JP2005294831A - ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ - Google Patents

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Abstract

【課題】降伏電圧を増大させるGaAsSb/InP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板上に形成されたコレクタと、コレクタ上に形成されたベースと、ベース上に形成されたエミッタと、コレクタとベースの間のトンネリング抑制層を含む、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）が得られる。トンネリング抑制層は、ベース材料とは異なり、ベース材料の電子親和力以上の電子親和力を備える材料から製作される。
【選択図】図２

Description

本発明は、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）に関する。
インジウム燐ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（InP-HBT）は、高周波数動作、及び、１０〜２０ボルトといった比較的高い降伏電圧（breakdown voltage）が望ましい用途において有用である。近似関係式ｆＭＡＸ＝√（ｆＴ／８πＲｂＣｃ）（ここで、ｆＴは電流・利得・帯域幅の積、すなわち、カットオフ周波数であり、Ｒｂはベース直列抵抗であり、Ｃｃは、コレクタ・ベース・キャパシタンスである）は、ｆＴが増すと、最大動作周波数ｆＭＡＸが増すことを示している。この関係式は、トランジスタの単純な集中素子（lumped-element）モデルに基づいているため、おおよそのものである。実際には、ベース直列抵抗Ｒｂ及びコレクタ・ベース・キャパシタンスＣｃは、分散している。より正確な式は、代数的に複雑であり、この近似式を用いて、立証しようとする点を明らかにするよりも、不明瞭にすることになる。
ｐ−ｎ接合の降伏電圧は、逆電圧であり、それを超えると、電圧のわずかな上昇によって、大電流を生じることになる。バイポーラ・トランジスタにおける降伏電圧の定義が２つある。電圧ＢＶＣＥＯは、ベース端末を開放して測定されたトランジスタ降伏電圧である。電圧ＢＶＣＢＯは、エミッタ端子を開放して測定されたベース・コレクタ接合の降伏電圧である。ベース材料として砒化アンチモン化ガリウム（GaAsSb）を含むインジウム燐（InP）ＨＢＴの場合、ＢＶＣＢＯは、ＨＢＴのベースの価電子帯からコレクタの伝導帯への電子の「ツェナー」・トンネリング（Zener tunneling）と呼ばれる現象によって制限される。これによって生じる電流は、「トンネル電流（tunneling current）」と呼ばれる。一般に、トンネル電流が流れる電圧を最大にするのが望ましい。
GaAsSb/InP HBTは、優れた高周波（高ｆＴ及びｆＭＡＸ）性能を示す。GaAsSbベースは、InPコレクタと共に「タイプII」バンド・ラインアップ（type-II band lineup）と称するものを形成する。伝導帯（conduction band）のオフセットによって、ベースからコレクタへの電子伝達が向上し、価電子帯（valence band）のオフセットによって、ベースからコレクタへの正孔の伝達が最小限に抑えられるので、バンド・ラインアップは、多くの点で理想的である。タイプIIバンド・ラインアップによって、ＨＢＴの所望の「ニー」・ターンオン特性（knee turn-on characteristic）が得られるようになる。良好なニー・ターンオン特性は、比較的低いコレクタ電圧での動作を可能し、ＨＢＴが組み込まれることになる多くの回路の効率の良い動作にとって重要である。
GaAsSb/InP HBTは、上述の利点を備えているが、いくつかの潜在的な用途には降伏電圧が不十分である。本発明の目的は、上述の利点を備えるが、降伏電圧を増大させる、GaAsSb/InP HBTを提供することにある。
本発明によれば、基板上に形成されたコレクタと、コレクタ上に形成されたベースと、ベース上に形成されたエミッタと、コレクタとベースの間のトンネリング抑制層を含む、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）が得られる。トンネリング抑制層は、ベース材料とは異なり、ベース材料の電子親和力以上の電子親和力（electron affinity）を備える材料から製作される。
