JP2005306617A5 - - Google Patents
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Description
本実施例は、ホウ素などがドープされたＰ型シリコン基材のように、基材のゼータ電位が０ｍＶ以上になるｐＨ値が、ダイヤモンド微粒子の分散液の等電点より高い場合に効果的な工法である。
図２より、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位は、ｐＨ値が６以上で約―６０ｍＶ程度である。分散液にフッ酸を加えてｐＨ値を下げるとゼータ電位は上昇した。ｐＨ値が２付近でゼータ電位がほぼ０ｍＶ程度となり等電点である。
図４にダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位（点線で示す）および、Ｐ型シリコン基材のゼータ電位（実線）の測定結果を示す。図４より、Ｐ型のシリコン基材のゼータ電位は、ｐＨ値が約５付近で０ｍＶとなっており、ｐＨ値がそれ以下の状態では、ゼータ電位が正電位の状態であり、ｐＨ値がそれ以上ではゼータ電位が負電位となっている。また、図２でも示したように、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位は、ｐＨ値が約２で０ｍＶであり、ｐＨ値がそれ以上では、負電位となっている。
ところで、ノンドープのシリコン基材のゼータ電位はｐＨ値２程度で０ｍＶであることが知れており、Ｐ型のシリコン基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値が高くなっているのは、基材中に形成された正孔がゼータ電位の上昇に寄与したためと思われる。
まずダイヤモンド微粒子の分散液のｐＨを２に調整した場合は、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位が５ｍＶで、基材のゼータ電位は７５ｍＶとなっている。この条件では、核発生密度は、１×１０10／ｃｍ２程度と低く、欠陥密度も２５×１０4／ｃｍ２程
度
と非常に多くなる。これは、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位が低いため、ダイヤモンド微粒子の分散性が低下し、微粒子の平均サイズが大きくなっていると推定できる。また、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位と基材のゼータ電位が両方とも正電位であり、密着性も低下していると推定できる。結果的にも裏付けた形となっている。従って、ダイヤモンド微粒子の分散液のｐＨ値が等電点の場合では目標の核発生密度と欠陥密度を得ることができなかった。
度
と非常に多くなる。これは、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位が低いため、ダイヤモンド微粒子の分散性が低下し、微粒子の平均サイズが大きくなっていると推定できる。また、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位と基材のゼータ電位が両方とも正電位であり、密着性も低下していると推定できる。結果的にも裏付けた形となっている。従って、ダイヤモンド微粒子の分散液のｐＨ値が等電点の場合では目標の核発生密度と欠陥密度を得ることができなかった。
実施例３では、ＳｉＯ２基材のように、ダイヤモンド微粒子の分散液中の基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値が、ダイヤモンド微粒子の分散液のゼータ電位の等電点に非常に近いか、より低い場合に効果的な工法である。例えば、図５ に示すように、ＳｉＯ２
基材のダイヤモンド微粒子の分散液中の基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値は２付近であり、ダイヤモンド微粒子の分散液の等電点（図２参照）とほぼ等しい。
基材のダイヤモンド微粒子の分散液中の基材のゼータ電位が０ｍＶになるｐＨ値は２付近であり、ダイヤモンド微粒子の分散液の等電点（図２参照）とほぼ等しい。
Claims (1)
- 前記分散液のｐＨ値は、当該分散液の等電点以上であって、かつ前記基材のゼータ電位が０ｍＶ以上になるｐＨ値の範囲に調整することを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2004121442A JP2005306617A (ja) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | ダイヤモンド薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
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| JP2005306617A JP2005306617A (ja) | 2005-11-04 |
| JP2005306617A5 true JP2005306617A5 (ja) | 2007-06-07 |
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ID=35435798
Family Applications (1)
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| JP2004121442A Withdrawn JP2005306617A (ja) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | ダイヤモンド薄膜およびその製造方法 |
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