JP2005301286A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005301286A JP2005301286A JP2005116162A JP2005116162A JP2005301286A JP 2005301286 A JP2005301286 A JP 2005301286A JP 2005116162 A JP2005116162 A JP 2005116162A JP 2005116162 A JP2005116162 A JP 2005116162A JP 2005301286 A JP2005301286 A JP 2005301286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- light
- tft
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 599
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 117
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 33
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 27
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 21
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Projection Apparatus (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板上に形成されたTFTと、前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、前記基板に達するように形成されたウィンドウと、前記第1の絶縁膜上に形成された遮光膜と、前記遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、 前記陽極上に形成された有機化合物を含む膜と、前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、前記遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図16
Description
さらに、光源の高輝度化が進み、この回折光によるTFTへの悪影響は、無視できないレベルになってきている。
画素電極とTFTとの間に遮光膜を形成する。本明細書において、少なくとも一部が画素電極とTFTとの間に形成された遮光膜を上部遮光膜という。画素において光が透過し、表示を制御する領域とTFTとの間に溝を形成し、上部遮光膜となる導電膜を形成する。従来、TFTと画素電極との間に形成されていた遮光膜とは異なり、画素電極とTFTとの間から光が透過する領域まで連続的に上部遮光膜が形成され、TFTが上部絶縁膜により被嵌された構造である。
半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極からなるTFTを形成し、層間絶縁膜を形成した後、後に光が透過し、表示を制御する領域とその周辺領域のゲート絶縁膜、層間絶縁膜を除去する。本明細書において、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜の一部が除去されたホール状の領域(壁面及び底面を有している)であり、表示装置において表示を制御することを意図した領域(開口部)とほぼ同じ面積を有する領域を簡単のためにホール、またはウィンドウと称することとする。ウィンドウの壁面には、上部遮光膜と絶縁膜が形成されており、その膜厚分、ウィンドウの面積より開口部の面積が狭くなるものの、ウィンドウの面積と開口部の面積とは実質的に同じ面積となると言える。
記上部遮光膜上に第4層間絶縁膜を形成する工程と、光透過性を有する絶縁膜により、前記ウィンドウを平坦化する工程と、前記上部遮光膜上に第5層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線が露出するように前記第2のコンタクトホールに埋まった絶縁膜の一部を除去する工程と、前記第5層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
図1(A)を用いて本発明を用いて作製された透過型液晶表示装置の構造を説明する。
ゲート電極14上には、第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16が形成されている。必要に応じて第2層間絶縁膜16は平坦化する。続いて、各TFTを電気的に接続する配線17を半導体層12のソース領域またはドレイン領域に接続して形成する。配線17を覆って、第3層間絶縁膜18を形成した後、TFTと開口部との境目に溝を形成する。溝は、基板に達するように形成する。次いで、導電膜をメタルCVD法により、第3層間絶縁膜18上から溝に連続的に成膜して、遮光膜19を形成する。
続いて、第4層間絶縁膜20を形成した後、画素電極21を遮光膜19に接しないように形成する。
図1(B)を用いて、本発明のTFTの他の構造を説明する。なお、図1(A)と同一のものを指す場合は、同一の符号を用いることとする。
ゲート電極14上には、第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16が形成されている。必要に応じて、第2層間絶縁膜16は平坦化する。続いて、各TFTを電気的に接続する配線17を半導体層12のソース領域またはドレイン領域に接続して形成する。配線17を覆って、第3層間絶縁膜18を形成した後、開口部(表示を制御することを意図した領域)よりやや広い範囲の第3層間絶縁膜18、第2層間絶縁膜16、第1層間絶縁膜15、ゲート絶縁膜13および下地絶縁膜11を除去する。次いで、第3層間絶縁膜18上からゲート絶縁膜および層間絶縁膜が除去された領域(ウィンドウ)の側面に沿って連続的に導電膜を形成し、上部遮光膜19を形成する。次いで、ウィンドウ底面に形成された上部遮光膜19を除去し、第4層間絶縁膜20を形成する。その後、ウィンドウを光透過性の有機絶縁膜等30により平坦化し、その上に第5層間絶縁膜31を形成して、画素電極32を形成する。
図1(C)を用いて、本発明のTFTの他の構造を説明する。
さらに、音声出力部3005、操作キー3006、電源スイッチ3007、音声入力部3008を有している。
Claims (11)
- 基板上に形成されたTFTと、
前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、
前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、
前記基板に達するように形成されたウィンドウと、
前記第1の絶縁膜上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、
前記陽極上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、
前記遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、
前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、
前記基板に達するように形成されたウィンドウと、
前記第1の絶縁膜上に形成された上部遮光膜と、
前記上部遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、
前記陽極上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTの有する半導体層に接続された配線と、
前記配線上に形成された第1の絶縁膜と、
前記基板に達するように形成されたウィンドウと、
前記第1の絶縁膜上に形成された上部遮光膜と、
前記上部遮光膜及び前記ウィンドウの底面上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続された陽極と、
前記陽極上に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上に形成された有機化合物を含む膜と、
前記有機化合物を含む膜上に形成された陰極とを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの側面から前記TFTを覆うように前記第1の絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項3において、前記陽極、前記第3の絶縁膜、前記有機化合物を含む膜、及び前記陰極は前記ウィンドウ内部に形成されていることを特徴とする発光装置。
- 請求項3または4において、前記第3の絶縁膜は有機樹脂膜であることを特徴とする発光装置。
- 請求項2乃至5のいずれか一において、前記下部遮光膜と前記上部遮光膜とは、前記ウィンドウの底面で接していることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記陰極は、MgAg、またはアルミニウムとリチウムとの合金であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記ウィンドウの壁面はテーパー状であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一に記載の発光装置はEL表示装置であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至9のいずれか一に記載の発光装置を表示部に組み込んだ電気器具。
