JP2005300492A - 光軸調整機能を有するｘ線分析方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 光軸調整用の半割試料を置く向きに関係なく、正しく光軸調整できる光軸調整機能を有するＸ線分析方法および装置を提供する。
【解決手段】 ダイアフラム（Ｘ線分析手段）５の２つの任意見込み位置３１、３２で、半割試料Ｓをｒステージ１６の移動位置ごとにθステージ１７で自転させながらＸ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となるｒステージ１６の移動位置およびθステージ１７の回転角度を検出する。これにより、半割試料Ｓをθステージ１７に置く向きに関係なく、θステージ１７の回転中心を通る半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となる状態を検出できるから、このｒステージ１６の移動位置におけるθステージ１７の回転中心とダイアフラム５の見込み位置とを一致させ、さらにθステージ１７の回転中心と画像上の測定原点とを一致させることにより、正しく光軸調整を行なうことができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半割試料を用いて光軸調整を行なう光軸調整機能を有するＸ線分析方法および装置に関する。

従来から、蛍光Ｘ線分析のようなＸ線分析において、撮像手段で撮像された試料表面の画像上の表示に基づいて指定された試料の各部位を、試料をｒθステージなどにより２次元的に移動させながら、絞り孔（ダイアフラム）を通して検出手段で測定してＸ線強度の分布測定（マッピング測定）を行なうことで、各部位の含有率、膜厚等を分布測定することが知られている。

この測定に際して、光軸を調整するために、構成元素の異なる２つの物質を接合したもので、その境界線が直線である半割試料を用いて、ダイアフラムの見込み位置と、θステージの回転中心とを一致させることが知られている（例えば、特許文献１）。この従来技術は、光軸調整用の半割試料を所定の向きにθステージに置いて、ｒ方向に移動させながらＸ線強度の分布測定を行なうとともに、ダイアフラムを移動させながらＸ線強度の分布測定を行なうことにより、試料表面上のダイアフラムの見込み位置と、θステージの回転中心とを一致させるものである。
特開２００１−２８１１７７号公報

しかし、この従来技術では、半割試料を所定の向きにθステージに置くことを前提としているので、手動で半割試料を所定の向きに置く必要がある。また、試料を置いた向きと、所定の向きとの誤差が、ダイアフラム見込みの調整位置の誤差に伝播する。

本発明は、前記の問題点を解決して、光軸調整用の半割試料を置く向きに関係なく、正しく光軸調整できる光軸調整機能を有するＸ線分析方法および装置を提供することを目的としている。

前記目的を達成するために、本発明に係る光軸調整機能を有するＸ線分析方法および装置は、撮像手段で撮像された試料表面の画像上の表示に基づいて指定された試料の部位を、試料の特定の部位のみを分析するＸ線分析手段の見込み位置にくるように、試料をその表面方向に移動させる平面移動ステージおよび試料をその表面の法線回りに自転させるθステージからなる試料移動手段を用いて移動させながら、前記Ｘ線分析手段で分析してＸ線強度の分布測定を行なうものであって、画像上の測定原点と、前記Ｘ線分析手段の見込み位置と、前記θステージの回転中心とを一致させる光軸調整を行なうものである。
この際に、直線状の基準線を有する半割試料を光軸調整用試料として用い、前記Ｘ線分析手段をその試料表面上の複数の任意見込み位置に移動させる。そして、前記Ｘ線分析手段の複数の任意見込み位置のそれぞれにおいて、半割試料を平面移動ステージにより複数の移動位置に移動させ、さらにそれぞれの移動位置において、半割試料をθステージで自転させながら前記Ｘ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料の基準線が任意見込み位置を回転横断するときのθステージの回転角度である半割角度を検出する。
その後、この複数の任意見込み位置における半割角度の変化に基づいて、半割試料の基準線が複数の任意見込み位置の軌跡と平行となる平面移動ステージの移動位置を検出して、これを平面移動ステージの原点として設定し、そのうえで前記移動位置におけるθステージの回転中心と前記Ｘ線分析手段の見込み位置とが一致するように、Ｘ線分析手段の見込み位置を設定し、さらに、θステージの回転中心と画像上の測定原点とが一致するように、画像上の測定原点を設定する。