本発明によれば、さらに、基板を設けるステップと、基板上にサブコレクタを形成するステップと、サブコレクタの上にコレクタを形成するステップと、コレクタの上にトンネリング抑制層を形成するステップと、トンネリング抑制層の上にベースを形成するステップと、ベースの上にエミッタを形成するステップが含まれている、ＨＢＴを製作するための方法も得られる。
トンネリング抑制層は、ベースの価電子帯からコレクタの伝導帯への電子のトンネリングの確率を低下させることによって、ＨＢＴの降伏電圧を高める。
本発明は、付属の図面を参照することによってより明確に理解することが可能になる。図面の構成要素は、必ずしも一定の拡大率によるものではなく、代わりに、本発明の原理を明瞭に例証することに重点がおかれている。さらに、図面中、同様の参照番号は、いくつかの図にわたって対応する部分を表わしている。
図１には、GaAsSbベースとInPコレクタを備えたＨＢＴのベース・コレクタ接合のバンドダイアグラム（band diagram）１０が示されており、タイプＩＩバンド・ラインアップが示されている。バンドダイアグラム１０には、デバイスの層面に対して直交する方向への物理的距離に対する電子エネルギがプロットされている。バンドダイアグラム１０には、伝導帯エネルギＥｃ（ベースに関する１２及びコレクタに関する１４）、価電子帯エネルギＥｖ（ベースに関する１６及びコレクタに関する１８）、及び、逆バイアス下における真空レベル２２が示されている。真空レベルは、自由電子のエネルギを定義する基準である。電子親和力χは、半導体の真空レベル２２と伝導帯エネルギＥｃとのエネルギ差である。電子親和力χは、半導体の伝導体に存在する電子を解放するのに必要なエネルギである。真空レベルは連続的であるため、伝導帯オフセットは、２つの半導体間における電子親和力の差である。
GaAsSb/InP HBTのバンド・ラインアップは、電子伝達を促進するが、ベースの価電子帯からコレクタの伝導帯への電子のトンネリングの確率を増すので、好ましくない。トンネリングの確率は、ベースの価電子帯とコレクタの伝導帯との距離が、図１に矢印２６で示すように、比較的短いために高くなる。トンネリングの確率が高くなると、降伏電圧ＢＶＣＢＯが低下する。トンネリング距離以外に、トンネリングの確率は、ベース・コレクタ接合におけるエネルギ障壁、エネルギ障壁における電子及び正孔の質量、及び、トンネリングに利用可能な状態の密度といった、いくつかの要因にも左右される。
図２は、本発明の実施態様の１つに従って構成されたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）１００を例示したブロック図である。ＨＢＴ１００は、さまざまな半導体材料系を利用して形成することが可能である。この例の場合、ＨＢＴの半導体層は、インジウム燐（InP）基板１０２上に形成される。厚さ約５００ナノメートル（ｎｍ）のインジウム燐層が、インジウム燐層１０２の上に成長させられて、サブコレクタ１０４を形成する。厚さ約３００ナノメートル（ｎｍ）のインジウム燐層が、サブコレクタ１０４の上に成長させられて、コレクタ１０６を形成する。
トンネリング抑制層１１０が、コレクタ１０６の上に成長させられる。トンネリング抑制層１１０は、アルミニウム、ガリウム、インジウム、窒素、燐、砒素、及び、アンチモンのうち２つ以上の元素を含む材料から製作される。例えば、トンネリング抑制層１１０は、砒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（AlGaInAs）または砒化燐化アルミニウム・インジウム（AlInAsP）を利用して製作することが可能である。実施態様の１つでは、トンネリング抑制層１１０は、Al0.33Ga0.15In0.52Asの組成を有するAlGaInAsを利用して製作される。ＨＢＴ１００の所望の特性に従って、他の組成を利用することも可能である。例えば、AlGaInAsの組成は、Al1-x-yGaxInyAsとすることも可能である。ここで、０．０９≦ｘ≦０．２５、及び、ｙ＝０．５２。トンネリング抑制層１１０は、約１０〜５０ｎｍの厚さまで成長させられるが、一般には、約２５ｎｍの厚さである。
厚さ約３０ｎｍの砒化アンチモン化ガリウム（GaAsSb）の層が、トンネリング抑制層１１０の上に成長させられて、ベース１０８を形成する。厚さ約１００ｎｍのインジウム燐の層が、ベース１０８の上に形成されて、エミッタ１１２を形成する。エミッタは、砒化アルミニウム・インジウム（AlInAs）、砒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（AlGaInAs）、砒化燐化アルミニウム・インジウム（AlInAsP）、または、アルミニウム、ガリウム、インジウム、窒素、燐、砒素、及び、アンチモンのうち２つ以上の元素を含む別の組成といった、他の材料から形成することも可能である。次に、コレクタ接点１１４及び１１６、ベース接点１１８及び１２２、及び、エミッタ接点１２４が、それぞれ、サブコレクタ１０４、ベース１０８、及び、エミッタ１１２のそれぞれに達するエッチングの後、それらそれぞれの層の上に形成される。
トンネリング抑制層１１０が、ベース１０８を形成する材料とは異なる材料から形成される。さらに、後述するように、トンネリング抑制層１１０を形成する材料の電子親和力χは、ベース１０８を形成する材料とは異なる材料の電子親和力以上である。トンネリング抑制層１１０を形成する材料とベース１０８を形成する材料の電子親和力の差は、例えば、およそ０．０３ｅＶほどになる可能性があるが、やはり、等しいとみなすことが可能である。この例の場合、トンネリング抑制層１１０の材料である砒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（AlGaInAs）の組成は、ベース１０８の材料である砒化アンチモン化ガリウム（GaAsSb）の電子親和力以上の電子親和力χを備えるように選択される。
図３は、逆バイアス下における図２のトンネリング抑制層を含む、砒化アンチモン化ガリウム／インジウム燐（GaAsSb/InP）ＨＢＴのベース・コレクタ接合のバンドダイアグラムである。上述のように、バンドダイアグラム２００には、距離に対する電子エネルギがプロットされている。真空レベルは、２２２で表示され、ベースにおける伝導帯のエネルギ準位は、参照番号２１２で表示され、コレクタにおける伝導帯のエネルギ準位は、参照番号２１４で表示されている。ベースにおける価電子帯のエネルギ準位は、参照番号２１６で表示され、コレクタにおける価電子帯のエネルギ準位は、参照番号２１８で表示されている。電子親和力χは、参照番号２３２で表示されている。GaAsSbベースにおける電子の電子親和力χは、約４．２５ｅＶである。
本発明の実施態様の１つによれば、図２に示すＨＢＴ１００のコレクタ１０６とベース１０８との間にトンネリング抑制層１１０を配置することによって、電子が、トンネル効果でベースの価電子帯からコレクタの伝導帯まで移動しなければならない距離が長くなる。この距離が、矢印２２６によって示されており、トンネリング抑制層がないＨＢＴと比較した場合の、電子が移動しなければならないトンネリング距離の延長を表わしている。点線２３０は、トンネリング抑制層１１０の伝導帯エネルギを示している。参考のため、点線２３０は、トンネリング抑制層のない場合の、コレクタの伝導帯エネルギ２１４の上に重ねて示されている。トンネリング抑制層の電子親和力χは、この例では約４．３ｅＶである、矢印２３６で示されている。参考のため、InPコレクタの伝導帯における電子の電子親和力χは、４．４ｅＶの電子親和力を表わす矢印２３４を利用して示されている。
トンネリング抑制層１１０は、電子がトンネル効果でベースの価電子帯からコレクタの伝導帯に移動する確率を低下させることによって、ＨＢＴ１００の逆（降伏）電圧を上昇させる。電子がトンネル効果でベースの価電子帯からコレクタの伝導帯まで移動しなければならない距離は、事実上、矢印２２６で示すように長くなる。トンネリング抑制層１１０の電子親和力は、ベースの電子親和力にほぼ等しいか、それを超えるので、トンネリング抑制層１１０によって、ベースからコレクタへの所望の伝導体の流れが妨げられることはない。従って、ＨＢＴ１００の所望の「ニー（knee）」・ターンオン特性が維持され、ＨＢＴ１００は、低電圧において多量の電流の流れを示す。
ベースとトンネリング抑制層の１１０の接合２２４における電子親和力χがわずかにオフセットすると、伝導帯を介したベースからコレクタへの電子の移動に対する障壁が弱まる（すなわち、エネルギが増大する）ことになる。
トンネル抑制層１１０を導入する効果の相殺は、トンネリング抑制層１１０に一般的に利用可能な組成（砒化アルミニウム・ガリウム・インジウムまたは砒化燐化アルミニウム・インジウム）の大部分が、インジウム燐に比べて、トンネル効果で移動する電子の有効質量が小さいこと、及び、正孔トンネリング障壁が小さいこと（価電子帯のオフセット）の一方または両方によって生じる。これら両方の効果が、トンネリングの確率を高め、従って、降伏電圧を低下させる働きをする。これらの効果は、トンネリング抑制層１１０によって生じるトンネリング距離の延長とのトレードオフを生じる。トンネリング層１１０の設計を助け、トンネリング確率の低下を確認するため、シミュレーション研究が実施された。シミュレーション結果から明らかなように、トンネリング抑制層１１０は、コレクタ電流を減少させ、従って、ある特定のコレクタ・ベース電圧に関して、ＨＢＴにおけるトンネリング確率を低下させることになる。
図４は、逆バイアス化における図２のトンネリング抑制層の代替実施態様を含む、砒化アンチモン化ガリウム／インジウム燐（GaAsSb/InP）ＨＢＴのベース・コレクタ接合のバンドダイアグラム３００である。図４のトンネリング抑制層は、傾斜（graded）電子親和力χを備えている。点線３３０は、電子がトンネリング抑制層に入り込むまでの距離に応じて変動する、傾斜電子親和力χを備えるトンネリング抑制層１１０を例示している。図５Ｂにおいて、ベースからトンネリング抑制層１１０への電子親和力のステップ３２４が、Δχによって表わされ、トンネリング抑制層１１０における電子親和力の増大は、Δχｔによって表わされている。ベースとトンネリング抑制層１１０の接合３２４の近くにおける電子親和力χは、伝導帯を介してベースからコレクタへ移動する電子に対する障壁を弱めるため、わずかにオフセットしている。層の深さにわたる砒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（AlGaInAs）のトンネリング抑制層の組成を変更することによって、所望の低ニー電圧をもたらし、さらに、トンネル電流を減少させる傾斜トンネリング抑制層が形成される。
図５Ａは、図３に示す、定電子親和力χを有するトンネリング抑制層の電子親和力を例示した概略図４００である。ベース４０２とトンネリング抑制層４１０との接合４１２におけるトンネリング抑制層４１０の電子親和力χは、伝導帯を介して、ベースからコレクタに移動する電子に対する障壁を弱めるため、わずかにΔχだけオフセットしている。トンネリング抑制層４１０の電子親和力は、コレクタ４０４に向かって一定の状態を保つ。この例の場合、ほぼAl0.33Ga0.15In0.52Asの組成によって、約０．０７ｅＶのΔχが得られる。あるいはまた、GaAsSbベースと同じ電子親和力χを備える、ほぼAl0.37Ga0.11In0.52Asまでの組成は、伝導帯を介して、ベースからコレクタに移動する電子に対する障壁を強めるという代償を払って、利用することが可能である。
図５Ｂは、トンネリング抑制層１１０の深さに応じて変化する、電子親和力χを備えたトンネリング抑制層の電子親和力を例示した概略図４２０である。電子親和力の変化は、Al1-x-yGaxInyAs（ここで、０．０９≦ｘ≦０．２５、及び、ｙ＝０．２５）を含むトンネリング抑制層４３０を利用し、ベースの近くよりも、コレクタの近くのガリウムのモル分率を大きくすることによって実現することが可能である。例えば、ｘがトンネリング抑制層のベース側における約０．１２からトンネリング抑制層のコレクタ側における約０．１５に変化すると、ベース４２２の近くの領域４３２において約０．０３ｅＶのΔχと約０．０４ｅＶのΔχｔが生じることになる。この例の場合、ベース４２２の近くの領域４３２における約０．０３ｅＶのΔχによって、伝導帯を介して、ベースからコレクタに移動する電子に対する障壁が弱まり、その傾斜によって、トンネリング抑制層４３０を横断する間に、これらの電子に余剰エネルギが付与される。トンネリング抑制層４３０の傾斜は、図４のバンドダイアグラムにおける点線３３０に対応する。
図５Ｃは、階段状傾斜電子親和力を備えたトンネリング抑制層を例示した概略図４４０である。ベース４４２の近くの遷移４５２におけるトンネリング抑制層４５０の電子親和力は、ベースの電子親和力よりもΔχ１だけ強く、遷移４５４まで一定のままであり、遷移４５４において、さらに、Δχ２の値だけ増大する。例えば、Al0.32Ga0.16In0.52Asの厚さ１５ｎｍの層が後続するAl0.35Ga0.13In0.52Asの厚さ１０ｎｍの層から構成されるトンネリング抑制層によって、図５Ｃに示す階段状傾斜構造が得られることになる。あるいはまた、ＩｎＰとほぼ同じ電子親和力を備えることになるAl0.26Ga0.22In0.52Asまでの組成を利用することも可能である。さらに、トンネリング抑制層は、電子親和力がベースからコレクタまでの間に増大することになる、３つ以上の遷移を利用して形成することも可能になる。AlGaInAsの組成は、Al1-x-yGaxInyAsとすることが可能であり、ここで、０．０９≦ｘ≦０．２５、及び、ｙ＝０．５２である。
あるいはまた、トンネリング抑制層は、例えば、AlInAsとInPを組み合わせて形成されるAlInAsPの組成を利用して製作することも可能である。伝導帯においてGaAsSbと同じ電子親和力χを備える組成のＡｌＩｎＡｓＰは、４１％のInPと５０％のAlInAsを組み合わせることによって形成可能である。７０％のInPと３０％のAlInAsを組み合わせることによって、デルタχ＝０．０７ｅＶの電子親和力のステップを導入することが可能である。この例は、Al0.48In0.52Asの組成を利用して生じる、InPに対して格子整合するように成長させたAlInAsに関するものである。伝導帯において、電子親和力χがGaAsSbの電子親和力を超えるAlInAsPの場合、１００％InPの組成まで、利用するInP分率を高くすることが可能である。例えば、図５Ｂに示す傾斜を有するトンネリング抑制層は、ベースの近くにおいて５８％のInPと４２％のInAlAsを有し、コレクタの近くにおいて７５％のInPと２５％のInAlAsを有するInAlAsPの組成を利用し、その間を直線補間することによって形成可能である。この結果、Δχ＝０．０４ｅＶ及びΔχｔ＝０．０４ｅＶになる。
代替実施態様の場合、トンネリング抑制層は、「ディジタル合金（alloy）」と呼ばれる合成物から形成することが可能である。AlGaInAsのトンネリング抑制層は、例えば、GaInAsの薄層と交互になったAlInAsの薄層を形成することによって、ディジタル合金から形成することが可能である。これらの層は、ある厚さの少数の層を利用して形成することが可能である。例えば、Al0.33Ga0.15In0.52Asのトンネリング抑制層は、Al0.48In0.52AsとGa0.47In0.53Asの交互層を利用して形成することが可能である。トンネリング抑制層の所望の特性に応じて、砒化アルミニウム・インジウム（AlInAs）とインジウム燐（InP）の交互層を含む砒化燐化アルミニウム・インジウム（AlInAsP）のような代替組成を形成することも可能である。
図６は、本発明の実施態様の１つに従ってＨＢＴを製作する方法を明らかにしたフローチャートである。ブロック５０２では、インジウム燐の基板が設けられる。ブロック５０４では、インジウム燐のサブコレクタ層が形成される。ブロック５０６では、インジウム燐のコレクタ層が形成される。ブロック５０８では、トンネリング抑制層が形成される。トンネリング抑制層は、砒化アルミニウム・ガリウム・インジウム、砒化燐化アルミニウム・インジウム（AlInAsP）、または、アルミニウム、ガリウム、インジウム、窒素、燐、砒素、及び、アンチモンのうちの２つ以上の組み合わせを利用して、形成することが可能である。ブロック５１０では、アンチモン化ガリウム・砒素のベース層が形成される。ブロック５１２では、インジウム燐のエミッタ層が形成される。エミッタには、アルミニウム、ガリウム、窒素、砒素、及び、アンチモンのうち２つ以上を含むことも可能である。
本開示では、例示の実施態様を利用して、本発明が詳述されている。しかし、云うまでもないが、付属の請求項によって定義される本発明は、上述の実施態様に厳密に制限されるものではない。
逆バイアス下におけるGaAsSb/InP HBTのベース・コレクタ接合のバンドダイアグラムである。 本発明の実施態様の１つに従って構成されたHBTを例示したブロック図である。 逆バイアス下における、図２のトンネリング抑制層を含む、砒化アンチモン化ガリウム／インジウム燐（GaAsSb/InP）HBTのベース・コレクタ接合のバンドダイアグラムである。 逆バイアス下における、図２のトンネリング抑制層の代替実施態様を含む、GaAsSb/InP HBTのベース・コレクタ接合のバンドダイアグラムである。 図３に示す定電子親和力を有するトンネリング抑制層を例示した概略図である。 電子親和力が深さに応じて変化するトンネリング抑制層を例示した概略図である。 電子親和力が階段状に変化するトンネリング抑制層を例示した概略図である。 本発明の実施態様の１つによるＨＢＴの製作を明らかにしたフローチャートである。
符号の説明
１００ ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ
１０２ 基板
１０６ コレクタ
１０８ ベース
１１０ トンネリング抑制層
１１２ エミッタ

Claims (10)

  1. 基板の上に形成されるコレクタと、
    前記コレクタの上に形成されるベースと、
    前記ベースの上に形成されるエミッタと、
    前記ベースの材料と異なり、前記ベースの材料の電子親和力以上の電子親和力を備える材料から製作された、前記コレクタと前記ベースの間に位置するトンネリング抑制層と、
    を有する、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  2. 前記コレクタがインジウム燐（InP）を含み、前記ベースが砒化アンチモン化ガリウム（GaAsSb）を含み、前記エミッタが、インジウム、燐、アルミニウム、ガリウム、窒素、及び、砒素のうちの２以上を含み、前記トンネリング抑制層が、アルミニウム、ガリウム、インジウム、窒素、燐、砒素、及び、アンチモンのうちの２以上を含む材料である、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  3. 前記トンネリング抑制層が砒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（AlGaInAs）を含む、請求項２に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  4. 前記トンネリング抑制層が、Al0.33Ga0.15In0.52Asを含む、請求項３に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  5. 前記トンネリング抑制層が、本質的に、Al1-x-yGaxInyAsから成り、ここで、0.09≦ｘ≦0.25及びｙ＝0.52である、請求項３に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  6. 前記トンネリング抑制層が、傾斜電子親和力χを供給するように構造される、請求項３に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  7. 前記トンネリング抑制層が、本質的に、Al1-x-yGaxInyAsから成り、ここで、0.09≦ｘ≦0.25及びｙ＝0.52であり、
    前記トンネリング抑制層は、前記ベース付近よりも前記コレクタ付近でガリウムのモル分率が大きい、
    請求項６に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  8. 前記トンネリング抑制層が、砒化燐化アルミニウム・インジウム（AlInAsP）を含む、請求項２に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  9. 前記トンネリング抑制層が、インジウム燐（InP）と砒化アルミニウム・インジウム（AlInAs）を含み、インジウム燐が４０％〜１００％を占める、請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）。
  10. ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製作するための方法であって、
    基板を設けるステップと、
    前記基板の上にサブコレクタを形成するステップと、
    前記サブコレクタの上にコレクタを形成するステップと、
    前記コレクタの上にトンネリング抑制層を形成するステップと、
    前記トンネリング抑制層の上にベースを形成するステップと、
    前記ベースの上にエミッタを形成するステップと、を有し、
    前記トンネリング抑制層が、前記ベースの材料と異なり、前記ベースの材料の電子親和力以上の電子親和力を備える材料を利用して形成される、方法。
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