JP2005298259A - ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 - Google Patents
ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 Download PDFInfo
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- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 46
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 22
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 claims 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006063 cullet Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- -1 BaCO 3 Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
【解決手段】 SiO2:20〜40重量%、BaO:30〜60重量%、MgO:5〜20重量%、ZnO:0〜10重量%、Al2O3:0〜10重量%、B2O3:0〜10重量%からなるガラス粉末と、SiO2:50〜70重量%、BaO:10〜40重量%、MgO:0〜20重量%、Al2O3:0〜15重量%からなるセラミック粉末と、を含むガラスセラミック原料組成物を焼成してなり、BaO・2MgO・2SiO2を主とする結晶相を析出している複数のガラスセラミック絶縁層2と、複数のガラスセラミック絶縁層2の間に設けられるAg系導体パターン6と、を備えるガラスセラミック多層基板1。
【選択図】 図1
Description
・酸化ケイ素をSiO2換算で20〜40重量%、酸化バリウムをBaO換算で30〜60重 量%、酸化マグネシウムをMgO換算で5〜20重量%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜10 重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜10重量%、酸化ホウ素をB2O3換算 で0〜10重量%含有するガラス粉末(A)と、
・酸化ケイ素をSiO2換算で50〜70重量%、酸化バリウムをBaO換算で10〜40重 量%、酸化マグネシウムをMgO換算で0〜20重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換 算で0〜15重量%含有するセラミック粉末(B)と、
を含むものである。そして、本発明のガラスセラミック焼結体は、このガラスセラミック原料粉末を所望の形状に成形し、焼成してなるものであって、BaO・2MgO・2SiO2を主とする結晶相を析出している。
2…ガラスセラミック絶縁層
3a…一方主面
3b…他方主面
4、5…表面導体パターン
6…内部導体パターン(面内導体)
7…内部導体パターン(ビア導体)
8a、8b、8c…表面実装部品
Claims (10)
- 酸化ケイ素をSiO2換算で20〜40重量%、酸化バリウムをBaO換算で30〜60重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で5〜20重量%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜10重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜10重量%、酸化ホウ素をB2O3換算で0〜10重量%含有するガラス粉末と、
酸化ケイ素をSiO2換算で50〜70重量%、酸化バリウムをBaO換算で10〜40重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で0〜20重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜15重量%含有するセラミック粉末と、
を含む、ガラスセラミック原料組成物。 - 前記ガラス粉末を50〜65重量%、前記セラミック粉末を35〜50重量%含有する、請求項1に記載のガラスセラミック原料組成物。
- さらに、酸化セリウムをCeO2換算で5重量%以下、および/または、酸化チタンをTiO2換算で5重量%以下の割合で含有する、請求項1または2に記載のガラスセラミック原料組成物。
- 酸化ケイ素をSiO2換算で20〜40重量%、酸化バリウムをBaO換算で30〜60重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で5〜20重量%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜10重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜10重量%、酸化ホウ素をB2O3換算で0〜10重量%含有するガラス粉末と、
酸化ケイ素をSiO2換算で50〜70重量%、酸化バリウムをBaO換算で10〜40重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で0〜20重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜15重量%含有するセラミック粉末と、
を含むガラスセラミック原料組成物を焼成してなり、BaO・2MgO・2SiO2を主とする結晶相を析出している、ガラスセラミック焼結体。 - 前記ガラスセラミック原料組成物は、前記ガラス粉末を50〜65重量%、前記セラミック粉末を35〜50重量%含有する、請求項4に記載のガラスセラミック焼結体。
- 前記ガラスセラミック原料組成物は、さらに、酸化セリウムをCeO2換算で5重量%以下、および/または、酸化チタンをTiO2換算で5重量%以下の割合で含有する、請求項4または5に記載のガラスセラミック焼結体。
- 酸化ケイ素をSiO2換算で20〜40重量%、酸化バリウムをBaO換算で30〜60重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で5〜20重量%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜10重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜10重量%、酸化ホウ素をB2O3換算で0〜10重量%含有するガラス粉末と、酸化ケイ素をSiO2換算で50〜70重量%、酸化バリウムをBaO換算で10〜40重量%、酸化マグネシウムをMgO換算で0〜20重量%、酸化アルミニウムをAl2O3換算で0〜15重量%含有するセラミック粉末と、を含むガラスセラミック原料組成物を焼成してなり、BaO・2MgO・2SiO2を主とする結晶相を析出している、複数のガラスセラミック絶縁層と、
前記複数のガラスセラミック絶縁層の間に設けられるAg系導体パターンと、
を備える、ガラスセラミック多層基板。 - 前記ガラスセラミック原料組成物は、前記ガラス粉末を50〜65重量%、前記セラミック粉末を35〜50重量%含有する、請求項7に記載のガラスセラミック多層基板。
- 前記ガラスセラミック原料組成物は、さらに、酸化セリウムをCeO2換算で5重量%以下、および/または、酸化チタンをTiO2換算で5重量%以下の割合で含有する、請求項7または8に記載のガラスセラミック多層基板。
- 一方主面上に表面実装部品を搭載してなる、請求項7〜9のいずれかに記載のガラスセラミック多層基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004116072A JP4736342B2 (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004116072A JP4736342B2 (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005298259A true JP2005298259A (ja) | 2005-10-27 |
JP4736342B2 JP4736342B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=35330263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004116072A Expired - Lifetime JP4736342B2 (ja) | 2004-04-09 | 2004-04-09 | ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4736342B2 (ja) |
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