この構成によれば、Ｘ線分析手段の複数の任意見込み位置で、半割試料を平面移動ステージの移動位置ごとにθステージで自転させながらＸ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料の基準線が複数の任意見込み位置の軌跡と平行となる平面移動ステージの移動位置およびθステージの回転角度を検出する。これにより、半割試料をθステージに置く向きに関係なく、θステージの回転中心を通る半割試料の基準線が複数の任意見込み位置の軌跡と平行となる、つまりθステージの回転中心が当該軌跡上にくる状態を検出できるから、この平面移動ステージの移動位置におけるθステージの回転中心とＸ線分析手段の見込み位置とを一致させ、さらにθステージの回転中心と画像上の測定原点とを一致させることにより、正しく光軸調整を行なうことができる。

好ましくは、前記試料移動手段の平面移動ステージが、試料を直線的に移動させるｒステージである。この場合には、既設のｒθステージを用いて、低コストで光軸調整を正確に行なうことができる。さらに好ましくは、前記試料移動手段が、試料を投入位置から測定位置への搬送手段を兼ねている。

好ましくは、前記試料移動手段の平面移動ステージが、試料を公転させるφステージである。この場合には、既設のφθステージを用いて、低コストで光軸調整を正確に行なうことができる。さらに好ましくは、前記試料移動手段が、試料を投入位置から測定位置への搬送手段を兼ねている。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る光軸調整機能を有する蛍光Ｘ線分析装置を示す構成図である。図２（Ａ）は光軸調整用試料として用いられる半割試料、（Ｂ）は本装置の動作状態を示す。図１の本装置は、ＣＣＤ等の撮像手段１２で撮像された試料表面の画像上の表示に基づいて指定された試料の部位を、Ｘ線分析手段（ダイアフラム）５の見込み位置にくるように、試料を試料移動手段（ｒθステージ）を用いて２次元的に移動させながら、ダイアフラム５を通して検出手段４で測定して蛍光Ｘ線強度の分布測定（マッピング測定）を行なうことで、各部位の含有率、膜厚等を分布測定する。Ｘ線分析手段（ダイアフラム）５は、試料の特定の部位のみを分析するもので、試料から発生した蛍光Ｘ線Ｂ２を受光する面積を制限することで測定面積を制御する。検出手段４は、ダイアフラム５を通過した蛍光Ｘ線Ｂ２をスリット６を介して分光する分光素子７、その分光された蛍光Ｘ線Ｂ２の強度を測定する検出器８などからなる。

試料表面を２次元的に移動する試料移動手段としては、図３（Ａ）に示すように、試料Ｓをその表面方向に移動させる平面移動ステージ１６および試料Ｓをその表面の法線回りに自転させるθステージ１７が用いられる。平面移動ステージ１６として例えば、試料Ｓを直線的に移動させるｒステージが用いられる。このｒステージ１６とθステージ１７からなるｒθステージは、例えばｒステージ１６の下部にθステージ１７が設けられてなり、ｒステージ１６は、試料表面の一定方向であるｒ方向に直線移動自在に設けられ、θステージ１７は試料Ｓを収納した試料ホルダ４３を保持するとともに、試料Ｓを自転させるために駆動軸４５を中心として水平回転（θ回転）自在に設けられたものである。

図１の本装置は光軸調整機能を有するものであり、画像上の測定原点と、ダイアフラム５の見込み位置と、θステージ１７の回転中心とを一致させる光軸調整手段２０を備えている。この光軸調整は、一般的には、装置組立調整時にのみ行われる。

前記光軸調整手段２０は、後述する半割試料Ｓを光軸調整用試料として用いるものであり、Ｘ線分析手段（ダイアフラム）移動手段１５、半割角度検出手段２１および設定制御手段２２を備えている。半割角度検出手段２１および設定制御手段２２は制御手段２４内に設けられており、この制御手段２４は、さらに前記ダイアフラム移動手段１５の制御、および前記撮像手段１２による画像の表示器２８への表示制御を行なうほか装置全体の制御を行なう。

図２（Ａ）のように、光軸調整用試料として用いられる半割試料Ｓは、構成元素の異なる２つの物質、例えばＣｕとＡｌを接合したもので、その境界線が直線である円板状の形状を有している。図示したように、半割試料Ｓをθステージ１７に保持した状態で、境界線がθステージ１７の回転中心４５（図３（Ａ））を通っている場合は、この境界線を半割試料Ｓの向き（図２（Ａ）中の矢印）を示す基準線Ｌとする。境界線がθステージ１７の回転中心４５を通らない場合には、境界線と平行でθステージ１７の回転中心４５を通る線が基準線Ｌとなる。また、ここでは、半割試料Ｓは円板でその中心がθステージ１７の回転中心４５と一致しているが、そうでなくても構わない。