- 請求項10に記載の電気器具は、プロジェクター、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯情報端末、携帯電話、電子書籍、またはディスプレイである。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116162A JP4105173B2 (ja) | 2001-05-23 | 2005-04-13 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001154673 | 2001-05-23 | ||
JP2005116162A JP4105173B2 (ja) | 2001-05-23 | 2005-04-13 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002148441A Division JP4118602B2 (ja) | 2001-05-23 | 2002-05-22 | 半導体装置およびその作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005301286A true JP2005301286A (ja) | 2005-10-27 |
JP4105173B2 JP4105173B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=35332805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005116162A Expired - Fee Related JP4105173B2 (ja) | 2001-05-23 | 2005-04-13 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4105173B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7888679B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device with rapidly crystallizing light blocking layer and method of manuacturing the same |
JP2012064606A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置 |
JP2012064603A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置 |
US8633487B2 (en) | 2010-09-14 | 2014-01-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus |
US8633486B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-01-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor structure and light emitting apparatus |
CN108807483A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-11-13 | 友达光电股份有限公司 | 发光元件 |
CN110491918A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2005
- 2005-04-13 JP JP2005116162A patent/JP4105173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7888679B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device with rapidly crystallizing light blocking layer and method of manuacturing the same |
US8633486B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-01-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor structure and light emitting apparatus |
JP2012064606A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置 |
JP2012064603A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置 |
US8633487B2 (en) | 2010-09-14 | 2014-01-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus |
CN108807483A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-11-13 | 友达光电股份有限公司 | 发光元件 |
CN110491918A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4105173B2 (ja) | 2008-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6734463B2 (en) | Semiconductor device comprising a window | |
KR100793044B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
JP4118602B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
TW536837B (en) | Light emitting device | |
KR100654927B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제작방법 | |
US8003449B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a reverse staggered thin film transistor | |
KR100965131B1 (ko) | 반도체장치 | |
JP4413779B2 (ja) | 発光装置およびその作製方法 | |
JP4105173B2 (ja) | 発光装置 | |
JPH11160735A (ja) | 電気光学装置およびその作製方法並びに電子機器 | |
JP4896314B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5046439B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4739510B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP5105690B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2002352950A (ja) | 発光装置およびその作製方法 | |
JP4064075B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5292453B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4850328B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5019677B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP5046445B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4777380B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4954387B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4044360B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP2008124179A (ja) | 半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP4766758B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4105173 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120404 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |