの、第2の有機基の量が相対的に少ないもの等)を含む第1の層と、
(2)柔軟性、成膜性に優れたメタロキサンポリマ(例えば、相対的に架橋密度の低いもの、第2の有機基の炭素数が相対的に多いもの、第2の有機基の量が相対的に多いもの等)を含む第1の層と
が積層された2層構造を備えたものでも良い。
さらに、電解質膜は、メタロキサンポリマの組成(すなわち、メタロキサンポリマに含まれる酸基の種類及び量、第2の有機基の種類及び量、第3の有機基の種類及び量、メタロキサン結合の種類等)、補強材の割合等が膜厚方向に沿って段階的に増加し又は減少するように、複数の第1の層が積層された傾斜構造を備えたものでも良い。
また、電解質膜は、強度及び耐熱性に優れたメタロキサンポリマを含む第1の層の片面又は両面に、柔軟性、成膜性に優れたメタロキサンポリマからなる第2の層が積層された2層又は3層構造を備えたものであっても良い。
さらに、電解質膜は、メタロキサンポリマの組成(すなわち、メタロキサンポリマに含まれる酸基の種類及び量、第2の有機基の種類及び量、第3の有機基の種類及び量、メタロキサン結合の種類等)が膜厚方向に沿って段階的に増加し又は減少するように、1又は2以上の第1の層と、1又は2以上の第2の層とが所定の順序で積層された傾斜構造を備えたものであっても良い。
フェニルトリエトキシシラン(C6H5Si(OC2H5)3)4.8g、ヘキシルトリメトキシシラン(C6H13Si(OCH3)3)0.8g、及び、テトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4)0.8gを3.2mlのエタノールに溶解させ、これに濃度37%の塩酸0.6mlを加え、溶液(A)を得た。この溶液(A)に四フッ化エチレン樹脂多孔膜(日東電工(株)製、膜厚15μm)を浸漬し、50℃で真空乾燥する操作を、膜の厚さが約40μmとなるまで繰り返した。得られた膜を130℃で加熱し、メタロキサンポリマを生成させた。さらに、この膜を発煙硫酸に室温で一晩浸漬し、フェニル基をスルホン化した。
フェニルトリエトキシシラン(C6H5Si(OC2H5)3)4.8g、ヘキシルトリメトキシシラン(C6H13Si(OCH3)3)0.8g、及び、ジメチルジエトキシシラン((CH3)2Si(OC2H5)2)0.6gを3.2mlのエタノールに溶解させ、これに濃度37%の塩酸0.6mlを加えて、溶液(B)を得た。この溶液(B)に四フッ化エチレン樹脂多孔膜(日東電工(株)製、膜厚15μm)を浸漬し、50℃で真空乾燥する操作を、膜の厚さが約40μmとなるまで繰り返した。得られた膜を130℃で加熱し、メタロキサンポリマを生成させた。さらに、この膜を発煙硫酸に室温で一晩浸漬し、フェニル基をスルホン化した。
フェニルトリエトキシシラン(C6H5Si(OC2H5)3)4.8g、ヘキシルトリメトキシシラン(C6H13Si(OCH3)3)0.8g、及び、テトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4)0.8gを3.2mlのエタノールに溶解させ、これに濃度37%の塩酸0.6mlを加え、溶液(A)を得た。この溶液(A)に四フッ化エチレン樹脂多孔膜(日東電工(株)製、膜厚15μm)を浸漬し、50℃で真空乾燥する操作を、膜の厚さが約20μmとなるまで繰り返し、膜(A)を得た。
フェニルトリエトキシシラン(C6H5Si(OC2H5)3)4.8g、ヘキシルトリメトキシシラン(C6H13Si(OCH3)3)0.8g、及び、テトラエトキシシラン(Si(OC2H5)4)0.8gを3.2mlのエタノールに溶解させ、これに濃度37%の塩酸0.6mlを加え、溶液(A)を得た。この溶液(A)に四フッ化エチレン樹脂多孔膜(日東電工(株)製、膜厚15μm)を浸漬し、50℃で真空乾燥する操作を、膜の厚さが約20μmとなるまで繰り返し、膜(A)を得た。
市販のナフィオン(登録商標)膜N112(デュポン社製)を1.0MのH2SO4で1時間煮沸した後、純水で1時間煮沸し、80℃で4時間真空乾燥した。
Claims (6)
- イオン伝導性を持つメタロキサンポリマと、
該メタロキサンポリマを補強する補強材とを備えた電解質。 - 前記メタロキサンポリマは、
M1−O−M2結合(M1、M2は、金属元素)を有し、かつ、3次元架橋構造を有する高分子鎖と、
該高分子鎖に第1の有機基を介して結合している酸基と、
その一端が前記高分子鎖に結合している第2の有機基とを備えている請求項1に記載の電解質。 - 前記M1−O−M2結合は、Si−O−Si結合である請求項1又は2に記載の電解質。
- 請求項1から3までのいずれかに記載の電解質からなる1又は2以上の第1の層を備えた電解質膜。
- 1又は2以上の前記第1の層と、
請求項1から3までのいずれかに記載のメタロキサンポリマを含む1又は2以上の第2の層との積層体からなる請求項4に記載の電解質膜。 - 2以上の前記第1の層、又は、前記第1の層及び前記第2の層を含む積層体からなり、各層に含まれる前記メタロキサンポリマの組成が異なっている請求項4又は5に記載の電解質膜。
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