パルスモータなどの駆動手段からなるダイアフラム移動手段１５は、ダイアフラム５の試料表面上の見込み位置を、複数の例えば２つの任意見込み位置に直線的に移動させるもので、ダイアフラム５を通るＸ線の方向と平面視で直交する、水平な方向にダイアフラム５を移動させる。図２（Ｂ）のように、この任意見込み位置３１、３２の軌跡である両位置３１、３２を結ぶ試料表面上の線をダイアフラム移動軸３６とする。

前記半割角度検出手段２１は、まず、ダイアフラム５の２つの任意見込み位置３１、３２でそれぞれ前記検出手段４によるＸ線強度の分布測定を行なう。この分布測定は、例えば仮の原点３０からそれぞれ−２ｍｍ、＋２ｍｍずれている２つの任意見込み位置３１、３２（以下、単にダイアフラム位置と称する場合がある）のそれぞれにおいて、半割試料Ｓをｒステージ１６によりその移動位置（以下、単にｒステージ位置と称する場合がある）を複数位置に、例えば−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍのように順次直線移動させ、さらにそれぞれのｒステージ位置において、半割試料Ｓをθステージ１７で３６０°自転させながら行なう。そして、この分布測定に基づき、ｒステージ位置ごとに半割試料Ｓの基準線Ｌが任意見込み位置を回転横断するときのθステージ１７の回転角度である半割角度を検出する。
なお、半割試料Ｓをｒステージ１６にセットして直線移動させたｒステージ位置０ｍｍを仮の測定初期位置とする。また、θステージ１７の回転角度は、各ターレット角度におけるθステージ１７の初期状態を０°として、例えば右回りに回転した角度とする。

前記設定制御手段２２は、上記した２つの任意見込み位置３１、３２における半割角度の変化に基づいて２つの半割角度傾向線を検出する。この両半割角度傾向線の交差する点が、半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となる、つまりθステージ１７の回転中心４５がダイアフラム移動軸３６上にくる、ｒステージ位置として検出されるので、これをｒステージ１６の原点として設定する。そのうえで、前記ｒステージ位置におけるθステージ１７の回転中心４５とダイアフラム５の見込み位置とが一致するようにダイアフラム５の見込み位置を設定し、さらに、θステージ１７の回転中心４５と画像上の測定原点とが一致するように、画像上の測定原点を設定する。

前記構成の装置の動作を、図４のフローチャートに基づいて、説明する。まず、半割試料Ｓをｒステージ１６にセットし（ステップＳ１）、ｒステージ１６の直線移動により仮の測定初期位置にロードする（ステップＳ２）。ステップＳ３では、ダイアフラム５を仮の原点３０から−２ｍｍずれた任意見込み位置３１、次いで＋２ｍｍずれた任意見込み位置３２に移動する。ステップＳ４では、ダイアフラム位置が最終か否か確認される。つまり、両任意見込み位置３１、３２での測定が完了したかどうか確認される。

つぎに、ステップＳ５では、各任意見込み位置３１、３２においてｒステージ位置をｒ方向に−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍに順次移動させる。そして、ステップＳ６では各任意見込み位置３１、３２でｒステージ位置−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍのそれぞれにおいて、θステージ１７のθ回転により半割試料Ｓを３６０°回転させながらＸ線強度を測定する。この半割試料Ｓの直線移動およびθ回転の移動により、各任意見込み位置３１、３２において、−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍのｒステージ位置ごとに半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６上を横切る状態が検出されこととなる。ステップＳ７では、ｒステージ位置が最終か否か確認される。つまり、各任意見込み位置３１、３２での測定が完了したかどうか確認される。

図５はステップＳ６におけるＸ線強度の測定結果を示す。図５（Ａ）はダイアフラム位置−２ｍｍの任意見込み位置３１での測定結果、（Ｂ）はダイアフラム位置＋２ｍｍの任意見込み位置３２での測定結果である。図中の傾斜線５１、５２は、各任意見込み位置３１、３２において半割試料Ｓの境界線が回転横断したことの検知を示す。

ステップＳ４で両任意見込み位置３１、３２での測定が完了すると、ステップＳ８で、図５の測定結果に基づいて、半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となる（平面視で重なる）ときのｒステージ位置とθステージ１７の回転角度が検出される（ステップＳ８）。このｒステージ位置において、θステージ１７の回転中心４５がダイアフラム移動軸３６上にくる。以下、ステップＳ８における各手段の動作を詳細に説明する。

半割角度検出手段２１により、まず、図６（Ａ）に示すように、例えば図５（Ａ）のｒステージ位置＋１ｍｍの測定分布に基づいて、０°〜１８０°の測定分布と１８０°〜３６０°の測定分布とを重ね合わせる。そして、図６（Ｂ）に示すように、これらの交点５３により、半割試料Ｓの基準線Ｌが任意見込み位置３１を回転横断するときのθステージ１７の回転角度θである半割角度の例えば１１７．５°が検出される。交点５３は、半割試料Ｓの境界線が基準線Ｌとなる場合には傾斜線５１、５２の中点となり、そうでない場合には中点から上下にずれる。傾斜線５１、５２の交点を求める代わりに、両中点のさらに中点を求めてもよい。同様に、図５（Ａ）（Ｂ）の測定分布に基づいて、各ダイアフラム位置および各ｒステージ位置における半割角度が検出される。

つぎに、設定制御手段２２により、図７に示すように、前記半割角度が、この例では、ダイアフラム位置−２ｍｍにおいて、ｒステージ位置−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍの順で、３７°、９０°、１１７．５°となって順次増加する傾向を示し、ダイアフラム位置＋２ｍｍにおいて、ｒステージ位置−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍの順で、１１７．５°、９０°、３７°となって順次減少する傾向を示すので、２つの半割角度傾向線が検出される。

そして、両半割角度傾向線の交点として、半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となる（平面視で重なる）ときのｒステージ位置（ここでは０ｍｍ）とθステージ１７の回転角度（ここでは９０°）が検出される。このｒステージ位置において、θステージ１７の回転中心４５がダイアフラム移動軸３６上にくるので、これをｒステージ１６の原点として設定する。

つぎに、検出したｒステージ位置まで半割試料Ｓを移動させる（ステップＳ９）。θステージ１７がこのｒステージ位置にある状態を、今後の試料の測定で用いる新たな測定初期位置とし、そのときのθステージ１７の回転中心４５を、画像上の測定原点とダイアフラム５の見込み位置とを一致させる位置とする。画像上の測定原点、例えば撮像した画面の中心をθステージ１７の回転中心４５に一致させるのは、従来技術により行われる。一方、ダイアフラム５の見込み位置とθステージ１７の回転中心４５を一致させるのは、ｒステージ１６のｒ方向についてはステップＳ９で設定できたことになるので、以降のステップで、ダイアフラム移動軸３６方向について設定する。

まず、θステージ１７をステップＳ８で検出した回転角度から９０°回転させ、半割試料Ｓの境界線をダイアフラム移動軸３６に直交させる（ステップＳ１０）。この状態でダイアフラム５の移動によるＸ線強度の分布測定（ダイアフラムスキャン）が行われる（ステップＳ１１）。これにより、ダイアフラム５の見込み位置が半割試料Ｓの境界線を横断したことを示す傾斜線の中点が検出される。その後、その中点におけるダイアフラム５の位置にダイアフラム５の位置を設定する（ステップＳ１２）。

なお、境界線が基準線Ｌでない場合には、ステップ１１において、半割試料Ｓを１８０°回転して再度ダイアフラムスキャンを行なう。そして、ステップＳ８で述べたのと同様に、２つの傾斜線の交点、または各傾斜線の中点のさらに中点として、ダイアフラム５の見込む位置が基準線Ｌを横断するときのダイアフラム５の位置を求め、ステップＳ１２で、その位置に設定する。

以上のように、第１実施形態では、ダイアフラム５の２つの任意見込み位置３１、３２で、半割試料Ｓをｒステージ１６の移動位置ごとにθステージ１７で自転させながらＸ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となるｒステージ１６の移動位置およびθステージ１７の回転角度を検出する。これにより、半割試料Ｓをθステージ１７に置く向きに関係なく、θステージ１７の回転中心を通る半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となる（θステージ１７の回転中心４５がダイアフラム移動軸３６上にくる）状態を検出できるから、このｒステージ１６の移動位置におけるθステージ１７の回転中心とダイアフラム５の見込み位置とを一致させ、さらにθステージ１７の回転中心と画像上の測定原点とを一致させることにより、正しく光軸調整を行なうことができる。

つぎに、第２実施形態に係る蛍光光軸調整機能を有するＸ線分析装置について説明する。この第２実施形態では、試料移動手段として、ｒθステージに代えてφθステージを用いている。図３（Ｂ）に示すように、φθステージは、試料Ｓを試料表面方向に移動させるφステージ１８および試料Ｓをその表面の法線回りに自転させるθステージ１９からなり、試料を投入位置から測定位置への搬送手段を兼ねている。φステージ１８は、例えば駆動軸４７を中心として水平回転（φ回転）自在に設けられて、試料Ｓを投入位置から測定初期位置まで回転（公転）させて搬送する。投入位置には試料出入のために上下移動するリフト４２が設けられている。θステージ１９は、試料Ｓを収納した図示しない試料ホルダを保持するとともに、試料Ｓを自転させるために駆動軸４６を中心として水平回転（θ回転）自在に設けられたものである。

第２実施形態では、第１実施形態のｒステージ１６の移動位置は、φステージ１８の移動位置に相当する。すなわち、図２（Ｃ）に示すように、図２（Ｂ）において、第１実施形態のｒステージ１６の直線的移動による複数の移動位置である−１ｍｍ、０ｍｍ、＋１ｍｍは、第２実施形態ではそれぞれφステージ１８の回転による複数の移動位置である、例えば−１°、０°、＋１°となる。その他の構成は第１実施形態と同様である。

第２実施形態において、ダイアフラム５の２つの任意見込み位置３１、３２のそれぞれにおいて、半割試料Ｓをφステージ１８により複数の移動位置に移動させ、さらにそれぞれの移動位置において、半割試料Ｓをθステージ１９で自転させながら前記Ｘ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料Ｓの基準線Ｌが任意見込み位置３１、３２を回転横断するときのθステージ１９の回転角度である半割角度を検出する。そして、この２つの任意見込み位置３１、３２における半割角度の変化に基づいて、半割試料Ｓの基準線Ｌが２つの任意見込み位置３１、３２の軌跡（ダイアフラム移動軸３６）と平行となるφステージ１８の移動位置を検出して、これをφステージ１８の原点として設定し、そのうえで前記移動位置におけるθステージ１９の回転中心４６とダイアフラム５の見込み位置とが一致するように、ダイアフラム５の見込み位置を設定し、さらに、θステージ１９の回転中心４６と画像上の測定原点とが一致するように、画像上の測定原点を設定する。

これにより、第２実施形態の装置は、ダイアフラム５の２つの任意見込み位置３１、３２で、半割試料Ｓをφステージ１８の回転角度ごとにθステージ１９で自転させながらＸ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となるφステージ１８の回転角度およびθステージ１９の回転角度を検出するので、第１実施形態と同様に、半割試料Ｓをθステージ１９に置く向きに関係なく、θステージ１９の回転中心４６を通る半割試料Ｓの基準線Ｌがダイアフラム移動軸３６と平行となる（θステージ１９の回転中心４６がダイアフラム移動軸３６上にくる）状態を検出できるから、このφステージ１８の移動位置におけるθステージ１９の回転中心４６とダイアフラム５の見込み位置とを一致させ、さらに、θステージ１９の回転中心４６と画像上の測定原点とを一致させることにより、正しく光軸調整を行なうことができる。

なお、この実施形態では、光軸調整機能を有するＸ線分析装置を蛍光Ｘ線分析装置としているが、これに限定されるものではなく、その他のX線分析装置であってもよい。

なお、この実施形態では、Ｘ線分析手段（ダイアフラム５）をその試料表面上の２つの見込み位置に移動させているが、３つ以上の見込み位置に移動させてもよい。

本発明の第１実施形態に係る光軸調整機能を有する蛍光Ｘ線分析装置を示す構成図である。 （Ａ）は半割試料、（Ｂ）（Ｃ）は光軸調整の動作状態を示す平面図である。 （Ａ）はｒθステージ、（Ｂ）はφθステージを示す構成図である。 図１の光軸調整動作を示すフローチャートである。 （Ａ）、（Ｂ）は、各ダイアフラムの任意見込み位置で測定した分布測定図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、分布測定図を用いて半割角度を求める動作を示す図である。 半割角度傾向線を示す特性図である。

符号の説明

５：ダイアフラム（Ｘ線分析手段）
１２：撮像手段
１５：ダイアフラム移動手段
１６：ｒステージ（平面移動ステージ）
１７：θステージ
１８：φステージ
１９：θステージ
２０：光軸調整手段
２１：半割角度検出手段
２２：設定制御手段
Ｌ：半割試料の基準線
Ｓ：半割試料

Claims (5)

1. 撮像手段で撮像された試料表面の画像上の表示に基づいて指定された試料の部位を、試料の特定の部位のみを分析するＸ線分析手段の見込み位置にくるように、試料をその表面方向に移動させる平面移動ステージおよび試料をその表面の法線回りに自転させるθステージからなる試料移動手段を用いて移動させながら、前記Ｘ線分析手段で分析してＸ線強度の分布測定を行なうＸ線分析装置であって、
   画像上の測定原点と、前記Ｘ線分析手段の見込み位置と、前記θステージの回転中心とを一致させる光軸調整手段を備え、
   前記光軸調整手段が、
   直線状の基準線を有する半割試料を光軸調整用試料として用いるものであり、
   前記Ｘ線分析手段をその試料表面上の複数の任意見込み位置に移動させるＸ線分析手段移動手段と、
   前記Ｘ線分析手段の複数の任意見込み位置のそれぞれにおいて、半割試料を平面移動ステージにより複数の移動位置に移動させ、さらにそれぞれの移動位置において、半割試料をθステージで自転させながら前記Ｘ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料の基準線が任意見込み位置を回転横断するときのθステージの回転角度である半割角度を検出する半割角度検出手段と、
   前記複数の任意見込み位置における半割角度の変化に基づいて、半割試料の基準線が複数の任意見込み位置の軌跡と平行となる平面移動ステージの移動位置を検出して、これを平面移動ステージの原点として設定し、そのうえで前記移動位置におけるθステージの回転中心と前記Ｘ線分析手段の見込み位置とが一致するように、Ｘ線分析手段の見込み位置を設定し、さらに、θステージの回転中心と画像上の測定原点とが一致するように、画像上の測定原点を設定する設定制御手段とを備えている、光軸調整機能を有するＸ線分析装置。
2. 請求項１において、
   前記試料移動手段の平面移動ステージが、試料を直線的に移動させるｒステージである、光軸調整機能を有するＸ線分析装置。
3. 請求項１において、
   前記試料移動手段の平面移動ステージが、試料を公転させるφステージである、光軸調整機能を有するＸ線分析装置。
4. 請求項１において、前記試料移動手段が、試料を投入位置から測定位置への搬送手段を兼ねている、光軸調整機能を有するＸ線分析装置。
5. 撮像手段で撮像された試料表面の画像上の表示に基づいて指定された試料の部位を、試料の特定の部位のみを分析するＸ線分析手段の見込み位置にくるように、試料をその表面方向に移動させる平面移動ステージおよび試料をその表面の法線回りに自転させるθステージからなる試料移動手段を用いて移動させながら、前記Ｘ線分析手段で分析してＸ線強度の分布測定を行なうＸ線分析方法であって、
   画像上の測定原点と、前記Ｘ線分析手段の見込み位置と、前記θステージの回転中心とを一致させる光軸調整方法を含み、
   前記光軸調整方法が、
   直線状の基準線を有する半割試料を光軸調整用試料として用いるものであり、
   前記Ｘ線分析手段をその試料表面上の複数の任意見込み位置に移動させ、
   前記Ｘ線分析手段の複数の任意見込み位置のそれぞれにおいて、半割試料を平面移動ステージにより複数の移動位置に移動させ、さらにそれぞれの移動位置において、半割試料をθステージで自転させながら前記Ｘ線強度の分布測定を行なうことにより、半割試料の基準線が任意見込み位置を回転横断するときのθステージの回転角度である半割角度を検出し、
   この複数の任意見込み位置における半割角度の変化に基づいて、半割試料の基準線が複数の任意見込み位置の軌跡と平行となる平面移動ステージの移動位置を検出して、これを平面移動ステージの原点として設定し、そのうえで前記移動位置におけるθステージの回転中心と前記Ｘ線分析手段の見込み位置とが一致するように、Ｘ線分析手段の見込み位置を設定し、さらに、θステージの回転中心と画像上の測定原点とが一致するように、画像上の測定原点を設定するものである、光軸調整機能を有するＸ線分析方法。

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